×
20.11.2015
216.013.8f51

Результат интеллектуальной деятельности: ГЕНЕРАТОР БЫСТРЫХ МОНОЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ НЕЙТРОНОВ

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Заявленное изобретение относится к генераторам быстрых моноэнергетических нейтронов. В заявленном устройстве предусмотрено использование алмазной кристаллической структуры, поверхность которой облучается ускоренным до нескольких десятков кэВ пучком ионов дейтерия, в качестве мишеней-конвертеров. Техническим результатом является возможность повышения тока пучка ионов на мишень и как следствие возможность увеличения интенсивности потока нейтронов, что обеспечивает возможность применения заявленного устройства в различных областях, где используются быстрые моноэнергетические нейтроны, таких как каротаж нефтегазовых и урановых скважин, контроль технологических процессов промышленных производств, сертификация продукции, обнаружение и идентификация отравляющих и взрывчатых веществ, нейтронная терапия, нейтронная радиография и томография, обнаружение и контроль содержания ядерных материалов и научные исследования. 2 ил.
Основные результаты: Нейтронный генератор для получения быстрых нейтронов ускорительного типа, отличающийся тем, что в ускорителе ионов дейтерия в качестве мишени-конвертера используется аккумулятор изотопов водорода из поликристаллического или монокристаллического CVD алмаза, который позволяет получать направленный поток нейтронов даже при малых энергиях ускоренных ионов дейтерия.

Изобретение относится к области ядерной физики и может быть использовано для получения пучка быстрых моноэнергетических нейтронов.

Нейтронные генераторы и разрабатываемые на их основе аппаратурные комплексы выпускаются для таких областей применения, как:

- каротаж нефтегазовых и урановых скважин;

- контроль технологических процессов промышленных производств, сертификация продукции;

- обнаружение и идентификация отравляющих и взрывчатых веществ;

- нейтронная терапия;

- нейтронная радиография и томография;

- обнаружение и контроль содержания ядерных материалов;

- научные исследования.

В качестве прототипа нейтронного генератора выбран нейтронный генератор ускорительного типа [1,2], в таких нейтронных генераторах для получения потока нейтронов обычно используются ядерные реакции d(d,n)3He и t(d,n)4He. При бомбардировке ускоренными ионами дейтерия мишеней-конвертеров, которые содержат дейтерий или тритий, в результате ядерной реакции рождаются нейтроны. Такие нейтронные генераторы разнообразны по размерам и характеристикам. Некоторые из них размещаются на площади 50-100 м2 и обладают мощностью - 1012-1013 нейтронов в 1 сек (энергию ионов можно варьировать от 10 до 10 эВ). Существуют и миниатюрные ускорительные трубки (диаметры 25-30 мм), испускающие 107-108 нейтронов в 1 сек, которые используются в нейтронном каротаже.

Нейтронный генератор, в котором энергия ускоренных ионов дейтерия невелика (намного меньше энергии образующихся в результате ядерных реакций нейтронов), может быть точечным моноэнергетическим источником нейтронов. Нейтроны вылетают из мишени практически изотропно.

Ускорители, используемые в таких нейтронных генераторах, обычно непрерывного действия. Чтобы получить импульсный пучок в ускорителях используют импульсные ионные источники или устройства отклонения и группировки пучка ионов.

Мишени-конвертеры нейтронных генераторов, позволяющих получить высокоинтенсивные потоки нейтронов, обычно твердотельные и представляют собой тонкие слои (до нескольких десятков мкм) титана, скандия или цинка, нанесенные на медную подложку. Эти металлы способны образовывать так называемые металлические гидриды. Так гидриды титана или скандия способны удерживать до двух атомов изотопов водорода на один атом металла. Это свойство металлических гидридов позволяет использовать их в качестве аккумуляторов изотопов водорода и, в частности, изготовлять из них мишени-конвертеры.

Энергия, теряемая пучком заряженных частиц в мишени-конвертере, определяется током и энергией пучка ионов и может достигать больших величин (до десятков кВт на квадратный сантиметр). Такие мишени требуют эффективного охлаждения.

Задачей, решаемой изобретением, является расширение класса материалов используемых для мишеней-конвертеров нейтронных генераторов. В качестве нового материала для аккумуляторов изотопов водорода и изготовления мишеней-конвертеров предлагается использовать поликристаллический CVD алмаз (химически осажденный из газовой фазы алмаз).

Структура поликристаллического CVD алмаза неоднородна и анизотропна (Рис. 1). Кристаллиты растут в виде колонн, ориентированных перпендикулярно поверхности, причем с увеличением толщины пленки «диаметр» колонн увеличивается. Размеры кристаллитов возрастают от ~1 мкм в сильно дефектном слое вблизи подложки до десятков и даже сотен микрометров на противоположной, более совершенной ростовой стороне.

При определенных условиях синтеза поликристаллические CVD алмазные пленки имеют черный цвет из-за многочисленных структурных дефектов в кристаллитах, таких как двойники и аморфизованные области размером порядка 1 нм [3]. В литературе для подобного материала принято обозначение black diamond.

Исследование возможности использования поликристаллического алмаза в качестве мишени-конвертера проводились на установке ГЕЛИС ФИАН. Установка ГЕЛИС представляет собой ускоритель ионов легких элементов с током до 40 мА и энергией до 50 кэВ [4].

Насыщение образцов CVD алмаза дейтерием проводилось путем электролиза, за время электролиза в образцы CVD алмаза входило до ~1020 атомов дейтерия.

Измерения по выходу нейтронов из поликристаллической алмазной мишени-конвертора показали более высокое значение по сравнению с дейтерированными металлическими мишенями из Ti и Pd при одинаковых значениях тока и энергии бомбардирующих ионов дейтерия.

Измерения потока нейтронов вдоль и поперек направления пучка ионов дейтерия при облучении мишени-конвертера из поликристаллического CVD алмаза выявило их сильное различие. На установке ГЕЛИС исследовалась зависимость выхода нейтронов из образца CVD-алмаза от угла между пучком дейтронов и нормалью к плоскости мишени (Рис.2). Видно, что наблюдается значительное уменьшение выхода нейтронов при повороте мишени относительно пучка дейтронов. При нормальном падении пучка дейтронов на мишень выход нейтронов примерно в 3 раза больше, чем при угле поворота мишени р=±45°. Сильная зависимость выхода нейтронов от угла β может свидетельствовать о наличии узких каналов в образце CVD-алмаза, в которых сконцентрировано основное количество дейтерия, попавшего туда в процессе электролиза. Больший выход нейтронов при β=0° может быть объяснен тем, что эффективный пробег ионов дейтерия в каналах значительно выше, чем в алмазе.

В поликристаллическом алмазе узкие каналы между кристаллитами образуются естественным путем в процессе его роста, однако современные технологии позволяют изготавливать наноразмерные каналы в алмазе искусственным образом. Использование в нейтронном генераторе ускорительного типа мишеней-конвертеров из поликристаллического или монокристаллического алмаза с предварительно изготовленными наноразмерными каналами позволит получить направленный поток нейтронов, даже при малых энергиях ионов дейтерия (меньше 50 кэВ).

Возможные применения

Таким образом, мишени-конверторы из поликристаллического или монокристаллического алмаза с предварительно изготовленными наноразмерными каналами могут быть использованы для получения направленного потока монохроматических нейтронов. Благодаря уникальным теплопроводным свойствам алмаза эти мишени-конверторы позволят повысить ток пучка ионов на мишень и тем самым увеличить интенсивность потока нейтронов, что актуально для сокращения времени при проведении работ с нейтронными генераторами, таких как:

- контроль технологических процессов промышленных производств, сертификация продукции;

- обнаружение и идентификация отравляющих и взрывчатых веществ;

- нейтронная терапия;

- нейтронная радиография и томография;

- обнаружение и контроль содержания ядерных материалов;

- научные исследования.

Литература

1. Власов Н.А. Нейтроны. 2 изд. М., 1971.

2. Кирьянов Г.И. Генераторы быстрых нейтронов. М., 1990.

3. В.Г. Ральченко, А.В. Савельев, А.Ф. Попович, И.И. Власов, С.В. Воронина, Е.Е. Ашкинази. Двухслойные теплоотводящие диэлектрические подложки алмаз-нитрид алюминия // Микроэлектроника, 2006, Т. 35, №4, с. 243-248.

4. М.А. Негодаев, А.В. Багуля. Электрофизическая установка ГЕЛИС. Препринт ФИАН №11. М., 1996.

Нейтронный генератор для получения быстрых нейтронов ускорительного типа, отличающийся тем, что в ускорителе ионов дейтерия в качестве мишени-конвертера используется аккумулятор изотопов водорода из поликристаллического или монокристаллического CVD алмаза, который позволяет получать направленный поток нейтронов даже при малых энергиях ускоренных ионов дейтерия.
ГЕНЕРАТОР БЫСТРЫХ МОНОЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ НЕЙТРОНОВ
ГЕНЕРАТОР БЫСТРЫХ МОНОЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ НЕЙТРОНОВ
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 11-20 из 56.
20.08.2014
№216.012.e9d1

Лазерная электронно-лучевая трубка

Изобретение относится к квантовой электронике и электронной технике и может быть использовано в приборах со сканирующим световым лучом. Лазерная электронно-лучевая трубка выполнена в виде вакуумируемой колбы с выходным оптическим окном и имеет электронно-оптическую ось, вдоль которой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002525665
Дата охранного документа: 20.08.2014
20.08.2014
№216.012.e9da

Способ повышения плотности мощности светового излучения внутри среды

Изобретение относится к оптике и касается способа повышения плотности мощности светового излучения внутри среды. Способ включает в себя формирование среды в виде многослойной периодической структуры, имеющей в спектре пропускания запрещенную зону, а также узкие резонансные пики полного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002525674
Дата охранного документа: 20.08.2014
10.10.2014
№216.012.fa13

Устройство для нанесения однородных гладких тонких пленок различных материалов на твердые подложки

Изобретение относится к области технологии сверхпроводящих тонких пленок и может найти применение в производстве сверхпроводящих лент на основе высокотемпературных сверхпроводников для сверхпроводящих кабелей передачи электрической энергии, работающих при температуре жидкого азота. Устройство...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002529865
Дата охранного документа: 10.10.2014
27.11.2014
№216.013.0be6

Способ формирования субдифракционной квазирегулярной одно-и двумерной нанотекстуры поверхности материалов и устройство для его осуществления

Заявленная группа изобретений относится к средствам для формирования субдифракционной квазирегулярной одно- и двумерной нанотекстуры поверхности различных материалов для устройств нанофотоники, плазмоники, трибологии или для создания несмачиваемых покрытий. Данное изобретение позволяет повысить...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534454
Дата охранного документа: 27.11.2014
10.01.2015
№216.013.1bd3

Алмазный поликристаллический композиционный материал с армирующей алмазной компонентой

Изобретение относится к области получения поликристаллических материалов, а именно к композиционным материалам на основе алмаза, полученным путем спекания алмазных зерен и металлов с дисперсно-упрочняющими добавками и армирующей CVD алмазной компонентой в виде вставки, модифицированной в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002538551
Дата охранного документа: 10.01.2015
27.01.2015
№216.013.2107

Способ доводки ориентации подложек для эпитаксии алмаза

Изобретение относится к способам доводки ориентации подложек из монокристаллических алмазов, предназначенных для эпитаксиального роста из газовой фазы монокристаллических алмазных пластин высокого структурного совершенства, используемых в производстве рентгеновских монохроматоров, приборов...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002539903
Дата охранного документа: 27.01.2015
10.02.2015
№216.013.263c

Алмазно-твердосплавная пластина

Изобретение относится к получению керамических материалов. Алмазно-твердосплавная пластина выполнена в виде твердосплавной пластины с расположенным на ней алмазным слоем. Алмазный слой выполнен из спеченной смеси алмазного микропорошка и активирующей добавки с расположенными в нем на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002541241
Дата охранного документа: 10.02.2015
10.04.2015
№216.013.394c

Способ стабилизации эмульсий и коллоидных растворов и устройство для его осуществления

Изобретение относится к технологическим химическим процессам, в частности к нефтехимии, и может быть использовано для стабилизации различных эмульсий и коллоидных растворов, например, при производстве коллоидных и полимерных дисперсий, нефтяных масел, смазочных материалов, технических...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002546156
Дата охранного документа: 10.04.2015
10.05.2015
№216.013.49c7

Алмазный поликристаллический композиционный материал с дисперсно-упрочненной добавкой

Изобретение относится к области получения поликристаллических материалов, которые могут быть использованы, преимущественно, для изготовления бурового и правящего инструмента. Алмазный поликристаллический композиционный материал с дисперсно-упрочненной добавкой содержит оболочку толщиной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002550394
Дата охранного документа: 10.05.2015
20.05.2015
№216.013.4b9a

Способ формирования микроструктурированного и высокодопированного слоя на поверхности кремния

Изобретение может быть использовано при изготовлении фоточувствительных элементов солнечной энергетики и приборов ночного видения. Сухую поверхность кремния облучают множественными фокусированными ультракороткими фемто- или короткими пикосекундными лазерными импульсами (УКИ) для её абляционного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002550868
Дата охранного документа: 20.05.2015
Показаны записи 11-20 из 36.
20.08.2014
№216.012.e9d1

Лазерная электронно-лучевая трубка

Изобретение относится к квантовой электронике и электронной технике и может быть использовано в приборах со сканирующим световым лучом. Лазерная электронно-лучевая трубка выполнена в виде вакуумируемой колбы с выходным оптическим окном и имеет электронно-оптическую ось, вдоль которой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002525665
Дата охранного документа: 20.08.2014
20.08.2014
№216.012.e9da

Способ повышения плотности мощности светового излучения внутри среды

Изобретение относится к оптике и касается способа повышения плотности мощности светового излучения внутри среды. Способ включает в себя формирование среды в виде многослойной периодической структуры, имеющей в спектре пропускания запрещенную зону, а также узкие резонансные пики полного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002525674
Дата охранного документа: 20.08.2014
10.10.2014
№216.012.fa13

Устройство для нанесения однородных гладких тонких пленок различных материалов на твердые подложки

Изобретение относится к области технологии сверхпроводящих тонких пленок и может найти применение в производстве сверхпроводящих лент на основе высокотемпературных сверхпроводников для сверхпроводящих кабелей передачи электрической энергии, работающих при температуре жидкого азота. Устройство...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002529865
Дата охранного документа: 10.10.2014
27.11.2014
№216.013.0be6

Способ формирования субдифракционной квазирегулярной одно-и двумерной нанотекстуры поверхности материалов и устройство для его осуществления

Заявленная группа изобретений относится к средствам для формирования субдифракционной квазирегулярной одно- и двумерной нанотекстуры поверхности различных материалов для устройств нанофотоники, плазмоники, трибологии или для создания несмачиваемых покрытий. Данное изобретение позволяет повысить...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534454
Дата охранного документа: 27.11.2014
10.01.2015
№216.013.1bd3

Алмазный поликристаллический композиционный материал с армирующей алмазной компонентой

Изобретение относится к области получения поликристаллических материалов, а именно к композиционным материалам на основе алмаза, полученным путем спекания алмазных зерен и металлов с дисперсно-упрочняющими добавками и армирующей CVD алмазной компонентой в виде вставки, модифицированной в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002538551
Дата охранного документа: 10.01.2015
27.01.2015
№216.013.2107

Способ доводки ориентации подложек для эпитаксии алмаза

Изобретение относится к способам доводки ориентации подложек из монокристаллических алмазов, предназначенных для эпитаксиального роста из газовой фазы монокристаллических алмазных пластин высокого структурного совершенства, используемых в производстве рентгеновских монохроматоров, приборов...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002539903
Дата охранного документа: 27.01.2015
10.02.2015
№216.013.263c

Алмазно-твердосплавная пластина

Изобретение относится к получению керамических материалов. Алмазно-твердосплавная пластина выполнена в виде твердосплавной пластины с расположенным на ней алмазным слоем. Алмазный слой выполнен из спеченной смеси алмазного микропорошка и активирующей добавки с расположенными в нем на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002541241
Дата охранного документа: 10.02.2015
10.04.2015
№216.013.394c

Способ стабилизации эмульсий и коллоидных растворов и устройство для его осуществления

Изобретение относится к технологическим химическим процессам, в частности к нефтехимии, и может быть использовано для стабилизации различных эмульсий и коллоидных растворов, например, при производстве коллоидных и полимерных дисперсий, нефтяных масел, смазочных материалов, технических...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002546156
Дата охранного документа: 10.04.2015
10.05.2015
№216.013.49c7

Алмазный поликристаллический композиционный материал с дисперсно-упрочненной добавкой

Изобретение относится к области получения поликристаллических материалов, которые могут быть использованы, преимущественно, для изготовления бурового и правящего инструмента. Алмазный поликристаллический композиционный материал с дисперсно-упрочненной добавкой содержит оболочку толщиной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002550394
Дата охранного документа: 10.05.2015
20.05.2015
№216.013.4b9a

Способ формирования микроструктурированного и высокодопированного слоя на поверхности кремния

Изобретение может быть использовано при изготовлении фоточувствительных элементов солнечной энергетики и приборов ночного видения. Сухую поверхность кремния облучают множественными фокусированными ультракороткими фемто- или короткими пикосекундными лазерными импульсами (УКИ) для её абляционного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002550868
Дата охранного документа: 20.05.2015
+ добавить свой РИД