×
25.08.2017
217.015.b97c

Результат интеллектуальной деятельности: Способ измерения поглощаемой мощности в единице объема плазмы СВЧ разряда в водородсодержащем газе

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к плазменным технологиям, в частности к способам измерения поглощенной мощности в СВЧ-разрядах. При реализации предложенного способа измерения мощности, поглощаемой единицей объема СВЧ-разряда, получают СВЧ-разряд в водородсодержащем газе, фотографируют плазму СВЧ-разряда через светофильтр, выделяющий линию серии Бальмера, по интенсивности оптического излучения определяют границу плазмы разряда, вычисляют занимаемый плазмой объем, а также поглощаемую плазмой полную мощность. Мощность, поглощаемую единицей объема СВЧ-разряда, вычисляют как отношение полной поглощенной плазмой мощности к занимаемому плазмой объему. Техническим результатом изобретения является повышение точности измерений. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к технологии осаждения алмазных пленок из газовой фазы CVD (chemical vaper deposition) методом и может быть использовано, например, для проведения сравнения различных CVD реакторов и выбора реактора с наилучшими характеристиками.

Алмазные пленки, полученные CVD методом, находят применение в различных областях науки и техники. В частности, толстые поликристаллические алмазные пленки (пластины) используются в качестве выходных окон мощных СВЧ генераторов, а также в качестве высокоэффективных отводов тепла. Монокристаллические алмазные пленки могут использоваться для изготовления мощных полупроводниковых приборов. Нанокристаллические алмазные пленки применяются в качестве покрытий с предельно низкой шероховатостью, что важно в трибологических и механических приложениях. Еще одна сфера применения таких пленок - эмиттеры для плоских дисплеев и автоэмиссионные катоды в вакуумной электронике. При этом существенным для применения являются не только уникальные свойства алмазных пленок, но и скорость их роста, важная с точки зрения экономической рентабельности. По мере развития науки и техники предъявляются все более жесткие требования к характеристикам создаваемых алмазных пленок, к удешевлению и оптимизации процесса их производства.

Необходимым условием для получения алмазных пленок в углеродсодержащей газовой среде является наличие атомарного водорода вблизи поверхности, на которой осаждается пленка. Скорость роста алмазных пленок в CVD реакторах зависит от концентрации атомарного водорода, которая определяется величиной поглощаемой мощности в единице объема плазмы (K.W. Hemawan, Т.А. Grotjohn, D.K. Reinhard, J. Asmussen, Improved microwave plasma cavity reactor for diamond synthesis at high-pressure and high power density / Diam. Relat. Mater. 2010. V. 19. P. 1446-1452.) Поглощаемая мощность в единице объема плазмы СВЧ разряда определяется как отношение полной поглощаемой в плазме СВЧ мощности к объему плазмы. Полную поглощаемую в плазме СВЧ мощность можно измерить с высокой точностью. Основная ошибка в определении поглощаемой мощности в единице объема плазмы СВЧ разряда связана с неоднозначным определением объема плазмы.

Известно несколько способов определения поглощаемой мощности в единице объема плазмы СВЧ разряда в CVD реакторах. Наиболее распространенным является способ определения поглощенной мощности в единице объема плазмы СВЧ разряда с помощью фотографии, которую используют для определения объема плазмы СВЧ разряда. Фотографию масштабируют, используя какой-нибудь пространственный масштаб в области разряда. После этого предлагают правило, по которому выбирают границу плазмы. Затем, учитывая аксиальную симметрию плазмы, вычисляется ее объем.

Так, например, известен способ определения поглощаемой мощности в единице объема плазмы в водородсодержащем газе (диссертация Nadira Derkaoui " des plasmas micro-ondes haute de puissance en H2-CH4 et H2-CH4-B2H6 pour le de diamant", 2012), заключающийся в том, что проводят измерение интенсивности линии излучения аргона, добавленного для диагностики, с длиной волны 750.4 нм вдоль оси симметрии разряда. Затем делают предположение, что поглощаемая мощность в единице объема плазмы СВЧ разряда распределена в пространстве так же, как интенсивность линии аргона. Далее величину поглощаемой мощности в единице объема плазмы СВЧ разряда вычисляют усреднением неоднородного пространственного распределения интенсивности линии аргона. В этом способе никак не оценивается ошибка измерений. По нашим оценкам ошибка измерения поглощаемой мощности в единице объема плазмы СВЧ разряда этим способом превышает 100%.

Измерение поглощаемой мощности в единице объема плазмы СВЧ разряда можно осуществить способом, предложенным в статье Hemawan K.W., Grotjohn Т.А., Rein-hard D.K., Asmussen J. Improved microwave plasma cavity reactor for diamond synthesis at high-pressure and high power density / Diam. Relat. Mater. 2010. V. 19. P. 1446-1452, который выбран в качестве прототипа. Способ-прототип заключается в том, что поглощаемую мощность в единице объема плазмы СВЧ разряда определяют как отношение полной поглощаемой в плазме СВЧ мощности к объему плазмы СВЧ разряда. Объем плазмы СВЧ разряда определяют по масштабированным фотографиям светимости разряда во всем оптическом диапазоне спектра. Границу области разряда, по которой вычисляют объем плазмы СВЧ разряда, определяют по яркому центральному ядру плазмы.

Недостатком способа прототипа является использование интегральной светимости разряда, в том числе и не водородсодержащих линий излучения, для измерения поглощаемой мощности в единице объема плазмы СВЧ разряда, так как не очевидна ее связь с областью пространства, где происходит поглощение энергии, а также определение границы разряда по переходу между центральной ярко светящейся областью и остальным оптическим свечением разряда. В этом способе авторы тоже не приводят ошибку измерений. По нашим оценкам ошибка измерения поглощаемой мощности в единице объема плазмы СВЧ разряда этим способом также превышает 100%.

Задачей, на решение которой направлено настоящее изобретение, является разработка способа, позволяющего повысить точность измерения поглощаемой мощности в единице объема плазмы СВЧ разряда в водородсодержащем газе.

Технический результат в разработанном способе достигается тем, что измеряют полную поглощаемую в плазме СВЧ мощность, фотографируют плазму СВЧ разряда, определяют границу плазмы СВЧ разряда по интенсивности оптического излучения для нахождения ее объема, вычисляют поглощаемую мощность в единице объема плазмы СВЧ разряда как отношение полной поглощаемой в плазме СВЧ мощности к объему плазмы СВЧ разряда.

Новым в разработанном способе является то, что фотографируют плазму СВЧ разряда цифровой зеркальной камерой через оптический фильтр, выделяющий линию атома водорода серии Бальмера Нα, применяют линейное преобразование интенсивности оптического излучения для каждого пикселя фотографии плазмы СВЧ разряда при обработке информации, используют распределение интенсивности оптического излучения для определения границы объема плазмы СВЧ разряда, выбирая уровень интенсивности не более 15% от максимального значения.

В первом частном случае реализации способа (по п. 2) новым является то, что фотографируют плазму СВЧ разряда с ее изображения, сформированного вспомогательным объективом на матовом экране.

Во втором частном случае реализации способа (по п. 3) новым является то, что фотографию плазмы СВЧ разряда сохраняют в формате RAW.

Способ поясняется следующими чертежами.

На фиг. 1 приведена схема измерений для общей реализации разработанного способа по п. 1: 1 - резонатор, внутри которого создается плазма; 2 - плазма СВЧ разряда; 3 - оптический фильтр, выделяющий линию атома водорода серии Бальмера Нα; 4 - цифровая зеркальная камера.

На фиг. 2 приведена схема измерений для реализации способа по п. 2: 1 - резонатор, внутри которого создается плазма; 2 - плазма СВЧ разряда; 3 - оптический фильтр, выделяющий линию атома водорода серии Бальмера Нα; 4 - цифровая зеркальная камера, 5 - дополнительный объектив, 6 - матовый экран.

Способ измерения поглощаемой мощности в единице объема плазмы СВЧ разряда в водородсодержащем газе реализуют следующим образом (см. Фиг. 1):

Измеряют полную поглощаемую в плазме СВЧ мощность в плазме СВЧ разряда 2, которую создают в резонаторе 1, имеющем обычно цилиндрическую форму. Плазму СВЧ разряда 2 фотографируют цифровой зеркальной камерой 4 через оптический фильтр 3, выделяющий линию атома водорода серии Бальмера Нα. При обработке информации, полученной с ПЗС (прибор с зарядовой связью) матрицы цифровой зеркальной камеры 4, используют только линейные преобразования интенсивности для каждого пикселя фотографии плазмы СВЧ разряда 2. Границу плазмы СВЧ разряда 2 определяют по распределению интенсивности оптического излучения, выбирая уровень интенсивности не более 15% от максимального значения. Поглощаемую мощность в единице объема плазмы СВЧ разряда вычисляют как отношение полной поглощаемой в плазме СВЧ мощности к объему плазмы СВЧ разряда 2.

Реализация способа по п. 2 (см. Фиг. 2) отличается тем, что фотографируют плазму СВЧ разряда 2 с ее изображения, сформированного дополнительным объективом 5 на матовом экране 6. На практике это сильно упрощает процесс фотографирования плазмы. Однако, поскольку при такой схеме измерения цифровая зеркальная камера 4 оказывается расположенной под углом, дополнительно сравнивают фотографию плазмы СВЧ разряда 2 с фотографией образца прямоугольной формы, помещенного на место разряда (по нему также определяют линейные размеры на фотографии), и путем последующего пересчета при обработке фотографии плазмы СВЧ разряда 2 корректируют имеющиеся геометрические искажения.

Реализация способа по п. 3 отличается тем, что фотографию плазмы СВЧ разряда 2 сохраняют в формате RAW (необработанные данные) для получения информации непосредственно с ПЗС матрицы цифровой зеркальной камеры 4 без искажений, связанных с обработкой данных, которая происходит при сохранении в другие форматы. Использование других форматов, например JPEG, приводит к нелинейным преобразованиям интенсивности оптического излучения, полученной с ПЗС матрицы цифровой зеркальной камеры 4, в общем случае с неизвестным профилем. Уменьшение искажений при передаче и обработке получаемой информации, соответственно, влечет за собой повышение точности предлагаемого способа измерения поглощаемой мощности в единице объема плазмы СВЧ разряда.

По расчетам авторов, предлагаемый способ позволяет определять поглощаемую мощность в единице объема плазмы СВЧ разряда в водородсодержащем газе с ошибкой не более 20-30%, что является хорошим результатом по сравнению с аналогами и прототипом. Такой относительно невысокой ошибки удается достичь из-за использования в способе интенсивности излучения линии атома водорода серии Бальмера Нα, потому что, во-первых, эта линия обладает высокой интенсивностью и легко регистрируется и, во-вторых, согласно расчетам авторов, ее пространственное распределение наиболее близко, по сравнению с другими линиями излучения плазмы, совпадает с распределением поглощаемой мощности в единице объема плазмы СВЧ разряда в водородсодержащем газе. Таким образом, предлагаемый способ обеспечивает измерение поглощаемой мощности в единице объема плазмы СВЧ разряда в водородсодержащем газе с достаточно высокой точностью и позволяет проводить корректное сравнение режимов осаждения алмазных пленок в различных плазмохимических CVD реакторах.


Способ измерения поглощаемой мощности в единице объема плазмы СВЧ разряда в водородсодержащем газе
Способ измерения поглощаемой мощности в единице объема плазмы СВЧ разряда в водородсодержащем газе
Способ измерения поглощаемой мощности в единице объема плазмы СВЧ разряда в водородсодержащем газе
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 11-20 из 72.
13.01.2017
№217.015.69c5

Поршень с упругодеформируемым днищем

Изобретение может быть использовано в поршневых двигателях внутреннего сгорания. Поршень двигателя внутреннего сгорания содержит головку (1) с днищем и канавками (2) для установки поршневых колец, юбку (3) и бобышки (4) с отверстиями (5) под поршневой палец. Днище поршня выполнено в виде...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002591377
Дата охранного документа: 20.07.2016
13.01.2017
№217.015.75ad

Изолятор фарадея с неоднородным магнитным полем для лазеров большой мощности

Изобретение относится к оптической технике и может быть использовано как элемент оптической развязки на эффекте Фарадея для лазеров с субкиловаттной средней мощностью излучения. Изолятор Фарадея с неоднородным магнитным полем для лазеров большой мощности содержит последовательно расположенные...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002598623
Дата охранного документа: 27.09.2016
13.01.2017
№217.015.854c

Изолятор фарадея для неполяризованного лазерного излучения

Изобретение относится к оптической технике, а именно к изоляторам Фарадея для неполяризованного лазерного излучения. Изолятор Фарадея содержит последовательно расположенные на оптической оси поляризационный расщепитель пучка, магнитооптический элемент, установленный в магнитной системе,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002603229
Дата охранного документа: 27.11.2016
13.01.2017
№217.015.8cf1

Способ контактной литотрипсии

Изобретение относится к медицине, хирургии. Осуществляют воздействие на конкремент при контактной литотрипсии. На дистальный конец световода наносят поглощающий, термостойкий, износоустойчивый слой. Используется лазерное излучение, поглощающееся в специально нанесенном на торец волокна слое. В...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002604800
Дата охранного документа: 10.12.2016
25.08.2017
№217.015.a2ef

Изолятор фарадея со стабилизацией степени изоляции

Изобретение относится к оптической технике и может быть использовано как элемент оптической развязки на эффекте Фарадея для лазеров, подверженных влиянию окружающей среды. Изолятор Фарадея со стабилизацией степени изоляции содержит последовательно расположенные на оптической оси поляризатор,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002607077
Дата охранного документа: 10.01.2017
25.08.2017
№217.015.a340

Способ управления сейсмоакустическими косами и устройство позиционирования для его осуществления

Изобретение относится к области геофизики и может быть использовано при проведении морских сейсморазведочных работ. Предлагается устройство автоматизированного позиционирования (УАП), которое представляет собой тело нейтральной плавучести, корпус которого представляет собой две герметично...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002607076
Дата охранного документа: 10.01.2017
25.08.2017
№217.015.bcf8

Способ определения скорости ветра над водной поверхностью

Способ определения скорости ветра над водной поверхностью, в котором получают при помощи двух оптических систем на основе линеек ПЗС-фотодиодов с разными направлениями визирования два пространственно-временных изображения водной поверхности. Стыкуют полученные изображения. Определяют...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002616354
Дата охранного документа: 14.04.2017
25.08.2017
№217.015.c9c8

Оптический вентиль с компенсацией термонаведенной деполяризации в магнитном поле

Оптический вентиль с компенсацией термонаведенной деполяризации в магнитном поле включает в себя последовательно расположенные поляризатор, два магнитооптических элемента, установленных внутри магнитной системы и невзаимно вращающих плоскость поляризации проходящего излучения на суммарный угол,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002619357
Дата охранного документа: 15.05.2017
25.08.2017
№217.015.d0f7

Ячейка поккельса для мощного лазерного излучения

Изобретение относится к оптической технике. Сущность изобретения заключается в охлаждении электрооптического элемента ячейки Поккельса, выполненного из кристалла DKDP, до криогенных температур в оптическом криостате. Для этого электрооптический элемент присоединен посредством теплопроводящей...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002621365
Дата охранного документа: 02.06.2017
26.08.2017
№217.015.de6a

Способ создания легированных дельта-слоев в cvd алмазе

Изобретение относится к технологии осаждения алмазных пленок из газовой фазы CVD методом, а именно к способу получения легированного дельта-слоя в CVD алмазе. Алмазную подложку помещают в CVD реактор. Сначала на подложку осаждают слой нелегированного CVD алмаза в потоке газовой смеси,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002624754
Дата охранного документа: 06.07.2017
Показаны записи 11-20 из 39.
13.01.2017
№217.015.69c5

Поршень с упругодеформируемым днищем

Изобретение может быть использовано в поршневых двигателях внутреннего сгорания. Поршень двигателя внутреннего сгорания содержит головку (1) с днищем и канавками (2) для установки поршневых колец, юбку (3) и бобышки (4) с отверстиями (5) под поршневой палец. Днище поршня выполнено в виде...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002591377
Дата охранного документа: 20.07.2016
13.01.2017
№217.015.75ad

Изолятор фарадея с неоднородным магнитным полем для лазеров большой мощности

Изобретение относится к оптической технике и может быть использовано как элемент оптической развязки на эффекте Фарадея для лазеров с субкиловаттной средней мощностью излучения. Изолятор Фарадея с неоднородным магнитным полем для лазеров большой мощности содержит последовательно расположенные...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002598623
Дата охранного документа: 27.09.2016
13.01.2017
№217.015.854c

Изолятор фарадея для неполяризованного лазерного излучения

Изобретение относится к оптической технике, а именно к изоляторам Фарадея для неполяризованного лазерного излучения. Изолятор Фарадея содержит последовательно расположенные на оптической оси поляризационный расщепитель пучка, магнитооптический элемент, установленный в магнитной системе,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002603229
Дата охранного документа: 27.11.2016
13.01.2017
№217.015.8cf1

Способ контактной литотрипсии

Изобретение относится к медицине, хирургии. Осуществляют воздействие на конкремент при контактной литотрипсии. На дистальный конец световода наносят поглощающий, термостойкий, износоустойчивый слой. Используется лазерное излучение, поглощающееся в специально нанесенном на торец волокна слое. В...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002604800
Дата охранного документа: 10.12.2016
25.08.2017
№217.015.a2ef

Изолятор фарадея со стабилизацией степени изоляции

Изобретение относится к оптической технике и может быть использовано как элемент оптической развязки на эффекте Фарадея для лазеров, подверженных влиянию окружающей среды. Изолятор Фарадея со стабилизацией степени изоляции содержит последовательно расположенные на оптической оси поляризатор,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002607077
Дата охранного документа: 10.01.2017
25.08.2017
№217.015.a340

Способ управления сейсмоакустическими косами и устройство позиционирования для его осуществления

Изобретение относится к области геофизики и может быть использовано при проведении морских сейсморазведочных работ. Предлагается устройство автоматизированного позиционирования (УАП), которое представляет собой тело нейтральной плавучести, корпус которого представляет собой две герметично...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002607076
Дата охранного документа: 10.01.2017
25.08.2017
№217.015.bcf8

Способ определения скорости ветра над водной поверхностью

Способ определения скорости ветра над водной поверхностью, в котором получают при помощи двух оптических систем на основе линеек ПЗС-фотодиодов с разными направлениями визирования два пространственно-временных изображения водной поверхности. Стыкуют полученные изображения. Определяют...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002616354
Дата охранного документа: 14.04.2017
25.08.2017
№217.015.c9c8

Оптический вентиль с компенсацией термонаведенной деполяризации в магнитном поле

Оптический вентиль с компенсацией термонаведенной деполяризации в магнитном поле включает в себя последовательно расположенные поляризатор, два магнитооптических элемента, установленных внутри магнитной системы и невзаимно вращающих плоскость поляризации проходящего излучения на суммарный угол,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002619357
Дата охранного документа: 15.05.2017
25.08.2017
№217.015.d0f7

Ячейка поккельса для мощного лазерного излучения

Изобретение относится к оптической технике. Сущность изобретения заключается в охлаждении электрооптического элемента ячейки Поккельса, выполненного из кристалла DKDP, до криогенных температур в оптическом криостате. Для этого электрооптический элемент присоединен посредством теплопроводящей...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002621365
Дата охранного документа: 02.06.2017
26.08.2017
№217.015.de6a

Способ создания легированных дельта-слоев в cvd алмазе

Изобретение относится к технологии осаждения алмазных пленок из газовой фазы CVD методом, а именно к способу получения легированного дельта-слоя в CVD алмазе. Алмазную подложку помещают в CVD реактор. Сначала на подложку осаждают слой нелегированного CVD алмаза в потоке газовой смеси,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002624754
Дата охранного документа: 06.07.2017
+ добавить свой РИД