×
12.01.2017
217.015.6075

Результат интеллектуальной деятельности: ЭЛЕКТРОННАЯ ОТПАЯННАЯ ПУШКА ДЛЯ ВЫВОДА ЭЛЕКТРОННОГО ПОТОКА ИЗ ВАКУУМНОЙ ОБЛАСТИ ПУШКИ В АТМОСФЕРУ ИЛИ ИНУЮ ГАЗОВУЮ СРЕДУ

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к электронной технике, а именно к электронным пушкам, предназначенным для вывода электронного потока из вакуумной области пушки наружу: в атмосферу или иную газовую среду, и может быть использовано в полупроводниковой и квантовой электронике, в медицине, в плазмохимии. Технический результат - повышение средней плотности мощности. Электронная отпаянная пушка включает металлический корпус, в торце которого соосно катоду расположено окно вывода электронов. Окно выполнено из теплопроводящего диэлектрика переменной толщины по площади окна, поверхность диэлектрика, обращенная к катоду, имеет токопроводящее покрытие, электрически связанное с корпусом пушки. 6 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к электронной технике, а именно к электронным пушкам, предназначенным для вывода электронного потока из вакуумной области пушки наружу: в атмосферу или иную газовую среду, и может быть использовано в полупроводниковой электронике для создания мощных миниатюрных структур, в квантовой электронике при изготовлении электроионизационных лазеров, в медицине для стерилизации инструментов и поверхности биологических объектов, в плазмохимии для полимеризации и ускорения медленно протекающих химических реакций, а также в других областях техники.

В существующих электронных отпаянных пушках вывод высокоскоростного потока электронов из вакуумной области пушки наружу осуществляется через тонкую металлическую фольгу, при прохождении которой электроны выделяют в ней часть своей энергии, что приводит к нагреву фольги, ограничивая плотность мощности пушки (Вт/см2). У металлов, используемых в качестве материала фольги, - титана, бериллия и т.п. коэффициент теплопроводности не превышает λ=2 Вт/(см·K), что не позволяет поднять среднюю плотность мощности электронной отпаянной пушки более 10 Вт/см2 при средней плотности тока 30-100 мкА/см2 / Симонов К.Г. Электронные отпаянные пушки. М. Радио и Связь, 1985, 125 с./.

Для повышения средней плотности мощности электронной отпаянной пушки применяют форсированные (принудительные) способы охлаждения фольги, реализуемые в виде каркаса из металлических трубок, имеющих тепловой контакт с фольгой, по которым протекает вода /Там же/.

Недостатком устройств, использующих принудительное водяное охлаждение, является то, что поток тепла ограничен теплопроводностью материала фольги, а также громоздкостью и сложностью конструкции.

Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату является электронная отпаянная пушка для вывода ленточного электронного потока из вакуумной области пушки в атмосферу или иную газовую среду, включающая корпус в виде металлической трубы, в торцевой части которой расположено окно вывода электронов, выполненное в виде фольги, вакуумно-плотно соединенной с опорным основанием окна, и расположенные в корпусе соосно ленточный катод, продольная ось которого параллельна продольной оси окна вывода электронов, и фокусирующие электроды /Патент РФ №2267830/.

В данной электронной отпаянной пушке выводное окно выполнено в виде тонкой металлической фольги, укрепленной на продольных перемычках, по которым выделяемое в фольге тепло стекает к охлаждаемому основанию пушки.

Недостатком данной пушки является небольшая величина ее средней плотности мощности, так как отводимый поток тепла, выделенный в фольге, ограничен теплопроводностью металла фольги λ<2 Вт/(см·K) и материалом перемычек.

Задачей изобретения является устранение выше указанного недостатка.

Техническим результатом предложенного технического решения является повышение средней плотности мощности.

Указанная задача решается, а технический эффект достигается за счет того, что в электронной отпаянной пушке для вывода электронного потока из вакуумной области пушки в атмосферу или иную газовую среду, включающей корпус в виде металлической трубы, в торцевой части которой расположено окно вывода электронов, вакуумно-плотно соединенное с опорным основанием окна, и расположенные в корпусе соосно катод, продольная ось которого параллельна продольной оси окна вывода электронов, и фокусирующие электроды, окно вывода электронов выполнено из теплопроводящего диэлектрика переменной толщины по площади окна, поверхность диэлектрика, обращенная к катоду, имеет токопроводящее покрытие, при этом токопроводящее покрытие электрически соединено с опорным основанием и корпусом пушки.

Диэлектрическое окно вывода электронов выполнено из алмаза.

Поверхность диэлектрика, обращенная наружу, имеет токопроводящее покрытие, электрически связанное с корпусом пушки, при этом токопроводящие покрытия выполнены из металла.

Диэлектрическое окно состоит из толстых и тонких участков, последовательно сменяющих друг друга, по крайней мере, по одному из направлений, при этом вдоль толстых участков диэлектрического окна расположены трубки охлаждения, имеющие тепловой контакт с поверхностью структуры.

Опорное основание имеет систему охлаждения.

Сущность изобретения.

В ходе проведенных исследований были установлены следующие факты.

Существуют теплопроводящие диэлектрики с теплопроводностью, большей теплопроводности металлов фольг, например алмаз, у которого коэффициент теплопроводности λ=20 Вт/(см·K) значительно больше коэффициентов теплопроводности титана λ=0,2 Вт/(см·K), бериллия λ=2 Вт/(см·K) /Физические величины: Справочник / А.П. Бабичев, Н.А. Бабушкина и др. Под ред. И.С. Григорьева. - М.: Энергоатомиздат, 1991. - 1232 с./. Поскольку поток тепла в твердом теле прямо пропорционален его коэффициенту теплопроводности, то замена титана на алмаз при всех прочих равных условиях, повысит величину отводимой мощности в 100 раз, а по сравнению с бериллием в 10 раз.

Помимо высокой теплопроводности алмаз имеет более высокий предел прочности - σ=500 МПа, а у титана и бериллия с σ≈250 МПа /Там же/, что позволяет алмазу выдерживать больший перепад давления между вакуумом пушки и атмосферой при той же конструкции окна вывода электронов или делать окно тоньше, тем самым повысить плотность мощности.

Кроме того, глубина проникновения электронов в вещество имеет тенденцию расти при переходе от металлов к полупроводникам и далее к диэлектрикам /Там же/, что объясняется снижением потерь энергии высокоэнергичного электрона при его взаимодействии со свободными электронами вещества: у диэлектриков зона проводимости, где существуют свободные электроны, пуста. Это снижает энергетические потери потока электронов в окне, выполненном из диэлектрика.

Все три указанные выше преимущества теплопроводящего диэлектрика, в частности алмаза, по сравнению с металлами фольг, используемыми в существующих электронных отпаянных пушках, включая прототип, позволяют создать на базе диэлектрического окна вывода электронов электронную отпаянную пушку с существенно большей средней плотностью мощности. При сохранении площади окна возрастет средняя мощность пушки, кроме того, можно создать мощную электронную отпаянную пушку, работающую в непрерывном режиме.

При прохождении электронов сквозь диэлектрическое окно часть из них оседает в нем и диэлектрик заряжается. Нанесенный на поверхность диэлектрика тонкий токопроводящий слой электрически замкнут с опорным основанием окна и стенками пушки, при этом они вместе образуют токопроводящую полость, практически полностью охватывающую катод, фиг. 1. В такой конструкции заряд диэлектрика полностью экранируется токопроводящей полостью и не оказывает влияния на траектории электронов внутри пушки. Более того, этот отрицательный заряд не повлияет на скорости электронов после прохождения ими окна вследствие консервативности постоянного электрического поля: их торможение внутри диэлектрика скомпенсируется ровно таким же ускорением, после его прохождения (закон сохранения энергии).

Накопление заряда в диэлектрике приведет к росту в нем напряженности электрического поля и, когда она достигнет пробойной величины Eпр≈150 кВ/мм /Там же/, произойдет пробой диэлектрика: заряд мгновенно стечет через тонкий токопроводящий слой на землю. Вся энергия, выделенная в диэлектрике при пробое, перейдет в тепло. Ее объемная плотность равна , что приведет к росту температуры диэлектрика за один пробой или ΔT=0,05 градуса для алмаза, т.е. стекание тока при пробое произойдет без перегрева и разрушения диэлектрика.

Таким образом, использование теплопроводящего диэлектрика с токопроводящим покрытием в качестве окна вывода электронной отпаянной пушки позволяет существенно повысить среднюю плотность мощности пушки.

На фиг. 1 схематично показана в разрезе электронная отпаянная пушка.

На фиг. 2 приведена в разрезе более эффективная конструкция диэлектрического окна переменной толщины с трубками охлаждения.

Электронная пушка состоит из катодного узла 1, включающего катод и фокусирующие электроды и закрепленного на катодном держателе 2 через высоковольтный изолятор 3 на торце корпуса 4. Соосно катодному узлу 1 на противоположном торце корпуса установлено диэлектрическое окно 5 с толстыми 6 и тонкими 7 участками для вывода электронов, вакуумно-плотно соединенное с основанием 8. Основание 8 вакуумно-плотно соединено с корпусом пушки 4. На поверхность диэлектрика, обращенную внутрь пушки, нанесен тонкий слой токопроводящего покрытия 9.

Электронная пушка работает следующим образом.

На катод, например прямонакальный, и фокусирующие электроды, выполненные, например, из молибдена, катодного узла 1 от высоковольтного источника(ов) питания (не показан) подается отрицательное относительно земли напряжение. Корпус пушки 4, выполненный, например, из стали, заземлен. Внутри пушки между катодным узлом 1 и корпусом 4 создано электрическое поле, которое формирует высокоскоростной поток электронов, эмитированных катодом, и направляет его на тонкие участки 7 диэлектрического окна 5 вывода электронов, выполненное, например, из алмаза. Поток электронов проходит сквозь тонкие участки 7 окна с малыми потерями, поскольку их толщина в несколько раз меньше глубины проникновения электронов в материал окна. Электроны, перехваченные диэлектрическим окном, после их накопления (см. выше), уходят из диэлектрика в токопроводящее покрытие 9, выполненное, например, из никеля толщиной 0,1-1 мкм, и стекают по нему на основание 8, выполненное, например, из стали, и далее на землю.

Выделяемая электронами внутри тонких участков 7 диэлектрика энергия отводится теплопроводящим диэлектриком через его толстые участки 6, например, к основанию 8. Поскольку коэффициент теплопроводности алмаза превышает аналогичные значения для бериллия в 10 раз, титана в - 100 раз, то во столько же раз возрастет средняя плотность мощности пушки при той же геометрии окна.

Помимо теплоотвода толстые участки 6 диэлектрического окна обеспечивают его прочность, т.е. выполняют функцию каркаса, а токопроводящее покрытие 9, электрически соединенное с основанием и корпусом пушки, обеспечивает экранировку внутреннего пространства пушки от заряда диэлектрика.

Таким образом, использование окна вывода электронов из теплопроводящего диэлектрика переменной толщины, например алмаза, с токопроводящим покрытием повышает среднюю плотность мощности электронной отпаянной пушки минимум на порядок при сохранении ее остальных параметров.

Для усиления эффекта диэлектрическое окно вывода электронов выполняют из алмаза - самого теплопроводящего из известных материалов.

Для исключения бомбардировки диэлектрического окна энергичными ионами из атмосферы внешняя поверхность окна имеет токопроводящее покрытие 10, электрически связанное с основанием пушки

Работа более эффективного диэлектрического окна пояснена на фиг. 2.

Тонкие 7 и толстые 6 участки периодически сменяют друг друга по одному из направлений, что позволяет обеспечить более высокую механическую прочность окна, так как толстые участки имеют форму «прочных балок», и равномерный теплоотвод от тонких участков, в которых идет тепловыделение, к толстыми участкам, через которые тепло (обозначен стрелками) отводится к основанию окна 8.

Использование трубок охлаждения 11 вдоль толстых участков диэлектрического окна, имеющих тепловой контакт с ними, повышает среднюю плотность мощности за счет сокращения пути теплопередачи от места его выделения до места его стока.

Для большей эффективности токопроводящие покрытия выполняют из металла, например никеля.

Для усиления эффекта и обеспечения прочности диэлектрического окна его выполняют из толстых и тонких участков, последовательно сменяющих друг друга, по крайней мере, по одному из направлений.

Для усиления эффекта применяют принудительное охлаждение, вводя вдоль толстых участков диэлектрического окна трубки охлаждения, имеющие тепловой контакт с поверхностью структуры, фиг. 2.

Для усиления эффекта основание окна принудительно охлаждают.


ЭЛЕКТРОННАЯ ОТПАЯННАЯ ПУШКА ДЛЯ ВЫВОДА ЭЛЕКТРОННОГО ПОТОКА ИЗ ВАКУУМНОЙ ОБЛАСТИ ПУШКИ В АТМОСФЕРУ ИЛИ ИНУЮ ГАЗОВУЮ СРЕДУ
ЭЛЕКТРОННАЯ ОТПАЯННАЯ ПУШКА ДЛЯ ВЫВОДА ЭЛЕКТРОННОГО ПОТОКА ИЗ ВАКУУМНОЙ ОБЛАСТИ ПУШКИ В АТМОСФЕРУ ИЛИ ИНУЮ ГАЗОВУЮ СРЕДУ
ЭЛЕКТРОННАЯ ОТПАЯННАЯ ПУШКА ДЛЯ ВЫВОДА ЭЛЕКТРОННОГО ПОТОКА ИЗ ВАКУУМНОЙ ОБЛАСТИ ПУШКИ В АТМОСФЕРУ ИЛИ ИНУЮ ГАЗОВУЮ СРЕДУ
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 1-10 из 29.
27.01.2013
№216.012.2136

Свч-прибор клистронного типа (варианты)

Изобретение относится к радиоэлектронике, в частности к электровакуумным СВЧ-приборам, предназначенным для получения СВЧ-мощности на двух кратных частотах, и может быть использовано, например, в радиолокации, радиопротиводействии и в других областях техники. В СВЧ-приборе двухзазорный выходной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002474003
Дата охранного документа: 27.01.2013
10.02.2013
№216.012.24cb

Интегральная схема свч

Изобретение относится к электронной технике, а именно интегральным схемам СВЧ, и может быть широко использовано в электронной технике СВЧ, в частности в радиолокационных станциях с фазированными антенными решетками (ФАР). Технический результат - улучшение электрических характеристик, повышение...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002474921
Дата охранного документа: 10.02.2013
10.08.2013
№216.012.5d67

Способ получения пластины комбинированного поликристаллического и монокристаллического алмаза

Изобретение относится к технологии химического осаждения из газовой фазы алмазных пленок и может быть использовано, например, для получения алмазных подложек, в которых монокристаллический и поликристаллический алмаз образует единую пластину, используемую в технологии создания электронных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002489532
Дата охранного документа: 10.08.2013
10.08.2013
№216.012.5e53

Способ получения пористого слоя оксида алюминия на изолирующей подложке

Изобретение относится к области получения структур, используемых, например, для изготовления полевых транзисторов и элементов памяти, необходимых для применения в микроэлектронике, системотехнике. Предложен способ получения пористых слоев оксида алюминия на изолирующих подложках. Способ...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002489768
Дата охранного документа: 10.08.2013
10.08.2013
№216.012.5e55

Гибридная интегральная схема свч

Изобретение относится к гибридным интегральным схемам СВЧ и предназначено для радиоэлектронных устройств различного назначения, в том числе радиолокационных станции с фазированными антенными решетками (ФАР). Технический результат - улучшение электрических характеристик гибридных интегральных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002489770
Дата охранного документа: 10.08.2013
10.04.2014
№216.012.b493

Тепловой диод

Изобретение относится к области теплотехники, в частности к регулировке температурных режимов теплонагруженных устройств, и может быть использовано в твердотельной и вакуумной электронике, в авиационном двигателестроении, а также других областях техники. Тепловой диод содержит, по меньшей мере,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002511948
Дата охранного документа: 10.04.2014
27.09.2014
№216.012.f710

Броневая защита от поражения ударным оружием

Изобретение относится к области военной техники, в частности к броневым защитным конструкциям. Броневая защита от поражения ударным оружием включает подложку и наружный покровный слой. Подложка выполнена одно- или двухслойной. Покровный слой выполнен из материала, скорость звука в котором...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002529085
Дата охранного документа: 27.09.2014
10.01.2015
№216.013.1738

Способ плазменно-электромагнитного воздействия на диэлектрический материал

Изобретение относится к технологии термической обработки твердых диэлектрических тел, включая их разрушение, в частности тел с низким коэффициентом поглощения электромагнитного излучения (горные породы, строительные материалы и пр.), и может быть использовано в горном деле и строительстве....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002537372
Дата охранного документа: 10.01.2015
27.06.2015
№216.013.5825

Сверхмощный многолучевой свч прибор клистронного типа

Изобретение относится к радиоэлектронике, в частности к электровакуумным СВЧ приборам, предназначенным для получения сверхбольших импульсных и средних мощностей, и может быть использовано в системах радиопротиводействия, системах функционального поражения, ускорителях заряженных частиц и других...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002554106
Дата охранного документа: 27.06.2015
20.07.2015
№216.013.64aa

Способ изготовления интегральной схемы свч

Изобретение относится к электронной технике. В способе изготовления интегральной схемы СВЧ, включающем изготовление диэлектрической подложки из алмаза толщиной 100-200 мкм, нанесение на нее металлизационного покрытия, формирование активных и пассивных элементов, элементов линий передачи,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002557317
Дата охранного документа: 20.07.2015
Показаны записи 1-10 из 38.
27.01.2013
№216.012.2136

Свч-прибор клистронного типа (варианты)

Изобретение относится к радиоэлектронике, в частности к электровакуумным СВЧ-приборам, предназначенным для получения СВЧ-мощности на двух кратных частотах, и может быть использовано, например, в радиолокации, радиопротиводействии и в других областях техники. В СВЧ-приборе двухзазорный выходной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002474003
Дата охранного документа: 27.01.2013
10.02.2013
№216.012.24cb

Интегральная схема свч

Изобретение относится к электронной технике, а именно интегральным схемам СВЧ, и может быть широко использовано в электронной технике СВЧ, в частности в радиолокационных станциях с фазированными антенными решетками (ФАР). Технический результат - улучшение электрических характеристик, повышение...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002474921
Дата охранного документа: 10.02.2013
10.08.2013
№216.012.5d67

Способ получения пластины комбинированного поликристаллического и монокристаллического алмаза

Изобретение относится к технологии химического осаждения из газовой фазы алмазных пленок и может быть использовано, например, для получения алмазных подложек, в которых монокристаллический и поликристаллический алмаз образует единую пластину, используемую в технологии создания электронных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002489532
Дата охранного документа: 10.08.2013
10.08.2013
№216.012.5e53

Способ получения пористого слоя оксида алюминия на изолирующей подложке

Изобретение относится к области получения структур, используемых, например, для изготовления полевых транзисторов и элементов памяти, необходимых для применения в микроэлектронике, системотехнике. Предложен способ получения пористых слоев оксида алюминия на изолирующих подложках. Способ...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002489768
Дата охранного документа: 10.08.2013
10.08.2013
№216.012.5e55

Гибридная интегральная схема свч

Изобретение относится к гибридным интегральным схемам СВЧ и предназначено для радиоэлектронных устройств различного назначения, в том числе радиолокационных станции с фазированными антенными решетками (ФАР). Технический результат - улучшение электрических характеристик гибридных интегральных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002489770
Дата охранного документа: 10.08.2013
10.04.2014
№216.012.b493

Тепловой диод

Изобретение относится к области теплотехники, в частности к регулировке температурных режимов теплонагруженных устройств, и может быть использовано в твердотельной и вакуумной электронике, в авиационном двигателестроении, а также других областях техники. Тепловой диод содержит, по меньшей мере,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002511948
Дата охранного документа: 10.04.2014
27.09.2014
№216.012.f710

Броневая защита от поражения ударным оружием

Изобретение относится к области военной техники, в частности к броневым защитным конструкциям. Броневая защита от поражения ударным оружием включает подложку и наружный покровный слой. Подложка выполнена одно- или двухслойной. Покровный слой выполнен из материала, скорость звука в котором...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002529085
Дата охранного документа: 27.09.2014
10.01.2015
№216.013.1738

Способ плазменно-электромагнитного воздействия на диэлектрический материал

Изобретение относится к технологии термической обработки твердых диэлектрических тел, включая их разрушение, в частности тел с низким коэффициентом поглощения электромагнитного излучения (горные породы, строительные материалы и пр.), и может быть использовано в горном деле и строительстве....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002537372
Дата охранного документа: 10.01.2015
27.06.2015
№216.013.5825

Сверхмощный многолучевой свч прибор клистронного типа

Изобретение относится к радиоэлектронике, в частности к электровакуумным СВЧ приборам, предназначенным для получения сверхбольших импульсных и средних мощностей, и может быть использовано в системах радиопротиводействия, системах функционального поражения, ускорителях заряженных частиц и других...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002554106
Дата охранного документа: 27.06.2015
20.07.2015
№216.013.64aa

Способ изготовления интегральной схемы свч

Изобретение относится к электронной технике. В способе изготовления интегральной схемы СВЧ, включающем изготовление диэлектрической подложки из алмаза толщиной 100-200 мкм, нанесение на нее металлизационного покрытия, формирование активных и пассивных элементов, элементов линий передачи,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002557317
Дата охранного документа: 20.07.2015
+ добавить свой РИД