×
20.04.2016
216.015.3644

Результат интеллектуальной деятельности: СПОСОБ СБОРКИ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОГО МОДУЛЯ НА ДЕРЖАТЕЛЬ

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Использование: для создания многоэлементных фотоприемников. Сущность изобретения заключается в том, что способ сборки матричного модуля на держатель содержит стадии нанесения криостойкого клея на тыльную поверхность растра матричного модуля и на держатель, ориентации матричного модуля относительно держателя, прижима матричного модуля к держателю, приклеивают матричный модуль на держатель с помощью приспособления типа «насадка» в виде цилиндрического колпака, плотно надеваемого на растр с помощью выступов на окружности основания и содержащего четыре выреза под метки совмещения, расположенные под углом 90° по отношению соседних меток друг к другу, предназначенных для ориентации матричного модуля относительно держателя с помощью инструментального микроскопа, кроме этого, содержащего дополнительно четыре выреза по углам фоточувствительного элемента, предназначенные для бездефектного надевания «насадки» на растр, а также содержащего в центре верха колпака метку в виде отверстия для ориентации и коническое углубление для прижима с помощью зондовой головки и возможности поворота «насадки» для совмещения меток, расположенных на растре и держателе. Технический результат: обеспечение возможности бездефектного способа сборки матричного модуля. 2 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к конструкции матричных полупроводниковых фотоприемников и может использоваться для создания многоэлементных фотоприемников различного назначения.

Известен способ изготовления матричного фотоприемника, описанный в патенте RU 2343590 C1, в котором утоньшенный фоточувствительный элемент, приклеенный криостойким клеем к толстой несущей подложке из кремния, гибридизируется холодной сваркой с помощью индиевых микроконтактов к кремниевой БИС считывания. После приклейки и сварки выводов БИС считывания на растр полученный матричный модуль приклеивался криостойким клеем на держатель обычным способом, как показано на фиг. 2. Матричный модуль с толстой кремниевой пластиной (1), установленный на растр (2), приклеивался криостойким клеем к держателю (3). При этом для обеспечения растекания клея до толщины 3-5 мкм, необходимой для надежного соединения при охлаждении до температуры жидкого азота, осуществлялась нагрузка (более 1 кг/см2) через прозрачный толстый диск из сапфира (11) (толщиной 1 мм) посредством зондовой головки (8), давящей в центр сапфирового диска (11). Достаточно толстый диск из сапфира требуется для более равномерного распределения нагрузки по площади матричного модуля при давлении точечного зонда в центр. Одновременно при визуальном контроле под инструментальным микроскопом производится подстройка ориентации матричного модуля относительно держателя по меткам совмещения, расположенным на растре (2) и держателе (3). Такой способ сборки матричного модуля на держатель допустим, так как давление осуществляется на толстую кремниевую подложку (толщиной не менее 300 мкм) и на индиевые микроконтакты, которые выдерживают гораздо большее давление при гибридизации фоточувствительного элемента и БИС считывания (более 15 кг/см2).

Однако такой способ сборки матричного модуля на держатель недопустим в случае сборки матричного модуля, содержащего утоньшенный фоточувствительный элемент (обычно до толщины 8-12 мкм из InSb), так как при такой толщине полупроводиковые ориентированные кристаллы становятся чрезвычайно хрупкими и ломкими даже при незначительном механическом воздействии. Такой способ изготовления матричного фотоприемника (варианты) описан в патенте RU 2460174 C1, а серийные характеристики исследованых МФПУ - в [Болтарь К.О., Власов П.В., Лопухин А.А., Полунеев В.В., Рябова А.А. Характеристики серийных матричных фотоприемных устройств на основе антимонида индия формата 320×256. Успехи прикладной физики №6, 2013, том 1, с. 733-738].

Задача предложенного изобретения заключается в создании технологичного и бездефектного способа сборки матричного модуля, содержащего утоньшенный фоточувствительный элемент на держатель.

Сущность изобретения поясняется фигурами.

На фиг. 1 показан рисунок, поясняющий способ сборки на держатель матричного модуля, содержащего утоньшенный фоточувствительный элемент.

На фиг. 2 показан рисунок, поясняющий обычный способ сборки на держатель матричного модуля, содержащего толстый фоточувствительный элемент.

На фиг. 3 показана фотография приспособления для сборки матричного модуля на держатель типа «насадка», изготовленного из ковара.

На фиг. 4 показана фотография приспособления для сборки матричного модуля на держатель типа «насадка», надетого на матричный модуль (вид с тыльной стороны).

На фиг. 5 показана фотография, поясняющая способ сборки на держатель матричного модуля, содержащего утоньшенный фоточувствительный элемент.

Технический результат достигается тем, что сборка (фиг. 1) матричного модуля (1) на держатель (3) состоит в том, что приклейку криостойким клеем на держатель матричного модуля, содержащего утоньшенный фоточувствительный элемент (как правило до толщины 8-12 мкм из InSb) и растр (2), осуществляют с помощью приспособления типа «насадка» (4) в виде цилиндрического колпака, плотно надеваемого на растр с помощью выступов (10) на окружности основания и содержащего четыре выреза (6) под метки совмещения (9), расположенные под углом 90° по отношению соседних меток друг к другу, предназначенных для ориентации матричного модуля относительно держателя с помощью инструментального микроскопа, кроме этого, содержащего дополнительно четыре выреза по углам фоточувствительного элемента, предназначенных для бездефектного надевания «насадки» на растр, а также содержащего в центре верха колпака метку для ориентации (7) (отверстия) и коническое углубление (5) для прижима с помощью зондовой головки (8) и возможности поворота «насадки» для совмещения меток, расположенных на растре и держателе. Благодаря «насадке», надеваемой на растр с плотной посадкой, можно удобно и бездефектно манипулировать матричным модулем, содержащим утоньшенный фоточувствительный элемент, во время приклейки криостойким клеем модуля матричного на держатель и осуществлять нагрузку на модуль матричный с величиной, необходимой для уменьшения клеевого слоя до толщины 3-5 мкм (более 1 кг/см2), обеспечивающей прочное соединение криостойким клеем при охлаждении модуля матричного до рабочей температуры жидкого азота. Приспособление типа «насадка» в виде цилиндрического колпака должно быть согласовано с растром по температурному коэффициенту линейного расширения, так как для ускорения полимеризации клея применяется нагрев, который может приводить к напряжению растра, его изгибу и, следовательно, неравномерному прижиму растра к держателю. Таким образом, приспособление типа «насадка» оптимально изготовить из ковара в случае использования растра, изготовленного из сапфира, и из инвара в случае растра, изготовленного из кремния или керамики.

Способ сборки на держатель матричного модуля, содержащего утоньшенный фоточувствительный элемент, позволяет бездефектно проводить сборку и точно ориентировать матричный модуль относительно держателя во время приклейки криостойким клеем.

Предлагаемый способ сборки матричного модуля, содержащего утоньшенный фоточувствительный элемент, на держатель был опробован на предприятии - изготовителе при создании экспериментальных и опытных образцов матричных фотоприемных устройств на основе антимонида индия. Однако предлагаемый способ сборки применим и к матричным фотоприемным устройствам на основе других полупроводниковых материалов.

Пример способа сборки матричного модуля, содержащего утоньшенный фоточувствительный элемент, на держатель

На держатель высотой 47 мм и диаметром пьедестала 15 мм наклеивался при помощи криостойкого клея марки «УК-1» растр из лейкосапфира диаметром 16,6 мм с разводкой из золотых дорожек и напылением с тыльной стороны молибдена, на котором был наклеен матричный фоточувствительный элемент на основе антимонида индия, утоньшенный до толщины 15 мкм с количеством элементов 81920, с помощью приспособления типа «насадка» из ковара. Метки совмещения, расположенные на растре под 90° по отношению соседних меток друг к другу, использовались для ориентации матричного модуля относительно разметочных рисок на пьедестале держателя при визуальном контроле под инструментальным микроскопом МИ ИМЦ 100×50, тип А. Благодаря «насадке», надеваемой на растр с плотной посадкой, удобно и бездефектно осуществлялась нагрузка величиной 1 кг на матричный модуль для уменьшения клеевого слоя до толщины 3-5 мкм, обеспечивающей прочное соединение криостойким клеем при охлаждении матричного модуля до рабочей температуры жидкого азота.


СПОСОБ СБОРКИ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОГО МОДУЛЯ НА ДЕРЖАТЕЛЬ
СПОСОБ СБОРКИ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОГО МОДУЛЯ НА ДЕРЖАТЕЛЬ
СПОСОБ СБОРКИ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОГО МОДУЛЯ НА ДЕРЖАТЕЛЬ
СПОСОБ СБОРКИ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОГО МОДУЛЯ НА ДЕРЖАТЕЛЬ
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 1-10 из 13.
10.09.2013
№216.012.6912

Способ изготовления индиевых микроконтактов ионным травлением

Изобретение относится к технологии получения индиевых микроконтактов для соединения больших интегральных схем (БИС) и фотодиодных матриц. Сущность изобретения: в способе изготовления индиевых микроконтактов пластину с матрицами БИС или фотодиодными матрицами защищают перфорированной в местах...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002492545
Дата охранного документа: 10.09.2013
20.07.2014
№216.012.de97

Способ изготовления индиевых микроконтактов с помощью позитивного обращаемого фоторезиста

Использование: для получения индиевых микроконтактов и соединения больших интегральных схем (БИС) и фотодиодных матриц. Сущность изобретения заключается в том, что на полупроводниковую пластину с металлическими площадками для формирования индиевых микроконтактов наносят слой позитивного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002522769
Дата охранного документа: 20.07.2014
20.08.2014
№216.012.ea6b

Способ заполнения замкнутых микрокриогенных систем хладагентом с предварительной промывкой внутренней полости

Изобретение относится к микрокриогенной технике. Способ заполнения замкнутых микрокриогенных систем хладагентом с предварительной промывкой внутренней полости заключается в том, что к установке заполнения микрокриогенной системы хладагентом подсоединяют микрокриогенную систему, проводят...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002525819
Дата охранного документа: 20.08.2014
10.10.2014
№216.012.fc64

Способ изготовления многоэлементного фотоприемника на основе эпитаксиальных структур ingaas/inp

Изобретение может быть использовано в системах лазерной локации, обнаружения лазерного излучения, ИК-спектрометрии, многоспектральных ВОЛС, а также нового поколения систем ночного видения. Согласно изобретению изготовление многоэлементного фотоприемника на основе эпитаксиальных p-i-n-структур...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002530458
Дата охранного документа: 10.10.2014
27.12.2014
№216.013.161d

Способ снижения омического сопротивления индиевых микроконтактов с помощью термического отжига

Изобретение относится к технологии изготовления индиевых микроконтактов в матричных фотоприемниках ИК-излучения и БИС считывания фотосигнала. Изобретение обеспечивает изготовление индиевых микроконтактов с низким сопротивлением и высокой однородностью их значений в пределах больших массивов....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002537085
Дата охранного документа: 27.12.2014
27.03.2015
№216.013.35f3

Способ химико-механического полирования пластин арсенида галлия

Изобретение относится к области обработки полупроводниковых материалов и может быть использовано в технологии изготовления приборов, в том числе матричных большого формата на основе арсенида галлия. Способ включает обработку пластин вращающимся полировальником и полирующим составом,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002545295
Дата охранного документа: 27.03.2015
20.12.2015
№216.013.9a7a

Ик матричный фотоприёмник с охлаждаемой диафрагмой и способ изготовления диафрагмы

Изобретение относится к области создания детекторов излучения и касается фотоприемника ик-излучения с диафрагмой. Фотоприемник содержит держатель, фоточувствительный элемент, приклеенный на растре, и диафрагму. Диафрагма состоит из средней конусной детали, крышки, дискового основания и экрана,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002571171
Дата охранного документа: 20.12.2015
10.04.2016
№216.015.2e96

Способ сборки фоточувствительного модуля на растр

Изобретение относится к конструкции матричных полупроводниковых фотоприемников и может использоваться для создания многоэлементных фотоприемников различного назначения. Сборка фоточувствительного модуля на растр заключается в том, что приклейку криостойким клеем фоточувствительного модуля...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002580184
Дата охранного документа: 10.04.2016
20.01.2018
№218.016.1006

Способ изготовления матричного фчэ на основе gaas

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводникового фотоприемника (ФП) и может быть использовано при создании матричных ФП различного назначения. Способ изготовления матричного ФЧЭ на основе GaAs, в котором согласно изобретению базовую область МФЧЭ после гибридизации с БИС...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002633656
Дата охранного документа: 16.10.2017
20.02.2019
№219.016.bfde

Аэродинамическая модель летательного аппарата с интегрированным воздушно-реактивным двигателем

Изобретение относится к области аэродинамических испытаний для измерения аэродинамических сил, действующих на уменьшенную в масштабе модель летательного аппарата в аэродинамической трубе в процессе экспериментального определения летно-технических и тягово-экономических характеристик летательных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002370744
Дата охранного документа: 20.10.2009
Показаны записи 1-9 из 9.
10.09.2013
№216.012.6912

Способ изготовления индиевых микроконтактов ионным травлением

Изобретение относится к технологии получения индиевых микроконтактов для соединения больших интегральных схем (БИС) и фотодиодных матриц. Сущность изобретения: в способе изготовления индиевых микроконтактов пластину с матрицами БИС или фотодиодными матрицами защищают перфорированной в местах...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002492545
Дата охранного документа: 10.09.2013
20.07.2014
№216.012.de97

Способ изготовления индиевых микроконтактов с помощью позитивного обращаемого фоторезиста

Использование: для получения индиевых микроконтактов и соединения больших интегральных схем (БИС) и фотодиодных матриц. Сущность изобретения заключается в том, что на полупроводниковую пластину с металлическими площадками для формирования индиевых микроконтактов наносят слой позитивного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002522769
Дата охранного документа: 20.07.2014
20.08.2014
№216.012.ea6b

Способ заполнения замкнутых микрокриогенных систем хладагентом с предварительной промывкой внутренней полости

Изобретение относится к микрокриогенной технике. Способ заполнения замкнутых микрокриогенных систем хладагентом с предварительной промывкой внутренней полости заключается в том, что к установке заполнения микрокриогенной системы хладагентом подсоединяют микрокриогенную систему, проводят...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002525819
Дата охранного документа: 20.08.2014
10.10.2014
№216.012.fc64

Способ изготовления многоэлементного фотоприемника на основе эпитаксиальных структур ingaas/inp

Изобретение может быть использовано в системах лазерной локации, обнаружения лазерного излучения, ИК-спектрометрии, многоспектральных ВОЛС, а также нового поколения систем ночного видения. Согласно изобретению изготовление многоэлементного фотоприемника на основе эпитаксиальных p-i-n-структур...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002530458
Дата охранного документа: 10.10.2014
27.12.2014
№216.013.161d

Способ снижения омического сопротивления индиевых микроконтактов с помощью термического отжига

Изобретение относится к технологии изготовления индиевых микроконтактов в матричных фотоприемниках ИК-излучения и БИС считывания фотосигнала. Изобретение обеспечивает изготовление индиевых микроконтактов с низким сопротивлением и высокой однородностью их значений в пределах больших массивов....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002537085
Дата охранного документа: 27.12.2014
27.03.2015
№216.013.35f3

Способ химико-механического полирования пластин арсенида галлия

Изобретение относится к области обработки полупроводниковых материалов и может быть использовано в технологии изготовления приборов, в том числе матричных большого формата на основе арсенида галлия. Способ включает обработку пластин вращающимся полировальником и полирующим составом,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002545295
Дата охранного документа: 27.03.2015
20.12.2015
№216.013.9a7a

Ик матричный фотоприёмник с охлаждаемой диафрагмой и способ изготовления диафрагмы

Изобретение относится к области создания детекторов излучения и касается фотоприемника ик-излучения с диафрагмой. Фотоприемник содержит держатель, фоточувствительный элемент, приклеенный на растре, и диафрагму. Диафрагма состоит из средней конусной детали, крышки, дискового основания и экрана,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002571171
Дата охранного документа: 20.12.2015
10.04.2016
№216.015.2e96

Способ сборки фоточувствительного модуля на растр

Изобретение относится к конструкции матричных полупроводниковых фотоприемников и может использоваться для создания многоэлементных фотоприемников различного назначения. Сборка фоточувствительного модуля на растр заключается в том, что приклейку криостойким клеем фоточувствительного модуля...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002580184
Дата охранного документа: 10.04.2016
20.01.2018
№218.016.1006

Способ изготовления матричного фчэ на основе gaas

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводникового фотоприемника (ФП) и может быть использовано при создании матричных ФП различного назначения. Способ изготовления матричного ФЧЭ на основе GaAs, в котором согласно изобретению базовую область МФЧЭ после гибридизации с БИС...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002633656
Дата охранного документа: 16.10.2017
+ добавить свой РИД