СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ АКТИВНОЙ p- ОБЛАСТИ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ
Вид РИД
Изобретение
Изобретение относится к технологии формирования активной p+ области, в частности к способам получения боросиликатных стекол для формирования активной базовой области в производстве полупроводниковой солнечной энергетики.
Известны способы проведения процесса диффузии бора из твердого планарного жидкого и газообразного источника [1].
Недостатками этих способов является неравномерность распределения поверхностного сопротивления, высокие температуры и длительность процесса.
Целью изобретения является равномерность разброса значений поверхностного сопротивления по всей поверхности кремниевой пластины, уменьшение температуры и длительности процесса.
Поставленная цель достигается проведением процесса диффузии бора с применением газообразного источника - треххлористого бора (BCl3), при следующем расходе газов: кислород O2=12 л/ч, азот N2=380 л/ч, N2+H2=380 л/ч, BCl3=2 л/ч (1000 ppm). Температура процесса 900°C, длительность процесса 15±5 минут.
Сущность способа заключается в том, что на поверхности кремниевой пластины протекает реакция окисления BCl3 из-за присутствия паров воды, поэтому вместе с кислородом в газовый поток добавляют незначительное количество водорода.
Контроль измерения поверхностного сопротивления (RS) осуществляется на установке "FPP-5000". При этом поверхностное сопротивление - RS=55±5 Ом/см.
Сущность изобретения подтверждается следующими примерами.
ПРИМЕР 1: Технологический процесс диффузия бора проводят в однозонных диффузионных печах типа на установке СДОМ-3/100. Кремниевые пластины размещаются на кварцевых лодочках, расстояние между пластинами 2,4 мм. Процесс проводят при следующем расходе газов: кислород O2=12 л/ч, азот N2=380 л/ч, N2+H2=580 л/ч, BCl3=2 л/ч (1000 ppm). Температура процесса 1000°C, длительность процесса 25±5 минут.
Контроль измерения поверхностного сопротивления (RS) осуществляется на установке "FPP-5000".
RS=75±5 Ом/см.
ПРИМЕР 2: Способ осуществляют аналогично условию примера 1.
Процесс проводят при следующем расходе газов: кислород O2=12 л/ч, азот N2=380 л/ч, N2+H2=480 л/ч, BCl3=2 л/ч (1000 ppm).
Температура процесса 950°C, длительность процесса 15±5 минут.
Контроль измерения поверхностного сопротивления (RS) осуществляется на установке "FPP-5000".
RS=65±5 Ом/см.
ПРИМЕР 3: Способ осуществляют аналогично условию примера 1.
Процесс проводят при следующем расходе газов: кислород O2=12 л/ч, азот N2=380 л/ч, N2+H2=380 л/ч, BCl3=2 л/ч (1000 ppm).
Температура процесса 900°C, длительность процесса 15±5 минут.
Контроль измерения поверхностного сопротивления (RS) осуществляется на установке "FPP-5000".
RS=55±5 Ом/см.
Таким образом, предлагаемый способ по сравнению с прототипами позволяет получить боросиликатный слой из жидкого источника треххлористого бора (BCl3) при температуре, равной 900°C, и поверхностным сопротивлением RS=55±5 Ом/см, при этом обеспечивается уменьшение разброса значений поверхностного сопротивления по кремниевой пластине, снижение температуры и длительности процесса. По воспроизводимости и возможности регулирования параметров системы с источником в жидкой фазе лучше, чем системы с источником в твердой фазе. Поверхностной концентрацией можно управлять путем изменения температуры диффузии, температуры источника и расхода потока.
Литература
1. Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств. М.: «Радио и связь», 1991, с. 179-180.
