×
10.08.2015
216.013.6c5e

Результат интеллектуальной деятельности: ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к измерительной технике, в частности к преобразователям давления, и может быть использовано в различных областях науки и техники, связанных с измерением перепада давления среды. Техническим результатом изобретения является повышение надежности и работоспособности высокоточного дифференциального датчика давления во время и после кратковременных многократных перегрузок. Полупроводниковый датчик перепада давления содержит полупроводниковую мембрану из кремния, тензодатчик в виде мостовой схемы из тензорезисторов, первый стопорный элемент и второй стопорный элемент. Первый стопорный элемент выполнен из кремния и содержит стопорный выступ в области напротив канавки полупроводниковой мембраны, стопорное углубление напротив центрального выступа полупроводниковой мембраны, расположенное с зазором от центрального выступа мембраны, а также центральное сквозное отверстие. Стопорный элемент закреплен плоской стороной на стеклянной подложке из материала с одинаковым с кремнием коэффициентом теплового расширения и имеющей центральное сквозное отверстие, совпадающее с отверстием первого стопорного элемента. Второй стопорный элемент выполнен из кремния и содержит второй центральный стопорный выступ, окруженный первой канавкой, а также стопорный выступ, окруженный второй канавкой, расположенный с зазором относительно обратной стороны полупроводниковой мембраны в области напротив канавки полупроводниковой мембраны. 2 ил.
Основные результаты: Датчик давления, содержащий полупроводниковую мембрану, состоящую из центральной активной области на верхней стороне мембраны, окруженной канавкой, образующей центральный выступ и периферийную неактивную область вокруг канавки, тензометрический датчик, выполненный в виде мостовой схемы из тензорезисторов, сформированных на обратной стороне мембраны в областях, соответствующих расположению канавки в противоположных сторонах от центрального выступа, первый стопорный элемент, прикрепленный к мембране в периферийной области на верхнюю сторону мембраны, и второй стопорный элемент, прикрепленный к мембране в периферийной области на обратную сторону, отличающийся тем, что первый стопорный элемент выполнен из кремния и содержит первый стопорный выступ в области напротив канавки полупроводниковой мембраны и располагается с зазором относительно дна канавки мембраны, а также первое стопорное углубление напротив центрального выступа полупроводниковой мембраны, расположенное с зазором от центрального выступа мембраны, первый стопорный элемент имеет центральное сквозное отверстие и закреплен плоской стороной на стеклянной подложке из материала с одинаковым с кремнием коэффициентом теплового расширения и имеющей центральное сквозное отверстие, совпадающее с отверстием первого стопорного элемента, второй стопорный элемент выполнен также из кремния и содержит второй центральный стопорный выступ, окруженный первой канавкой и расположенный с зазором относительно обратной стороны полупроводниковой мембраны в области напротив центрального выступа полупроводниковой мембраны, а также второй стопорный выступ, окруженный второй канавкой, расположенный с зазором относительно обратной стороны полупроводниковой мембраны в области напротив канавки полупроводниковой мембраны.

Область техники

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к преобразователям давления, и может быть использовано в различных областях науки и техники, связанных с измерением перепада давления среды.

Уровень техники

Объектами эксплуатации дифференциального датчика могут быть трубопроводы для подвода и отвода жидкостей для систем и агрегатов судов, например для охлаждающих контуров двигателей разного типа. В трубопроводах при работе насосов и исполнительных механизмов могут возникнуть скачки давления. При этом измеряемые давления меняются от нескольких кПа до МПа. Применяющиеся интегральные преобразователи давления для дифференциальных датчиков имеют достаточно тонкую, не более 50 мкм, мембрану и могут быть разрушены скачками давления, доходящими до единиц МПа.

Наиболее близким техническим решением является структура двойного ограничителя для преобразователя давления (Патент США 6,588,281 «Double stop structure for a pressure transducer), МПК G01L 9/16, дата публикации 8.07.2003). В данном изобретении полупроводниковый датчик для измерения перепада давления через мембрану датчика и действующий при наличии избыточной однонаправленной силы, приложенной к датчику в любом направлении, для ограничения диафрагмы от дальнейшего прогиба во время действия избыточной силы, стремящейся к разрушению диафрагмы, включает плоскую полупроводниковую мембрану, пьезорезистивные сенсоры, первый и второй стопорные элементы. Мембрана включает центральную активную область, на верхней стороне окруженную канавкой заданной ширины и глубины, которая образует центральный выступ на верхней стороне. Центральная область внутри канавки способна прогибаться. Также мембрана содержит периферийную неактивную область, окруженную указанной канавкой, и относительно гладкую нижнюю поверхность.

Пьезорезистивные сенсоры сформированы на нижней стороне мембраны и в областях на нижней поверхности соответствуют канавке на противоположных сторонах центрального выступа верхней стороны мембраны.

Первый стопорный элемент, прикрепленный к мембране в переферийной области на верхнюю поверхность, включает первое и второе щелевые отверстия, связанные с активной областью, проходящие в основном вдоль длины активной области и соответствующие областям в противоположных сторонах относительно центрального выступа

Также первый стопорный элемент содержит стопорное углубление, расположенное между первым и вторым щелевыми отверстиями, лежащее над центральным выступом. Стопорное углубление отделено от центрального выступа для того, чтобы мембрана могла прогибаться под действием силы и чтобы центральный выступ мог упираться в поверхность стопорного углубления при приложении избыточной силы. Первое и второе щелевые отверстия позволяют прикладывать другую силу к активной области мембраны в противоположном к стопорному направлению.

Второй стопорный элемент, прикрепленный к мембране на нижней поверхности, включает первое и второе щелевые отверстия, связанные с активной областью, проходящие в основном вдоль длины активной области и соответствующие областям в противоположных сторонах относительно центрального выступа.

Также первый стопорный элемент содержит стопорное углубление, расположенное между первым и вторым щелевыми отверстиями, лежащее над центральным выступом на верхней стороне. Стопорное углубление отделено от нижней поверхности активной области для того, чтобы мембрана могла прогибаться под действием силы и нижняя поверхность могла упираться в поверхность стопорного углубления при приложении избыточной силы. Первое и второе щелевые отверстия позволяют прикладывать другую силу к активной области мембраны в противоположном к стопорному направлению.

Недостатком данного решения является возможность разрушения мембраны при значительных перегрузках (более чем в 20 раз от верхнего предела измерения). При перегрузках центральный выступ мембраны упирается в поверхность стопорного углубления первого стопорного элемента или нижней поверхностью в поверхность стопорного углубления второго стопорного элемента. Но при дальнейшем увеличении давления мембрана испытывает большие перегрузки в местах расположения ямки, окружающей центральный выступ, и упругих деформаций, происходят пластичные, сдвиговые деформации и затем разрушение мембраны.

Раскрытие изобретения

Задачей предлагаемого технического решения является обеспечение надежности и работоспособности высокоточного дифференциального датчика давления во время и после кратковременных многократных перегрузок за счет использования микромеханических ограничителей хода мембраны, а также обеспечение возможности измерения величин перегрузки.

Поставленная задача решается тем, что полупроводниковый датчик перепада давления содержит полупроводниковую мембрану, состоящую из центральной активной области на верхней стороне мембраны, окруженной канавкой, образующей центральный выступ и периферийную неактивную область вокруг канавки. Также датчик содержит тензометрический датчик в виде мостовой схемы из тензорезисторов, расположенных на обратной стороне мембраны в областях, соответствующих расположению канавки в противоположных сторонах от центрального выступа, первый стопорный элемент, прикрепленный к мембране в периферийной области на верхнюю сторону, и второй стопорный элемент, прикрепленный к мембране в периферийной области на обратную сторону. Первый стопорный элемент из кремния содержит стопорный выступ в области напротив канавки полупроводниковой мембраны и располагается с зазором относительно дна канавки мембраны, а также стопорное углубление напротив центрального выступа полупроводниковой мембраны, расположенное с зазором от центрального выступа мембраны. Также первый стопорный элемент имеет центральное сквозное отверстие и закреплен плоской стороной на стеклянной подложке из материала с одинаковым с кремнием коэффициентом теплового расширения и имеющей центральное сквозное отверстие, совпадающее с отверстием первого стопорного элемента. Второй стопорный элемент из кремния содержит центральный стопорный выступ, окруженный первой канавкой и расположенный с зазором относительно обратной стороны полупроводниковой мембраны в области напротив центрального выступа полупроводниковой мембраны, а также стопорный выступ, окруженный второй канавкой, расположенный с зазором относительно обратной стороны полупроводниковой мембраны в области напротив канавки полупроводниковой мембраны.

Изобретение поясняется чертежом, где на фиг. 1 изображена конструкция датчика дифференциального давления со стопорными элементами и стеклянной подложной.

Осуществление изобретения

Полупроводниковый датчик дифференциального (фиг. 1.) давления состоит из кремниевой мембраны 1 с центральным выступом 2, окруженным канавкой, полученной анизотропным травлением. Канавка и жесткий центр образуют активную область мембраны, способную прогибаться под действием приложенного давления. Периферийная область вокруг канавки образует неактивную область мембраны. На плоской поверхности мембраны в областях расположения канавки сформированы тензорезисторы, объединенные в тензорезистивный измерительный мост и меняющие свое сопротивления в зависимости от приложенного давления.

К мембране в периферийно неактивной области с двух сторон крепятся два стопорных элемента 3 и 4.

Со стороны центрального выступа 2 к мембране крепится первый стопорный элемент 4, соответствующий по размеру кремниевой мембране. Стопорный элемент обладает конгруэнтной поверхностью и профилем, соответствующими профилю центрального выступа и канавки кремниевой мембраны.

Таким образом, первый стопорный элемент содержит стопорный выступ 7 и углубление под центральным выступом 2 кремниевой мембраны, расположенные с зазором относительно поверхности мембраны, предназначенный для рабочего хода мембраны. Причем зазор между выступом 7 и канавкой мембраны меньше, чем зазор между выступом 2 и углублением стопорного элемента из-за меньшего прогиба периферийной части активной части мембраны, чем ее центральной части. Для подвода давления к мембране первый стопорный элемент содержит центральное сквозное отверстие 6, по размеру меньшее, чем центральный выступ 2.

Плоской стороной стопорный элемент 4 крепится на стеклянную подложку 5 для сопряжения с металлическими конструктивными элементами датчика давления. В подложке сделано центральное сквозное отверстие 6 для подвода давления.

Второй стопорный элемент крепится с планарной стороны кремниевой мембраны в неактивной области. Он содержит центральный выступ 8 со сквозным отверстием 9 для подачи давления на планарную сторону мембраны. Также как и первый стопорный элемент, второй стопорный элемент содержит выступ 7, расположенный напротив канавки кремниевой мембраны. Центральный выступ 8 и выступ 7 расположены с зазором относительно планарной поверхности мембраны, причем зазоры между выступом 7 и 8 и планарной частью мембраны меньше, чем зазор между центральным выступом 8 и центральным выступом 2, что позволяет прогибаться мембране.

При подаче давления мембрана датчика отклоняется в ту или иную сторону в зависимости от того, с какой стороны на мембрану действует избыточное давление. При деформации мембраны, пропорционально значению избыточного давления, меняются сопротивления тензорезисторов 10, которые формируют измерительный мост. При подаче на него питающего напряжения с него снимается выходной сигнал.

При перегрузочных давлениях, отклоняясь в ту или иную сторону, мембрана ложится на центральные выступы 8 упорных элементов 3 или 4 и прекращает свой прогиб.

Тем самым изгибные напряжения мембраны не выходят за рамки, при которых происходит разрушение мембраны.

После прекращения воздействия перегрузки датчик дифференциального давления продолжает работать в основном режиме.

В результате предложенная конструкция датчика дифференциального давления, при возникновении и развитии процесса перегрузки, позволяет сохранить измерительную мембрану от разрушения при многократных перегрузках (примерно в 200-500 раз от верхнего предела измерения давления).

Датчик давления, содержащий полупроводниковую мембрану, состоящую из центральной активной области на верхней стороне мембраны, окруженной канавкой, образующей центральный выступ и периферийную неактивную область вокруг канавки, тензометрический датчик, выполненный в виде мостовой схемы из тензорезисторов, сформированных на обратной стороне мембраны в областях, соответствующих расположению канавки в противоположных сторонах от центрального выступа, первый стопорный элемент, прикрепленный к мембране в периферийной области на верхнюю сторону мембраны, и второй стопорный элемент, прикрепленный к мембране в периферийной области на обратную сторону, отличающийся тем, что первый стопорный элемент выполнен из кремния и содержит первый стопорный выступ в области напротив канавки полупроводниковой мембраны и располагается с зазором относительно дна канавки мембраны, а также первое стопорное углубление напротив центрального выступа полупроводниковой мембраны, расположенное с зазором от центрального выступа мембраны, первый стопорный элемент имеет центральное сквозное отверстие и закреплен плоской стороной на стеклянной подложке из материала с одинаковым с кремнием коэффициентом теплового расширения и имеющей центральное сквозное отверстие, совпадающее с отверстием первого стопорного элемента, второй стопорный элемент выполнен также из кремния и содержит второй центральный стопорный выступ, окруженный первой канавкой и расположенный с зазором относительно обратной стороны полупроводниковой мембраны в области напротив центрального выступа полупроводниковой мембраны, а также второй стопорный выступ, окруженный второй канавкой, расположенный с зазором относительно обратной стороны полупроводниковой мембраны в области напротив канавки полупроводниковой мембраны.
ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 81-90 из 367.
20.07.2014
№216.012.e130

Способ работы преобразователя постоянного напряжения в переменное и устройство для выполнения способа

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано для преобразования постоянного напряжения в переменное при разработке различных устройств автоматики. Техническим результатом является повышение функциональной надежности преобразователя за счет упрощения его схемы для...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002523434
Дата охранного документа: 20.07.2014
20.07.2014
№216.012.e26e

Способ обнаружения скрытых дефектов матричных бис считывания

Изобретение относится к тестированию матричных БИС считывания и может быть использовано для определения координат скрытых дефектов типа утечек сток-исток, которые невозможно обнаружить до стыковки кристаллов БИС считывания и матрицы фоточувствительных элементов. На кремниевой пластине с годными...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002523752
Дата охранного документа: 20.07.2014
27.07.2014
№216.012.e42e

Оксинтомодулин человека, его применение, лекарственный препарат на его основе и способ применения препарата для лечения и профилактики гипергликемии

Группа изобретений относится к медицине и касается оксинтомодулина человека, ковалентно связанного с гомополимерным полисахаридом, содержащим 50 звеньев альфа-2,8 сиаловой кислоты, для лечения гипергликемии; лекарственного препарата для лечения или профилактики гипергликемии, содержащего в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002524204
Дата охранного документа: 27.07.2014
20.08.2014
№216.012.ebfd

Устройство для измерения и контроля сопротивления изоляции в сетях переменного тока с резистивной нейтралью под рабочим напряжением

Изобретение относится к области электротехники. Устройство состоит из источника измерительного стабилизированного напряжения постоянного тока, фильтра RC, состоящего из последовательно соединенных резистора и конденсатора, одного диод, шунтирующего конденсатор С1, блока гальванической развязки,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002526221
Дата охранного документа: 20.08.2014
10.09.2014
№216.012.f261

Гибкое ограждение с повышенными следящими свойствами для транспортных средств на воздушной подушке

Изобретение относится к судостроению и касается конструкции элементов гибкого ограждения (ГО) амфибийного судна на воздушной подушке (ВП). ГО судна на ВП содержит периферийный наружный гибкий ресивер, имеющий одноярусную конструкцию, прикрепленные к гибкому ресиверу по всему периметру съемные...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002527871
Дата охранного документа: 10.09.2014
10.09.2014
№216.012.f361

Система управления общесамолетным оборудованием

Изобретение относится к авиационной технике и предназначено для использования в управлении летательными аппаратами, в том числе пассажирскими самолетами. Система управления общесамолетным оборудованием содержит панели управления, систему связи, компьютеры, блоки защиты и коммутации постоянного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002528127
Дата охранного документа: 10.09.2014
10.09.2014
№216.012.f3f6

Способ изготовления каскадных солнечных элементов на основе полупроводниковой структуры galnp/galnas/ge

Способ изготовления каскадных солнечных элементов включает последовательное нанесение на фронтальную поверхность фоточувствительной полупроводниковой структуры GaInP/GaInAs/Ge пассивирующего слоя и контактного слоя GaAs, локальное удаление контактного слоя травлением через маску фоторезиста....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002528277
Дата охранного документа: 10.09.2014
20.09.2014
№216.012.f5e1

Биокатализатор для переэтерификации жиров и способ его получения

Группа изобретений относится к биотехнологии и пищевой промышленности. Предложен способ получения биокатализатора для переэтерификации жиров. Проводят аминирование гранулированного силикагеля или диоксида кремния дисперсностью 0,3-1,0 мм аминопропилтриэтоксисиланом. Затем полученный...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002528778
Дата охранного документа: 20.09.2014
27.09.2014
№216.012.f7f0

Дозвуковой пассажирский самолет

Дозвуковой пассажирский самолет содержит низко расположенное механизированное стреловидное крыло с удлинением λ≥11,5. Стреловидность крыла по линии четверти хорд выполнена в диапазоне от χ=25° до χ=30°. Установочные углы стапельной крутки сверхкритических опорных профилей крыла выполнены...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002529309
Дата охранного документа: 27.09.2014
10.10.2014
№216.012.faf9

Высокопрочная сталь с повышенной деформируемостью после закалки

Изобретение относится к области металлургии, а именно к конструкционным комплекснолегированным высокопрочным сталям, закаливающимся на воздухе, и может быть использовано при производстве осесимметричных деталей, работающих под давлением. Сталь содержит, в мас.%: углерод от 0,18 до менее 0,2,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002530095
Дата охранного документа: 10.10.2014
Показаны записи 81-90 из 270.
20.03.2014
№216.012.ad67

Фазовращатель

Изобретение относится к области радиотехники и может быть использовано в антеннах с электронным сканированием луча. Создан новый тип отражательного СВЧ фазовращателя на основе многощелевой линии с развязкой СВЧ поля от управляющего напряжения. Технический результат - создание фазовращателя...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002510106
Дата охранного документа: 20.03.2014
27.03.2014
№216.012.aea5

Высокопрочная среднеуглеродистая комплекснолегированная сталь

Изобретение относится к области металлургии, а именно к высокопрочным конструкционным сталям, закаливающимся преимущественно на воздухе, используемым для изготовления осесимметричных корпусных деталей. Сталь содержит углерод, кремний, хром, марганец, никель, молибден, ванадий, медь, серу,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002510424
Дата охранного документа: 27.03.2014
27.03.2014
№216.012.aefe

Радиометр с трехопорной модуляцией

Изобретение относится к области приборостроения, а именно к СВЧ-радиометрическим приемникам. Радиометр с трехопорной модуляцией содержит последовательно соединенные приемную антенну, трехвходовый СВЧ-переключатель, усилитель высокой частоты, квадратичный детектор, усилитель низкой частоты,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002510513
Дата охранного документа: 27.03.2014
27.03.2014
№216.012.af28

Защитное устройство станка

Изобретение относится к электротехнической промышленности, в частности к электрическим схемам, и может быть использовано в составе схемы включения и аварийной блокировки металлорежущих станков, в том числе зубообрабатывающих станков с числовым программным управлением (ЧПУ). Технический...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002510555
Дата охранного документа: 27.03.2014
10.04.2014
№216.012.b1fe

Способ изготовления микроэлектромеханических структур и устройство для его осуществления

Изобретение относится к приборостроению и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых микроэлектромеханических устройств, а именно малогабаритных датчиков физических величин. Изобретение обеспечивает увеличение количества годных микроэлектромеханических структур за счет...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002511282
Дата охранного документа: 10.04.2014
10.04.2014
№216.012.b212

Устройство для пропитки древесины с торца под давлением

Изобретение относится к деревообрабатывающей промышленности, в частности к оборудованию сквозной пропитки древесины жидкостями. Устройство содержит сварную раму 1, с закрепленной на ней металлической трубой 2, левую конусную насадку 3, правую конусную насадку 4, ультразвуковой излучатель 5,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002511302
Дата охранного документа: 10.04.2014
10.04.2014
№216.012.b510

Способ получения андроста-4,9(11)-диен-3,17-диона из фитостерина

Изобретение относится к биотехнологии. Предложен способ получения андроста-4,9(11)-диен-3,17-диона из фитостерина. Проводят микробиологическое окислительное элиминирование боковой цепи при атоме С с образованием 9α-гидроксиандрост-4-ен-3,17-диона. Отделяют биомассу. Экстрагируют...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002512076
Дата охранного документа: 10.04.2014
20.04.2014
№216.012.bc75

Способ изготовления керамики на основе диоксида циркония

Изобретение относится к области технической керамики на основе диоксида циркония с трансформируемой тетрагональной (t') кристаллической фазой и может быть использовано для изготовления износостойких деталей в соединительных изделиях для волоконно-оптических линий связи, пар трения в насосах для...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002513973
Дата охранного документа: 20.04.2014
10.06.2014
№216.012.d170

Способ и аппаратура для обеспечения поддержки альтернативных вычислений в реконфигурируемых системах-на-кристалле

Группа изобретений относится к области микроэлектроники и вычислительной технике и может быть использована для построения высокопроизводительных вычислительных систем для обработки потоков данных в режиме реального времени. Техническим результатом является повышение эффективности вычислений за...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002519387
Дата охранного документа: 10.06.2014
20.07.2014
№216.012.de3f

Способ изготовления матричного фотоприемника

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых фотоприемников и может использоваться для создания многоэлементных фотоприемников различного назначения. Изготовление матричного фотоприемника (МФП) из объемного материала требует утоньшения базовой области матричного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002522681
Дата охранного документа: 20.07.2014
+ добавить свой РИД