×
27.11.2014
216.013.0bd1

Результат интеллектуальной деятельности: ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ БАТАРЕЯ

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к термоэлектрическому приборостроению, в частности к конструкциям термоэлектрических батарей (ТЭБ). Технический результат: повышение эффективности теплоотдачи коммутационных пластин ТЭБ. Сущность: ветви термоэлементов установлены наклонно в одной из координатных плоскостей. Ветви, выполненные из полупроводника р-типа, расположены под углом, противоположным углу наклона ветвей, выполненных из полупроводника n-типа. Угол наклона между ветвями лежит в пределах Коммутационные пластины, выполненные в форме трехгранной призмы, впаиваются в пространство, ограниченное концами ветвей р- и n-типов, и имеют в своей центральной части взаимно параллельные сквозные отверстия, внутренняя поверхность которых выполнена в форме шестнадцатиконечной звезды. Отверстия всех четных коммутационных пластин и соответственно отверстия всех нечетных коммутационных пластин посредством диэлектрических гибких шлангов соединены в единые каналы, по которым в процессе функционирования термоэлектрической батареи прокачивается теплоноситель. 1 ил.
Основные результаты: Термоэлектрическая батарея, состоящая из последовательно соединенных в электрическую цепь посредством коммутационных пластин чередующихся ветвей, изготовленных соответственно из полупроводников р- и n-типов, установленных наклонно в одной из координатных плоскостей, причем ветви, выполненные из полупроводника р-типа, расположены под углом, противоположным углу наклона ветвей, выполненных из полупроводника n-типа, а угол наклона между ветвями α лежит в пределах при этом коммутационные пластины выполнены в форме трехгранной призмы, отличающаяся тем, что коммутационные пластины в своей центральной части имеют взаимно параллельные сквозные отверстия, внутренняя поверхность которых выполнена в форме шестнадцатиконечной звезды, имеющие хороший тепловой контакт с теплоносителем, при этом отверстия всех четных коммутационных пластин и соответственно отверстия всех нечетных коммутационных пластин посредством диэлектрических гибких шлангов соединяются в единые каналы, по которым в процессе функционирования термоэлектрической батареи прокачивается теплоноситель, каркас же, образованный ветвями термоэлектрической батареи и коммутационными пластинами, заполнен теплоизоляцией.

Прототипом изобретения является ТЭБ, описанная в [1]. ТЭБ состоит из последовательно соединенных в электрическую цепь посредством коммутационных пластин чередующихся ветвей, изготовленных соответственно из полупроводника р- и n-типов. Ветви установлены наклонно в одной из координатных плоскостей, причем ветви, выполненные из полупроводника р-типа расположены под углом, противоположным углу наклона ветвей, выполненных из полупроводника n-типа, а угол наклона между ветвями α лежит в пределах При этом коммутационные пластины, выполненные в форме трехгранной призмы, впаиваются в пространство, ограниченное концами ветвей р-типа и n-типов и имеют хороший тепловой контакт своей третьей свободной гранью с высокотеплопроводными керамическими пластинами. Пространство, ограниченное керамическими пластинами и поверхностью структуры, образованной ветвями термоэлектрической батареи, заполнено теплоизоляцией, причем слой теплоизоляции нанесен также на оставшуюся поверхность термоэлектрической батареи.

Недостатком известной конструкции является недостаточно эффективный съем теплоты с коммутационных пластин.

Целью изобретения является повышение эффективности теплоотдачи коммутационных пластин ТЭБ к (протекающему теплоносителю) объекту охлаждения и системе теплоотвода.

Для достижения указанной цели коммутационные пластины в своей центральной части имеют взаимно параллельные сквозные отверстия, внутренняя поверхность которых выполнена в форме шестнадцатиконечной звезды, имеющие хороший тепловой контакт с теплоносителем, при этом отверстия всех четных коммутационных пластин и соответственно отверстия всех нечетных коммутационных пластин посредством диэлектрических гибких шлангов соединяются в единые каналы, по которым в процессе функционирования термоэлектрической батареи прокачивается теплоноситель, а каркас, образованный ветвями термоэлектрической батареи и коммутационными пластинами, заполнен теплоизоляцией.

Конструкция ТЭБ приведена на фиг.1. ТЭБ состоит из последовательно соединенных в электрическую цепь посредством коммутационных пластин 1 и 2 чередующихся ветвей, изготовленных соответственно из полупроводника р-типа 3 и n-типа 4. Электрическое соединение ветвей осуществляется посредством контакта ветвь р-типа 3 -коммутационная пластина 1 или 2 - ветвь n-типа 4. При этом ветви 3 и 4 выполнены наклонными в одной из координатных плоскостей. Причем ветви 4 расположены под углом, противоположным углу наклона ветвей 3, а угол наклона между ветвями а лежит в пределах

Коммутационные пластины 1 и 2 выполнены в форме трехгранной призмы, которые имеют в своей центральной части взаимно параллельные сквозные отверстия, внутренняя поверхность которых выполнена в форме шестнадцатиконечной звезды, имеющие хороший тепловой контакт с теплоносителем 5, 6. При этом отверстия всех четных коммутационных пластин 2 и соответственно отверстия всех нечетных коммутационных пластин 1 посредством диэлектрических гибких шлангов 7, 8 соединяются в единые каналы, по которым в процессе функционирования ТЭБ прокачивается теплоноситель 5, 6. Каркас, образованный ветвями термоэлектрической батареи 3, 4 и коммутационными пластинами 1, 3, заполнен теплоизоляцией 9.

К крайним коммутационным пластинам, находящимся соответственно в начале и конце ТЭБ, в случае работы ТЭБ в режиме холодильника подводится электрическая энергия от блока питания, а в случае работы ТЭБ в режиме термоэлектрического генератора снимается электрическая энергия.

ТЭБ в режиме холодильника функционирует следующим образом. При прохождении по ТЭБ постоянного электрического тока, подаваемого от источника электрической энергии, между коммутационными пластинами 1 и 2, представляющими собой контакты ветвей р- и n-типов 3 и 4, возникает разность температур, обусловленная выделением на одних соседних концах ветвей - четных или нечетных коммутационных пластинах, и поглощением на других соседних концах ветвей - нечетных или четных коммутационных пластинах, теплоты Пельтье. При указанной на фиг.1 полярности электрического тока происходит нагрев концов ветвей, контактирующих с коммутационными пластинами 1, и охлаждение концов ветвей, контактирующих с коммутационными пластинами 2. Если при этом за счет теплоотвода температура протекающего теплоносителя 6, с которым контактируют коммутационные пластины 1, поддерживается на постоянном уровне, то температура протекающего теплоносителя 5, находящегося в тепловом контакте с коммутационными пластинами 2, понизится до некоторого определенного значения. При заданном электрическом токе величина снижения температуры протекающего теплоносителя 5 будет зависеть от тепловой нагрузки на нем. Тепловая нагрузка складывается из теплопритока из окружающей среды, тепла от горячих контактов, обусловленного теплопроводностью образующих ТЭБ ветвей, теплоты Джоуля, а также тепла, поступающего от объекта охлаждения. Теплоизоляция 9 служит для уменьшения теплопритока из окружающей среды.

ТЭБ в режиме термоэлектрического генератора функционирует следующим образом. При наличии источника тепла, нагревающего, например, протекающий теплоноситель 5, а также имеющие с ним непосредственный тепловой контакт коммутационные пластины 2, и системы, рассеивающей тепло с протекающего теплоносителя 6, и соответственно коммутационных пластин 1, между коммутационными пластинами 1 и 2 устанавливается некоторая разность температур. При наличии такой разности температур между коммутационными пластинами 1 и 2, осуществляющими контакт ветвей р- и n-типов 3 и 4, между крайними коммутационными пластинами ТЭБ возникает разность потенциалов - термо-эдс, обусловленная эффектом Зеебека. При замыкании контактных крайних коммутационных пластин ТЭБ на определенную электрическую нагрузку в образовавшейся цепи возникает постоянный электрический ток. Величина протекающего в цепи электрического тока зависит от значения термо-эдс, которая в свою очередь зависит от коэффициента термо-эдс термоэлектрического материала, числа термоэлементов в ТЭБ, разности температур между коммутационными пластинами 1 и 2, и величины электрической нагрузки.

В данной конструкции ТЭБ эффективность теплоотдачи коммутационных пластин повышается за счет увеличения их теплоотдающей поверхности.

Литература

1. Патент на изобретение РФ №2335036. Термоэлектрическая батарея / Исмаилов Т.А., Вердиев М.Г., Евдулов О.В., Евдулов Д.В., 2008, Б.И.

Термоэлектрическая батарея, состоящая из последовательно соединенных в электрическую цепь посредством коммутационных пластин чередующихся ветвей, изготовленных соответственно из полупроводников р- и n-типов, установленных наклонно в одной из координатных плоскостей, причем ветви, выполненные из полупроводника р-типа, расположены под углом, противоположным углу наклона ветвей, выполненных из полупроводника n-типа, а угол наклона между ветвями α лежит в пределах при этом коммутационные пластины выполнены в форме трехгранной призмы, отличающаяся тем, что коммутационные пластины в своей центральной части имеют взаимно параллельные сквозные отверстия, внутренняя поверхность которых выполнена в форме шестнадцатиконечной звезды, имеющие хороший тепловой контакт с теплоносителем, при этом отверстия всех четных коммутационных пластин и соответственно отверстия всех нечетных коммутационных пластин посредством диэлектрических гибких шлангов соединяются в единые каналы, по которым в процессе функционирования термоэлектрической батареи прокачивается теплоноситель, каркас же, образованный ветвями термоэлектрической батареи и коммутационными пластинами, заполнен теплоизоляцией.
ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ БАТАРЕЯ
ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ БАТАРЕЯ
ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ БАТАРЕЯ
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 11-20 из 134.
27.07.2014
№216.012.e3f0

Способ защиты p-n-переходов на основе окиси бериллия

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к способам защиты поверхности p-n-переходов. Изобретение обеспечивает получение равномерной поверхности, уменьшение температуры и длительности процесса. В способе защиты p-n-переходов на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002524142
Дата охранного документа: 27.07.2014
27.07.2014
№216.012.e3f3

Способ изготовления бсит-транзистора с охранными кольцами

Использование: для изготовления БСИТ-транзистора с охранными кольцами. Сущность изобретения заключается в том, что выполняют формирование в полупроводниковой подложке на эпитаксиальном обедненном слое первый тип проводимости, формирование защитного фоторезистивного слоя, формирование карманов...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002524145
Дата охранного документа: 27.07.2014
27.07.2014
№216.012.e3f5

Способ защиты поверхности кристаллов p-n переходов

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к способам защиты кристаллов p-n-переходов. Техническим результатом изобретения является достижение стабильности и уменьшение температуры и длительности процесса. В способе защиты...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002524147
Дата охранного документа: 27.07.2014
27.07.2014
№216.012.e3f7

Способ получения стекла из пятиокиси фосфора

Использование: для получения мощных кремниевых транзисторов, в частности к способам получения фосфоро-силикатных стекол для формирования p-n переходов. Сущность изобретения заключается в том, что кремниевые пластины загружают в кварцевую лодочку, помещенную в кварцевую трубу, находящуюся внутри...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002524149
Дата охранного документа: 27.07.2014
27.07.2014
№216.012.e3f9

Способ диффузии бора для формирования р-области

Изобретение относится к технологии изготовления кремниевых мощных транзисторов, в частности может быть использовано для формирования активной ρ-области. Техническим результатом изобретения является уменьшение разброса значений поверхностных концентраций и получение равномерного легирования по...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002524151
Дата охранного документа: 27.07.2014
27.07.2014
№216.012.e542

Тепловая труба с применением трубчатых оптоволоконных структур

Изобретение относится к устройствам для отвода тепла от компонентов радиоэлектроники с высокой мощностью тепловыделений, в частности к тепловым трубам, и может использоваться в различных областях электронной промышленности. Тепловая труба с применением трубчатых оптоволоконных структур,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002524480
Дата охранного документа: 27.07.2014
10.08.2014
№216.012.e7ef

Выпрямитель переменного напряжения

Изобретение относится к электронике, в частности к средствам выпрямления переменного электрического напряжения. Целью изобретения является увеличение значения постоянного напряжения, генерируемого устройством. Выпрямитель переменного напряжения состоит из омической области, на которую подается...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002525168
Дата охранного документа: 10.08.2014
10.08.2014
№216.012.e7f0

Выпрямитель переменного напряжения

Изобретение относится к электронике, в частности к средствам выпрямления переменного электрического напряжения. Целью изобретения является увеличение значения постоянного напряжения, генерируемого устройством. Выпрямитель переменного напряжения состоит из омической области, на которую подается...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002525169
Дата охранного документа: 10.08.2014
10.08.2014
№216.012.e7f1

Выпрямитель переменного напряжения

Изобретение относится к электронике, в частности к средствам выпрямления переменного электрического напряжения. Целью изобретения является увеличение значения постоянного напряжения, генерируемого устройством. Выпрямитель переменного напряжения состоит из омической области, на которую подается...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002525170
Дата охранного документа: 10.08.2014
10.08.2014
№216.012.e7f2

Выпрямитель переменного напряжения

Изобретение относится к электронике, в частности к средствам выпрямления переменного электрического напряжения. Целью изобретения является увеличение значения постоянного напряжения, генерируемого устройством. Выпрямитель переменного напряжения состоит из омической области, на которую подается...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002525171
Дата охранного документа: 10.08.2014
Показаны записи 11-20 из 147.
20.02.2014
№216.012.a3bd

Светотранзистор с высоким быстродействием

Изобретение относится к электронным компонентам микросхем. Светотранзистор с высоким быстродействием, выполненный в виде биполярного транзистора с p-n-p или n-p-n-структурой, согласно изобретению в нем p-n-переход, на котором электроны переходят из p зоны в n зону, сформирован в виде...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002507632
Дата охранного документа: 20.02.2014
20.04.2014
№216.012.baaf

Бункер с наклонными электродами для электроразогрева бетонной смеси

Изобретение относится к области строительства, а именно к конструкциям для электроразогрева бетонной смеси в построечных условиях. Изобретение позволит обеспечить повышение равномерности разогрева бетонной смеси, сократить продолжительность разогрева бетонной смеси, уменьшить расход...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002513519
Дата охранного документа: 20.04.2014
20.04.2014
№216.012.bb05

Система сейсмозащиты каркасных зданий

Изобретение относится к области сейсмостойкого строительства и может быть использовано при строительстве каркасных зданий с отдельными фундаментами. Система сейсмозащиты каркасных зданий характеризуется наличием элементов скольжения. Состоит из колонн с расширенной верхней частью, установленных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002513605
Дата охранного документа: 20.04.2014
20.05.2014
№216.012.c55f

Синхронный микродвигатель с электромагнитным униполярным возбуждением

Изобретение относится к области электротехники, в частности к электрическим машинам, и касается выполнения синхронного микродвигателя (СД) с электромагнитным униполярным возбуждением. Технический результат - повышение надежности работы синхронного микродвигателя за счет создания на роторе...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002516286
Дата охранного документа: 20.05.2014
20.05.2014
№216.012.c80f

Способ стерилизации компота из груш и айвы

Представлен способ стерилизации компота из груш и айвы в банках СКО 1-82-500, включающий процесс нагрева в потоке воздуха температурой 130°С и скоростью 1,5-2 м/с в течение 26 мин с последующей выдержкой в течение 12-55 мин при температуре нагретого воздуха 95°С и охлаждением в потоке...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002516974
Дата охранного документа: 20.05.2014
27.06.2014
№216.012.d710

Способ профилактики и лечения синдрома сухих глаз

Изобретение относится к медицине, а именно к офтальмологии. Способ заключается в использовании носимого дозатора с автоматическим регулированием количества впрыскиваемых доз, состоящего из электронного блока и блока гидравлики. При этом в электронном блоке с помощью пьезодатчика, укрепленного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002520834
Дата охранного документа: 27.06.2014
27.07.2014
№216.012.e3eb

Способ химического травления полупроводников

Использование: для изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем (ИС). Сущность изобретения заключается в том, что химическое травление поверхности полупроводников проводят в травителе, состоящем из следующих компонентов: фтористоводородной (HF), азотной (HNO) и уксусной (CHCOOH)...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002524137
Дата охранного документа: 27.07.2014
27.07.2014
№216.012.e3ee

Диффузия фосфора из нитрида фосфора (pn)

Изобретение относится к технологии получения мощных кремниевых транзисторов, в частности к способам получения фосфоросиликатного стекла для формирования p-n-переходов. Изобретение обеспечивает получение равномерного значения поверхностной концентрации по всей поверхности кремниевой пластины и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002524140
Дата охранного документа: 27.07.2014
27.07.2014
№216.012.e3f0

Способ защиты p-n-переходов на основе окиси бериллия

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к способам защиты поверхности p-n-переходов. Изобретение обеспечивает получение равномерной поверхности, уменьшение температуры и длительности процесса. В способе защиты p-n-переходов на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002524142
Дата охранного документа: 27.07.2014
27.07.2014
№216.012.e3f3

Способ изготовления бсит-транзистора с охранными кольцами

Использование: для изготовления БСИТ-транзистора с охранными кольцами. Сущность изобретения заключается в том, что выполняют формирование в полупроводниковой подложке на эпитаксиальном обедненном слое первый тип проводимости, формирование защитного фоторезистивного слоя, формирование карманов...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002524145
Дата охранного документа: 27.07.2014
+ добавить свой РИД