×
20.07.2014
216.012.e24c

Результат интеллектуальной деятельности: НАНОКОМПОЗИТНАЯ ГАЗОПОГЛОЩАЮЩАЯ СТРУКТУРА И СПОСОБ ЕЕ ПОЛУЧЕНИЯ

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к вакуумной технике и представляет собой нанокомпозитную газопоглощающую структуру и способ ее получения, предназначенную для поддержания вакуума в различных приборах, в том числе микроэлектромеханических системах. Нанокомпозитная газопоглощающая структура представляет собой кремниевую подложку с центрами кристаллизации на поверхности, на которых выращен слой активного металла или сплава с развитой поверхностью.Технический результат- повышение сорбционной способности высокоразвитой поверхности газопоглощающей структуры. 2 н.п., 7 ил.

Изобретение может быть применено при производстве устройств, для функционирования которых требуется создание и поддержание вакуума или контролируемой газовой среды внутри рабочего объема. Изобретение может быть использовано в различных научных и технологических приложениях, например в лампах разрядного напряжения, генерирующих рентгеновских трубках, автоэмиссионных диодах, ускорителях частиц, полупроводниковых приборах, микроэлектромеханических системах.

Известна газопоглощающая пористая структура, изготавливаемая прессованием порошков активных металлов с органическими компонентами или без них, органические компоненты удаляются при последующей термической обработке, электрофорезе или трафаретной печати, и способ ее получения /1/. Газопоглощающий материал изготавливается из активных металлов и их сплавов, затем в виде порошков с размерами частиц в диапазоне 20-100 мкм подвергается термическому спеканию в инертной атмосфере или в вакууме при температуре 800-1200°С, обеспечивая пористость и механическую прочность структуры. Проблема осыпания микрочастиц решается нанесением несплошной металлической пленки на поверхность газопоглотителя.

Недостатками газопоглощающей структуры и способа ее получения являются высокие температуры технологического процесса спекания порошков; сложность монтажа в миниатюрные изделия, например микроэлектромеханические системы; эффективная поверхность структуры ограничена из-за относительно больших размеров частиц, 20-100 мкм, а использование порошков с меньшим диаметром частиц проблематично.

Известна газопоглощающая структура, состоящая из двух слоев: нижнего, пористого слоя, обеспечивающего высокую сорбционную емкость, и верхнего слоя, обеспечивающего низкую температуру активации, и способ ее получения /2/. Пористость структуры определяется особенностями реализации процесса катодного распыления: подложка, на которую ведется распыление, охлаждается, это затрудняет миграцию осажденных атомов и, соответственно, их упорядочение в виде регулярной структуры. В результате получается иррегулярная гранулированная пленочная структура. Толщина структуры находится в интервале 1-10 мкм, при этом должна быть обеспечена требуемая сорбционная емкость. Описываемые структуры обладают достаточно высоким значением эффективной поверхности, отношение эффективной поверхности к геометрической составляет не менее 20.

Недостатком газопоглощающей структуры и способа ее получения является отсутствие открытой пористости материала, что затрудняет диффузию газа в материал, особенно с возрастанием толщины газопоглощающей структуры.

Известна нанокомпозитная газопоглощающая структура, принятая нами за прототип, представляющая собой пористый кремний, который служит матрицей для газопоглощающего слоя из активных металлов и их сплавов /3/. Для получения пористого кремния применяется технология электрохимического анодирования, диаметр пор и их глубина определяют пористость структуры. На стенки пор электрохимическим способом производится осаждение активных металлов, что обеспечивает сорбционные свойства структуры. Электрохимический способ осаждения должен обеспечивать нанесение слоя металлов равномерно по всей поверхности пор с сохранением открытой пористости структуры, что должно обеспечивать максимальную сорбционную емкость структуры. Толщина слоя активных металлов в газопоглощающей структуре определяется размером пор и требованием сохранения открытой пористости. Для получения кремниевой матрицы могут быть использованы монокристаллические кремниевые пластины толщиной 300-500 мкм, применяемые в микроэлектронной и микросистемной технологии, а также кремниевые слои, формируемые, например, осаждением кремния из газовой фазы.

Недостатком нанокомпозитной газопоглощающей структуры является сложность реализации процесса изоморфного осаждения металлов на стенки наноразмерных пор. Отклонения режимов электрохимического осаждения от оптимальных значений приводят к капсулированию мелких пор и, соответственно, к уменьшению эффективной поверхности газопоглощающего слоя.

Известен способ получения нанокомпозитной газопоглощающей структуры, согласно которому газопоглощающую структуру изготавливают заполнением пор пористого кремния активным металлом или сплавом активных металлов, с последующим удалением пористой кремниевой матрицы /4/. Для соединения пористого металлического слоя с несущей подложкой наносятся два промежуточных металлических слоя, после чего кремниевую матрицу удаляют. Использование пористого кремния с порами микро- и нанометрового диапазона в качестве матрицы позволяет получать газопоглощающий слой с развитой эффективной поверхностью.

Недостатком способа является значительное количество операций, что снижает, в общем случае, технологичность и универсальность способа применительно к технологиям микросистемной техники. Также недостатком способа является необходимость применения несущей подложки, потребность в специальных решениях по ее креплению в составе микросистемы.

Задача изобретения - предложение нанокомпозитной газопоглощающей структуры с повышенным значением эффективной поверхности и сорбционной емкости, открытой пористостью, в которой отсутствует осыпание микрочастиц.

Предложена нанокомпозитная газопоглощающая структура, включающая кремниевую подложку с обработанным слоем пористого кремния, газопоглощающий слой, отличающаяся тем, что основания стенок пор обработанного пористого кремния служат матрицей для газопоглощающего слоя из активных металлов и их сплавов, с открытой пористостью.

Предложен способ изготовления нанокомпозитной газопоглощающей структуры, включающий формирование газопоглощающего слоя с развитой поверхностью, отличающийся тем, что пористый кремниевый слой частично удаляется, на остатки пористого слоя осаждают активный металл или сплав.

Изобретение позволяет создавать нанокомпозитные газопоглощающие структуры с высоким значением эффективной поверхности и открытой пористостью. Высокое значение эффективной поверхности достигается за счет использования кремниевой пластины с центрами активного роста на поверхности, а также за счет выращивания на центрах роста слоя активного металла или сплава с развитой поверхностью. Открытая пористость структуры обеспечивается механизмом роста металлического слоя на центрах зародышеобразования при электрохимическом осаждении металла. При использовании в качестве исходной структуры пористого кремния с одинаковыми параметрами пористого слоя предложенная структура будет обладать большей поверхностью, так как фрактальная размерность дендритной структуры будет большей по сравнению с фрактальной размерностью прототипа. Преимуществом предложенной нанокомпозитной газопоглощающей структуры по сравнению с прототипом является также то, что процесс создания структуры прототипа чувствителен к отклонению режимов электрохимического осаждения от оптимальных значений, что может приводить к капсулированию мелких пор и, следовательно, к уменьшению открытой поверхности структуры. Закрытие пор и уменьшение открытой пористости приведет к резкому ухудшению диффузии газов вглубь материала.

Предложенная структура и способ ее получения обладают преимуществами по сравнению с газопоглощающими структурами и способами их получения, в которых используются методы спекания порошков. При изготовлении газопоглощающих структур спеканием используются порошки с диаметром частиц 20-100 мкм, в результате чего прессованная газопоглощающая структура обладает гораздо меньшей пористостью, чем предлагаемая нами нанокомпозитная газопоглощающая структура. Предлагаемый нами способ наноструктурирования обеспечивает получение фрактальной пористой структуры дендритного типа, с размером "ветвей" в нанометровом диапазоне.

По сравнению с прототипом /3/, в котором возможна закупорка мелких пор и снижение открытой пористости, сохранение открытой пористости предложенной структуры не зависит от режимов ее получения.

Предложенная нами структура лишена описанных недостатков: структура обладает эффективной поверхностью, сравнимой с прототипом, и открытой пористостью. Структура может быть встраиваема внутрь миниатюрных объемов с применением отработанных в микросистемной технике технологий сборки; получение требуемых конфигураций нанокомпозитной газопоглощающей структуры может осуществляться стандартными технологиями микрообработки.

Предложенный способ создания нанокомпозитной газопоглощающей структуры в отличие от прототипа /4/ содержит меньшее количество технологических операций и позволяет формировать газопоглощающий слой сразу на кремниевой пластине-держателе, которая одновременно может служить конструкционным элементом микроэлектромеханической структуры; позволяет формировать газопоглощающий активный металлический слой с более развитой поверхностью, чем у прототипа.

Нанокомпозитная газопоглощающая структура представлена на фиг.1, где 1 - кремниевая подложка, 3 - центры активного роста; 4 - слой активного металла или сплава.

Способ изготовления нанокомпозитной газопоглощающей структуры представлен на

фиг.2, где 1 - кремниевая подложка;

фиг.3, где 1 - кремниевая подложка, 2 - стенки пор в кремнии;

фиг.4, где 1 - кремниевая подложка, 3 - центры активного роста;

фиг.5, где 1 - кремниевая подложка, 3 - центры активного роста, 4 - слой активного металла или сплава;

фиг.6 - изображение экспериментально полученной поверхности с центрами активного роста;

фиг.7 - изображение экспериментально полученного металлического (медного) слоя дендритного типа с развитой поверхностью.

Электрохимическим анодированием на поверхности кремниевой пластины 1 создается пористый слой 2, после чего пористый слой частично стравливается. Основания стенок обработанного пористого слоя играют роль центров кристаллизации 3, размещенных на поверхности с определенной периодичностью, при последующем осаждении активного металла или сплава 4. Осаждение активного металла или сплава 4 ведется электрохимическим способом, режимы процесса осаждения обеспечивают рост металлического слоя с развитой поверхностью. Газопоглощающая структура может изготавливаться как отдельно от других компонентов микроприбора с последующим встраиванием в корпус, так и быть частью компонентов микроприбора. Применяемые при получении нанокомпозитной газопоглощающей структуры материалы, кремний и металлы (сплавы металлов), совместимы со способами микрообработки и соединения материалов, широко используемыми в микроэлектронике и микросистемной технике.

В получаемой предложенным способом газопоглощающей структуре кремниевая подложка играет как несущую механическую роль, так и роль центров кристаллизации при последующем осаждении металлического слоя. Подготовка поверхности кремниевой подложки, создание и удаление пористого слоя в значительной степени определяют морфологические характеристики осаждаемого металлического слоя. Осажденный активный металл или сплав металлов способен к реакции с газовой средой и выполняет функцию газопоглощения.

Способ получения нанокомпозитной газопоглощающей структуры два ключевых этапа, реализация каждого из которых определяет конечные свойства газопоглотителя. Первый этап - это создание центров роста на поверхности кремниевой подложки путем неполного удаления пористого слоя в водном растворе плавиковой кислоты. Оставшиеся после удаления стенок бугорки на поверхности кремниевой пластины служат центрами зародышеобразования при последующем осаждении металла, плотность центров роста на поверхности определяется свойствами исходной пористой структуры. Задача второго этапа, электрохимического осаждения металла, - реализация режима осаждения, обеспечивающего оптимальный рост дендритного слоя с развитой поверхностью и открытой пористостью. В результате реализации способа формируется нанокомпозитная газопоглощающая структура с высоким значением сорбционной емкости.

Для практической реализации изобретения используются следующие технологические процессы. Для электрохимического травления применяется вертикальный вариант электрохимической ячейки с кремниевым анодом и платиновым катодом, конструктивно выполненным в виде сетки. Используется подложка монокристаллического кремния р-типа ориентации (100) с удельным сопротивлением 10 Ом·см. Раствор электролита включает HF, C2H5OH и H2O. Перед электрохимическим травлением подложка кремния выдерживается в 10%-ном водном растворе HF для снятия естественного поверхностного окисла, после чего промывается в деионизованной воде и устанавливается в электрохимическую ячейку. Через ячейку пропускают постоянный ток, величина которого поддерживается в пределах 0,5%. Травление ведется при отсутствии внешнего освещения. Варьирование технологических режимов позволяет получить пористые слои различной толщины и с различным диаметром пор, и, соответственно, с различной периодичностью размещения центров кристаллизации.

Для создания центров активного роста пористый слой затем частично стравливается сверху в 2%-ном водном растворе NaOH при комнатной температуре до тех пор, пока высота остова межпоровых стенок после травления в среднем составляет 1 мкм. Достижение необходимого рельефа контролируется методами электронной и световой микроскопии.

Формирование газопоглощающего слоя может быть реализовано электролитическим осаждением титана. Осаждение ведется при комнатной температуре из водного раствора оксалата титана (TiC2O4) или тетрахлорида титана (TiCl4), плотности тока 30-50 мА, при этом осуществляется подсветка ультрафиолетом стороны кремниевой пластины, противоположной поверхности осаждения. Осаждение титана ведется при режимах, обеспечивающих получение структуры с развитой поверхностью. После осаждения металлического слоя структура промывается этиловым спиртом и высушивается в вакуумной камере при температуре 200°С в течение 20 мин.

Таким образом, реализация изобретения позволит создавать нанокомпозитную газопоглощающую структуру, обладающую высоким значением эффективной поверхности и открытой пористостью. Развитая поверхность структуры обеспечивается применением кремниевой подложки с высокой плотностью центров активного роста, на которые осаждается слой активного металла или сплава, обладающий развитой поверхностью и открытой пористостью.

Способ создания нанокомпозитной газопоглощающей структуры, в отличие от прототипа /4/, содержит меньшее количество технологических операций и позволяет формировать газопоглошающий слой сразу на кремниевой пластине-держателе, позволяет формировать газопоглощающий активный металлический слой с более развитой поверхностью, чем у прототипа.

Нанокомпозитная газопоглощающая структура обладает высокоразвитой поверхностью, что характеризует, во-первых, ее высокую сорбционную способность и, во-вторых, характеризует эффективность применения в миниатюрных устройствах с ограниченным рабочим объемом, например микроэлектромеханических системах.

Источники информации

1. Патент США №7122100.

2. Патент США №7745014.

3. Патент РФ №2439739 - прототип.

4. Заявка на изобретение №2011135024 от 23.08.2011, решение о выдаче патента РФ от 01.10.2012 - прототип.


НАНОКОМПОЗИТНАЯ ГАЗОПОГЛОЩАЮЩАЯ СТРУКТУРА И СПОСОБ ЕЕ ПОЛУЧЕНИЯ
НАНОКОМПОЗИТНАЯ ГАЗОПОГЛОЩАЮЩАЯ СТРУКТУРА И СПОСОБ ЕЕ ПОЛУЧЕНИЯ
НАНОКОМПОЗИТНАЯ ГАЗОПОГЛОЩАЮЩАЯ СТРУКТУРА И СПОСОБ ЕЕ ПОЛУЧЕНИЯ
НАНОКОМПОЗИТНАЯ ГАЗОПОГЛОЩАЮЩАЯ СТРУКТУРА И СПОСОБ ЕЕ ПОЛУЧЕНИЯ
НАНОКОМПОЗИТНАЯ ГАЗОПОГЛОЩАЮЩАЯ СТРУКТУРА И СПОСОБ ЕЕ ПОЛУЧЕНИЯ
НАНОКОМПОЗИТНАЯ ГАЗОПОГЛОЩАЮЩАЯ СТРУКТУРА И СПОСОБ ЕЕ ПОЛУЧЕНИЯ
НАНОКОМПОЗИТНАЯ ГАЗОПОГЛОЩАЮЩАЯ СТРУКТУРА И СПОСОБ ЕЕ ПОЛУЧЕНИЯ
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 31-38 из 38.
13.01.2017
№217.015.6c8b

Способ изготовления микроэлектронного узла на пластичном основании

Изобретение относится к технологии производства многокристальных модулей, микросборок с внутренним монтажом компонентов. Технический результат - уменьшение трудоемкости изготовления, расширение функциональных возможностей и повышение надежности микроэлектронных узлов. Достигается тем, что в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002597210
Дата охранного документа: 10.09.2016
25.08.2017
№217.015.99c9

Способ получения аморфных пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников с эффектом фазовой памяти

Изобретение относится к способу получения тонких аморфных пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников с эффектом фазовой памяти и может быть использовано в качестве рабочего слоя в устройстве энергонезависимой фазовой памяти для электронной техники. Используют модифицированный...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002609764
Дата охранного документа: 02.02.2017
25.08.2017
№217.015.b6d8

Варикап и способ его изготовления

Изобретение относится к области микроэлектроники и микросистемной техники и представляет собой конденсатор с емкостью, управляемой напряжением, т.е. варикап. Варикап представляет собой гетероструктуру «металл-пористый кремний», где поры пористого кремния заполнены металлом с помощью...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002614663
Дата охранного документа: 28.03.2017
25.08.2017
№217.015.c4e4

Способ изготовления эпитаксиального слоя кремния на диэлектрической подложке

Изобретение относится к области формирования эпитаксиальных слоев кремния на изоляторе. Способ предназначен для изготовления эпитаксиальных слоев монокристаллического кремния n- и p-типа проводимости на диэлектрических подложках из материала с параметрами кристаллической решетки, близкими к...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002618279
Дата охранного документа: 03.05.2017
29.12.2017
№217.015.f120

Электронная система компенсационного акселерометра

Изобретение относится к области измерительной техники, а именно к устройствам для построения электронной системы преобразователя линейных ускорений. Электронная система компенсационного акселерометра содержит дифференциальный емкостный преобразователь, двухфазный генератор переменного тока,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002638919
Дата охранного документа: 18.12.2017
29.12.2017
№217.015.fecb

Способ получения аморфных пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников с эффектом фазовой памяти

Изобретение относится к способу получения тонких пленок, в частности к получению аморфных пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников с эффектом фазовой памяти, и может быть использовано в качестве рабочего слоя в приборах записи информации. Осуществляют нанесение слоя халькогенидного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002631071
Дата охранного документа: 18.09.2017
20.01.2018
№218.016.1bdd

Способ изготовления пластичных радиоэлектронных узлов и межсоединений

Настоящее изобретение относится к приборостроению, а именно к технологии производства пластичных электронных устройств и межсоединений, которые обладают способностью компенсировать большие деформации (растяжение и сжатие), сохраняя при этом функциональное состояние, и способу получения таких...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002636575
Дата охранного документа: 24.11.2017
04.04.2018
№218.016.34c6

Способ изготовления гетероэпитаксиального слоя кремния на диэлектрике

Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к области изготовления гетероэпитаксиальных слоев монокристаллического кремния различного типа проводимости и высокоомных слоев в производстве СВЧ-приборов, фото- и тензочувствительных элементов, различных интегральных схем с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002646070
Дата охранного документа: 01.03.2018
Показаны записи 31-40 из 43.
13.01.2017
№217.015.6c8b

Способ изготовления микроэлектронного узла на пластичном основании

Изобретение относится к технологии производства многокристальных модулей, микросборок с внутренним монтажом компонентов. Технический результат - уменьшение трудоемкости изготовления, расширение функциональных возможностей и повышение надежности микроэлектронных узлов. Достигается тем, что в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002597210
Дата охранного документа: 10.09.2016
25.08.2017
№217.015.99c9

Способ получения аморфных пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников с эффектом фазовой памяти

Изобретение относится к способу получения тонких аморфных пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников с эффектом фазовой памяти и может быть использовано в качестве рабочего слоя в устройстве энергонезависимой фазовой памяти для электронной техники. Используют модифицированный...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002609764
Дата охранного документа: 02.02.2017
25.08.2017
№217.015.b6d8

Варикап и способ его изготовления

Изобретение относится к области микроэлектроники и микросистемной техники и представляет собой конденсатор с емкостью, управляемой напряжением, т.е. варикап. Варикап представляет собой гетероструктуру «металл-пористый кремний», где поры пористого кремния заполнены металлом с помощью...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002614663
Дата охранного документа: 28.03.2017
25.08.2017
№217.015.c4e4

Способ изготовления эпитаксиального слоя кремния на диэлектрической подложке

Изобретение относится к области формирования эпитаксиальных слоев кремния на изоляторе. Способ предназначен для изготовления эпитаксиальных слоев монокристаллического кремния n- и p-типа проводимости на диэлектрических подложках из материала с параметрами кристаллической решетки, близкими к...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002618279
Дата охранного документа: 03.05.2017
29.12.2017
№217.015.f120

Электронная система компенсационного акселерометра

Изобретение относится к области измерительной техники, а именно к устройствам для построения электронной системы преобразователя линейных ускорений. Электронная система компенсационного акселерометра содержит дифференциальный емкостный преобразователь, двухфазный генератор переменного тока,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002638919
Дата охранного документа: 18.12.2017
29.12.2017
№217.015.fecb

Способ получения аморфных пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников с эффектом фазовой памяти

Изобретение относится к способу получения тонких пленок, в частности к получению аморфных пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников с эффектом фазовой памяти, и может быть использовано в качестве рабочего слоя в приборах записи информации. Осуществляют нанесение слоя халькогенидного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002631071
Дата охранного документа: 18.09.2017
20.01.2018
№218.016.1bdd

Способ изготовления пластичных радиоэлектронных узлов и межсоединений

Настоящее изобретение относится к приборостроению, а именно к технологии производства пластичных электронных устройств и межсоединений, которые обладают способностью компенсировать большие деформации (растяжение и сжатие), сохраняя при этом функциональное состояние, и способу получения таких...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002636575
Дата охранного документа: 24.11.2017
04.04.2018
№218.016.34c6

Способ изготовления гетероэпитаксиального слоя кремния на диэлектрике

Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к области изготовления гетероэпитаксиальных слоев монокристаллического кремния различного типа проводимости и высокоомных слоев в производстве СВЧ-приборов, фото- и тензочувствительных элементов, различных интегральных схем с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002646070
Дата охранного документа: 01.03.2018
29.05.2018
№218.016.5692

Способ повышения плотности тока и деградационной стойкости автоэмиссионных катодов на кремниевых пластинах

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении изделий светоиндикаторной техники и эмиссионной электроники на основе автоэлектронной эмиссии матрицы многоострийных углеродных эмиттеров на пластинах монокристаллического кремния. Изготовление...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002654522
Дата охранного документа: 21.05.2018
10.04.2019
№219.017.088b

Нанокомпозитная газопоглощающая структура

Предложенное изобретение относится к вакуумной технике и представляет собой газопоглощающий материал в виде нанокомпозитной газопоглощающей структуры для поддержания вакуума в различных приборах, в том числе и в микроэлектромеханических системах. Нанокомпозитная газопоглощающая структура...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002439739
Дата охранного документа: 10.01.2012
+ добавить свой РИД