27.11.2014
216.013.0c53

Способ нанесения стекла

Вид РИД

Изобретение

Юридическая информация Свернуть Развернуть
Краткое описание РИД Свернуть Развернуть
Аннотация: Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к способам защиты поверхности кристаллов p-n переходов от различных внешних воздействий. Техническим результатом изобретения является достижение стабильности и снижение проникновения ионов натрия. В способе нанесения стекла для защиты поверхности кристаллов p-n переходов от различных внешних воздействий на чистую поверхность полупроводниковой подложки наносят слой боратного стекла, в состав которого входят следующие компоненты: 25% окиси кремния, 40% бората цинка, 20% окиси алюминия и 15% окиси цинка ZnO. При температуре процесса 700°C образуется пленка боратного стекла толщиной 1,2 мкм.
Основные результаты: Способ нанесения стекла, включающий защиту поверхности кристаллов p-n-переходов от различных внешних воздействий, отличающийся тем, что на чистую полупроводниковую поверхность подложки наносят слой боратного стекла, в состав которого входят следующие компоненты: 25% окиси кремния - SiO; 40% бората цинка; 20% окиси алюминия - АlО и 15% окиси цинка - ZnО, при температуре процесса 700°С, при этом образуется пленка боратного стекла толщиной 1,2 мкм.
Реферат Свернуть Развернуть

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем (ИС), в частности к способам защиты поверхности кристаллов p-n-переходов от различных внешних воздействий.

Известны способы защиты, сущность которых состоит в том, что поверхность полупроводниковых приборов p-n-переходов защищают различными методами: стеклянной пленкой, порошкообразными стеклами, нитридом кремния, пленками окислов металлов и др. [1].

Основными недостатками этих способов является проникновение ионов натрия из стекла через окисный слой к поверхности p-n- перехода, чувствительной к воздействию ионов, при этом образуются каналы, которые увеличивают нестабильность прибора.

Целью изобретения является достижение стабильности и снижения проникновения ионов натрия.

Поставленная цель достигается использованием боратного стекла, в состав которого входят следующие компоненты: 25% окиси кремния -SiO2; 35% бората цинка; 15% окиси алюминия - Аl2О3 и 20% окиси цинка ZnO.

Сущность способа заключается в том, что на чистую поверхность полупроводниковой подложки с окисным слоем наносят слой защитного боратного стекла, в состав которого входят следующие компоненты: 25% окиси кремния - SiO2; 40% бората цинка; 20% окиси алюминия - Аl2О3 и 15% окиси цинка - ZnO. При температуре процесса 700°C образуется пленка боратного стекла толщиной 1,2 мкм.

Боратное стекло характеризуется низкой проводимостью и малыми диэлектрическими потерями, высокой механической прочностью, термической и климатической стойкостью. Оно имеет структуру, отличающуюся от силикатных стекол, способно выдерживать умеренные концентрации моновалентных катионов (катионов до 0,1) без увеличения при этом проводимости.

Предлагаемый способ отличается от прототипа тем, что боратное стекло, нанесенное на поверхность полупроводниковой подложки, способствует улучшению стабильности приборов и их надежности.

Сущность изобретения подтверждается следующими примерами.

ПРИМЕР 1. Процесс проводят с предварительной очисткой поверхности кристаллов. На чистую поверхность полупроводниковой подложки с окисным слоем наносят слой защитного боратного стекла, в состав которого входят следующие компоненты: 35%> окиси кремния - SiO2; 50% бората цинка; 20%> окиси алюминия - Аl2О3 и 25% окиси цинка - ZnO. Нанесение стекла проводят при температуре процесса 820°C, при этом образуется пленка боратного стекла толщиной 2,0 мкм.

ПРИМЕР 2. Способ осуществляют аналогично примеру 1. На чистую полупроводниковую поверхность подложки наносят защитный слой боратного стекла, в состав которого входят следующие компоненты: 30% окиси кремния - SiO2; 45% бората цинка; 20% окиси алюминия - Аl2О3 и 20% окиси цинка ZnO.

Температура процесса 800°C.

Толщина слоя боратного стекла равна 1,5 мкм.

ПРИМЕР 3. Способ осуществляют аналогично примеру 1. На чистую полупроводниковую поверхность подложки наносят защитный слой боратного стекла, в состав которого входят следующие компоненты: 25% окиси кремния - SiO2; 40% бората цинка; 20% окиси алюминия - Аl2О3 и 15% окиси цинка ZnO.

Температура процесса 700°C.

Толщина слоя боратного стекла равна 1,2 мкм.

Таким образом, предлагаемый способ отличается от прототипа тем, что слой боратного стекла, нанесенный на поверхность полупроводниковой подложки, который способствует улучшению стабильности приборов и его надежности.

ЛИТЕРАТУРА

1. А.И.Курносов, В.В.Юдин. Технология производства полупроводниковых приборов. - М: «Высшая школа», 1980, с.400.

Источник поступления информации: Роспатент

Всего документов: 134
Всего документов: 147

Похожие РИД в системе

Защитите авторские права с едрид