×
20.04.2014
216.012.bb9d

Результат интеллектуальной деятельности: ГАЛОГЕНСОДЕРЖАЩИЕ АРОМАТИЧЕСКИЕ ПОЛИЭФИРЫ

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Настоящее изобретение относится к высокомолекулярным соединениям, в частности к галогенсодержащим ароматическим полиэфирам. Описаны галогенсодержащие ароматические полиэфиры общей формулы n=30-100. Технический результат - полиэфиры с повышенными термическими и механическими характеристиками, а также огнестойкостью, выдерживающие действия различных внешних условий. 4 пр.
Основные результаты: Галогенсодержащие ароматические полиэфиры формулы где R= n=30-100.

Изобретение относится к высокомолекулярным соединениям, в частности к ненасыщенным галогенсодержащим ароматическим полиэфирам, которые могут быть использованы в качестве конструкционных и пленочных материалов с повышенными эксплуатационными характеристиками.

Известны ароматические полиэфиры на основе различных мономеров, содержащих дихлорэтиленовую группу в качестве основного или кислотного компонента [1. Микитаев А.К., Шустов Г.Б., Хараев A.M. Синтез и некоторые свойства блок-сополисульфонарилатов. //Высокомол. соед., 1984, 1А, Т.26. - С.75-78.

2. Хараев A.M., Кехарсаева Э.Р., Микитаев A.M. Свойства ароматических ненасыщенных полиэфиров на основе дихлорангидрида 1,1-дихлор 2,2-ди(4-карбоксифенил)этилена. Пластические массы. - 1985 г., №7, - с.22.

3. A.K. Mikitaev, A.M. Charaev, G.B. Sustov. Ungesattigte aromatische Polyester auf der Basis von Chloralderivaten als Konstruktions- und Folienwerkstoff. //Acta Polymerica. 39 (1988) Nr.5. S.228-236].

Более близкими к предполагаемым по структуре и свойствам являются ароматические блок-сополиэфиры на основе диановых и фенолфталеиновых олигомеров и дихлорангидрида 1,1-дихлор-2,2-ди(4-карбоксифенил)этилена [Хараев A.M., Кехарсаева Э.Р. Синтез и свойства хлорсодержащих сополиарилатов. Пластические массы. - 1990 г., №1, - с.21-23].

Однако полимеры на их основе обладают недостаточно высокими физико-химическими свойствами.

Задачей изобретения является создание полиэфиров с повышенными термическими и механическими характеристиками, а также огнестойкостью, выдерживающих действия различных внешних условий.

Задача решается получением новых галогенсодержащих ненасыщенных ароматических полиэфиров общей формулы

n=30-100

взаимодействием мономера структуры (I) [Патент №2413713 (РФ). Бажева Р.Ч., Хараев A.M., Хараева Р.А. и др. Мономер для поликонденсации. Опубл. 10.03.2011. Бюл. №7].

с дихлорангидридами различных кислот или 1,1-дихлор-2,2-ди(4-хлорфенил)этиленом.

Пример 1. Синтез полиэфира на основе дихлорангидрида 1,1-дихлор-2,2-ди(4-карбоксифенил)этилена.

В двухгорлую коническую колбу емкостью 250 мл, снабженную механической мешалкой, загружают 14,4662 г (0,01 моль) мономера (I) с молекулярной массой 1446,6239 и 100 мл 1,2-дихлорэтана. После образования гомогенного раствора добавляют 2,82 мл (0,02 моль) триэтиламина и при перемешивании в реакционную колбу вносят 3,7405 г (0,01 моль) дихлорангидрида 1,1-дихлор-2,2-ди(4-карбоксифенил)этилена. Реакцию проводят при температуре 20-25°C в течение 1 часа. Реакционную массу разбавляют 100 мл 1,2-дихлорэтана и осаждают в изопропаноле. Выпавший осадок отфильтровывают и промывают дистиллированной водой до полного удаления ионов хлора и сушат до постоянной массы.

Пример 2. Синтез полиэфира на основе дихлорангидрида терефталевой кислоты.

В двухгорлую коническую колбу емкостью 250 мл, снабженную механической мешалкой, загружают 14,4662 г (0,01 моль) мономера (I) с молекулярной массой 1446,6239 и 100 мл 1,2-дихлорэтана. После образования гомогенного раствора добавляют 2,82 мл (0,02 моль) триэтиламина и при перемешивании в реакционную колбу вносят 2,0303 г (0,01 моль) дихлорангидрида терефталевой кислоты. Реакцию проводят при температуре 20-25°C в течение 1 часа. Реакционную массу разбавляют 100 мл 1,2-дихлорэтана и осаждают в изопропаноле. Выпавший осадок отфильтровывают и промывают дистиллированной водой до полного удаления ионов хлора и сушат до постоянной массы.

Пример 3. Синтез полиэфира на основе дихлорангидрида изофталевой кислоты.

В двухгорлую коническую колбу емкостью 250 мл, снабженную механической мешалкой, загружают 14,4662 г (0,01 моль) мономера (I) с молекулярной массой 1446,6239 и 100 мл 1,2-дихлорэтана. После образования гомогенного раствора добавляют 2,82 мл (0,02 моль) триэтиламина и при перемешивании в реакционную колбу вносят 2,0303 г (0,01 моль) дихлорангидрида изофталевой кислоты. Реакцию проводят при температуре 20-25°C в течение 1 часа. Реакционную массу разбавляют 100 мл 1,2-дихлорэтана и осаждают в изопропаноле. Выпавший осадок отфильтровывают и промывают дистиллированной водой до полного удаления ионов хлора и сушат до постоянной массы.

Пример 4. Синтез полиэфира на основе 1,1-дихлор-2,2-ди(4-хлорфенил)этилена.

В трехгорлую коническую колбу емкостью 250 мл, снабженную механической мешалкой, ловушкой Дина-Старка, обратным холодильником, барбатером для подачи инертного газа, загружают 14,4662 г (0,01 моль) мономера (I) с молекулярной массой 1446,6239, 50 мл диметилсульфоксида, 50 мл толуола и 2,04 мл 9,8 н. раствора NaOH. Температуру реакционной массой поднимают до 140°C и синтез проводят под током инертного газа (азотом или аргоном) до полного удаления следов воды. После отгонки азеотропной смеси толуол:вода реакционную массу охлаждают до 70-80°C, добавляют 3,1803 (0,01 моль) 1,1-дихлор-2,2-ди(4-хлорфенил)этилена. Реакцию проводят при температуре 170-180°C в течение 6 часов.

Реакционную массу разбавляют 150 мл диметилсульфоксида и осаждают в дистиллированную воду. Выпавший осадок отфильтровывают и промывают дистиллированной водой до полного удаления ионов хлора и сушат до постоянной массы.

Полимеры получаются с количественным выходом (95-98%), хорошо растворимы в хлорированных органических растворителях.

Некоторые свойства полиэфиров приведены ниже:

Полиэфиры η, дл/г Tc, °C Ттек, °C σp, МПа εp, % КИ, % ТГА, °C
2% 50%
Пример 1 0,91 260 376 97 9 56 385 537
Пример 2 0,90 273 - 94 8 51 394 550
Пример 3 0,78 215 334 73 13 50 369 504
Пример 4 0,70 221 358 81 18 54 405 510

Технический результат изобретения заключается в получении галогенсодержащих ароматических полиэфиров, обладающих высокими значениями кислородного индекса (высокой огнестойкостью), высокими механическими и термическими свойствами.

Галогенсодержащие ароматические полиэфиры формулы где R= n=30-100.
ГАЛОГЕНСОДЕРЖАЩИЕ АРОМАТИЧЕСКИЕ ПОЛИЭФИРЫ
ГАЛОГЕНСОДЕРЖАЩИЕ АРОМАТИЧЕСКИЕ ПОЛИЭФИРЫ
ГАЛОГЕНСОДЕРЖАЩИЕ АРОМАТИЧЕСКИЕ ПОЛИЭФИРЫ
ГАЛОГЕНСОДЕРЖАЩИЕ АРОМАТИЧЕСКИЕ ПОЛИЭФИРЫ
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 81-87 из 87.
25.08.2017
№217.015.d0c6

Ароматические блок-сополиэфиры

Настоящее изобретение относится к ароматическим блок–сополиэфирам. Описаны ароматические блок-сополиэфиры формулы: где n=1-20; m=2-50; z=2-30. Технический результат – получение ароматических блок-сополиэфиров, обладающих высокими показателями физико-механических характеристик, тепло- и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002621355
Дата охранного документа: 02.06.2017
20.11.2017
№217.015.ef78

Огнестойкие блок-сополиэфирсульфонкарбонаты

Настоящее изобретение относится к ароматическим блок-сополиэфирам, которые могут быть использованы в качестве конструкционных и пленочных материалов. Описаны огнестойкие блок-сополиэфирсульфонкарбонаты формулы: где n=1-20; z=3-40; X=Н или Br. Технический результат – получение...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002629191
Дата охранного документа: 25.08.2017
20.11.2017
№217.015.ef88

Электроизоляционный материал

Изобретение относится к кабельной технике, а именно к полимерным композициям на основе пластифицированного поливинилхлорида (ПВХ) с пониженной горючестью, выделением дыма и хлористого водорода при горении, предназначенным для изоляции внутренних и наружных оболочек проводов и кабелей,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002629175
Дата охранного документа: 25.08.2017
19.01.2018
№218.016.0123

Огнестойкие блок-сополиэфиркетонкарбонаты

Настоящее изобретение относится к ароматическим блок-сополиэфирам, которые могут быть использованы в качестве конструкционных и пленочных материалов. Описаны огнестойкие блок-сополиэфиркетонкарбонаты формулы:
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002629749
Дата охранного документа: 01.09.2017
17.02.2018
№218.016.2a36

Галогенсодержащие блок-сополиэфиркетонсульфоны

Настоящее изобретение относится к галогенсодержащим блок-сополиэфиркетонсульфонам формулы:
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002643033
Дата охранного документа: 30.01.2018
17.02.2018
№218.016.2a6d

Галогенсодержащие ароматические блок-сополиэфиркарбонаты

Настоящее изобретение относится к галогенсодержащим ароматическим блок-сополиэфиркарбонатам общей формулы:
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002643031
Дата охранного документа: 30.01.2018
04.04.2018
№218.016.3278

Ароматические полиэфиры

Настоящее изобретение относится к ароматическим полиэфирам формулы:
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002645333
Дата охранного документа: 21.02.2018
Показаны записи 31-36 из 36.
20.01.2015
№216.013.1fd3

Полимерная композиция

Настоящее изобретение относится к полиэфирным композиционным материалам. Описана полимерная композиция, используемая в качестве конструкционного материала, на основе полибутилентерефталат-политетраметиленоксидного блок-сополимера состава полибутилентерефталата 70% масс. и политетраметиленоксида...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002539588
Дата охранного документа: 20.01.2015
27.01.2015
№216.013.2095

Способ изготовления полупроводниковой структуры

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур с пониженной плотностью дефектов. Задача решается путем обработки структур кремний на сапфире с эпитаксиальным слоем кремния ионами водорода в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002539789
Дата охранного документа: 27.01.2015
20.07.2015
№216.013.6282

Способ изготовления полупроводниковой структуры

Использование: для производства полупроводниковых приборов, в частности в технологии изготовления биполярных транзисторов с низкой плотностью дефектов. Сущность изобретения заключается в том, что способ изготовления полупроводникового прибора включает нанесение эпитаксиального слоя,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002556765
Дата охранного документа: 20.07.2015
10.11.2015
№216.013.8ab6

Способ отжига полупроводниковых структур

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии отжига полупроводниковых структур. Изобретение обеспечивает снижение токов утечек в полупроводниковых структурах, обеспечивающее технологичность, улучшение параметров структур,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002567117
Дата охранного документа: 10.11.2015
10.11.2015
№216.013.8ab7

Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов. В способе изготовления полупроводникового прибора формируют активные области полупроводникового прибора и пленку диоксида кремния, наносят слой молибденовой пленки толщиной 400 нм, затем структуру обрабатывают ионами...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002567118
Дата охранного документа: 10.11.2015
20.12.2015
№216.013.9b97

Способ изготовления тонкопленочного транзистора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления тонкопленочных транзисторов с низким значением тока утечки. Согласно изобретению предложен способ изготовления тонкопленочных транзисторов, включающий процессы формирования...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002571456
Дата охранного документа: 20.12.2015
+ добавить свой РИД