×
10.12.2015
216.013.9934

МАТРИЧНЫЙ ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ

Вид РИД

Изобретение

Юридическая информация Свернуть Развернуть
№ охранного документа
0002570840
Дата охранного документа
10.12.2015
Краткое описание РИД Свернуть Развернуть
Аннотация: Изобретение относится к устройствам полимерной электроники, в частности к матричным устройствам для преобразования давления в электрический сигнал. Матричные датчики давления используются для определения формы предметов, воздействующих на датчик, и могут использоваться в робототехнике, медицине, при автоматизации производственных процессов. Матрица тактильных датчиков содержит чередующиеся слои проводящих взаимно перпендикулярных шин, контактирующих с расположенными между ними слоями тензорезистивного полимера. Наличие электрического контакта к каждому из проводящих слоев позволяет получить, при сохранении высокой чувствительности датчика, многоуровневый выходной сигнал, обеспечивая расширенный динамический диапазон передаточной характеристики датчика при измерении тактильного давления. Техническим результатом является повышение точности преобразования давление - электрический сигнал. 1 з.п. ф-лы, 4 ил.
Реферат Свернуть Развернуть

Изобретение относится к матричным датчикам давления, предназначенным для преобразования давления в электрический сигнал и определения формы предметов, производящих давление. Матричные датчики давления могут использоваться в робототехнике, медицине, при автоматизации производственных процессов.

Известны матричные датчики давления (патент РФ 2362236), содержащие пересекающиеся шины, преобразователями давления в которых являются микромеханические сенсорные элементы. Недостатком таких датчиков является ограниченная площадь, сложность конструкции и, как следствие, высокая стоимость.

Известен матричный датчик давления (US PAP 2011/0242047 А1), содержащий верхнюю гибкую полимерную поверхность, на которой расположены проводящие электроды, объединенные в первые сигнальные линии, нижнюю гибкую полимерную поверхность, на которой расположены проводящие электроды, объединенные во вторые сигнальные линии, перпендикулярные к первым сигнальным линиям, расположенный между проводящими электродами пьезорезистивный материал.

Это устройство выбрано в качестве прототипа предложенного решения.

Недостатком датчика является низкая точность преобразования «давление - электрический сигнал», обусловленная тем, что воспроизводимость и динамический диапазон передаточной характеристики датчика ограничены механическими и электрическими свойствами пьезоэлектрического материала.

Технический результат предлагаемого изобретения заключается в повышении точности преобразования давление - электрический сигнал.

Указанный технический результат достигается тем, что в матричном датчике давления, содержащем верхнюю гибкую полимерную поверхность, на которой расположены проводящие электроды, объединенные в первые сигнальные линии, нижнюю гибкую полимерную поверхность, на которой расположены проводящие электроды, объединенные во вторые сигнальные линии, перпендикулярные к первым сигнальным линиям, расположенный между проводящими электродами пьезорезистивный материал, между пьезорезистивным материалом и первым проводящим электродом располагаются несколько дополнительных чередующихся слоев «проводящий электрод пьезорезистивный материал», причем проводящие электроды дополнительных чередующихся слоев объединены в сигнальные линии, параллельные первым сигнальным линиям.

Такая конструкция матричного датчика давления позволяет преобразовывать величину давления, прикладываемого к поверхности преобразователя в кодовую цифровую последовательность, которая, в свою очередь, может быть преобразована в аналоговый сигнал.

На фиг.1 представлена конструкция преобразователя давления, имеющего два дополнительных слоя электродов.

Конструкция содержит нижнюю 1 и верхнюю полимерные поверхности 2, дополнительные полимерные поверхности 3, 4, на которых расположены проводящие электроды 5, 6, 7, 8. Проводящие электроды на поверхностях 3 и 4 расположены с обеих сторон упомянутых поверхностей. Проводящие электроды, расположенные на поверхностях 3 и 4, соединены между собой посредством контактных окон 9. Все электроды имеют внешние выводы 10, 11, 12, 13. Между полимерными поверхностями расположен слой пьезорезистивного материала 14.

На фиг.2 изображена конструкция по п.2 изобретения. В дополнение к конструкции по п.1 она содержит слои резистивного полимера 15, соединяющие между собой электроды на поверхностях 1-3 и 2-4. При этом внешние выводы 11 и 12 у электродов на поверхностях 3 и 4 отсутствуют.

На фиг.3 изображена схема подключения датчика давления по п.1 к устройству обработки сигнала, обеспечивающая считывание сигнала с датчика в процессе работы.

Схема содержит датчик 15, внешние выводы которого подключены к координатным входам 17, 18 схемы обработки сигнала, датчика. Внешние выводы, соответствующие одной координате 10, 12 и другой координате 11, 13, подключены к разным входам устройства обработки сигнала. Количество подключаемых шин в такой конструкции равно n×m×n, где n, m - количество шин по координатам, N - число слоев полимерного материала.

На фиг.4 изображена схема подключения датчика давления по п.2 к устройству обработки сигнала. Датчик 19 внешними выводами от соответствующих шин 10 и 13 подключен к координатным входам 17, 18. Количество внешних выводов составляет n×m.

Устройство работает следующим образом. При приложении нагрузки к поверхности 2 сначала происходит изменение сопротивления пьезорезистивного материала, расположенного между слоями электродов 1 и 2, затем между слоями 2 и 3, слоями 3 и 4. Это изменение может быть зафиксировано и интерпретировано как наличие сигналов на различных электродах. В случае наличия в конструкции двух дополнительных слоев могут наблюдаться четыре возможных состояния электродов: отсутствие сигнала на всех электродах, сигнал на электродах поверхности 3, сигнал на электродах поверхностей 3, 4, сигнал на всех электродах. Таким образом, может быть зафиксировано четыре значения величины нагрузки. При увеличении числа дополнительных слоев количество фиксируемых значений соответственно увеличивается.

Устройство может быть изготовлено на основе полимерных материалов. Слои, на которые наносятся проводящие электроды, изготавливаются из лавсановой пленки толщиной 10-15 мкм, электроды могут быть алюминиевыми, толщиной 50-100 нм. В качестве тензочувствительного полимера используется полифинилвинилен толщиной не более 100 нм.

Следует отметить, что датчик предлагаемой конструкции предназначен для фиксации сверхмалых давлений и использует тонкие слои полимера, в которые нельзя встроить дисперсные проводящие частицы, обеспечивающие линейную переходную характеристику датчиков, рассчитанных на измерение больших давлений.

Матричный датчик давления может иметь довольно значительную площадь - несколько десятков квадратных сантиметров и быть гибким.

Источники информации

1. Патент РФ №2362236.

2. Патент US №2011/0242047 А1.


МАТРИЧНЫЙ ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ
МАТРИЧНЫЙ ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ
МАТРИЧНЫЙ ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ
МАТРИЧНЫЙ ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 1-6 из 6.
27.02.2013
№216.012.2b55

Устройство и способ получения наночастиц

Изобретение относится к нанотехнологии, в частности к плазменным методам осаждения наночастиц на подложку, которые могу быть использованы в качестве катализаторов, как чувствительные элементы датчиков и как магнитные запоминающие среды. Устройство для получения магнитных наночастиц на подложке...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002476620
Дата охранного документа: 27.02.2013
10.01.2014
№216.012.95d3

Сверхпроводящий прибор джозефсона и способ его изготовления

Использование: при производстве сверхпроводниковых интегральных схем (СПИС) различного назначения. Сущность изобретения: СПД на основе многослойной тонкопленочной гетероструктуры содержит два слоя сверхпроводника, образующих электроды, и прослойку с металлической проводимостью между ними из...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002504049
Дата охранного документа: 10.01.2014
10.04.2014
№216.012.b1f7

Наноструктурный ик-приемник (болометр) с большой поверхностью поглощения

Изобретение относится к области создания детекторов инфракрасного излучения и касается болометрического ИК-детектора. Детектор состоит из мембраны площадью S с термочувствительным элементом (ТЧЭ) и поглотителем электромагнитной энергии (ПЭЭ), прикрепленной к подложке с помощью токопроводящих...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002511275
Дата охранного документа: 10.04.2014
10.05.2014
№216.012.c204

Приемник ик-излучения болометрического типа

Изобретение относится к области создания детекторов инфракрасного излучения и касается болометрического ИК-детектора. Детектор состоит из мембраны площадью S с термочувствительным элементом (ТЧЭ) и поглотителем электромагнитной энергии (ПЭЭ), прикрепленной к подложке с помощью токопроводящих...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002515417
Дата охранного документа: 10.05.2014
27.02.2016
№216.014.c0fb

Излучающая гетероструктура с внутренним усилением инжекции

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, а более конкретно к светодиодам и лазерам на основе гетероструктур. В активную область известного типа излучающих p-n-гетероструктур предлагается ввести дополнительный узкозонный слой. Этот слой играет роль поглотителя излучения из более...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002576345
Дата охранного документа: 27.02.2016
10.02.2016
№216.014.e818

Гетероструктура для автоэмиттера

Изобретение относится к структурам для автоэмиттеров. Изобретение обеспечивает значительное увеличение рабочих токов автокатода, повышение стойкости устройств к деградации и увеличение их рабочего ресурса. В гетеропереходной структуре на поверхности n-слоя со стороны n-p гетерограницы...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002575137
Дата охранного документа: 10.02.2016
Показаны записи 1-6 из 6.
27.02.2013
№216.012.2b55

Устройство и способ получения наночастиц

Изобретение относится к нанотехнологии, в частности к плазменным методам осаждения наночастиц на подложку, которые могу быть использованы в качестве катализаторов, как чувствительные элементы датчиков и как магнитные запоминающие среды. Устройство для получения магнитных наночастиц на подложке...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002476620
Дата охранного документа: 27.02.2013
10.01.2014
№216.012.95d3

Сверхпроводящий прибор джозефсона и способ его изготовления

Использование: при производстве сверхпроводниковых интегральных схем (СПИС) различного назначения. Сущность изобретения: СПД на основе многослойной тонкопленочной гетероструктуры содержит два слоя сверхпроводника, образующих электроды, и прослойку с металлической проводимостью между ними из...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002504049
Дата охранного документа: 10.01.2014
10.04.2014
№216.012.b1f7

Наноструктурный ик-приемник (болометр) с большой поверхностью поглощения

Изобретение относится к области создания детекторов инфракрасного излучения и касается болометрического ИК-детектора. Детектор состоит из мембраны площадью S с термочувствительным элементом (ТЧЭ) и поглотителем электромагнитной энергии (ПЭЭ), прикрепленной к подложке с помощью токопроводящих...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002511275
Дата охранного документа: 10.04.2014
10.05.2014
№216.012.c204

Приемник ик-излучения болометрического типа

Изобретение относится к области создания детекторов инфракрасного излучения и касается болометрического ИК-детектора. Детектор состоит из мембраны площадью S с термочувствительным элементом (ТЧЭ) и поглотителем электромагнитной энергии (ПЭЭ), прикрепленной к подложке с помощью токопроводящих...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002515417
Дата охранного документа: 10.05.2014
27.02.2016
№216.014.c0fb

Излучающая гетероструктура с внутренним усилением инжекции

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, а более конкретно к светодиодам и лазерам на основе гетероструктур. В активную область известного типа излучающих p-n-гетероструктур предлагается ввести дополнительный узкозонный слой. Этот слой играет роль поглотителя излучения из более...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002576345
Дата охранного документа: 27.02.2016
10.02.2016
№216.014.e818

Гетероструктура для автоэмиттера

Изобретение относится к структурам для автоэмиттеров. Изобретение обеспечивает значительное увеличение рабочих токов автокатода, повышение стойкости устройств к деградации и увеличение их рабочего ресурса. В гетеропереходной структуре на поверхности n-слоя со стороны n-p гетерограницы...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002575137
Дата охранного документа: 10.02.2016
+ добавить свой РИД