×
20.11.2015
216.013.8f51

Результат интеллектуальной деятельности: ГЕНЕРАТОР БЫСТРЫХ МОНОЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ НЕЙТРОНОВ

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Заявленное изобретение относится к генераторам быстрых моноэнергетических нейтронов. В заявленном устройстве предусмотрено использование алмазной кристаллической структуры, поверхность которой облучается ускоренным до нескольких десятков кэВ пучком ионов дейтерия, в качестве мишеней-конвертеров. Техническим результатом является возможность повышения тока пучка ионов на мишень и как следствие возможность увеличения интенсивности потока нейтронов, что обеспечивает возможность применения заявленного устройства в различных областях, где используются быстрые моноэнергетические нейтроны, таких как каротаж нефтегазовых и урановых скважин, контроль технологических процессов промышленных производств, сертификация продукции, обнаружение и идентификация отравляющих и взрывчатых веществ, нейтронная терапия, нейтронная радиография и томография, обнаружение и контроль содержания ядерных материалов и научные исследования. 2 ил.
Основные результаты: Нейтронный генератор для получения быстрых нейтронов ускорительного типа, отличающийся тем, что в ускорителе ионов дейтерия в качестве мишени-конвертера используется аккумулятор изотопов водорода из поликристаллического или монокристаллического CVD алмаза, который позволяет получать направленный поток нейтронов даже при малых энергиях ускоренных ионов дейтерия.

Изобретение относится к области ядерной физики и может быть использовано для получения пучка быстрых моноэнергетических нейтронов.

Нейтронные генераторы и разрабатываемые на их основе аппаратурные комплексы выпускаются для таких областей применения, как:

- каротаж нефтегазовых и урановых скважин;

- контроль технологических процессов промышленных производств, сертификация продукции;

- обнаружение и идентификация отравляющих и взрывчатых веществ;

- нейтронная терапия;

- нейтронная радиография и томография;

- обнаружение и контроль содержания ядерных материалов;

- научные исследования.

В качестве прототипа нейтронного генератора выбран нейтронный генератор ускорительного типа [1,2], в таких нейтронных генераторах для получения потока нейтронов обычно используются ядерные реакции d(d,n)3He и t(d,n)4He. При бомбардировке ускоренными ионами дейтерия мишеней-конвертеров, которые содержат дейтерий или тритий, в результате ядерной реакции рождаются нейтроны. Такие нейтронные генераторы разнообразны по размерам и характеристикам. Некоторые из них размещаются на площади 50-100 м2 и обладают мощностью - 1012-1013 нейтронов в 1 сек (энергию ионов можно варьировать от 10 до 10 эВ). Существуют и миниатюрные ускорительные трубки (диаметры 25-30 мм), испускающие 107-108 нейтронов в 1 сек, которые используются в нейтронном каротаже.

Нейтронный генератор, в котором энергия ускоренных ионов дейтерия невелика (намного меньше энергии образующихся в результате ядерных реакций нейтронов), может быть точечным моноэнергетическим источником нейтронов. Нейтроны вылетают из мишени практически изотропно.

Ускорители, используемые в таких нейтронных генераторах, обычно непрерывного действия. Чтобы получить импульсный пучок в ускорителях используют импульсные ионные источники или устройства отклонения и группировки пучка ионов.

Мишени-конвертеры нейтронных генераторов, позволяющих получить высокоинтенсивные потоки нейтронов, обычно твердотельные и представляют собой тонкие слои (до нескольких десятков мкм) титана, скандия или цинка, нанесенные на медную подложку. Эти металлы способны образовывать так называемые металлические гидриды. Так гидриды титана или скандия способны удерживать до двух атомов изотопов водорода на один атом металла. Это свойство металлических гидридов позволяет использовать их в качестве аккумуляторов изотопов водорода и, в частности, изготовлять из них мишени-конвертеры.

Энергия, теряемая пучком заряженных частиц в мишени-конвертере, определяется током и энергией пучка ионов и может достигать больших величин (до десятков кВт на квадратный сантиметр). Такие мишени требуют эффективного охлаждения.

Задачей, решаемой изобретением, является расширение класса материалов используемых для мишеней-конвертеров нейтронных генераторов. В качестве нового материала для аккумуляторов изотопов водорода и изготовления мишеней-конвертеров предлагается использовать поликристаллический CVD алмаз (химически осажденный из газовой фазы алмаз).

Структура поликристаллического CVD алмаза неоднородна и анизотропна (Рис. 1). Кристаллиты растут в виде колонн, ориентированных перпендикулярно поверхности, причем с увеличением толщины пленки «диаметр» колонн увеличивается. Размеры кристаллитов возрастают от ~1 мкм в сильно дефектном слое вблизи подложки до десятков и даже сотен микрометров на противоположной, более совершенной ростовой стороне.

При определенных условиях синтеза поликристаллические CVD алмазные пленки имеют черный цвет из-за многочисленных структурных дефектов в кристаллитах, таких как двойники и аморфизованные области размером порядка 1 нм [3]. В литературе для подобного материала принято обозначение black diamond.

Исследование возможности использования поликристаллического алмаза в качестве мишени-конвертера проводились на установке ГЕЛИС ФИАН. Установка ГЕЛИС представляет собой ускоритель ионов легких элементов с током до 40 мА и энергией до 50 кэВ [4].

Насыщение образцов CVD алмаза дейтерием проводилось путем электролиза, за время электролиза в образцы CVD алмаза входило до ~1020 атомов дейтерия.

Измерения по выходу нейтронов из поликристаллической алмазной мишени-конвертора показали более высокое значение по сравнению с дейтерированными металлическими мишенями из Ti и Pd при одинаковых значениях тока и энергии бомбардирующих ионов дейтерия.

Измерения потока нейтронов вдоль и поперек направления пучка ионов дейтерия при облучении мишени-конвертера из поликристаллического CVD алмаза выявило их сильное различие. На установке ГЕЛИС исследовалась зависимость выхода нейтронов из образца CVD-алмаза от угла между пучком дейтронов и нормалью к плоскости мишени (Рис.2). Видно, что наблюдается значительное уменьшение выхода нейтронов при повороте мишени относительно пучка дейтронов. При нормальном падении пучка дейтронов на мишень выход нейтронов примерно в 3 раза больше, чем при угле поворота мишени р=±45°. Сильная зависимость выхода нейтронов от угла β может свидетельствовать о наличии узких каналов в образце CVD-алмаза, в которых сконцентрировано основное количество дейтерия, попавшего туда в процессе электролиза. Больший выход нейтронов при β=0° может быть объяснен тем, что эффективный пробег ионов дейтерия в каналах значительно выше, чем в алмазе.

В поликристаллическом алмазе узкие каналы между кристаллитами образуются естественным путем в процессе его роста, однако современные технологии позволяют изготавливать наноразмерные каналы в алмазе искусственным образом. Использование в нейтронном генераторе ускорительного типа мишеней-конвертеров из поликристаллического или монокристаллического алмаза с предварительно изготовленными наноразмерными каналами позволит получить направленный поток нейтронов, даже при малых энергиях ионов дейтерия (меньше 50 кэВ).

Возможные применения

Таким образом, мишени-конверторы из поликристаллического или монокристаллического алмаза с предварительно изготовленными наноразмерными каналами могут быть использованы для получения направленного потока монохроматических нейтронов. Благодаря уникальным теплопроводным свойствам алмаза эти мишени-конверторы позволят повысить ток пучка ионов на мишень и тем самым увеличить интенсивность потока нейтронов, что актуально для сокращения времени при проведении работ с нейтронными генераторами, таких как:

- контроль технологических процессов промышленных производств, сертификация продукции;

- обнаружение и идентификация отравляющих и взрывчатых веществ;

- нейтронная терапия;

- нейтронная радиография и томография;

- обнаружение и контроль содержания ядерных материалов;

- научные исследования.

Литература

1. Власов Н.А. Нейтроны. 2 изд. М., 1971.

2. Кирьянов Г.И. Генераторы быстрых нейтронов. М., 1990.

3. В.Г. Ральченко, А.В. Савельев, А.Ф. Попович, И.И. Власов, С.В. Воронина, Е.Е. Ашкинази. Двухслойные теплоотводящие диэлектрические подложки алмаз-нитрид алюминия // Микроэлектроника, 2006, Т. 35, №4, с. 243-248.

4. М.А. Негодаев, А.В. Багуля. Электрофизическая установка ГЕЛИС. Препринт ФИАН №11. М., 1996.

Нейтронный генератор для получения быстрых нейтронов ускорительного типа, отличающийся тем, что в ускорителе ионов дейтерия в качестве мишени-конвертера используется аккумулятор изотопов водорода из поликристаллического или монокристаллического CVD алмаза, который позволяет получать направленный поток нейтронов даже при малых энергиях ускоренных ионов дейтерия.
ГЕНЕРАТОР БЫСТРЫХ МОНОЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ НЕЙТРОНОВ
ГЕНЕРАТОР БЫСТРЫХ МОНОЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ НЕЙТРОНОВ
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 41-50 из 56.
08.11.2019
№219.017.df73

Лазерная система обнаружения протечки в контуре теплоносителя ядерного энергетического реактора

Изобретение относится к области ядерной энергетики. Лазерная система для обнаружения протечки в контуре теплоносителя ядерного энергетического реактора содержит первый и второй лазерные генераторы, измеритель лазерного излучения, первую измерительную кювету, подсоединенную к первому контуру...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002705212
Дата охранного документа: 06.11.2019
13.11.2019
№219.017.e146

Лазерная система измерения параметров теплоносителя в энергетическом ядерном реакторе

Изобретение относится к области ядерной энергетики. Заявленная лазерная система измерения параметров теплоносителя в энергетическом ядерном реакторе содержит лазерный генератор 1, блок 2 измерения лазерного излучения, входной и выходной иллюминаторы 11, 12 трубопровода 10 теплоносителя,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002705725
Дата охранного документа: 11.11.2019
04.02.2020
№220.017.fd16

Способ создания двумерной матрицы лазерных диодов и двумерная матрица лазерных диодов

Изобретение относится к области лазерной техники и касается двумерной матрицы лазерных диодов. Матрица лазерных диодов содержит линейки лазерных диодов и две прозрачные для излучения лазерных диодов подложки. На одной поверхности каждой подложки сформированы параллельные металлизированные...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002712764
Дата охранного документа: 31.01.2020
27.02.2020
№220.018.066e

Способ наращивания монокристаллических слоёв полупроводниковых структур

Изобретение относится к способу наращивания слоев полупроводниковых структур, осуществляемого методами эпитаксиального осаждения. Сущность: способ наращивания монокристаллических слоев полупроводниковых структур, осуществляемого методом эпитаксиального осаждения, заключается в том, что...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002715080
Дата охранного документа: 25.02.2020
15.07.2020
№220.018.3260

Способ формирования и компенсации астигматического волнового фронта и устройство для его осуществления

Изобретение относится к способу формирования и компенсации произвольного астигматического волнового фронта и к устройству для осуществления этого способа. Изобретение обеспечивает повышение энергетической эффективности, широкий рабочий спектральный диапазон и технологичность изготовления...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002726306
Дата охранного документа: 13.07.2020
18.07.2020
№220.018.33a9

Способ нелинейного внутрирезонаторного преобразования длины волны в лазере с продольной накачкой

Изобретение относится к лазерной технике. Способ нелинейного внутрирезонаторного преобразования длины волны в лазере с продольной накачкой заключается в том, что для генерации на основной оптической частоте в лазере используют резонатор, конфигурация которого обеспечивает возможность...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002726915
Дата охранного документа: 16.07.2020
18.07.2020
№220.018.3470

Сканирующий моноблочный интерферометр фабри-перо

Изобретение относится к оптическим спектральным системам. Сканирующий моноблочный интерферометр Фабри-Перо по настоящему изобретению содержит два плоскопараллельных мембранных зеркала, обращенных одно к другому и зафиксированных с помощью оптического контакта на своих краях на противоположных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002726717
Дата охранного документа: 15.07.2020
29.07.2020
№220.018.38b6

Способ доставки криогенной топливной мишени для управляемого инерциального термоядерного синтеза, система и носитель

Изобретение относится к средству доставки криогенной топливной мишени (КТМ) для управляемого инерциального термоядерного синтеза, системе для реализации этого способа и носителю для использования в такой системе. В заявленном способе размещают каждую криогенную топливную мишень в носитель,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002727925
Дата охранного документа: 27.07.2020
12.04.2023
№223.018.4309

Способ определения магнитных свойств материала

Изобретение относится к области измерительной техники. Для определения магнитных свойств материала в заданной области пространства размещают мишень, изготовленную из исследуемого материала, и создают магнитное поле с заданными свойствами, силовые линии которого имеют составляющую, параллельную...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002793610
Дата охранного документа: 04.04.2023
12.04.2023
№223.018.432b

Способ определения распределения магнитного поля

Использование: изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано для определения распределения магнитного поля в заданной области пространства (в частности, рабочих камерах высокоэнергетических установок). Сущность: для определения распределения магнитного поля в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002793615
Дата охранного документа: 04.04.2023
Показаны записи 31-36 из 36.
20.01.2018
№218.016.1c2b

Способ ультразвукового шлифования алмазных пленок, имеющих внешний слой из поликристаллических алмазов на поверхности основания

Изобретение относится к области механической обработки алмазов, в частности ультразвуковой обработки, и может быть использовано при шлифовании алмазных пленок, имеющих внешний слой из поликристаллических алмазов на поверхности основания. Производят удаление кристаллитов упомянутого внешнего...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002640370
Дата охранного документа: 28.12.2017
13.02.2018
№218.016.2610

Свч плазменный реактор для получения однородной нанокристаллической алмазной пленки

Изобретение относится к СВЧ плазменному реактору с объемно-резонаторной передачей энергии в область над подложкой, ограниченной формой плазменного образования в виде полуэллипса, создающей косвенный нагрев при осаждении покрытия на низкоаспектной подложке или одновременно на группе подложек....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002644216
Дата охранного документа: 08.02.2018
01.03.2019
№219.016.c9e6

Свч плазменный реактор

Изобретение относится к металлообработке, в частности к СВЧ плазменному реактору, и может найти применение в машиностроении и металлургии при изготовлении изделий с покрытиями, полученными способом плазменного парофазного химического осаждения пленок. СВЧ плазменный реактор содержит...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002299929
Дата охранного документа: 27.05.2007
19.04.2019
№219.017.304c

Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение относится к области полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении таких приборов как, например, гетеропереходные полевые транзисторы (НЕМТ), биполярные транзисторы (BJT), гетеробиполярные транзисторы (НВТ), p-i-n диоды, диоды с барьером Шотки и многие другие....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002368031
Дата охранного документа: 20.09.2009
09.05.2019
№219.017.4e74

Сверхтвердый материал

Изобретение относится к получению сверхтвердого материала, который содержит CVD-алмаз и который может быть использован при изготовлении инструмента для правки шлифовальных кругов, режущего, бурового инструмента и др. Поверхность CVD-алмаза частично или полностью в условиях высокого давления и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002413699
Дата охранного документа: 10.03.2011
17.06.2023
№223.018.8051

Свч плазменный реактор с регулированием температуры косвенного нагрева подложки

Изобретение относится к СВЧ плазменному реактору для осаждения алмазной пленки на подложку из твердого сплава, выполненному с возможностью регулирования температуры косвенного нагрева подложки. СВЧ плазменный реактор содержит герметичную осесимметричную камеру, центральная часть которой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002762222
Дата охранного документа: 16.12.2021
+ добавить свой РИД