×
10.03.2016
216.014.c0b4

МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ SrMgF И СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ

Вид РИД

Изобретение

Юридическая информация Свернуть Развернуть
Краткое описание РИД Свернуть Развернуть
Аннотация: Изобретение относится к области получения сегнетоэлектрических монокристаллов фторидов, применяемых в нелинейной оптике. Получен монокристаллический материал фторида SrMgF, обладающий способностью к преобразованию лазерного излучения в ВУФ/УФ области спектра от длины волны 0,122 мкм до 11,8 мкм с коэффициентом нелинейности для моноклинной фазы d=0.044 пм/В и характеризующийся наличием сегнетоэластического фазового перехода при 480 K. Выращивание монокристаллического материала SrMgF оптического качества осуществляют методом Бриджмена из расплава SrMgF, имеющего температуру плавления 1173 K, в вертикальной двухзонной печи с температурами 1470 K и 970 K в зонах печи при температурном градиенте в области роста 10-20 K/см, скорости опускания ампулы порядка 1 мм/день и охлаждении в режиме отключенной печи с последующим отжигом кристалла. Изобретение позволяет создавать периодические структуры, на которых возможна реализация квазифазового синхронизма, что обеспечивает увеличение КПД преобразования лазерного излучения даже при невысоких параметрах нелинейности кристалла. 2 н.п. ф-лы, 2 ил.
Реферат Свернуть Развернуть

Изобретение относится к сегнетоэлектрическим монокристаллам фторидов, предназначенных к применению в качестве нелинейно-оптического материала для использования в ВУФ-УФ диапазоне.

В настоящее время остро стоит проблема получения нелинейно-оптических материалов для генерации когерентного излучения в ВУФ и УФ диапазонах. Существует корреляция между нелинейной восприимчивостью, шириной запрещенной зоны, краем фундаментального поглощения: наиболее широкозонные материалы, пригодные для работы в ВУФ-УФ диапазоне, характеризуются низкими нелинейными коэффициентами, Так, для кристаллов LiB3O5 (LBO) и KBeBO3F2 (KBBF) составляют d31(1.06)=0.67, d32=0.85, d33=0.04 и d11(1.064)=0.49, соответственно (Nikogosyan, D.N. Nonlinear Optical Crystals: A Complete Survey; Springer, 2005).

Существует возможность повышения эффективности нелинейного преобразования, если кристалл является сегнетоэлектриком. В этом случае, прикладывая внешнее электрическое поле, можно создавать нелинейные элементы из доменов с противоположным направлением вектора спонтанной поляризации. При этом реализуется так называемый квазифазовый синхронизм («quasi-phase-matching»), при котором многократно возрастает эффективность преобразования и снимаются ограничения на фазовые синхронизмы. Наиболее эффективно такой подход реализован для монокристаллов KTiOPO4 (КТР) [Pasiskevicius V.S., Wang S., Tellefse J.A., Laurell F., Karlsson H. Appl. Opt. 1998, 37, 7116-7119) и LiNb3O5 [Edler I.F., Terry J.A. C.J. Opt. A: Pure Appl. Opt. 2000, 2, L19-L23]. Однако их диапазоны прозрачности ограничены в коротковолновой области. Например, монокристаллы КТР прозрачны в диапазоне лишь от 0,350 до 4.5 мкм [Nikogosyan, D.N. Nonlinear Optical Crystals: A Complete Survey; Springer, 2005].

В последнее время в качестве оптического материала для использования в ВУФ-УФ диапазоне рассматриваются монокристаллы BaMgF4. Они характеризуются широким диапазоном прозрачности от 0,125 до 13 мкм и отсутствием центра симметрии, но их существенным недостатком является достаточно низкое значение нелинейного коэффициента [Villora E.G., Shimamura K., Sumiya K., Ishibashi H. Opt. Express. 2009, 17, 12362; Berman H.G.J.G., Crane G.R., J. Appl. Phys. 1975, 46, 4645]. По данным [Nikogosyan, D.N. Nonlinear Optical Crystals: A Complete Survey; Springer, 2005] для кристаллов BaMgF4 коэффициент нелинейности dij не превышает 0.039 пм/В.

Более перспективным материалом для работы в указанной области могут стать монокристаллы SrMgF4. Установлено, что они имеют пространственную группу P21 [Ishizawa N., Suda K., Etschmann B.E., Oya Т., Kodama N.. Acta Cryst. C, 2001, 57, 784]. В работе мелкие монокристаллы SrMgF4 получены из раствора, и они не рассматривались в качестве нелинейного сегнетоэлектрического материала.

Задачей изобретения является получение монокристалла фторида SrMgF4, пригодного к использованию в нелинейной оптике, а также характеризующегося наличием сегнетоэлектрических свойств, которые позволяют увеличить КПД преобразования лазерного излучения.

Методом Бриджмена получен новый монокристаллический материал фторида SrMgF4, обладающий способностью к преобразованию лазерного излучения в ВУФ/УФ области спектра от длины волны 0,122 мкм до 11,8 мкм с коэффициентом нелинейности для моноклинной фазы dij=0.044 пм/В и характеризующийся наличием сегнетоэлектрических свойств, позволяющих создавать периодические структуры, на которых возможна реализация квазифазового синхронизма, что обеспечивает увеличение КПД преобразования даже при невысоких параметрах нелинейности кристалла.

Монокристаллический оптический материал SrMgF4 оптического качества выращен из расплава SrMgF4, имеющего температуру плавления 1173 K, методом Бриджмена в двухзонной печи с температурами 1470 K и 970 K в разных зонах печи при температурном градиенте в области роста 10-20 K/см, скорости опускания ампулы порядка 1 мм/день и охлаждении в режиме отключенной печи с последующим отжигом кристалла.

Монокристалл, имеющий химическую формулу SrMgF4, характеризуется наличием сегнетоэластического фазового перехода при температуре 480 K, сопровождающийся изменением низкотемпературной фазы моноклинной симметрии с пространственной группой P21 на высокотемпературную фазу ромбической симметрии с пространственной группой Cmc21, а также способностью к преобразованию лазерного излучения в ВУФ/УФ области спектра от длины волны 0,122 мкм до 11,8 мкм с коэффициентами нелинейности для низкотемпературной фазы dij=0.044 пм/В и для высокотемпературной фазы dij=0.021 пм/В, при этом низкотемпературная фаза имеет параметры решетки: а=7.4736 Å, b=16.8835 А, с=7.8010 Å, β=105.0302°, объем элементарной ячейки V=950.6611 Å3, количество формульных единиц в элементарной ячейке Z=12, плотность 3.9383 г/см3, а высокотемпературная фаза имеет параметры решетки: а=3.9369 Å, b=14.4884 Å, с=5.6379 Å, объем элементарной ячейки V=321.58 Å3, количество формульных единиц в элементарной ячейке Z=4, плотность 3.8808 г/см3.

Выращенные монокристаллы SrMgF4 оптического качества объемом около 1 см3 идентифицированы как низкотемпературная сегнетоэлектрическая фаза моноклинной симметрии с пространственной группой P21 с параметрами решетки: а=7.4736 Å, b=16.8835 Å, с=7.8010 Å, β=105.0302°, объемом элементарной ячейки V=950.6611 Å, количеством формульных единиц в элементарной ячейке Z=12, плотностью 3.9383 г/см3. Установлен характер фазового перехода, сопровождающегося изменением низкотемпературной фазы моноклинной симметрии с пространственной группой P21 на высокотемпературную фазу ромбической симметрии с пространственной группой Cmc21 при температуре 480 K, определена структура высокотемпературной фазы.

Структура SrMgF4 изображена на фиг. 1 и представлена цепочками октаэдров MgF6, между которыми расположены атомы Sr.

На Фиг. 2 приведен спектр пропускания кристаллов SrMgF4 толщиной 1,2 мм (1), а также более детально для образцов 0,5 мм (2) и 1,2 мм (3) во вставке при температуре 300 K. Диапазон прозрачности составляет от 0,122 мкм до 11,8 мкм, в то время как ближайший аналог - кристалл BaMgF4 прозрачен лишь от 0,125 до 13 мкм. Коэффициент нелинейности dij=0.044 пм/В выше аналогичного показателя для монокристаллов BaMgF4, который не превышает 0.039 пм/В.

Таким образом, впервые показано, что монокристалл SrMgF4 является перспективным материалом для преобразования лазерного излучения в ВУФ/УФ области спектра, поскольку обладает нецентросимметричной структурой, широким диапазоном прозрачности в ВУФ области спектра, а также наличием сегнетоэлектрических свойств, позволяющих создавать периодические структуры.


МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ SrMgF И СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 1-10 из 30.
20.08.2013
№216.012.600b

Способ изготовления пеностекла

Изобретение относится к теплоизоляционным материалам, в частности пеностеклу. Технический результат изобретения заключается в расширении диапазона плотности пеностекла от 150 до 600 кг/м и в создании способа производства пеностекла, безопасного для печного оборудования и для окружающей среды....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002490219
Дата охранного документа: 20.08.2013
27.09.2013
№216.012.6f6d

Способ выращивания кристалла методом киропулоса

Изобретение относится к выращиванию крупных кристаллов, предназначенных для использования в приборах квантовой электроники. Способ выращивания кристалла методом Киропулоса из расплава или из раствор-расплава включает рост кристалла на затравку, зафиксированную в кристаллодержателе и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002494176
Дата охранного документа: 27.09.2013
20.12.2013
№216.012.8e0c

Способ оценки проходимости местности вне дорог

Изобретение относится к области картографии и может быть использовано в качестве информационной базы при управлении движением различных транспортных средств и пеших групп, использовании автоматизированной системы управления войсками, планировании и проведении полевых исследований и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002502047
Дата охранного документа: 20.12.2013
20.02.2014
№216.012.a284

Способ выращивания кристаллов парателлурита гранной формы и устройство для его осуществления

Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов парателлурита методом Чохральского, которые могут быть использованы при изготовлении поляризаторов в ближней ИК-области. Способ выращивания кристаллов парателлурита гранной формы из расплава включает наплавление порошка диоксида теллура...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002507319
Дата охранного документа: 20.02.2014
10.05.2014
№216.012.c0b9

Пирометрический способ измерения распределения температуры на поверхности объекта

Изобретение относится к области оптической пирометрии и касается способа измерения распределения температуры на поверхности объекта. Способ включает формирование на выбранной частоте цифрового изображения объекта за счет испускаемого объектом теплового излучения и получение дополнительного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002515086
Дата охранного документа: 10.05.2014
10.09.2015
№216.013.7a7f

Гранулированный наполнитель

Изобретение относится к наполнителям, предназначенным для создания гигиенических условий при содержании домашних и лабораторных животных, например кошек, хомяков и других грызунов, в условиях вивариев и квартир. Гранулированный наполнитель туалета для животных на основе высушенного сапропеля с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002562948
Дата охранного документа: 10.09.2015
10.10.2015
№216.013.81cd

Способ оценки транспортной проницаемости местности вне дорог

Изобретение относится к области картографии и может быть использовано в системах оценки транспортной проницаемости местности вне дорог при управлении перемещением соединений оперативного масштаба - смешанных колонн автотранспорта повышенной проходимости и транспорта на гусеничном ходу (колонных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002564826
Дата охранного документа: 10.10.2015
20.10.2015
№216.013.8376

Гранулированный почвогрунт для аквариумов

Изобретение относится к аквариумистике. Гранулированный почвогрунт, предназначенный для создания благоприятной среды для развития водных растений и рыб в аквариумах, изготовлен на основе предварительно промороженного и высушенного до влажности не более 5% органического сапропеля с зольностью не...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002565257
Дата охранного документа: 20.10.2015
12.01.2017
№217.015.6141

Способ выращивания монокристалла метафторидобората бария-натрия bana (bo)f

Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов метафторидобората бария-натрия BaNa(ВО)F для использования в терагерцовой области спектра в диапазоне от 0,3 ТГц до 1 ТГц в качестве волновых пластин, поляризаторов, а также в воздушной терагерцовой фотонике. Монокристалл BaNa(ВО)F...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002591156
Дата охранного документа: 10.07.2016
25.08.2017
№217.015.baac

Материал для дихроичной поляризации света - кристалл liba(bo)f

Изобретение относится к материалам для поляризационных оптических устройств, которые могут быть использованы для получения линейно-поляризованного света в оптико-электронных приборах: поляриметрах, эллипсометрах, дихрометрах, фотоэлектрических автоколлиматорах, модуляторах световых потоков,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002615691
Дата охранного документа: 06.04.2017
Показаны записи 1-10 из 22.
20.08.2013
№216.012.600b

Способ изготовления пеностекла

Изобретение относится к теплоизоляционным материалам, в частности пеностеклу. Технический результат изобретения заключается в расширении диапазона плотности пеностекла от 150 до 600 кг/м и в создании способа производства пеностекла, безопасного для печного оборудования и для окружающей среды....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002490219
Дата охранного документа: 20.08.2013
27.09.2013
№216.012.6f6d

Способ выращивания кристалла методом киропулоса

Изобретение относится к выращиванию крупных кристаллов, предназначенных для использования в приборах квантовой электроники. Способ выращивания кристалла методом Киропулоса из расплава или из раствор-расплава включает рост кристалла на затравку, зафиксированную в кристаллодержателе и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002494176
Дата охранного документа: 27.09.2013
20.12.2013
№216.012.8e0c

Способ оценки проходимости местности вне дорог

Изобретение относится к области картографии и может быть использовано в качестве информационной базы при управлении движением различных транспортных средств и пеших групп, использовании автоматизированной системы управления войсками, планировании и проведении полевых исследований и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002502047
Дата охранного документа: 20.12.2013
20.02.2014
№216.012.a284

Способ выращивания кристаллов парателлурита гранной формы и устройство для его осуществления

Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов парателлурита методом Чохральского, которые могут быть использованы при изготовлении поляризаторов в ближней ИК-области. Способ выращивания кристаллов парателлурита гранной формы из расплава включает наплавление порошка диоксида теллура...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002507319
Дата охранного документа: 20.02.2014
10.05.2014
№216.012.c0b9

Пирометрический способ измерения распределения температуры на поверхности объекта

Изобретение относится к области оптической пирометрии и касается способа измерения распределения температуры на поверхности объекта. Способ включает формирование на выбранной частоте цифрового изображения объекта за счет испускаемого объектом теплового излучения и получение дополнительного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002515086
Дата охранного документа: 10.05.2014
10.09.2015
№216.013.7a7f

Гранулированный наполнитель

Изобретение относится к наполнителям, предназначенным для создания гигиенических условий при содержании домашних и лабораторных животных, например кошек, хомяков и других грызунов, в условиях вивариев и квартир. Гранулированный наполнитель туалета для животных на основе высушенного сапропеля с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002562948
Дата охранного документа: 10.09.2015
10.10.2015
№216.013.81cd

Способ оценки транспортной проницаемости местности вне дорог

Изобретение относится к области картографии и может быть использовано в системах оценки транспортной проницаемости местности вне дорог при управлении перемещением соединений оперативного масштаба - смешанных колонн автотранспорта повышенной проходимости и транспорта на гусеничном ходу (колонных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002564826
Дата охранного документа: 10.10.2015
20.10.2015
№216.013.8376

Гранулированный почвогрунт для аквариумов

Изобретение относится к аквариумистике. Гранулированный почвогрунт, предназначенный для создания благоприятной среды для развития водных растений и рыб в аквариумах, изготовлен на основе предварительно промороженного и высушенного до влажности не более 5% органического сапропеля с зольностью не...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002565257
Дата охранного документа: 20.10.2015
12.01.2017
№217.015.6141

Способ выращивания монокристалла метафторидобората бария-натрия bana (bo)f

Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов метафторидобората бария-натрия BaNa(ВО)F для использования в терагерцовой области спектра в диапазоне от 0,3 ТГц до 1 ТГц в качестве волновых пластин, поляризаторов, а также в воздушной терагерцовой фотонике. Монокристалл BaNa(ВО)F...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002591156
Дата охранного документа: 10.07.2016
25.08.2017
№217.015.baac

Материал для дихроичной поляризации света - кристалл liba(bo)f

Изобретение относится к материалам для поляризационных оптических устройств, которые могут быть использованы для получения линейно-поляризованного света в оптико-электронных приборах: поляриметрах, эллипсометрах, дихрометрах, фотоэлектрических автоколлиматорах, модуляторах световых потоков,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002615691
Дата охранного документа: 06.04.2017
+ добавить свой РИД