×
27.08.2015
216.013.7491

Результат интеллектуальной деятельности: СПОСОБ МОДИФИКАЦИИ ПОВЕРХНОСТИ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к области химической модификации поверхности пористого кремния и, в частности, может найти применение для создания биосовместимого и способного к полной биодеградации носителя медицинских препаратов, обеспечивающего их целевую доставку и пролонгированное действие в организме. Способ модификации поверхности пористого кремния включает двухстадийную обработку поверхности пористого кремния. На первой стадии поверхность пористого кремния обрабатывают смесью брома и инертного органического растворителя при комнатной температуре в течение 10-30 минут, промывают поверхность пористого кремния инертным органическим растворителем и сушат до полного удаления инертного органического растворителя. На второй стадии обрабатывают бромированную поверхность пористого кремния дистиллированной водой, в результате чего связанный на поверхности бром замещается гидроксильными группами, промывают обработанную поверхность пористого кремния дистиллированной водой для удаления образовавшейся бромистоводородной кислоты и затем сушат обработанную поверхность пористого кремния. Изобретение позволяет повысить скорость биодеградации пористого кремния, а также сохранить неизменными исходные размеры пор и величину его удельной поверхности. 6 з.п. ф-лы, 4 ил., 3 пр.

Заявляемое изобретение относится к области химической модификации поверхности пористого кремния и, в частности, может найти применение для создания биосовместимого и способного к полной биодеградации носителя медицинских препаратов, обеспечивающего их целевую доставку и пролонгированное действие в организме.

Наноструктурированный пористый кремний получают в результате самоорганизующегося процесса анодного травления монокристаллического кремния во фторидных электролитах, приводящего к прорастанию в кристалл массива равномерно распределенных наноразмерных пор. Несмотря на фрагментарное сохранение в пористых кристаллах дальнего порядка, присущего исходным монокристаллам, физические и химические свойства кремния претерпевают в них значительные изменения, возрастающие с повышением степени пористости материала. Наряду с квантово-размерными эффектами, это в значительной мере обусловлено деформациями химических связей, распространяющимися от близко расположенных друг к другу поверхностей на весь объем скелетной структуры. Иными словами, вклад свободной поверхностной энергии в свободную энергию пористого кремния в целом оказывается достаточно велик, чтобы заметно повысить его химический потенциал. В результате резко возрастает химическая активность пористого кремния в окислительно-восстановительных реакциях. В отличие от объемного кремния, пористый кремний может подвергаться постепенному гидролизу при комнатных температурах уже в слабощелочных средах (таких, как кровь с рН~7,4), что делает возможной его биодеградацию в живых организмах. Но поскольку в процессе образования пор в кремнии их стенки, контактирующие с HF-содержащим электролитом, покрываются сплошным слоем из химически связанных атомов водорода, формирующийся пористый кремний приобретает выраженные гидрофобные свойства. Отсутствие смачиваемости пористого кремния водными растворами, не содержащими поверхностно-активных компонентов, затрудняет его использование в качестве биосовместимого материала. Измельченный пористый кремний, оставаясь гидрофобным, не образуют взвесей в воде, его трудно ввести в организм и транспортировать с током биологических жидкостей. Гидролиз гидрофобного пористого кремния в слабощелочных растворах начинается с заметной задержкой, вызванной низкой скоростью нуклеофильного замещения гидроксилом водорода поверхностных групп Si-H, экранирующих кремний от непосредственного контакта с раствором. Время деградации частиц пористого кремния в слабощелочных биологических жидкостях с превращением его в биологически инертную кремниевую кислоту обычно измеряется сутками. Заполнение пор молекулами лекарственных препаратов еще больше увеличивают время ассимиляции кремния в организме.

Известен способ модификации поверхности пористого кремния (см. заявка РСТ WO 2010147141, МПК С23С 16/00, H01L 21/00, опубликована 23.12.2010) путем обработки его поверхности плазмой электрического разряда в атмосфере кислорода или инертного газа, либо путем облучения ультрафиолетовым излучением в атмосфере кислорода.

Известен способ модификации поверхности пористого кремния (см. заявка CN 102520041, МПК G01N 27/333, опубликована 27.06.2012), включающий термическое окисление поверхности пористого кремния при температуре 50-200°С в течение 0,5-3,0 часов.

В рассмотренных выше способах на поверхности пористого кремния образуется более чем монослойные оксидные пленки, отличающиеся по толщине и концентрации гидроксильных групп. Данные химического анализа (см. Yukio Ogata, Hiroyuki Niki, Tetsuo Sakka, Matae Iwasaki. - Oxidation of Porous Silicon under Water Vapor Environment. - Journ. Electrochem. Soc., 1995, volume 142, issue 5, 1595-1601; Douglas В. Mawhinney, John A. Glass, Jr., John Т., Yates, Jr. - FTIR Study of the Oxidation of Porous Silicon. Journ. Phys. Chem. B, 1997, volume 101, 1202-1206) свидетельствуют о том, что при использовании этих способов происходит селективное окисление кремниевого скелета по связям Si-Si, в то время как более прочные связи Si-H сохраняются на поверхности. При этом глубина окисления измеряется единицами монослоев. Такое окисление обеспечивает лишь умеренную смачиваемость поверхности пористого кремния водой, не всегда позволяющую водным растворам проникать в поры.

Известен способ модификации поверхности пористого кремния (см. ЕР 376064, МПК C07F 07/00, C07F 07/10, C08G 65/00, опубликован 19.10.2011) путем обработки поверхности пористого кремния при температуре 100-110°С раствором концентрированной серной кислоты и перекиси водорода, взятых в объемном соотношении 2:1, последующей ее промывки дистиллированной водой и сушки.

Известен способ модификации поверхности пористого кремния (см. заявка US 2004197613, МПК Н01М 08/02, Н01М 08/04, Н01М 08/10, опубликована 07.10.2004), в соответствии с которым поверхность пористого кремния обрабатывают раствором, содержащим 80% серной кислоты и 20% перекиси водорода в течение 60 минут, а затем ее облучают ультрафиолетовым излучением в потоке озона в течение 10 минут.

Известен способ модификации поверхности пористого кремния (см. заявка CN 102983344, МПК Н01М 08/10, опубликована 20.03.2013), включающий кипячение поверхности пористого кремния в смеси 60%-80% серной кислоты и 60%-80% перекиси водорода, взятых в объемном соотношении 3:1 до полного выкипания перекиси водорода.

В последних трех способах достигается полное окисление гидрированной поверхности пористого кремния с образованием терминальных групп Si-OH, но при этом формируются более толстые слои объемной оксидной фазы, сравнимые по толщине с толщиной стенок пор и обладающие выраженными пассивирующими свойствами, препятствующими биодеградации пористого кремния. Кроме того, увеличение объема скелетной структуры пористого кремния при глубоком окислении уменьшает размеры пор и их полезный объем.

Известен способ модификации поверхности пористого кремния (см. заявка РСТ WO 02079085, МПК С01В 33/00, G01N 21/64, G01N 21/77, опубликована 10.10.2002), включающий обработку поверхности пористого кремния 30%-ным раствором перекиси водорода в течение 10 минут, последующую промывку ее дистиллированной водой, этанолом и сушку.

Обработка гидрофобного пористого кремния с наноразмерными порами в водном растворе H2O2 при комнатных температурах не обеспечивает проникновение H2O2 в поры и вызывает лишь гидрофилизацию внешней поверхности пористого кремния. В известном способе, наряду с образованием на поверхности пористого кремния гидроксильных групп, обеспечивающих гидрофильность материала, происходит также окисление самого кремния с образованием слоя аморфного окисла, обладающего выраженными пассивирующими свойствами, что приводит к замедлению биодеградации пористого кремния.

Наиболее близким по совокупности существенных признаков к настоящему изобретению является способ модификации поверхности пористого кремния (см. заявка WO 0026019, МПК В32В 3/26, опубликована 11.05.2000), принятый за прототип. Способ включает приведение в контакт поверхности пористого кремния с оптимально замещенным алкеном или алкином в количестве, достаточном для создания монослоя, а также освещение поверхности пористого кремния в присутствии указанного вещества для образования монослоя его молекул, ковалентно-связанных с поверхностью пористого кремния, с целью сохранения ее фотолюминесцентных свойств и ее химической пассивации.

В результате применения способа-прототипа может быть получена как гидрофобная, так и гидрофильная поверхность пористого кремния. Однако наличие монослоя ковалентно-связанных молекул на поверхности пористого кремния препятствует химическому взаимодействию пористого кремния с окружающей средой, что препятствует его биодеградации. Так, например, как в описании способа-прототипа указано, что полученный в результате реализации этого способа слой молекул 1-додецена стабилизирует пористый кремний даже в кипящем растворе КОН (pH=10 и pH=12).

Задачей настоящего изобретения являлась разработка такого способа модификации поверхности пористого кремния, которая бы обеспечивала ускоренную биодеградациию пористого кремния.

Поставленная задача решается тем, что способ модификации поверхности пористого кремния включает двухстадийную обработку поверхности пористого кремния. На первой стадии поверхность пористого кремния обрабатывают смесью брома и инертного органического растворителя при комнатной температуре в течение 10-30 минут, после чего промывают поверхность пористого кремния инертным органическим растворителем и сушат ее до полного удаления инертного органического растворителя. На второй стадии обрабатывают бромированную поверхность пористого кремния дистиллированной водой, что обеспечивает замещение химически связанных атомов брома гидроксильными группами, промывают обработанную поверхность пористого кремния дистиллированной водой для удаления образовавшейся бромистоводородной кислоты и затем сушат обработанную поверхность пористого кремния.

Новым в настоящем способе является обработка поверхности пористого кремния смесью брома и инертного органического растворителя при комнатной температуре в течение 10-30 минут, промывка поверхности пористого кремния инертным органическим растворителем, сушка ее до полного удаления инертного органического растворителя и последующая обработка бромированной поверхности пористого кремния дистиллированной водой.

В настоящем способе терминальный водород замещается на гидроксил, не затрагивая, по крайней мере, при комнатных температурах, связи в кремниевом скелете, что обеспечивает высокий уровень гидрофильности поверхности пористого кремния и открывает путь к различным вариантам прямой химической сшивки кремния с органическими молекулами, минуя промежуточный слой окисла. В результате пористый кремний приобретает возможность абсорбировать водные растворы различных веществ, оставаясь при этом химически активным и способным подвергаться гидролизу уже в слабощелочных средах, соответствующих по значениям pH физиологическим жидкостям, а также возможность прямой привязки к кристаллической решетке пористого кремния различных органических молекул, без введения промежуточного оксидного слоя.

Обработку поверхности пористого кремния можно проводить раствором брома в инертном органическом растворителе.

Обработку поверхности пористого кремния можно проводить парами брома и инертного органического растворителя.

В качестве инертного органического растворителя можно использовать низший хлорзамещенный алкан, например, выбранный из группы: CCl4, CHCl3, CH2CL2, C2H4Cl2.

Обработку поверхности пористого кремния можно вести смесью брома и инертного органического растворителя, взятых в объемном соотношении от 1:100 до 1:10.

Последующую сушку обработанной поверхности пористого кремния можно вести при температуре не более 80°C.

Настоящий способ модификации поверхности пористого кремния поясняется чертежом, где:

на фиг. 1 приведено СЭМ-изображение поверхности исходного (гидрофобного) слоя пористого кремния;

на фиг. 2 показано СЭМ-изображение поверхности модифицированных обработкой настоящим способом (последовательно в растворе бром - хлороформ и в воде) слоя пористого кремния;

на фиг. 3 приведено SEM-изображение поверхности отрыва пористого слоя от подложки до обработки настоящим способом.

на фиг. 4 показано SEM-изображение поверхности отрыва пористого слоя от подложки после обработки настоящим способом.

Настоящий способ модификации поверхности пористого кремния осуществляет следующим образом.

На первой стадии поверхность пористого кремния обрабатывают смесью брома и инертного органического растворителя, взятых в виде раствора или существующего над ним пара. В случае использования паров брома и инертного органического растворителя происходит капиллярная конденсация раствора в наноразмерных порах, начинающаяся при давлении паров компонентов раствора, не достигающих давлений в насыщенном паре. Объемное соотношение брома и инертного органического растворителя предпочтительно составляет от 1:100 до 1:10. В качестве инертного органического растворителя можно использовать низший хлорзамещенный алкан, например, выбранный из группы: CCl4, CHCl3, CH2Cl2, C2H4Cl2. В процессе первой стадии обработки происходит радикальное замещение водорода на бром, протекающее в инертном растворителе:

В указанных условиях бромирование протекает гладко и в слоях мезопористого кремния толщиной до 300 мкм полное замещение терминального водорода на бром при комнатной температуре занимает не более ~30 минут. Обработанную смесью брома и инертного органического растворителя поверхность пористого кремния промывают этим же инертным органическим растворителем для удаления оставшегося в порах брома и образовавшегося бромистого водорода, после чего сушат ее до полного удаления инертного органического растворителя. На второй стадии бромированную поверхность пористого кремния обрабатывают дистиллированной водой, при действии которой происходит нуклеофильное замещение химически связанных атомов брома гидроксильными группами:

Обработанную поверхность пористого кремния затем промывают дистиллированной водой до полного удаления образовавшейся бромистоводородной кислоты и затем обработанную поверхность пористого кремния высушивают, предпочтительно при температуре не выше 80°C во избежание взаимодействия гидроксильных групп на поверхности с образованием мостиковых связей Si-O-Si.

Полученный в результате двухстадийной обработки пористый кремний приобретает выраженные гидрофильные свойства по всей своей поверхности - как внешней, так и внутренней (пористые слои толщиной 250-300 мкм при смачивании с одной стороны практически мгновенно пропитываются водой насквозь). Вместе с этим скорость гидролиза приготовленного таким образом пористого кремния в слабощелочных средах становится максимальной по сравнению со скоростью гидролиза необработанного материала или же гидрофилизированного с помощью прямого окисления кислородом, озоном или перекисью водорода.

Гидролиз наноструктурированного пористого кремния с превращением в кремниевую кислоту протекает по реакции:

Si+4H2O=Si(OH)4+2Н2 (3)

Пример 1. Фрагмент слоя пористого кремния ~10×10 мм, пористостью 75-77% и толщиной 40 мкм, полученного анодированием полированной пластины монокристаллического кремния ориентации (100), р-типа проводимости с удельным сопротивлением 0,005 Ом·см в электролите, состоящем из равных объемов этилового спирта и плавиковой кислоты, 30 минут обрабатывали 5% раствором брома в хлороформе. Затем слой промывали хлороформом и высушивали на воздухе при комнатной температуре в течение 10 минут для удаления остатков хлороформа. Обработанный таким образом слой пористого кремния погружали в дистиллированную воду на 2 минут, дополнительно промывали дистиллированной водой до полного удаления бромистоводородной кислоты и высушивали на воздухе. Через 1 час одинаковые фрагменты исходного и модифицированного настоящим способом слоев пористого кремния погружали в 1,5% раствор гидрокарбаната натрия с pH=8,5, что соответствует pH сока поджелудочной железы. Реакция модифицированного настоящим способом пористого кремния с раствором, сопровождающаяся активным выделением водорода, началась немедленно после их контакта, тогда как необработанный слой пористого кремния всплыл на поверхность без признаков химического взаимодействия. Поверхность удерживаемого в растворе слоя необработанного пористого кремния начала смачиваться через ~3 минуты, через 8 минут на ней стали формироваться единичные пузырьки водорода. Через 1 час пребывания в растворе слой модифицированного настоящим способом пористого кремния приобрел оранжевую окраску и стал полупрозрачным, скорость выделения водорода снизилась, за 2 часа слой приобрел прозрачность и светло желтую окраску, сохранив в объеме отдельные включения кремния. Полное превращение слоя модифицированного настоящим способом пористого кремния в бледно желтую прозрачную пленку гидроокиси, не выделяющую водорода, заняло ~2 часа 20 минут. При этом через 24 часа пребывания в растворе слой необработанного пористого кремния еще сохранял в прозрачной пленке гидроокиси участки непрореагировавшего кремния.

Пример 2. Фрагмент слоя пористого кремния, аналогичный использованному в примере 1, помещался на поверхность крупнопористого стеклянного фильтра Шотта, впаянного в стеклянную воронку. Затем этой воронкой прикрывался стакан, содержащий 5% раствор брома в хлористом метилене. Практически немедленно начавшаяся конденсация паров в наноразмерных порах кремния обеспечила полное смачивание всей поверхности пористого материала раствором брома в хлористом метилене. После 30 минутной выдержки в парах образец пористого кремния высушивался на воздухе и обрабатывался водой, как в примере 1. Поведение обработанного таким образом слоя пористого кремния в 1,5% растворе гидрокарбаната натрия с pH=8,5 не отличалось от поведения аналогичного образца, погружавшегося в раствор брома в хлороформе.

Таким образом, предварительное бромирование в среде хлорзамещенных алканов позволяет значительно увеличить скорость гидролитической деградации пористого кремния в слабощелочных средах.

Для сравнения была определена скорость гидролитической деградации пористого кремния после трехчасовых обработок в 0,3% и 7,5% растворах H2O2 в воде, содержащей 15% метанола (необходимого для обеспечения первоначальной смачиваемости поверхности раствором). Время полного превращения упоминавшихся выше образцов пористого кремния в растворе с pH =8,5 в первом случае составило ~3 часа 30 минут, а во втором - почти трое суток.

Пример 3. Образцы пористого кремния исследовались методом адсорбционно-структурного анализа на приборе ASAP-2020 фирмы Micromeritics, который предназначен для определения таких параметров пористой структуры, как удельная площадь поверхности, объем пор и распределение пор по размерам. Исследованы два типа образцов - исходный (гидрофобный) и модифицированный заявленным способом (гидрофильный) обработкой в растворе брома в хлороформе (3 об. % Br2) в течение 10 минут, с последующими операциями высушивания на воздухе при комнатной температуре в течение 10 минут, погружения в дистиллированную воду на 2 минуты, промывки в деионизованной воде в течение 10 минут и окончательного высушивания на воздухе при комнатной температуре в течение 60 минут. Образцы представляли собой пластинки пористого кремния толщиной 150-300 мкм и площадью до 2 см2, массы образцов ~1,0 г. Перед определением адсорбции и десорбции азота при 77К проводили дегазацию образцов в вакууме при 300°C для гидрофобного и при 80°C для гидрофильного пористого кремния в течение 10 часов. Полученные изотермы адсорбции и десорбции азота для обоих образцов имеют характерные для мезопористых материалов петли гистерезиса, свидетельствующие о капиллярной конденсации азота в порах. Удельная поверхность пор материала, рассчитывалась по классическому методу Брунауэра-Эммета-Теллера (БЭТ) в приближении цилиндрических (или щелевидных) пор. Для гидрофобного пористого кремния она составила, соответственно, 201 м2/г (194 м2/г), а для модифицированного гидрофильного - 212 м2/г (203 м2/г). Расчет размеров пор проводили с применением модели Брукхоффа-де Бура для цилиндрических, а также для щелевидных пор. Средний диаметр пор для гидрофобного пористого кремния составил 27 нм в приближении цилиндрических пор и 16 нм, если считать поры щелевидными. Для модифицированного гидрофильного пористого кремния средний размер пор по расчетам составил 25 нм и 13 нм (для цилиндрических и щелевидных пор, соответственно).

По данным электронно-микроскопических измерений (SEM-изображения) входных отверстий пор, их размер в обоих случаях не превышает 20-25 нм (см. фиг. 1 и фиг. 2). Таким образом, с учетом дисперсии пор по размерам методы адсорбционно-структурного анализа дают результаты, совпадающие с данными прямых электронно-микроскопических измерений. На фиг. 3 и фиг. 4 показаны SEM-изображения поверхности отрыва пористого слоя от подложки до и после обработки заявленным способом. Как видно, химическая модификация поверхности пористого кристалла заявленным способом не приводит к изменению размеров формирующих его стенок пор. Объемы пор, определенные при относительном давлении р/р0=0,99 для гидрофобного и модифицированного гидрофильного пористого кремния составил, соответственно, 1,16 см3/г и 1,09 см3/г.

Настоящий способ модифицирования поверхности пористого кремния превращает исходно гидрофобный пористый кремний, получаемый электрохимическим травлением кремниевых монокристаллов, в гидрофильный материал без образования на его поверхности пассивирующего слоя оксидной фазы. Такой материал приобретает возможность абсорбировать водные растворы различных веществ, оставаясь при этом химически активным и способным подвергаться гидролизу уже в слабощелочных средах, соответствующих по значениям рН физиологическим жидкостям, и выводиться из организма. Настоящий способ позволяет обеспечить пористому кремнию повышенную скорость биодеградации, а также сохранить неизменными исходные размеры пор и величину его удельной поверхности. Кроме того, настоящий способ химической модификации поверхности пористого кремния открывает возможность прямой привязки к его кристаллической решетке различных органических молекул, без введения промежуточного оксидного слоя.


СПОСОБ МОДИФИКАЦИИ ПОВЕРХНОСТИ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ
СПОСОБ МОДИФИКАЦИИ ПОВЕРХНОСТИ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ
СПОСОБ МОДИФИКАЦИИ ПОВЕРХНОСТИ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ
СПОСОБ МОДИФИКАЦИИ ПОВЕРХНОСТИ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 31-40 из 120.
27.02.2016
№216.014.ce65

Способ изготовления гетероструктурного солнечного элемента

Способ изготовления гетероструктурного солнечного элемента включает выращивание полупроводниковой гетероструктуры на германиевой подложке, создание омических контактов со стороны тыльной поверхности германиевой подложки и со стороны фронтальной поверхности гетероструктуры, нанесение...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002575974
Дата охранного документа: 27.02.2016
27.02.2016
№216.014.cf0a

Способ формирования многослойного омического контакта к прибору на основе арсенида галлия

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов. Способ формирования многослойного омического контакта включает предварительное формирование фотолитографией маски из фоторезиста на поверхности арсенида галлия электронной проводимости, очистку свободной от маски поверхности...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002575977
Дата охранного документа: 27.02.2016
10.04.2016
№216.015.2ccb

Система позиционирования и слежения за солнцем концентраторной фотоэнергоустановки

Система позиционирования и слежения за Солнцем концентраторнойфотоэнергоустановки, содержащая платформу с концентраторными каскадными модулями, подсистему азимутального вращения, подсистему зенитального вращения, силовой блок, блок управления положением платформы с блоком памяти, содержащий...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002579169
Дата охранного документа: 10.04.2016
10.06.2016
№216.015.4875

Инжекционный лазер

Использование: для полупроводниковых инжекционных лазеров. Сущность изобретения заключается в том, что инжекционный лазер на основе полупроводниковой гетероструктуры раздельного ограничения, включающей многомодовый волновод, первый и второй широкозонные ограничительные слои, являющиеся...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002587097
Дата охранного документа: 10.06.2016
20.08.2016
№216.015.4aec

Интегрально-оптический элемент

Интегрально-оптический элемент, включающий подложку из кристалла ниобата лития, встроенный в подложку оптический волновод, образованный термической диффузией титана из титановой полоски шириной 3-7 мкм и толщиной 60-80 нм, нанесенной на поверхность подложки. Глубина оптического волновода равна...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002594987
Дата охранного документа: 20.08.2016
12.01.2017
№217.015.5b6b

Способ определения тока в канале электрического пробоя диэлектрика

Изобретение относится к области физики электрического пробоя и может быть использовано для определения амплитуды и длительности импульса тока электрического пробоя в диэлектриках. Технический результат: повышение точности определения тока в канале электрического пробоя диэлектриков. Сущность:...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002589509
Дата охранного документа: 10.07.2016
12.01.2017
№217.015.5f1a

Солнечный элемент

Изобретение относится к области электроники и может быть использовано при конструировании солнечных элементов, которые используются в энергетике, космических и военных технологиях, горнодобывающей, нефтеперерабатывающей, химической отраслях промышленности и др. Солнечный элемент согласно...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002590284
Дата охранного документа: 10.07.2016
12.01.2017
№217.015.648e

Способ изготовления многопереходного солнечного элемента

Изобретение относится к солнечной энергетике и может быть использовано в электронной промышленности для преобразования световой энергии в электрическую. Способ изготовления многопереходного солнечного элемента согласно изобретению включает последовательное формирование субэлемента из Ge с p-n...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002589464
Дата охранного документа: 10.07.2016
13.01.2017
№217.015.6721

Устройство для определения положения объекта

Использование: для определения положения объекта с помощью источника модулированного оптического сигнала. Сущность изобретения заключается в том, что устройство содержит источник модулированного оптического сигнала, фотодетектор, оптически связанный с ним через устройство формирования сигнала,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002591302
Дата охранного документа: 20.07.2016
13.01.2017
№217.015.6cbe

Суперконденсатор

Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники и может найти применение в приборостроении, энергетике, электронике, в приборах мобильной связи в качестве слаботочного источника питания. Предложенный суперконденсатор включает отрицательный электрод (4) и положительный электрод (5),...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002597224
Дата охранного документа: 10.09.2016
Показаны записи 31-40 из 81.
27.02.2016
№216.014.ce65

Способ изготовления гетероструктурного солнечного элемента

Способ изготовления гетероструктурного солнечного элемента включает выращивание полупроводниковой гетероструктуры на германиевой подложке, создание омических контактов со стороны тыльной поверхности германиевой подложки и со стороны фронтальной поверхности гетероструктуры, нанесение...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002575974
Дата охранного документа: 27.02.2016
27.02.2016
№216.014.cf0a

Способ формирования многослойного омического контакта к прибору на основе арсенида галлия

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов. Способ формирования многослойного омического контакта включает предварительное формирование фотолитографией маски из фоторезиста на поверхности арсенида галлия электронной проводимости, очистку свободной от маски поверхности...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002575977
Дата охранного документа: 27.02.2016
10.04.2016
№216.015.2ccb

Система позиционирования и слежения за солнцем концентраторной фотоэнергоустановки

Система позиционирования и слежения за Солнцем концентраторнойфотоэнергоустановки, содержащая платформу с концентраторными каскадными модулями, подсистему азимутального вращения, подсистему зенитального вращения, силовой блок, блок управления положением платформы с блоком памяти, содержащий...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002579169
Дата охранного документа: 10.04.2016
10.06.2016
№216.015.4875

Инжекционный лазер

Использование: для полупроводниковых инжекционных лазеров. Сущность изобретения заключается в том, что инжекционный лазер на основе полупроводниковой гетероструктуры раздельного ограничения, включающей многомодовый волновод, первый и второй широкозонные ограничительные слои, являющиеся...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002587097
Дата охранного документа: 10.06.2016
20.08.2016
№216.015.4aec

Интегрально-оптический элемент

Интегрально-оптический элемент, включающий подложку из кристалла ниобата лития, встроенный в подложку оптический волновод, образованный термической диффузией титана из титановой полоски шириной 3-7 мкм и толщиной 60-80 нм, нанесенной на поверхность подложки. Глубина оптического волновода равна...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002594987
Дата охранного документа: 20.08.2016
12.01.2017
№217.015.5b6b

Способ определения тока в канале электрического пробоя диэлектрика

Изобретение относится к области физики электрического пробоя и может быть использовано для определения амплитуды и длительности импульса тока электрического пробоя в диэлектриках. Технический результат: повышение точности определения тока в канале электрического пробоя диэлектриков. Сущность:...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002589509
Дата охранного документа: 10.07.2016
12.01.2017
№217.015.5f1a

Солнечный элемент

Изобретение относится к области электроники и может быть использовано при конструировании солнечных элементов, которые используются в энергетике, космических и военных технологиях, горнодобывающей, нефтеперерабатывающей, химической отраслях промышленности и др. Солнечный элемент согласно...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002590284
Дата охранного документа: 10.07.2016
12.01.2017
№217.015.648e

Способ изготовления многопереходного солнечного элемента

Изобретение относится к солнечной энергетике и может быть использовано в электронной промышленности для преобразования световой энергии в электрическую. Способ изготовления многопереходного солнечного элемента согласно изобретению включает последовательное формирование субэлемента из Ge с p-n...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002589464
Дата охранного документа: 10.07.2016
13.01.2017
№217.015.6721

Устройство для определения положения объекта

Использование: для определения положения объекта с помощью источника модулированного оптического сигнала. Сущность изобретения заключается в том, что устройство содержит источник модулированного оптического сигнала, фотодетектор, оптически связанный с ним через устройство формирования сигнала,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002591302
Дата охранного документа: 20.07.2016
13.01.2017
№217.015.6cbe

Суперконденсатор

Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники и может найти применение в приборостроении, энергетике, электронике, в приборах мобильной связи в качестве слаботочного источника питания. Предложенный суперконденсатор включает отрицательный электрод (4) и положительный электрод (5),...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002597224
Дата охранного документа: 10.09.2016
+ добавить свой РИД