Вид РИД
Изобретение
Область техники, к которой относится изобретение
Изобретение относится к полупроводниковым приборам для преобразования ионизирующего излучения в электрический сигнал, измерение которого позволяет определить уровень радиации и набранную дозу гамма, протонных, электронных и альфа-излучений. В частности, изобретение относится к полупроводниковым чувствительным элементам (сенсорам или детекторам), представляющим собой матрицу p-i-n-диодов, предназначенную для использования в различных системах измерения уровней радиации: дозиметрах, индикаторах превышения фона и радиометрах, в том числе для индивидуального контроля радиоактивного облучения и для предупреждения о радиоактивной опасности. В настоящее время сенсоры на основе p-i-n-диодов продолжают совершенствоваться с учетом современных достижений технологии микроэлектроники.
Уровень техники
Полупроводниковые сенсоры на основе p-i-n-диодов получили широкое распространение как счетчики числа частиц и как приборы для измерения энергии частиц (спектрометры) с высокой разрешающей способностью. Принцип их работы основан на том, что при прохождении через сенсор (чувствительный элемент) ионизующей частицы заряд, индуцированный в веществе счетчика, собирается на электродах.
Важной особенностью полупроводниковых счетчиков являются их малые габариты. Это сильно расширило возможности применения таких сенсоров не только в области физического эксперимента, но и в технике - в приборах технологического контроля и в медицине.
Из уровня техники известен полупроводниковый p-i-n-диодный кремниевый малошумящий детектор, изготовленный по планарной технологии (Kemmer J. Fabrication of low noise silicon radiation detectors by the planar process // Nuclear Instruments and Methods. - 1980. - V.169. - P.499-502), и дальнейшее его усовершенствование (Патент на изобретение US 4442592). В этих материалах представлены способы производства детекторов по планарной технологии для обнаружения радиации и имеющие полупроводниковые p-n переходы. Однако описанные конструкции планарных полупроводниковых диодов имеют иное конструктивное исполнение.
Наиболее близким к заявляемому техническому решению является полупроводниковый детектор для регистрации рентгеновского и низкоэнергетического гамма-излучения (патент на изобретение РФ №2248012, МПК: G01T 1/24, H01L 31/115), выполненный из монокристаллического кремния и содержащий плоский сигнальный p+-n переход, вокруг которого расположены охранные кольцевые p+-n переходы с электродами, предварительный усилитель, причем электрод плоского сигнального p+-n перехода соединен с входом предварительного усилителя, а электрод внутреннего охранного кольцевого p+-n перехода соединен с шиной нулевого потенциала предварительного усилителя.
Изобретение решает задачу повышения эффективности работы устройства путем отвода паразитного тока охранного кольца для улучшения энергетического разрешения и контрастности спектра измеряемой энергии. Однако прибор предназначен только для регистрации рентгеновского и низкоэнергетического гамма-излучения. Для повышения чувствительности и высокой скорости регистрации всего спектра ионизирующих излучений (за исключением нейтронного), необходимо увеличивать объем полупроводника, чтобы повысить вероятность попадания и рассеяния в нем, например, гамма - кванта и, соответственно, повысить скорость счета частиц радиационного потока.
Раскрытие изобретения
Задачей изобретения является разработка матричного сенсора (чувствительного элемента) для регистрации ионизирующего излучения всех видов заряженных частиц и гамма квантов в широком диапазоне энергий и потоков.
Техническим результатом, на достижение которого направлено заявленное изобретение, является уменьшение времени измерения радиационного фона, значительное снижение размеров и массы сенсора, расширение диапазона регистрируемых энергий и возможность регистрации различных видов ионизирующего излучения при снижении уровня шумов и увеличении чувствительности сенсора.
Известно, что шумы зарядочувствительной считывающей электроники линейно зависят от емкости, подключенной к входам усилителя:
N=a+b∗C,
где N - уровень шума, а и b - постоянные коэффициенты, зависящие от параметров усилителя, С - входная емкостная нагрузка, причем, как правило, b∗C>а.
Известно также, что общая величина шума при сложении n сигналов определяется выражением:
Таким образом, при использовании n-канальной электроники считывания можно получить снижение общего шума до √n раз. В свою очередь, снижение шумов позволяет снизить энергетический порог регистрации и увеличить чувствительность системы: «сенсор - усилитель».
Заявляемый сенсор чувствителен ко всем видам ионизирующего излучения, за исключением нейтронов, нижняя граница энергии регистрируемых частиц не более 1000 эВ, а практически определяется уровнем шумов электроники считывания. Верхняя граница энергетического диапазона регистрации отсутствует, для высокоэнергетичных (релятивистских) частиц энерговыделение в сенсоре становится практически не зависящим от энергии, и средняя величина ионизационных потерь составляет 388 эВ/мкм, или для сенсора толщиной 500 мкм - 194 кэВ. Регистрация сигнала такого уровня не представляет какой-либо сложности для современной электроники.
Поставленная задача решается тем, что сенсор ионизирующего излучения представляет собой p-i-n структуру, выполненную по планарной технологии, содержащую высокоомную подложку высокочистого кремния бестигельной зонной плавки (БЗП) n-типа проводимости, на лицевой (рабочей) стороне которой сформированы:
- p-области методом ионной имплантации;
- выращен маскирующий слой SiO2;
- нанесена алюминиевая металлизация;
- нанесен пассивирующий (защитный) слой.
При этом, по крайней мере, две p-области расположены в центральной части подложки и занимают большую часть площади поверхности, образуя чувствительную область сенсора и, по крайней мере, две p-области выполнены в виде кольцеобразных элементов (охранных колец), концентрично расположенных в нечувствительной области по периферии подложки с возможностью снижения величины поверхностного тока и плавного падения потенциала от чувствительной области к периферии прибора. В слое SiO2 сформированы окна для обеспечения контакта металла (алюминиевой металлизации) с p-областью; в пассивирующем слое над p-областью, расположенной в центральной части подложки, сформированы окна для присоединения выводов. На подложке со стороны, противоположной лицевой поверхности, расположен слой n-области и металла.
Количество p-областей, образующих чувствительную область сенсора, выполнено равным 2n, где n=1÷8, при этом p-обрасти имеют, преимущественно, прямоугольную форму, выполнены гальванически не связанными между собой и равными по площади. Количество окон для присоединения выводов соответствует количеству данных p-областей.
Окна для присоединения выводов расположены по краям подложки в нечувствительной области подложки. При этом p-области, образующие чувствительную область сенсора, имеют профилированные участки по краям в виде выемок, обеспечивающих формирование неактивных зон для размещения окон для присоединения выводов.
Суммарная площадь окон для обеспечения контакта металла (алюминиевой металлизации) с p-областью не превышает 1% площади поверхности чувствительной области сенсора для предотвращения диффузии алюминия в кремний.
В качестве подложки кремния используют пластину из высокочистого кремния бестигельной зонной плавки (БЗП) с удельным сопротивлением 3÷12 кОм·см, толщиной 250÷1000 мкм. Количество кольцеобразных элементов (охранных колец) может быть выбрано равным 4, расположенных на расстоянии друг от друга, увеличивающемся от центра подложки к периферии. В одном из вариантов выполнения сенсора ширина кольцеобразных элементов выбрана равной 25 мкм, при этом расстояние между первым и вторым элементом выбрано равным 40 мкм, между вторым и третьим - 50 мкм, между третьим и четвертым - 70 мкм, при этом первый элемент отстоит от границы чувствительной p-области на расстоянии 40 мкм. При этом данные параметры могут варьироваться в широком диапазоне. Точность указанных размеров при производстве сенсора определяется точностью изготовления фотошаблонов и составляет ±0,1 мкм. Подложка может быть выбрана с габаритными размерами рабочей поверхности до 102×102 мм2, при этом габаритные размеры поверхности активной области составляют 100×100 мм2, толщина сенсора составляет 250÷1000 мкм (определяется толщиной пластины), область, занимаемая кольцеобразными элементами, составляет не более 1 мм по периметру подложки. Данная конструкция сенсора обеспечивает достижение следующих электрических характеристик: величину обратного смещения от 40÷200 В для достижения режима полного обеднения, в зависимости от удельного сопротивления и толщины сенсора; рабочий режим, характеризующийся обратным смещением при полном обеднении; рабочее напряжение, определяемое из значения напряжения полного обеднения (VПО): Vраб=VПО+20 В; напряжение пробоя, не менее - 2·VПО; темновой ток при рабочем напряжении, не более - 200 нА/см2; при этом измерения перечисленных параметров осуществляют при температуре 20±2°C.
Способ изготовления сенсора ионизирующего излучения по планарной технологии включает изготовление комплекта из 4 рабочих фотошаблонов контактной фотолитографии, первым из которых является фотошаблон для формирования p+-области, второй - для формирования контактов к p+-области диода и охранным кольцам по периферии на лицевой стороне пластины, третий - для Al металлизации, четвертый - для формирования контактов к металлизации.
Краткое описание чертежей
Изобретение поясняется чертежами, где на фиг.1 схематично представлено заявляемое устройство - вид сверху, вариант выполнения сенсора с двумя чувствительными p-областями, образующими чувствительную область сенсора, на фиг.2 и 3 - разрезы А-А и Б-Б фиг.1, соответственно, на фиг.4 представлен увеличенный участок В фиг.1, на фиг.5 - разрез Г-Г фиг.4, на фиг.6 представлен вариант выполнения сенсора, в котором чувствительная область сенсора сформирована из восьми p-областей, вид сверху; на фиг.7 представлен разрез Д-Д фиг.6.
Позициями на фигурах обозначены: 1 - высокоомная подложка кремния n-типа проводимости; 2 - p-область, расположенная в центральной части подложки, образующая чувствительную область сенсора; 3 - p-области, представляющие собой охранные кольца; 4 - слой (покрытие) из SiO2; 5 - алюминиевая металлизация, образующая один из электродов сенсора; 6 - пассивирующий (защитный) слой; 7 - окна для обеспечения контакта металла (алюминиевой металлизации) с p-областью, сформированы в слое SiO2; 8 - окна для контактирования с p-n областью в процессе тестирования, расположенные в пассивирующем слое над p-областью центральной части каждого матричного элемента; 9 - окна для присоединения выводов; 10 - n-область, расположенная на обратной стороне подложки; 11 - алюминиевая металлизация с обратной стороны подложки, образующая второй электрод сенсора, 12 - профилированные участки p-областей в виде выемок, обеспечивающих формирование неактивных зон для размещения окон 9 для присоединения выводов.
Осуществление изобретения
Заявляемый матричный сенсор (чувствительный элемент) ионизирующего излучения представляет собой p-i-n структуру, выполненную по планарной технологии. Сенсор содержит высокоомную подложку высокочистого кремния бестигельной зонной плавки (БЗП) n-типа (см. фиг.1-7) проводимости, на лицевой (рабочей) стороне которой расположены p-области 2, 3, слой 4 (покрытие) из SiO2, алюминиевая металлизация 5, пассивирующий (защитный) слой 6 из фосфорно-силикатного стекла (SiO2+P2O5). Толщина слоев определяется технологией их изготовления и, как правило, является не более 0,5÷1,1 мкм.
P-области 2, расположенные в центральной части подложки и занимающие большую часть площади поверхности, образуют чувствительную область сенсора. Количество таких p-областей может варьироваться от 2 до 128. Указанное число чувствительных независимых областей может быть и больше, их число определяется только разумной необходимостью понижения шумов и, соответственно, увеличением числа каналов считывания. Очевидно, что увеличение числа каналов считывания приводит к увеличению энергопотребления дозиметра-радиометра в целом и для бытовых приборов разумно ограничится небольшим числом элементов матрицы (4 или 8), для профессиональных или стационарных приборов с большой общей площадью датчика, где требуется высокая точность измерений, число каналов может быть существенно увеличено. Современный рынок электроники предлагает монокристальные усилители с количеством каналов до 128.
По крайней мере, две p-области 3, выполненные в виде кольцеобразных элементов (охранных колец), расположены в нечувствительной области по периферии подложки вокруг p-областей 2 с обеспечением снижения величины поверхностного тока и плавного падения потенциала от чувствительной области к периферии прибора. В слое 4 SiO2 сформированы окна 7 для обеспечения контакта металла (алюминиевой металлизации) с p-областями; в пассивирующем слое над p-областями, расположенными в центральной части подложки, сформировано окно 8 для контактирования с каждой р-n областью в процессе тестирования, и окна 9 для присоединения выводов. На подложке со стороны, противоположной лицевой поверхности, расположен сильно легированный до 1019 атомов донорной примеси на см3 слой n+-10 толщиной 2÷4 мкм и слой алюминиевой металлизации 11 толщиной 0,9÷1,1 мкм.
Суммарная площадь окон 7 для обеспечения контакта металла (алюминиевой металлизации) с p-областью не превышает 1% площади поверхности чувствительной области детектора для предотвращения диффузии алюминия в кремний.
Окна 9 для присоединения выводов расположены в нечувствительной области подложки, при этом p-области 2 имеют профилированные участки по краям в виде выемок 12 (см. фиг.1), обеспечивающих формирование неактивных зон для размещения окон 9 для присоединения выводов. В качестве подложки кремния используют пластину из высокочистого кремния бестигельной зонной плавки (БЗП) с удельным сопротивлением 3÷12 кОм·см, толщиной 250÷1000 мкм. Количество кольцеобразных элементов (охранных колец) 2 выбрано равным 4, расположенных на расстоянии друг от друга, увеличивающемся от центра подложки к периферии. Число и конфигурация охранных колец определяется с учетом особенностей технологического процесса. Система охранных колец должна обеспечивать плавное падение потенциала от активной области к краю сенсора.
В одном из вариантов выполнения сенсора ширина кольцеобразных элементов 3 выбрана равной 25 мкм, при этом расстояние между первым и вторым элементом выбрано равным 40 мкм, между вторым и третьим - 50 мкм, между третьим и четвертым - 70 мкм, при этом первый элемент отстоит от границы чувствительной p-области на расстоянии 40 мкм. При этом данные параметры могут варьироваться в диапазоне ±20%. Точность указанных размеров определяется точностью изготовления фотошаблонов и составляет ±0,1 мкм. Подложка может быть выбрана с габаритными размерами рабочей поверхности до 102×102 мм, при этом габаритные размеры поверхности активной области составляют до 100×100 мм2, толщина сенсора составляет 250÷1000 мкм (определяется толщиной пластины), область, занимаемая кольцеобразными элементами, составляет не более - 1 мм по периметру подложки. Данная конструкция сенсора обеспечивает достижение следующих электрических характеристик: величину обратного смещения от 40÷200 В для достижения режима полного обеднения, в зависимости от удельного сопротивления и толщины сенсора; рабочий режим, характеризующийся обратным смещением при полном обеднении; рабочее напряжение, определяемое из значения напряжения полного обеднения (VПО) - Vраб=VПО+20 В; напряжение пробоя, не менее - 2·VПО; темновой ток при рабочем напряжении, не более - 200 нА/см2; при этом измерения перечисленных параметров осуществляют при температуре 20±2°C.
Заявляемые сенсоры изготавливают по планарной технологии, которая представляет собой совокупность технологических операций, посредством которых формируют структуры планарных полупроводниковых сенсоров только с одной стороны пластины, вырезанной из монокристалла кремния диаметром до 150 мм. В частности, изобретение может быть реализовано по технологии, близкой к представленной в публикациях Кеммера (Kemmer J. Fabrication of low noise silicon radiation detectors by the planar process // Nuclear Instruments and Methods. - 1980. - V.169. - P.499-502).
Планарная технология основывается на создании в приповерхностном слое подложки областей с различными типами проводимости или с разными концентрациями примеси одного вида, в совокупности образующими структуру сенсора. Области структур создают локальным введением в подложку примесей (посредством диффузии из газовой фазы или ионной имплантации), осуществляемым через маску (обычно из пленки SiO2), формируемую при помощи фотолитографии. Последовательно проводя процессы окисления (создание пленки SiO2), фотолитографии и введения примесей, получают легированную область любой требуемой конфигурации, а также области с другим типом проводимости (или другой концентрацией примеси). Планарная технология обеспечивает возможность одновременного изготовления в едином технологическом процессе большого числа (до нескольких сотен и даже тысяч) идентичных дискретных полупроводниковых приборов (например, сенсоров) или интегральных схем на одной пластине. Групповая обработка обеспечивает хорошую воспроизводимость параметров приборов и высокую производительность при сравнительно низкой стоимости изделий.
Сенсор ионизирующего излучения работает следующим образом. Кванты рентгеновского и низкоэнергетического гамма-излучения, попадая в материал сенсора, взаимодействуют с ним, что приводит к рождению, в зависимости от энергии падающего кванта: фотоэлектрона, комптоновского электрона или электрон-позитронной пары. Вероятность этого процесса составляет 1÷3%, но с учетом того, что вероятность регистрации заряженной частицы (электрона, позитрона, протона, альфа-частицы и др.) равна 1, этого вполне достаточно для уверенной регистрации ионизирующего гамма-излучения даже на уроне фона с точностью не хуже 20% за 1÷2 минуты измерения. Заряженные частицы проникают в чувствительную область сенсора и генерируют в нем электронно-дырочные пары. Носители заряда (электроны и дырки) под действием приложенного к полупроводниковому сенсору электрического поля "рассасываются", перемещаются к электродам. В результате во внешней цепи полупроводникового детектора возникает электрический импульс, который регистрируется зарядочувствительным предварительным усилителем и преобразуется в перепад напряжения на его выходе, а затем передается в блок обработки сигнала.
Для проверки работоспособности сенсора были созданы опытные образцы с 2, 4 и 8 элементами, в которых полупроводниковый сенсор (детектор) представляет собой высоковольтный p-i-n диод в виде односторонней структуры, выполненной по планарной технологии на подложке высокочистого БЗП кремния с удельным сопротивлением 3÷4 кОм·см, с габаритными размерами 12×12 мм и толщиной 450 мкм. Плоский сигнальный p+-n переход представляет собой ионно-имплантированную p+область с повышенной концентрацией атомов бора. Вокруг плоского сигнального p+-n перехода, занимающегобольшую часть подложки (размер активной области составил - 10×10 мм2, при этом размер каждой p-области составил 50, 25 и 12,5 мм2, соответственно), расположены охранные кольцевые p+-n переходы, выполненные аналогичным способом, что и плоский сигнальный p+-n переход, расположенный в центральной части подложки. Область, занятая охранными кольцами, составила не более 1 мм по периметру. Металлические электроды выполнены из алюминия. На подложке со стороны, противоположной лицевой поверхности, расположен сильно легированный (до 1019 атомов донорной примеси в см3) слой n+-10 толщиной 2÷4 мкм и слой алюминиевой металлизации 11 толщиной 0,9÷1,1 мкм.
При изготовлении сенсора по планарной технологии использован комплект из 4 рабочих фотошаблонов (ф/ш) контактной фотолитографии, первым из которых является фотошаблон для формирования p+-области, второй - для формирования контактов к p+-области диода и охранным кольцам по периферии на лицевой стороне пластины, третий - для Al металлизации, четвертый - для формирования контактов к металлизации. Шаблоны перечислены в порядке их использования в технологическом процессе. При этом в первом ф/ш минимальная ширина периферических колец составила 25 мкм; во втором ф/ш для формирования контактов к p+ диоду и охранным кольцам по периферии на лицевой стороне пластины минимальный размер контакта составил: - 25×25 мкм2; по периферии к охранным кольцам - 10×40 и 40×10 мкм; в третьем ф/ш для Al металлизации минимальная ширина колец на периферии диода составила 20 мкм; размеры четвертого ф/ш для формирования контактов к центральной области металлизации - не критичны.
Изготовленные устройства характеризовались следующими электрическими характеристиками:
Рабочий режим - обратное смещение при полном обеднении.
Рабочее напряжение определяется из значения напряжения полного обеднения (VПО)-Vраб=VПО+20 B;
Напряжение пробоя, не менее - 2·VПО;
Темновой ток при рабочем напряжении, не более - 200 нА/см2;
Все измерения проводились при температуре 20±2°C. На пластине расположены тестовые структуры для определения удельного сопротивления p-области четырехточечным методом. Подключение охранных колец не предусматривалось.
Таким образом, изобретение обеспечивает получение сенсора, который может применяться в различных устройствах, предназначенных для регистрации и/или измерения ионизирующего излучения. При этом заявляемый сенсор обеспечивает малые габариты - возможность использования в портативных автономных устройствах; надежность детектирования любых ионизирующих излучений в сочетании с рабочим широким температурным диапазоном; высокую чувствительность (возможность работы в режиме счета гамма-квантов; высокую радиационную стойкость материала детектора; широкий диапазон измерений; отсутствие необходимости периодического обслуживания; низкое энергопотребление, низковольтное питание и пониженные шумовые характеристики.