10.04.2015
216.013.3c96

СПОСОБ СРАВНИТЕЛЬНЫХ ИСПЫТАНИЙ ПО НАДЕЖНОСТИ ПАРТИЙ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ

Вид РИД

Изобретение

Юридическая информация Свернуть Развернуть
Краткое описание РИД Свернуть Развернуть
Аннотация: Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности полупроводниковых интегральных схем (ИС). Сущность: из партий ИС методом случайной выборки отбирают одинаковое количество изделий (не менее 10 от каждой партии) и измеряют значение информативного параметра. Затем на каждую ИС всех выборок подают пять ЭСР одной и пять ЭСР другой полярности потенциалом, максимально допустимым по ТУ. Воздействию ЭСР должны подвергаться следующие выводы ИС: питание - общая точка, вход - питание, выход - питание, вход - выход. Затем измеряют значение информативного параметра. Далее все ИС хранят в нормальных условиях в течение 72 часов. Измеряют значение информативного параметра. Проводят термический отжиг всех ИС при температуре Т=100°С. Измеряют значение информативного параметра. Далее находят значения величин Δ, Δ, Δ для каждой ИС. По значениям Δ, Δ, Δ судят о сравнительной надежности партий ИС. 2 табл.
Основные результаты: Способ сравнительных испытаний на надежность партий интегральных схем, в соответствии с которым на произвольных одинаковых выборках из партий, составляющих не менее 10 интегральных схем, проводят измерение среднеквадратичного значения напряжения низкочастотного шума до и после воздействия пятью электростатическими разрядами (ЭСР) обеих полярностей потенциалом, предельно допустимым по ТУ, на выводы «питание - общая точка», «вход - питание», «выход - питание», после хранения в нормальных условиях в течение 72 часов и после температурного отжига в течение 2 часов при температуре 100°С, отличающийся тем, что после измерений для каждой ИС находят значения величин Δ=Х-Х, Δ=Х-Х, Δ=Х-Х, где Х - среднеквадратичное значение напряжения низкочастотного шума до воздействия ЭСР, Х - среднеквадратичное значение напряжения низкочастотного шума после воздействия ЭСР, Х - среднеквадратичное значение напряжения низкочастотного шума после хранения в течение 72 часов, Х - среднеквадратичное значение напряжения низкочастотного шума после термического отжига при температуре Т=100°С, по соотношению общего количества отрицательных значений Δ, Δ, Δ для выборок судят о сравнительной надежности партий ИС.
Реферат Свернуть Развернуть

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности полупроводниковых интегральных схем (ИС), и может быть использовано для сравнительной оценки надежности партий ИС как в процессе производства, так и при входном контроле на предприятии-изготовителе радиоэлектронной аппаратуры.

Известен способ сравнительной оценки надежности партий полупроводниковых изделий (ППИ) [1], в соответствии с которым на ППИ осуществляется механическое воздействие и воздействие ЭСР при значениях, максимально допустимых по ТУ, а сравнение партий ППИ по надежности осуществляют, сравнивая минимальные, средние и максимальные значения информативного параметра до и после испытаний.

За основу взят способ сравнительной оценки надежности партий ИС [2], в соответствии с которым на произвольных выборках ИС из партий проводят измерение значений динамических параметров до и после воздействия различных по полярности напряжения пяти электростатических разрядов (ЭСР), предельно допустимых по техническим условиям (ТУ), и температурного отжига при допустимой максимальной температуре кристалла, а ЭСР подают на каждую из пар выводов ИС: вход - общая точка, выход - общая точка, питание - общая точка, вход-выход, количество циклов воздействия ЭСР и температурного отжига составляет не менее трех, по количеству отказавших ИС делают вывод о сравнительной надежности партий ИС.

Недостаток способа - трудоемкость испытаний. Изобретение направлено на устранение данного недостатка.

Предложенный способ сравнительных испытаний на надежность партий ИС основывается на измерении информативного параметра Х в исходном состоянии, после воздействия на ИС пяти импульсов ЭСР обеих полярностей потенциалом, предельно допустимым по ТУ, после хранения в течение 72 часов при нормальных условиях (атмосферном давлении, температуре Т=22±5°С), после термического отжига при температуре Тотж=100°С в течение 2 часов и сравнении трех величин: Δ1начЭСР, Δ2=XЭСР-Xxp, Δ3хротж, где Хнач - значение информативного параметра в начале измерений (в исходном состоянии), ХЭСР - значение информативного параметра после воздействия ЭСР, Ххр - значение информативного параметра после хранения в течение 72 часов, Хотж - значение информативного параметра после термического отжига при температуре Т=100°С.

Способ осуществляется следующим образом: от партий ИС (количество партий неограниченно, ИС должны быть однотипными) методом случайной выборки отбирают одинаковое количество изделий (не менее 10 от каждой партии) и измеряют значение информативного параметра. Затем на каждую ИС всех выборок подают пять ЭСР одной и пять ЭСР другой полярности потенциалом, максимально допустимым по ТУ. Воздействию ЭСР должны подвергаться следующие выводы ИС: питание - общая точка, вход - питание, выход - питание, вход-выход. Затем измеряют значение информативного параметра. Далее все ИС хранят в нормальных условиях в течение 72 часов. Измеряют значение информативного параметра. Проводят термический отжиг всех ИС при температуре Т=100°С. Измеряют значение информативного параметра. Далее для каждой ИС находят значения величин Δ1, Δ2, Δ3. По значениям Δ1, Δ2, Δ3 судят о сравнительной надежности партий ИС.

Способ был опробован на выборках из двух партий ИС типа К155ЛЕ1 (четыре логических элемента 2ИЛИ-НЕ, выполненные по ТТЛ технологии с окисной изоляцией карманов). Из каждой партии ИС методом случайной выборки было отобрано по 10 ИС. В качестве информативного параметра было выбрано среднеквадратичное значение напряжения низкочастотного шума (НЧШ) . На каждой ИС было измерено значение шумового напряжения по выводам питание - общая точка (выводы 14-7). Измерение НЧШ проводилось при токе 7,5 мА, с полосой частот 200 Гц, при центральной частоте 1000 Гц. Затем ИС подвергались воздействию ЭСР потенциалом 200 В. Воздействие проводилось следующим образом. ЭСР подавался на следующие выводы ИС: питание - общая точка (выводы 14-7), вход - питание (выводы 2-14), выход - питание (выводы 1-14), вход-выход (выводы 1-2). Сначала подавалось пять ЭСР одной полярности, затем пять ЭСР другой полярности. После этого замеряли среднеквадратичное значение напряжения НЧШ после ЭСР . Далее ИС хранились в нормальных условиях в течение 72 часов. Замеряли среднеквадратичное значение напряжения НЧШ после хранения . Провели термический отжиг всех ИС при температуре Т=100°С. Замеряли среднеквадратичное значение напряжения НЧШ после ЭСР . Далее Для каждой ИС нашли значения величин , , . Результаты измерения величин среднеквадратичного значения напряжения НЧШ, а также значения величин Δ1, Δ2, Δ3 представлены в таблице 1 (для выборки из партии 1) и в таблице 2 (для выборки из партии 2).

Таблица 1
Результаты испытания выборки из партии 1
, мкВ2 , мкВ2 , мкВ2 , мкВ2
№ ИС Δ1 Δ2 Δ3
1 14,48 14,61 14,46 14,48 -0,13 0,15 -0,02
2 14,19 14,30 14,29 14,26 -0,11 0,01 0,03
3 14,81 14,9 14,88 14,86 -0,09 0,02 0,02
4 14,68 14,76 14,79 14,79 -0,08 -0,03 0
5 14,4 14,65 14,41 14,34 -0,25 0,24 0,07
6 14,68 14,76 14,7 14,72 -0,08 0,06 -0,02
7 14,27 14,34 14,34 14,39 -0,07 0 -0,05
8 14,43 14,69 14,38 14,47 -0,26 0,31 -0,09
9 14,52 14,60 14,58 14,56 -0,08 0,02 0,02
10 14,48 14,64 14,64 14,66 -0,16 0 -0,02

Таблица 2
Результаты испытаний выборки из партии 2
, мкВ2 , мкВ2 , мкВ2 , мкВ2
№ ИС Δ1 Δ2 Δ3
1 14,23 14,48 14,32 14,33 -0,25 0,16 -0,01
2 14,28 15,07 14,99 14,45 -0,79 0,08 -0,54
3 14,15 14,29 14,30 14,26 -0,14 -0,01 0,04
4 14,11 14,48 14,48 14,22 -0,37 0 0,26
5 14,18 14,31 14,22 14,24 -0,13 0,09 -0,02
6 14,22 14,37 14,30 14,29 -0,15 0,07 0,01
7 14,4 14,65 14,66 14,59 -0,25 -0,01 0,07
8 14,29 14,32 14,30 14,29 -0,03 0,02 0,01
9 14,46 14,59 14,46 14,40 -0,13 0,13 0,06
10 14,21 14,35 14,34 14,36 -0,14 0,01 -0,02

Из таблиц видно, что для каждой ИС величины Δ1, Δ2, Δ3 могут иметь как отрицательные, так и положительные значения, причем Δ1 всегда отрицательна. Величины Δ2, Δ3 могут быть как положительны, так и отрицательны. В первой выборке общее число отрицательных значений величин Δ2 и Δ3 девять (ноль считаем за отрицательное значение). Во второй выборке общее число отрицательных значений величин Δ2 и Δ3 семь. Таким образом, общее число отрицательных значений величин Δ1, Δ2, Δ3 в первой выборке больше, чем во второй. На основании этого делаем вывод, что вторая партия более надежна, чем первая.

Источники информации

1. Патент РФ №2381514, G01R 31/26, опубл. 10.02.2010.

2. Патент РФ №2386975, G01R 31/26, опубл. 20.04.2010.

Способ сравнительных испытаний на надежность партий интегральных схем, в соответствии с которым на произвольных одинаковых выборках из партий, составляющих не менее 10 интегральных схем, проводят измерение среднеквадратичного значения напряжения низкочастотного шума до и после воздействия пятью электростатическими разрядами (ЭСР) обеих полярностей потенциалом, предельно допустимым по ТУ, на выводы «питание - общая точка», «вход - питание», «выход - питание», после хранения в нормальных условиях в течение 72 часов и после температурного отжига в течение 2 часов при температуре 100°С, отличающийся тем, что после измерений для каждой ИС находят значения величин Δ=Х-Х, Δ=Х-Х, Δ=Х-Х, где Х - среднеквадратичное значение напряжения низкочастотного шума до воздействия ЭСР, Х - среднеквадратичное значение напряжения низкочастотного шума после воздействия ЭСР, Х - среднеквадратичное значение напряжения низкочастотного шума после хранения в течение 72 часов, Х - среднеквадратичное значение напряжения низкочастотного шума после термического отжига при температуре Т=100°С, по соотношению общего количества отрицательных значений Δ, Δ, Δ для выборок судят о сравнительной надежности партий ИС.
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 1-10 из 256.
10.01.2013
№216.012.1a17

Способ разбраковки полупроводниковых изделий

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности полупроводниковых изделий (диодов, транзисторов и интегральных схем), и может быть использовано для разбраковки по критерию потенциальной надежности как в процессе производства, так и на входном...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002472171
Дата охранного документа: 10.01.2013
20.02.2013
№216.012.2807

Устройство для измерения параметра низкочастотного шума γ

Изобретение относится к области радиоизмерений, а именно к измерению шумов полупроводниковых изделий, и может быть использовано для лабораторных и цеховых измерений параметра шума γ. Устройство для измерения параметра низкочастотного шума γ содержит два независимых канала усиления, к выходу...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002475767
Дата охранного документа: 20.02.2013
10.06.2013
№216.012.49dd

Способ отбраковки полупроводниковых изделий пониженного уровня надежности

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения надежности полупроводниковых изделий (ППИ) (транзисторов и интегральных схем), и может быть использовано для обеспечения повышенной надежности партий изделий как на этапе производства, так и на входном контроле на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002484489
Дата охранного документа: 10.06.2013
20.07.2013
№216.012.57a2

Плазмоэлектролизный генератор электроэнергии, удобрений и воды из стоков и органических отходов

Изобретение относится к автономной водородной энергетике. Технический результат изобретения позволит повысить КПД генератора электроэнергии. Плазмоэлектролизный генератор электроэнергии, удобрений и воды из стоков и отходов состоит из магнитопроводного корпуса низкого давления с замкнутыми на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002488042
Дата охранного документа: 20.07.2013
20.08.2013
№216.012.61bf

Способ сравнительной оценки надежности полупроводниковых изделий

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности полупроводниковых изделий (ПИИ), и может быть использовано для сравнительной оценки надежности партий НИИ как на этапе производства, так и на входном контроле на предприятиях - изготовителях...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002490655
Дата охранного документа: 20.08.2013
20.08.2013
№216.012.61c0

Способ отбраковки потенциально ненадежных транзисторов

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения надежности транзисторов, и может быть использовано для разделения транзисторов по надежности в процессе производства, а также на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры. Сущность:...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002490656
Дата охранного документа: 20.08.2013
10.09.2013
№216.012.68df

Способ сравнительной оценки надежности партий интегральных схем

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности интегральных схем (ИС), и может быть использовано для сравнительной оценки надежности партий ИС как на этапе производства, так и на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002492494
Дата охранного документа: 10.09.2013
20.09.2013
№216.012.6d16

Способ многоальтернативной оптимизации моделей автоматизации структурного синтеза мехатронно-модульных роботов

Изобретение относится к машиностроению, а именно, к робототехнике, и может быть использовано при создании мехатронно-модульных роботов. Технический результат - ускорение процесса синтеза, повышение надежности работы мехатронно-модульных роботов. Предложен способ многоальтернативной оптимизации...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002493577
Дата охранного документа: 20.09.2013
20.02.2014
№216.012.a352

Способ разделения транзисторов по надежности

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к обеспечению качества и надежности полупроводниковых изделий (ПЛИ), в частности транзисторов, и может быть использовано как на этапе производства, так и на этапе применения. Способ разделения транзисторов по надежности включает измерение...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002507525
Дата охранного документа: 20.02.2014
10.04.2014
№216.012.b34d

Способ сравнительной оценки надежности партий полупроводниковых изделий

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности полупроводниковых изделий ППИ (транзисторов, интегральных схем (ИС) и т.д.) и может быть использовано для сравнительной оценки надежности партий ППИ как в процессе производства, так и при входном...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002511617
Дата охранного документа: 10.04.2014
Показаны записи 1-10 из 295.
20.07.2013
№216.012.57a2

Плазмоэлектролизный генератор электроэнергии, удобрений и воды из стоков и органических отходов

Изобретение относится к автономной водородной энергетике. Технический результат изобретения позволит повысить КПД генератора электроэнергии. Плазмоэлектролизный генератор электроэнергии, удобрений и воды из стоков и отходов состоит из магнитопроводного корпуса низкого давления с замкнутыми на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002488042
Дата охранного документа: 20.07.2013
20.09.2013
№216.012.6d16

Способ многоальтернативной оптимизации моделей автоматизации структурного синтеза мехатронно-модульных роботов

Изобретение относится к машиностроению, а именно, к робототехнике, и может быть использовано при создании мехатронно-модульных роботов. Технический результат - ускорение процесса синтеза, повышение надежности работы мехатронно-модульных роботов. Предложен способ многоальтернативной оптимизации...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002493577
Дата охранного документа: 20.09.2013
27.01.2014
№216.012.9be3

Способ электрохимического извлечения свинца из свинцово-кислотных отходов аккумуляторных батарей

Изобретение относится к способу извлечения свинца из отходов аккумуляторных батарей. Способ включает электролитическое осаждение свинца из щелочных растворов на асимметричном импульсном токе с варьированием периодической последовательности пакетов положительных n+ и отрицательных n- импульсов...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002505613
Дата охранного документа: 27.01.2014
10.02.2014
№216.012.9ebe

Наноструктурное покрытие из гранулированного композита

Изобретение относится к наноэлектронике и наноэлектромеханике и может быть использовано в различных областях современной наноиндустрии, микроэлектронике, альтернативной энергетике и т.д. Наноструктурное покрытие из наногранулированного композита «металл-керамика», преимущественно (COFeB)(CaF),...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002506346
Дата охранного документа: 10.02.2014
10.02.2014
№216.012.9ebf

Способ повышения износостойкости наноструктурного покрытия из гранулированного композита

Изобретение относится к наноэлектронике и наноэлектромеханике и может быть использовано в различных областях современной наноиндустрии, микроэлектроники, альтернативной энергетике и т.д. Способ повышения износостойкости наноструктурного покрытия из гранулированного композита «металл-керамика»,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002506347
Дата охранного документа: 10.02.2014
20.02.2014
№216.012.a2e2

Безредукторный ветроэлектроагрегат

Изобретение относится к области ветроэнергетики и может быть применено для выработки электроэнергии. Безредукторный ветроэлектроагрегат содержит башню, поворотное основание, снабженное ветроколесом с сегментными роторными элементами и установленной в подшипники втулкой, кронштейном со...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002507413
Дата охранного документа: 20.02.2014
10.04.2014
№216.012.afa1

Конвекторное кольцо

Изобретение предназначено для отжига в колпаковой печи стопы рулонов холоднокатаной полосовой стали. Конвекторное кольцо содержит расположенные в параллельных плоскостях по окружности с равным шагом под углом к радиальному направлению ребра. Каждое из ребер одной плоскости соединено концевыми...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002510676
Дата охранного документа: 10.04.2014
10.04.2014
№216.012.b34d

Способ сравнительной оценки надежности партий полупроводниковых изделий

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности полупроводниковых изделий ППИ (транзисторов, интегральных схем (ИС) и т.д.) и может быть использовано для сравнительной оценки надежности партий ППИ как в процессе производства, так и при входном...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002511617
Дата охранного документа: 10.04.2014
10.04.2014
№216.012.b369

Способ получения наноструктурного покрытия из гранулированного нанокомпозита

Изобретение относится к наноэлектронике и наноэлектромеханике и может быть использовано в различных областях современной наноиндустрии, микроэлектронике, альтернативной энергетике и т.д. В способе получения наноструктурного покрытия из гранулированного нанокомпозита «металл-керамика» получают...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002511645
Дата охранного документа: 10.04.2014
10.04.2014
№216.012.b408

Способ подогрева криогенной жидкости

Изобретение относится к области теплотехники и может быть использовано для испарения сред, находящихся в жидком состоянии. Предложен способ подогрева криогенной жидкости, заключающийся в пропускании жидкости через теплообменные элементы с подведением к ним тепла. Корпус испарителя криогенной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002511805
Дата охранного документа: 10.04.2014

Похожие РИД в системе

+ добавить свой РИД