×
10.04.2015
216.013.3d6f

МУЛЬТИВИБРАТОР

Вид РИД

Изобретение

Юридическая информация Свернуть Развернуть
Краткое описание РИД Свернуть Развернуть
Аннотация: Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в радиотехнической и автомобильной промышленностях. Технический результат - обеспечение регулирования параметров выходного импульсного сигнала: скважности, частоты следования импульсов или длительности импульсов внешними сигналами. Мультивибратор содержит два транзистора, два коллекторных резистора, два переходных конденсатора, каждый из которых соединен с коллектором одного и с базой другого транзистора, при этом мультивибратор дополнительно снабжен двумя транзисторами, двумя коллекторными резисторами и двумя резисторами питания баз дополнительных транзисторов, дополнительные транзисторы соединены эмиттерами к базам соответствующих основных транзисторов, а базами и коллекторами соответственно через резисторы питания баз и коллекторные резисторы - с источником питания. 1 ил
Основные результаты: Мультивибратор, содержащий два транзистора, два коллекторных резистора, два переходных конденсатора, каждый из которых соединен с коллектором одного и с базой другого транзистора, отличающийся тем, что дополнительно снабжен двумя транзисторами, двумя коллекторными резисторами и двумя резисторами питания баз дополнительных транзисторов, при этом дополнительные транзисторы соединены эмиттерами к базам основных транзисторов, а базами и коллекторами соответственно через резисторы питания баз и коллекторные резисторы с источником питания.
Реферат Свернуть Развернуть

Изобретение относится к радиотехнической и автомобильной промышленностям, в частности к импульсным устройствам, и может быть использовано для регулирования величины напряжения постоянного тока без потерь энергии в электрооборудовании автомобильной техники.

Для регулирования величины напряжения постоянного тока используются устройства широтно-импульсной модуляции (ШИМ) постоянного тока со сглаживающими фильтрами. Средняя величина напряжения после широтно-импульсной модуляции зависит от скважности импульсов модулирующего устройства.

Известны импульсные устройства для генерации импульсов с регулируемой скважностью, содержащие мультивибратор, генератор пилообразного напряжения, триггер и другие импульсные устройства [Айзенцон А.Е., Гармаш Ю.В., Михневич Л.Е., Герасев О.В. Регулятор напряжения с импульсным стабилизатором. // Автомобильная промышленность. 2005. - №8. - С. 21-22]. Недостатком таких устройств является содержание большого числа элементов и узлов.

Наиболее близким к предлагаемому изобретению является мультивибратор, содержащий два транзистора, два коллекторных резистора, два переходных конденсатора, каждый из которых соединен с коллектором одного и с базой другого транзистора. [Морозов А.Г. Электротехника, электроника и импульсная техника. - М.: Высшая школа, 1987. 420 с.; Тимахов О.Н., Любченко В.К. Селекторы импульсов. - М.: Высшая школа, 1966. 270 с.].

Недостатком известного устройства является то, что при изменении скважности регулированием величины одного сопротивления или емкости одновременно изменяется частота следования импульсов, и наоборот, при изменении частоты следования импульсов изменяется скважность. Вследствие этого регулирование осуществляется с изменением длительности периода следования импульсов, что вызывает изменение пульсаций при сглаживании, либо в малых пределах, либо нелинейно. Регулирование параметров осуществляется вручную, что ограничивает функциональные возможности устройства.

Технический результат направлен на расширение функциональных возможностей мультивибратора.

Технический результат достигается тем, что мультивибратор, содержащий два транзистора, два коллекторных резистора, два базовых резистора, соединенных с транзисторами и с источником питания, два переходных конденсатора, каждый из которых соединен с коллектором одного и с базой другого транзистора, при этом дополнительно снабжен двумя резисторами и двумя транзисторами, эмиттеры которых соединены с базами имеющихся транзисторов, коллекторы соединены с базовыми резисторами, а базы дополнительных транзисторов соединены через дополнительные резисторы с источником питания.

На чертеже представлена принципиальная схема мультивибратора.

Мультивибратор содержит два основных транзистора (VT1 и VT4), два коллекторных резистора R1 и R6 основных транзисторов, два переходных конденсатора C2, C3, каждый из которых соединен с коллектором одного основного и с базой другого основного транзистора, два базовых резистора R3, R4, включенных в цепи баз основных транзисторов VT1 и VT4 последовательно через дополнительные транзисторы VT2 и VT3, два дополнительных резистора R2, R5, соединяющих цепи баз дополнительных транзисторов с источником питания, и два выходных переходных конденсатора C1 и C4.

Устройство работает следующим образом. Транзисторные каскады VT1 и VT4 с коллекторными резисторами R1, R6 и с базовыми резисторами R3, R4 и транзисторами VT2 и VT3 охвачены положительной обратной связью с помощью конденсаторов C2, C3 и соединены по известной схеме мультивибратора. Дополнительные транзисторы VT2 и VT3 представляют собой сопротивления в цепях баз транзисторов мультивибратора, величины которых зависят от положения рабочей точки, задаваемой дополнительными резисторами R2, R5, и от величины электрического сигнала на входах транзисторов VT2 и VT3. Изменяя электрические сигналы на входах транзисторов, можно управлять величиной полного сопротивления целей баз основных транзисторов, а соответственно, характеристиками выходного сигнала - скважностью и частотой следования импульсов. Длительность импульсов и скважность определяются постоянной времени заряда разряда конденсаторов C1 и C2 через сопротивления R3 и R4 с последовательно соединенными транзисторами, сопротивление которых RVT3, RVT4 изменяется от долей Ом до бесконечности. Так как величины сопротивлений R3 и R4 можно выбрать небольшими, то изменение параметров импульсов можно изменять в широких пределах изменением общего сопротивления базы основного транзистора.

При полностью открытом транзисторе VT3 общее сопротивление базы VT1 составит

.

При закрытом транзисторе сопротивление базы VT1 составит

RБобщVT1=∞,

так как RКЭVT2=∞.

Аналогичным образом общее сопротивление RБобщVT4 базы транзистора VT4 можно изменять в пределах

.

Следовательно, длительность положительных импульсов на коллекторе закрытого транзистора VT1 определяется перезарядом конденсатора С3 и регулируется в пределах

.

Изменение эффективного сопротивления баз транзисторов VT1 и VT4 осуществляется отпиранием транзисторов VT2 и VT3 подачей постоянного положительного напряжения (или тока) на входы «Вх1» и «Вх2».

Длительность импульсов на коллекторе закрытого транзистора определяется перезарядом конденсатора С2 и регулируется в пределах

.

Так как RБЭ гораздо меньше сопротивления резистора в цепи базы, сопротивление RКЭ при полностью открытом транзисторе (в режиме насыщения) гораздо меньше сопротивления коллекторного резистора и при закрытом дополнительном транзисторе в цепи базы общее сопротивление базы бесконечно большое, то пределы изменения длительностей импульсов на коллекторе VT1 и VT3 равны

τuVT1=R3·C3÷∞,

τuVT4=R4·C2÷∞.

Сопоставительный анализ с прототипом показал, что предлагаемый мультивибратор обладает более широкими функциональными возможностями и позволяет автоматизировать регулирование параметров выходного импульсного сигнала без привлечения дополнительных устройств.

Такая регулировка позволяет изменять частоту, длительность и скважность импульсов на коллекторах транзисторов VT1 и VT4.

Технико-экономическое обоснование на предлагаемое изобретение «Мультивибратор»

Предлагаемое изобретение позволяет регулировать электрические параметры плавно или дискретно бесконтактным способом, а также модулировать сигнал по частоте, амплитуде и скважности внешними сигналами, подаваемыми на базы дополнительных транзисторов.

В сравнении с прототипом это является расширением функциональных возможностей мультивибратора по выходным электрическим характеристикам, что дает качественное расширение технических возможностей средств, в которых используется рассматриваемые устройства. Так, например, сканирующие по частоте с управляемой программой системы радиосвязи являются недоступными для несанкционированного доступа. Экономический эффект от несанкционированных доступов может изменяться в широких пределах.

С помощью прототипа такие операции осуществить возможно только оснащением его дополнительными устройствами в виде двух усилителей и модуляторов.

Стоимость дополнительных устройств для прототипа больше стоимости расходов на предлагаемое изобретение в 2-3 раза. При себестоимости условного транзисторного каскада в интегральном устройстве 0.001 коп., при количестве мультивибраторов в интегральной схеме 1000 ед. и при годовом выпуске интегральной схемы 1 млн. ед. условный годовой эффект составит 10 тыс. руб.

Мультивибратор, содержащий два транзистора, два коллекторных резистора, два переходных конденсатора, каждый из которых соединен с коллектором одного и с базой другого транзистора, отличающийся тем, что дополнительно снабжен двумя транзисторами, двумя коллекторными резисторами и двумя резисторами питания баз дополнительных транзисторов, при этом дополнительные транзисторы соединены эмиттерами к базам основных транзисторов, а базами и коллекторами соответственно через резисторы питания баз и коллекторные резисторы с источником питания.
МУЛЬТИВИБРАТОР
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 1-10 из 31.
10.03.2014
№216.012.aa40

Способ определения зарядового состояния атомов в субнанослойных пленках на поверхности металлов и полупроводников

Использование: для определения зарядового состояния атомов в субнанослойных пленках на поверхности металлов и полупроводников. Сущность: заключается в том, что поверхность анализируемого объекта облучают ионами инертных газов низких энергий, регистрируют энергетический спектр отраженных ионов...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002509299
Дата охранного документа: 10.03.2014
10.03.2014
№216.012.aa42

Способ определения кристаллической фазы в аморфных пленках наноразмерной толщины

Использование: для определения кристаллической фазы в аморфных пленках наноразмерной толщины. Сущность заключается в том, что выполняют бомбардировку поверхности пучком ионов и регистрацию интенсивности отраженных ионов, при этом анализируемую поверхность бомбардируют ионами инертного газа с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002509301
Дата охранного документа: 10.03.2014
20.04.2014
№216.012.bb3e

Способ изготовления фотоэмиттера с отрицательным электронным сродством для инфракрасного диапазона

Изобретение относится к области эмиссионной и наноэлектроники и может быть использовано в разработке и в технологии производства фотоэлектронных преобразователей второго поколения, эмиттеров с отрицательным электронным сродством для приборов ИК-диапазона. Способ изготовления фотоэмиттера с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002513662
Дата охранного документа: 20.04.2014
10.11.2014
№216.013.04a8

Способ измерения контактной разности потенциалов

Изобретение относится измерительной технике и представляет собой способ измерения контактной разности потенциалов между проводящими материалами (металлами, полупроводниками, электролитами) и может быть использовано для измерения электродных потенциалов, работы выхода поверхности, для контроля...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002532590
Дата охранного документа: 10.11.2014
10.11.2014
№216.013.056b

Коррозионностойкая мартенситностареющая сталь

Изобретение относится к области металлургии, а именно к производству высокопрочных коррозионностойких мартенситностареющих сталей, используемых в энергетическом машиностроении для изготовления высоконагруженных упругих металлических уплотнений разъемных соединений энергетических установок,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002532785
Дата охранного документа: 10.11.2014
27.11.2014
№216.013.0b16

Способ определения атомного состава активных нанопримесей в жидкостях

Изобретение относится к области нано-, микроэлектроники и аналитического приборостроения и может быть использовано в разработке технологии и в производстве изделий микро- и наноэлектроники, а также в производстве чистых материалов и для диагностики и контроля жидких технологических сред. Способ...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534246
Дата охранного документа: 27.11.2014
10.12.2014
№216.013.0ee3

Способ определения длительности времени плазмохимического травления поверхности полупроводниковых пластин для субмикронных технологий

Изобретение относится к области микроэлектроники. Технический результат направлен на повышение достоверности определения типа и количества загрязняющих примесей на поверхности полупроводниковых пластин после плазмохимического травления и определения оптимального значения длительности времени...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002535228
Дата охранного документа: 10.12.2014
20.02.2015
№216.013.2b59

Система пожаротушения помещения с повышенным давлением газовой среды

Изобретение относится к противопожарной технике, а именно к системам пожаротушения распыленной водой в помещениях с повышенным давлением газовой дыхательной среды, в частности в водолазных барокамерах. Система пожаротушения помещения с повышенным давлением газовой среды, содержащая прочный...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002542554
Дата охранного документа: 20.02.2015
20.04.2015
№216.013.41c6

Способ изготовления крупногабаритной плоской конструкции

Изобретение относится к способу изготовления крупногабаритной плоской конструкции из фрагментов, полученных литьем из латуни, и может быть использовано в машиностроении. Осуществляют выравнивание и очистку торцевых поверхностей фрагментов, подлежащих соединению. Сверлят в них отверстия и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002548336
Дата охранного документа: 20.04.2015
10.05.2015
№216.013.496b

Устройство для проведения оксигенобаротерапии в барокамере

Изобретение относится к медицинской технике, а именно к кислородной дыхательной аппаратуре для лечения водолазов в барокамерах под повышенным давлением (оксигенобаротерапия) в водолазных подразделениях, и позволяет лечить людей, отравленных оксидом углерода (угарным газом). Устройство для...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002550302
Дата охранного документа: 10.05.2015
Показаны записи 1-10 из 43.
10.03.2014
№216.012.aa40

Способ определения зарядового состояния атомов в субнанослойных пленках на поверхности металлов и полупроводников

Использование: для определения зарядового состояния атомов в субнанослойных пленках на поверхности металлов и полупроводников. Сущность: заключается в том, что поверхность анализируемого объекта облучают ионами инертных газов низких энергий, регистрируют энергетический спектр отраженных ионов...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002509299
Дата охранного документа: 10.03.2014
10.03.2014
№216.012.aa42

Способ определения кристаллической фазы в аморфных пленках наноразмерной толщины

Использование: для определения кристаллической фазы в аморфных пленках наноразмерной толщины. Сущность заключается в том, что выполняют бомбардировку поверхности пучком ионов и регистрацию интенсивности отраженных ионов, при этом анализируемую поверхность бомбардируют ионами инертного газа с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002509301
Дата охранного документа: 10.03.2014
20.04.2014
№216.012.bb3e

Способ изготовления фотоэмиттера с отрицательным электронным сродством для инфракрасного диапазона

Изобретение относится к области эмиссионной и наноэлектроники и может быть использовано в разработке и в технологии производства фотоэлектронных преобразователей второго поколения, эмиттеров с отрицательным электронным сродством для приборов ИК-диапазона. Способ изготовления фотоэмиттера с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002513662
Дата охранного документа: 20.04.2014
10.11.2014
№216.013.04a8

Способ измерения контактной разности потенциалов

Изобретение относится измерительной технике и представляет собой способ измерения контактной разности потенциалов между проводящими материалами (металлами, полупроводниками, электролитами) и может быть использовано для измерения электродных потенциалов, работы выхода поверхности, для контроля...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002532590
Дата охранного документа: 10.11.2014
10.11.2014
№216.013.056b

Коррозионностойкая мартенситностареющая сталь

Изобретение относится к области металлургии, а именно к производству высокопрочных коррозионностойких мартенситностареющих сталей, используемых в энергетическом машиностроении для изготовления высоконагруженных упругих металлических уплотнений разъемных соединений энергетических установок,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002532785
Дата охранного документа: 10.11.2014
27.11.2014
№216.013.0b16

Способ определения атомного состава активных нанопримесей в жидкостях

Изобретение относится к области нано-, микроэлектроники и аналитического приборостроения и может быть использовано в разработке технологии и в производстве изделий микро- и наноэлектроники, а также в производстве чистых материалов и для диагностики и контроля жидких технологических сред. Способ...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534246
Дата охранного документа: 27.11.2014
10.12.2014
№216.013.0ee3

Способ определения длительности времени плазмохимического травления поверхности полупроводниковых пластин для субмикронных технологий

Изобретение относится к области микроэлектроники. Технический результат направлен на повышение достоверности определения типа и количества загрязняющих примесей на поверхности полупроводниковых пластин после плазмохимического травления и определения оптимального значения длительности времени...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002535228
Дата охранного документа: 10.12.2014
20.02.2015
№216.013.2b59

Система пожаротушения помещения с повышенным давлением газовой среды

Изобретение относится к противопожарной технике, а именно к системам пожаротушения распыленной водой в помещениях с повышенным давлением газовой дыхательной среды, в частности в водолазных барокамерах. Система пожаротушения помещения с повышенным давлением газовой среды, содержащая прочный...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002542554
Дата охранного документа: 20.02.2015
20.04.2015
№216.013.41c6

Способ изготовления крупногабаритной плоской конструкции

Изобретение относится к способу изготовления крупногабаритной плоской конструкции из фрагментов, полученных литьем из латуни, и может быть использовано в машиностроении. Осуществляют выравнивание и очистку торцевых поверхностей фрагментов, подлежащих соединению. Сверлят в них отверстия и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002548336
Дата охранного документа: 20.04.2015
10.05.2015
№216.013.496b

Устройство для проведения оксигенобаротерапии в барокамере

Изобретение относится к медицинской технике, а именно к кислородной дыхательной аппаратуре для лечения водолазов в барокамерах под повышенным давлением (оксигенобаротерапия) в водолазных подразделениях, и позволяет лечить людей, отравленных оксидом углерода (угарным газом). Устройство для...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002550302
Дата охранного документа: 10.05.2015
+ добавить свой РИД