×
19.01.2017
217.015.92ff

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО МАТЕРИАЛА

Вид РИД

Изобретение

Юридическая информация Свернуть Развернуть
№ охранного документа
0001287653
Дата охранного документа
20.07.2016
Краткое описание РИД Свернуть Развернуть
Аннотация: 1. Способ получения полупроводникового материала, включающий пропускание импульсов постоянного тока через систему источник - твердый электролит - исходный полупроводниковый материал, в которой твердый электролит берут в виде ионопроводящей мембраны, а состав исходного материала изменяют в пределах области гомогенности путем контроля количества пропущенного электричества, причем процесс ведут при повышенной температуре с последующим охлаждением в атмосфере инертного газа, отличающийся тем, что, с целью получения гетероперехода в полупроводниковом материале, предварительно строят калибровочные кривые интегральной и дифференциальной зависимостей ЭДС от количества пропущенного электричества, определяют на их основе ширину области гомогенности, выбирают состав исходного материала в пределах этой области и пропускают количество электричества, необходимое для изменения состава приповерхностного слоя полупроводникового материала на 3-20% ширины области гомогенности, а охлаждение ведут путем закалки системы. 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью увеличения срока службы гетероперехода, процесс ведут при 200-300°C.
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 21-21 из 21.
19.01.2017
№217.015.9331

Способ получения халькогенидных стекол

Способ получения халькогенидных стекол, включающий помещение исходных компонентов в ампулу, вакуумирование, синтез сплава, охлаждение и введение быстроокисляющегося элемента, отличающийся тем, что, с целью повышения качества стекол путем исключения возможности попадания примесей кислорода,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0001039144
Дата охранного документа: 10.07.2016
+ добавить свой РИД