×
27.04.2014
216.012.bd42

Результат интеллектуальной деятельности: ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЙ СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ САМАРИЯ

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к области аналитической химии, а именно к люминесцентному способу определения самария. Способ включает перевод его в люминесцирующее соединение с органическим реагентом. В качестве органического реагента используют дифениловый эфир сульфосалициловой кислоты и приливают катионное поверхностно-активное вещество цетилпиридиний бромистый при следующем соотношении компонентов: Sm:ДЭСК:ПАВ=1:2:14 при рН=6,4. Изобретение позволяет повысить точность, чувствительность и селективность анализа. 1 пр.
Основные результаты: Люминесцентный способ определения самария, включающий перевод его в люминесцирующее соединение с органическим реагентом, отличающийся тем, что в качестве органического реагента используют дифениловый эфир сульфосалициловой кислоты и приливают катионное поверхностно-активное вещество цетилпиридиний бромистый при следующем соотношении компонентов: Sm: ДЭСК: ПАВ=1:2:14 при рН=6,4.

Изобретение относится к области аналитической химии, а именно к способам люминесцентного определения самария и может быть использовано для определения следовых количеств самария при анализе высокочистых смесей d-элементов, молибденового концентрата и в природных водах.

Известны способы люминесцентного определения самария в комплексе с органическими реагентами - с β-кетонами, карбоновыми кислотами [Н.С.Полуэктов, Л.И.Кононенко, Н.П.Ефрюшина, С.В.Бельтюкова. Спектрофотометрические и люминесцентные методы определения лантанидов. - Киев: Наукова думка, 1989. -С.100-106].

Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату является способ люминесцентного определения самария, заключающийся в том, что самарий образует люминесцирующий комплекс с метиловым эфиром S-(4-броманилидом) сульфосалициловой кислоты (МЭБСК) в присутствии ПАВ (хлорида децилпиридиния) и позволяет определить самарий с чувствительностью 10-4-10-7%. [Патент РФ №2186029. Люминесцентный способ определения самария. Ульбашева Р.Д., Алакаева Л.А., Науржанова Ф.Х., Эльчапарова С.А., Гурдалиев Х.Х.]

Недостатками этого метода являются недостаточная чувствительность и селективность.

Задача изобретения - снижение предела обнаружения, повышение чувствительности, воспроизводимости и селективности люминесцентного способа определения самария.

Результат достигается тем, что в качестве органического реагента (R) используют дифениловый эфир сульфосалициловой кислоты (ДЭСК), с которым самарий дает слабое свечение при облучении ультрафиолетовым светом ртутной лампы -СВД-120А. С целью снижения предела обнаружения, повышения избирательности, устойчивости комплексного соединения самария с ДЭСК во время стояния и облучения вводят поверхностно-активное вещество (ПАВ) цетилпиридиний бромистый (ЦПБ) в соотношениях Sm:R:ПАВ=1:2:14. Максимальное свечение малинового цвета растворов комплексов самария с ДЭСК в мицеллярной среде (ЦПБ) при облучении ультрафиолетовым светом ртутной лампы СВД-120А наблюдается при длине волны λ=647 нм в области рН=6,4±0,15 через 20 мин после сливания всех реагентов и остается устойчивым более суток. При постоянном облучении раствора комплекса самария УФ-светом наблюдается медленное снижение интенсивности люминесценции. Поэтому анализируемые растворы комплексов Sm с ДЭСК в мицеллярной среде следует облучать только один раз.

Мицеллярная среда способствует повышению избирательности аналитических определений за счет эффекта селективной солюбилизации, повышение растворимости флуорофоров позволяет увеличить число люминесцирующих соединений, определяемых люминесцентным методом. Защитное действие мицелл по отношению ко многим тушителям, молекулам растворителя, увеличение вязкости среды и «жесткости» молекул люминофоров приводит к подавлению безизлучательных процессов, вызывающих тушении люминесценции [Штыков С.П., Горячева И.Ю. //Опт. и спектр. - 1997. - Т. 83. - №4. - С.698-703].

Перечисленные факторы способствуют повышению устойчивости, точности и воспроизводимости, расширяют интервал линейности градуировочного графика, позволяют многократно использовать мицеллярный раствор для люминесцентного определения самария предложенным способом; также отсутствует влияние d-элементов на интенсивность люминесценции иона самария в комплексе с ДЭСК в мицеллярной среде.

Пример. Определение самария в молибденовых концентратах.

Для получения растворов хлоридов лантанидов их оксиды предварительно прокаливают в течение одного часа в муфельной печи при температуре 650-700°С и охлаждают в эксикаторе. Навеску оксидов лантанидов, по расчетам концентрации 1·10-2 М, обрабатывают концентрированной соляной кислотой НСl и перекисью водорода Н2О2 , а затем раствор выпаривают. Сухой остаток растворяют в дистиллированной воде. Растворы с меньшей концентрацией РЗЭ готовят соответствующим разбавлением. Концентрацию стандартного раствора хлорида самария контролируют комплексонометрическим методом. Титрование производят в присутствии уротропина, в качестве индикатора использовали арсеназо I. При определении содержания ионов самария в молибденовом концентрате на рабочих приборах ширина щели подбирается небольшой и одинаковой при работе со стандартными образцами и анализируемыми растворами.

Раствор ДЭСК концентрации 10-4-10-5 М готовят соответствующим разбавлением более концентрированного этанольного раствора.

Раствор цетилпиридиния бромистого 10-2 М готовят растворением его навески в дистиллированной воде. Раствор меньшей концентрации готовили соответствующим разбавлением. Кислотность среды создавали добавлением разбавленных водных растворов NH4OH и НСl до достижения рН=6,4±0,15. Измерение рН растворов проводят с помощью универсального иономера ЭВ-74 со стеклянными электродами, прокалиброванными по стандартным буферным растворам.

Для определения самария в молибденовом концентрате применяли метод добавок.

Люминесценцию возбуждают ультрафиолетовым светом ртутной лампы СВД-120А, находящейся в осветителе ОИ-18А, снабженном кварцевым конденсором и светофильтром УФС-1,2. Интенсивность люминесценции комплексов регистрировали при λ=647 нм. По величине пиков люминесценции растворов пробы и пробы с добавками рассчитывали содержание самария в анализируемом образце. Приемником служил фотоумножитель ФЭУ-79. Для регистрации спектров люминесценции использовалась люминесцентная установка, снабженная спектрометром ДФС-24 с самописцем КСП-4. Предложенный способ позволяет определять Sm в молибденовом концентрате, в природных водах с пределом обнаружения n·10-13-n·10-14 г/мл Sm, минуя методы концентрирования. По сравнению с известным методом он позволяет определять Sm, Tb, Dy и Eu при совместном их присутствии в анализируемых объектах в индивидуальных оптимальных условиях комплексообразования (λSm=647 нм, рН=6,4±0,15, состав Sm:ДЭСК:ЦПБ=1:2:14; при CSm=0,5 мл 1·10-3 М, CR=1,5 мл 1·10-3 М ДЭСК, СПАВ =1,5-10-2 М ЦПБ, V=10 мл, tст - сутки; при постоянном облучении наблюдается медленное снижение интенсивности люминесценции IЛ раствора Sm с ДЭСК и ПАВ; это означает, что при измерении Iл раствор можно облучать УФ-светом только один раз).

Люминесцентный способ определения самария, включающий перевод его в люминесцирующее соединение с органическим реагентом, отличающийся тем, что в качестве органического реагента используют дифениловый эфир сульфосалициловой кислоты и приливают катионное поверхностно-активное вещество цетилпиридиний бромистый при следующем соотношении компонентов: Sm: ДЭСК: ПАВ=1:2:14 при рН=6,4.
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 31-32 из 32.
10.11.2015
№216.013.8ab7

Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов. В способе изготовления полупроводникового прибора формируют активные области полупроводникового прибора и пленку диоксида кремния, наносят слой молибденовой пленки толщиной 400 нм, затем структуру обрабатывают ионами...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002567118
Дата охранного документа: 10.11.2015
20.12.2015
№216.013.9b97

Способ изготовления тонкопленочного транзистора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления тонкопленочных транзисторов с низким значением тока утечки. Согласно изобретению предложен способ изготовления тонкопленочных транзисторов, включающий процессы формирования...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002571456
Дата охранного документа: 20.12.2015
Показаны записи 31-36 из 36.
20.01.2015
№216.013.1fd3

Полимерная композиция

Настоящее изобретение относится к полиэфирным композиционным материалам. Описана полимерная композиция, используемая в качестве конструкционного материала, на основе полибутилентерефталат-политетраметиленоксидного блок-сополимера состава полибутилентерефталата 70% масс. и политетраметиленоксида...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002539588
Дата охранного документа: 20.01.2015
27.01.2015
№216.013.2095

Способ изготовления полупроводниковой структуры

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур с пониженной плотностью дефектов. Задача решается путем обработки структур кремний на сапфире с эпитаксиальным слоем кремния ионами водорода в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002539789
Дата охранного документа: 27.01.2015
20.07.2015
№216.013.6282

Способ изготовления полупроводниковой структуры

Использование: для производства полупроводниковых приборов, в частности в технологии изготовления биполярных транзисторов с низкой плотностью дефектов. Сущность изобретения заключается в том, что способ изготовления полупроводникового прибора включает нанесение эпитаксиального слоя,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002556765
Дата охранного документа: 20.07.2015
10.11.2015
№216.013.8ab6

Способ отжига полупроводниковых структур

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии отжига полупроводниковых структур. Изобретение обеспечивает снижение токов утечек в полупроводниковых структурах, обеспечивающее технологичность, улучшение параметров структур,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002567117
Дата охранного документа: 10.11.2015
10.11.2015
№216.013.8ab7

Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов. В способе изготовления полупроводникового прибора формируют активные области полупроводникового прибора и пленку диоксида кремния, наносят слой молибденовой пленки толщиной 400 нм, затем структуру обрабатывают ионами...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002567118
Дата охранного документа: 10.11.2015
20.12.2015
№216.013.9b97

Способ изготовления тонкопленочного транзистора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления тонкопленочных транзисторов с низким значением тока утечки. Согласно изобретению предложен способ изготовления тонкопленочных транзисторов, включающий процессы формирования...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002571456
Дата охранного документа: 20.12.2015
+ добавить свой РИД