×
20.06.2016
217.015.03ec

Результат интеллектуальной деятельности: ШИХТА ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ТЕЛЛУРИТНО-МОЛИБДАТНЫХ СТЕКОЛ (ВАРИАНТЫ)

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Заявляемое изобретение относится к области химии и касается шихты для получения теллуритно-молибдатных стекол, которые могут найти применение в оптике для изготовления волоконных световодов и планарных оптических волноводов, применяемых в оптоэлектронных приборах видимого, ближнего и среднего ИК-диапазонов. Теллуритные стекла, содержащие оксиды редкоземельных элементов, могут быть использованы для изготовления компактных магнитооптических фильтров для защиты лазерных установок от отраженного излучения. Шихта для получения теллуритных стекол содержит смесь сложных оксидов элементов, бинарные оксиды которых являются компонентами стекла. Основным компонентом является TeMoO, к которому добавляют сложные оксиды теллура и трехвалентных элементов или сложные оксиды молибдена и вольфрама и трёхвалентных элементов (редкоземельных элементов и висмута). Техническим результатом от использования предлагаемого изобретения является повышение оптической прозрачности теллуритно-молибдатных стекол с высоким содержанием в них триоксида молибдена в видимой и ближней ИК-областях спектра. 3 н. и 3 з.п. ф-лы, 2 табл., 5 пр.

Заявляемое изобретение относится к области химии и касается шихты для получения теллуритных стекол, которые могут найти применение в оптике для изготовления волоконных световодов и планарных оптических волноводов, применяемых в оптоэлектронных приборах видимого, ближнего и среднего ИК-диапазонов. Теллуритные стекла, содержащие оксиды редкоземельных элементов, могут быть использованы для изготовления компактных магнитооптических фильтров для защиты лазерных установок от отраженного излучения.

Традиционный способ получения теллуритных стекол заключается в сплавлении шихты, в качестве которой используют мелко растертые оксиды теллура (IV), молибдена (VI), вольфрама (VI) и других элементов. которые являются макрокомпонентами стекла с заданным их содержанием, в тигле, изготовленном из платины, или золота, или оксида алюминия, с последующим охлаждением полученного расплава (например, Takao Sekiya, Norio Mochida, Shinji Ogawa. Structural Study of MoO3-TeO2 Glasses // Journal of Non-Crystalline Solids 185 (1995) 135-144; Hong-Wei Li, Shi-Qing Man. Optical Properties of Er3+ in МоО3-Bi2O3-TeO2 Glasses // Optics Communications 282 (2009) 1579-1583; R.A. El-Mallawany, L.M. Sharaf El-Deen, M.M. Elkholy. Dielectric Properties and Polarizability of Molybdenum Tellurite Glasses // Journal of Materials Science 31 (1996) 6339-6343). Во всех упомянутых источниках плавление шихты ведут при 700-900°С.

Недостатком упомянутого способа является относительно высокая температура синтеза, из-за которой полученные стекла обладают высоким светопоглощением в видимой и ближней ИК-областях спектра, причем светопоглощение усиливается по мере повышения в стекле относительного содержания триоксида молибдена. В процессе синтеза стекол происходит восстановление молибдена (VI). что приводит к появлению в системе соединений молибдена в низших состояниях окисления. Эти соединения молибдена обусловливают высокие оптические потери в видимой и смежной с ней части ИК-области спектра.

Известен способ получения теллуритно-молибдатных стекол плавлением шихты из мелко растертых оксидов теллура (IV) и молибдена (VI), которые являются макрокомпонентами стекла с заданным их содержанием, в тигле, изготовленном из оксида алюминия, при температуре 900-950°С с последующим охлаждением полученного сплава.

Поставленная задача достигается тем, что шихта для получения теллуритно-молибдатных стекол содержит смесь сложного оксида теллура и молибдена, сложного оксида теллура и висмута и сложного оксида висмута и молибдена, бинарные оксиды которых являются компонентами стекла; используются Bi2TeO6, и Bi2Mo3O12, и Te2MoO7, или Bi6Te2O15, и Bi2Mo3O12, и Те2МоО7, или Bi2TeO6, и Bi2MoO6, и Te2MoO7, или Bi6Te2O15, и Bi2MoO6, и Те2МоО7, или Bi2TeO6, и Bi2Mo3O12, и Те2МоО7, или Bi6Te2O15, и Bi2Mo3O12, и Te2MoO7.

Поставленная задача достигается также тем, что шихта для получения теллуритно-молибдатных стекол содержит смесь сложного оксида теллура и молибдена, сложного оксида теллура и лантана и сложного оксида лантана и молибдена, бинарные оксиды которых являются компонентами стекла; используются La2Te4O11, и La2Mo3O12, и Te2MoO7, или La2Te4O11, и La2Mo2O9, и Te2MoO7, или La2TeO6, и La2Mo2O9, и Te2MoO7, или La2TeO6, и La2Mo3O12, и Te2MoO7.

Поставленная задача достигается также тем, что шихта для получения теллуритно-молибдатных стекол содержит смесь сложного оксида теллура и молибдена и сложного оксида лантана и вольфрама, бинарные оксиды которых являются компонентами стекла: используются Te2MoO7 и La2W22O81, или Te2MoO7 и La2W3O12, или Te2MoO7 и La2W2O9.

На фиг. 1 представлены кривые зависимости удельного поглощения от длины волны (спектры поглощения) стекла состава (TeO2)0.58(МоО3)0.29(BiO1.5)0.13, полученного из: 1 - сложных оксидов Bi2TeO6, Bi2MoO6, Te2MoO7, 2 - бинарных оксидов TeO2, MoO3, Bi2O3.

На фиг. 2 приведены кривые зависимости удельного поглощения от длины волны (спектры поглощения) стекла состава (TeO2)0.50(МоО3)0.25(LaO1.5)0.25, полученного из сложных оксидов La2TeO6, La2Mo2O9, Te2MoO7.

В качестве исходных компонентов шихты для получения теллуритно-молибдатных стекол используются сложные оксиды теллура, молибдена, вольфрама, висмута и редкоземельных элементов. В составе шихты оказываются представленными вещества, характеризующиеся более низкой температурой плавления, чем традиционно используемые для синтеза теллуритных стекол бинарные оксиды, а также вещества, содержащие атомы теллура (VI), что создает возможность создавать окислительную среду, благоприятствующую сохранению высшего состояния окисления молибдена, непосредственно в расплаве.

К числу применяемых в качестве компонентов шихты сложных оксидов относится прежде всего гептаоксид молибдена-дителлура Те2МоО7, являющийся преобладающим компонентом шихты для синтеза теллуритно-молибдатных стекол во всей области стеклования.

Вторую группу составляют сложные оксиды теллура (VI) и трехвалентных элементов (например, редкоземельных элементов и висмута) Bi2TeO6 и La2TeO6, устойчивые в индивидуальном состоянии до температуры 700-1000°С и разлагающиеся в стеклообразующем расплаве с отщеплением кислорода и образованием производных теллура (IV), а также сложные оксиды, содержащие производные теллура (IV), например теллуриты висмута Bi6Te2O15 и лантана La2Te4O11.

К третьей группе относятся сложные оксиды молибдена и вольфрама и трехвалентных элементов (в том числе редкоземельных элементов и висмута) Bi2MoO6, Bi2Mo2O9, Bi2Mo3O12, Ln2MoO6, Ln2Mo2O9, Ln2Mo3O12, Bi2WO6, Bi2W2O9, Bi2W3O12, Ln2WO6, Ln2W2O9, Ln2W3O12, La10W22O81 и другие. Эти кислородсодержащие соединения являются источниками базовых макрокомпонентов стекол.

Все перечисленные сложные оксиды синтезируются, как правило, в окислительных средах, что позволяет достичь в них низкого содержания восстанавливающих примесей. Это обусловливает их пригодность и предпочтительное использование для получения теллуритных стекол с высокой оптической прозрачностью в видимой и ближней ИК-областях спектра.

В качестве шихты вместо двойных оксидов, обладающих высокими температурами плавления, используют более легкоплавкие соединения класса сложных оксидов, в том числе кислородсодержащие производные теллура (VI), которые способны при температуре существования стеклообразующего расплава разлагаться с выделением кислорода.

Сложный оксид Te2MoO7 расплавляется при температуре 551°С. Его состав (33% (мол.) MoO3) отвечает середине области стеклования двойной теллуритно-молибдатной системы. Введение в шихту этого соединения в больших количествах является главным фактором, обеспечивающим снижение температуры стеклообразующего расплава.

В двойной оксидной системе существуют две эвтектики с содержанием около 30% и 45% (мол.) триоксида молибдена, плавящиеся при 543°С и 526°С [J.С.J. Bart. A. Marzi, F. Pignataro, A. Castellan, N. Giordano. Structural and textural effects of TeO2 added to MoO3 // J. of Materials Science. 10 (1975) 1029-1036.]. Это означает, что добавление диоксида теллура или триоксида молибдена к сложному оксиду Te2MoO7 позволяет получать легкоплавкие стеклообразующие расплавы, приводящие к двойным теллуритно-молибдатным стеклам, прозрачным в видимой и ближней ИК-областях спектра.

Способность сложного оксида Te2MoO7 к образованию эвтектик с ТеО2 и MoO3 позволяет ожидать, что добавление к Te2MoO7 других веществ, в том числе перечисленных выше сложных оксидов, также приведет к получению легкоплавких расплавов. Это объясняет возможность получения по заявляемому способу многокомпонентных теллуритно-молибдатных стекол, содержащих тугоплавкие оксиды, при более низкой температуре, чем в случае использования в качестве шихты смеси бинарных оксидов.

Нагревание сложных оксидов, являющихся производными теллура (VI), сопровождается внутримолекулярным окислительно-восстановительным превращением, приводящим к получению соединений теллура (IV) и кислорода. Эти процессы с используемыми в качестве шихты соединениями происходят при температуре 700-1000°С, т.е. в ходе нагревания шихты и в условиях гомогенизации стеклообразующего расплава. Окислительные свойства соединений теллура (VI) или выделяющегося при их термическом распаде кислорода подавляют процесс частичного восстановления соединений молибдена (VI), приводящий к накоплению в стеклообразующем расплаве производных молибдена (V), вызывающих сильное светопоглощение в видимой и ближней ИК-областях спектра. Нагревание смеси перечисленных выше сложных оксидов приводит к образованию стеклообразующего расплава, охлаждением которого получается стекло, обладающее высокой прозрачностью в видимой и ближней ИК-областях спектра.

Для образцов многокомпонентных теллуритных стекол с высоким содержанием триоксида молибдена (до 40% (мол.) МоО3) отсутствует зависимость положения коротковолновой границы пропускания от содержания этого макрокомпонента. Для образцов стекол такого же состава, полученных из бинарных оксидов, характерно постепенное смещение коротковолновой границы пропускания в область более длинных волн по мере увеличения содержания в стекле триоксида молибдена (табл. 1, 2).

Использование предлагаемого изобретения обеспечивает повышение оптической прозрачности теллуритно-молибдатных стекол с высоким содержанием триоксида молибдена. При этом согласно данным дифференциально-термического анализа стекла, полученные из шихты, состоящей из сложных оксидов, обладают практически такими же температурами стеклования, как и стекла того же состава, изготовленные из смеси бинарных оксидов.

Ниже приведены примеры конкретного осуществления предлагаемого изобретения.

Пример 1

Для получения одного из образцов стекла состава (ТеО2)0.58(MoO3)0.29(BiO1.5)0.13 были использованы 6.7484 г диоксида теллура, 3.5972 г триоксида молибдена и 2.2084 г триоксида дивисмута. Другой образец стекла того же состава получен из смеси 9.0465 г Te2MoO7, 2.0223 г Bi2TeO6 и 0.9622 г Bi2MoO6. Указанные смеси растирались в фарфоровой ступке и расплавлялись в фарфоровом тигле при температуре 800°С. Стеклообразующий расплав выливался в разборную форму из легированной стали, разогретую до температуры 320°С. Охлаждение стекла проводилось в режиме выключенной печи. На фиг. 1 приведены спектры поглощения полученных образцов. Образец, полученный из бинарных оксидов, оказывается непрозрачным в видимой области спектра и обладает границей пропускания 1679 нм. Образец, полученный из сложных оксидов, прозрачен в ближней ИК-области и видимой области до длины волны 534 нм.

Пример 2

Для получения стекла состава (ТеО2)0.50(МоО3)0.25(LaO1.5)0.25 смесь, содержащая 3.8454 г La2TeO6, 1.1767 г La2Mo2O9 и 7.1011 г Te2MoO7, обеспечивающая достижение заданного состава стекла, растиралась в фарфоровой ступке и помещалась в фарфоровый тигель. Гомогенизирующее плавление шихты выполняли в муфельной печи, разогретой до 850°С, после чего расплав выливали в металлическую форму для отжига. Полученный образец стекла характеризуется коротковолновой границей пропускания 501 нм.

Пример 3

Для получения стекла состава (ТеО2)0.586(МоО3)0.293(WO1.5)0.081(LaO1.5)0.040 смесь, содержащая 5.0019 г Te2MoO7 и 1.0012 г La2W22O81, растиралась в фарфоровой ступке и помещалась в фарфоровый тигель. Шихта расплавлялась в муфельной печи, разогретой до 720°С, после чего расплав выливали в металлическую форму для отжига, разогретую до 300°С. Полученный образец стекла характеризуется коротковолновой границей пропускания 546 нм.

Пример 4

Для получения образца стекла состава (TeO2)0.579(MoO3)0.290(WO1.5)0.079(LaO1.5)0.052 были использованы 5.0025 г Te2MoO7 и 1.0009 г La2W3O12. Указанные смеси растирались в фарфоровой ступке и расплавлялись в фарфоровом тигле при температуре 720°С. Стеклообразующий расплав выливался в металлическую форму, разогретую до температуры 300°С. Полученный образец стекла характеризуется коротковолновой границей пропускания 543 нм.

Пример 5

Для получения стекла состава (TeO2)0.576(MoO3)0.288(WO1.5)0.068(LaO1.5)0.068 смесь из 5.0014 г Te2MoO7 и 0.9998 г La2W2O9 растиралась в фарфоровой ступке и помещалась в фарфоровый тигель. Гомогенизирующее плавление шихты выполняли в муфельной печи, разогретой до 720°С, после чего расплав выливали в металлическую форму для отжига. Полученный образец прозрачен в ближней ИК области и видимой области до длины волны 541 нм.


ШИХТА ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ТЕЛЛУРИТНО-МОЛИБДАТНЫХ СТЕКОЛ (ВАРИАНТЫ)
ШИХТА ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ТЕЛЛУРИТНО-МОЛИБДАТНЫХ СТЕКОЛ (ВАРИАНТЫ)
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 11-20 из 28.
20.05.2016
№216.015.3f08

Способ получения многокомпонентных теллуритных стекол

Изобретение относится к области химии, касается способа получения многокомпонентных теллуритных стекол, которые могут быть использованы для изготовления волоконных световодов и планарных оптических волноводов, применяемых в оптике и оптоэлектронных приборах видимого, ближнего и среднего...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002584474
Дата охранного документа: 20.05.2016
20.05.2016
№216.015.4051

Шихта для получения теллуритных стекол (варианты)

Заявляемая группа изобретений относится к области химии и касается составов шихты для получения теллуритных стекол, которые могут найти применение в оптике для изготовления волоконных световодов и планарных оптических волноводов, применяемых в оптоэлектронных приборах видимого, ближнего и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002584482
Дата охранного документа: 20.05.2016
10.06.2016
№216.015.475e

Способ определения электрофизических параметров конденсаторной структуры мемристора, характеризующих процесс формовки

Изобретение относится к области нанотехнологий, а именно к способам измерения параметров наноструктур, и может быть использовано при определении электрофизических параметров конденсаторной структуры мемристора, характеризующих процесс формовки. Способ определения электрофизических параметров...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002585963
Дата охранного документа: 10.06.2016
10.06.2016
№216.015.480d

Способ выращивания кремний-германиевой гетероструктуры

Изобретение относится к технологии эпитаксии кремний-германиевой гетероструктуры, основанной на сочетании сублимации кремния с поверхности источника кремния, разогретого электрическим током, и осаждения германия из германа в одной вакуумной камере, и может быть использовано для производства...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002585900
Дата охранного документа: 10.06.2016
10.08.2016
№216.015.528c

Способ определения языковой и профессиональной компетенций

Изобретение относится к области психофизиологии, касается способа определения языковой и профессиональной компетенций и может быть использовано для проверки уровня знаний в системах образования при оценке профессиональных способностей и тому подобных психофизиологических исследованиях с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002594102
Дата охранного документа: 10.08.2016
10.08.2016
№216.015.5307

Способ частичного восстановления функциональной активности нейронных сетей in vitro в условиях их значительного повреждения

Изобретение относится к области медицины, а именно к нейробиологии, и может быть использовано для частичного восстановления активности нейронных сетей in vitro после гибели части функционально значимых нейронов под действием стресс-факторов. Для этого в отдаленном посттравматическом периоде в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002594065
Дата охранного документа: 10.08.2016
10.08.2016
№216.015.5384

Производное 1', 2', 3'-триметоксибензо[5', 6:5, 4]-1h-6, 7-дигидроциклогепта[3, 2-f]бензофурана и его применение

Изобретение относится к новым производным 1′,2′,3′-триметоксибензо[5′,6′:5,4]-1Н-6,7-дигидроциклогепта[3,2-f]бензофурана, представленным общей формулой, где R - заместитель, R=СНОН, СН(СН)ОН, СНСНОН, СНОАс; X - функциональная группа, X=О, ОН, а также к применению этих соединений в качестве...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002593998
Дата охранного документа: 10.08.2016
13.01.2017
№217.015.6980

Трис-(пентафторфенил)-4-пиридилэтилгерман и способ его получения

Изобретение относится к трис-(пентафторфенил)-4-пиридилэтилгерману, который представлен брутто-формулой CHFGeN и структурной формулой: Также предложен способ его получения. Трис-(пентафторфенил)-4-пиридилэтилгерман способен снижать поверхностное натяжение растворов на различных межфазных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002591958
Дата охранного документа: 20.07.2016
13.01.2017
№217.015.73b0

Способ генерации спиновой поляризации носителей зарядов в квантовой точке

Изобретение относится к нанополупроводниковому приборостроению и может быть использовано в устройствах спиновой электроники (спинтроники) в качестве спинового фильтра. Спиновый фильтр действует следующим образом. В открытую двумерную квантовую точку инжектируются носители зарядов. В режиме...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002597942
Дата охранного документа: 20.09.2016
13.01.2017
№217.015.7ae9

Способ формирования эпитаксиального массива монокристаллических наноостровков кремния на сапфировой подложке в вакууме

Изобретение относится к сублимационному выращиванию эпитаксиальных массивов самоорганизованных монокристаллических наноостровков кремния на сапфировых подложках и может быть использовано в качестве нанотехнологического процесса, характеризующегося повышенной стабильностью формирования...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002600505
Дата охранного документа: 20.10.2016
Показаны записи 11-20 из 45.
20.05.2016
№216.015.3f08

Способ получения многокомпонентных теллуритных стекол

Изобретение относится к области химии, касается способа получения многокомпонентных теллуритных стекол, которые могут быть использованы для изготовления волоконных световодов и планарных оптических волноводов, применяемых в оптике и оптоэлектронных приборах видимого, ближнего и среднего...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002584474
Дата охранного документа: 20.05.2016
20.05.2016
№216.015.4051

Шихта для получения теллуритных стекол (варианты)

Заявляемая группа изобретений относится к области химии и касается составов шихты для получения теллуритных стекол, которые могут найти применение в оптике для изготовления волоконных световодов и планарных оптических волноводов, применяемых в оптоэлектронных приборах видимого, ближнего и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002584482
Дата охранного документа: 20.05.2016
10.06.2016
№216.015.475e

Способ определения электрофизических параметров конденсаторной структуры мемристора, характеризующих процесс формовки

Изобретение относится к области нанотехнологий, а именно к способам измерения параметров наноструктур, и может быть использовано при определении электрофизических параметров конденсаторной структуры мемристора, характеризующих процесс формовки. Способ определения электрофизических параметров...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002585963
Дата охранного документа: 10.06.2016
10.06.2016
№216.015.480d

Способ выращивания кремний-германиевой гетероструктуры

Изобретение относится к технологии эпитаксии кремний-германиевой гетероструктуры, основанной на сочетании сублимации кремния с поверхности источника кремния, разогретого электрическим током, и осаждения германия из германа в одной вакуумной камере, и может быть использовано для производства...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002585900
Дата охранного документа: 10.06.2016
10.08.2016
№216.015.528c

Способ определения языковой и профессиональной компетенций

Изобретение относится к области психофизиологии, касается способа определения языковой и профессиональной компетенций и может быть использовано для проверки уровня знаний в системах образования при оценке профессиональных способностей и тому подобных психофизиологических исследованиях с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002594102
Дата охранного документа: 10.08.2016
10.08.2016
№216.015.5307

Способ частичного восстановления функциональной активности нейронных сетей in vitro в условиях их значительного повреждения

Изобретение относится к области медицины, а именно к нейробиологии, и может быть использовано для частичного восстановления активности нейронных сетей in vitro после гибели части функционально значимых нейронов под действием стресс-факторов. Для этого в отдаленном посттравматическом периоде в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002594065
Дата охранного документа: 10.08.2016
10.08.2016
№216.015.5384

Производное 1', 2', 3'-триметоксибензо[5', 6:5, 4]-1h-6, 7-дигидроциклогепта[3, 2-f]бензофурана и его применение

Изобретение относится к новым производным 1′,2′,3′-триметоксибензо[5′,6′:5,4]-1Н-6,7-дигидроциклогепта[3,2-f]бензофурана, представленным общей формулой, где R - заместитель, R=СНОН, СН(СН)ОН, СНСНОН, СНОАс; X - функциональная группа, X=О, ОН, а также к применению этих соединений в качестве...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002593998
Дата охранного документа: 10.08.2016
13.01.2017
№217.015.6980

Трис-(пентафторфенил)-4-пиридилэтилгерман и способ его получения

Изобретение относится к трис-(пентафторфенил)-4-пиридилэтилгерману, который представлен брутто-формулой CHFGeN и структурной формулой: Также предложен способ его получения. Трис-(пентафторфенил)-4-пиридилэтилгерман способен снижать поверхностное натяжение растворов на различных межфазных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002591958
Дата охранного документа: 20.07.2016
13.01.2017
№217.015.73b0

Способ генерации спиновой поляризации носителей зарядов в квантовой точке

Изобретение относится к нанополупроводниковому приборостроению и может быть использовано в устройствах спиновой электроники (спинтроники) в качестве спинового фильтра. Спиновый фильтр действует следующим образом. В открытую двумерную квантовую точку инжектируются носители зарядов. В режиме...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002597942
Дата охранного документа: 20.09.2016
13.01.2017
№217.015.7ae9

Способ формирования эпитаксиального массива монокристаллических наноостровков кремния на сапфировой подложке в вакууме

Изобретение относится к сублимационному выращиванию эпитаксиальных массивов самоорганизованных монокристаллических наноостровков кремния на сапфировых подложках и может быть использовано в качестве нанотехнологического процесса, характеризующегося повышенной стабильностью формирования...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002600505
Дата охранного документа: 20.10.2016
+ добавить свой РИД