×
27.01.2014
216.012.9ca6

Результат интеллектуальной деятельности: ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЙ СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ДИСПРОЗИЯ

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к области аналитической химии и может быть использовано для определения следовых количеств диспрозия при анализе смеси оксидов РЗЭ и природных вод. Люминесцентный способ определения диспрозия включает перевод его в люминесцирующее комплексное соединение с органическим реагентом, в качестве которого используют 1,2-диоксибензол-3,5-дисульфокислоту, и добавление в люминесцирующее комплексное соединение этилендиаминтетрауксусной кислоты при следующем соотношении компонентов: Dy:ДБСК:ЭДТА=1:1:1 с последующим созданием рН 12-13. Достигается повышение чувствительности, селективности и точности анализа. 1 пр.
Основные результаты: Люминесцентный способ определения диспрозия, включающий перевод его в люминесцирующее комплексное соединение с органическим реагентом, в качестве которого используют 1,2-диоксибензол-3,5-дисульфокислоту, и добавление в люминесцирующее комплексное соединение этилендиаминтетрауксусной кислоты, при следующем соотношении компонентов: Dy:ДБСК:ЭДТА=1:1:1 с последующим созданием рН=12-13.

Изобретение относится к области аналитической химии - к способам люминесцентного определения диспрозия и может быть использовано для определения следовых количеств диспрозия при анализе смеси оксидов редкоземельных элементов (РЗЭ) и природных вод.

Известен способом люминесцентного определения диспрозия в комплексе с органическими реагентами - с налидисовой (1-этил-7-метил-4-ОН-1,8-нафтизидин-3-карбоновой) кислотой, с L,α-метил-β-(3,4-диоксифенил) аланином, в комплексах с производными пирозалона [Полуэктов Н.С., Кононенко Л.И., Ефрюшина Н.П., Бельтюкова С.В. Спектрофотометрические и люминесцентные методы определения лантанидов. - Киев: Наукова думка, 1989. - С.120].

Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату является способ люминесцентного определения диспрозия в комплексе с имидазол-4,5-дикарбоновой кислотой, который образуется при рН=9 и позволяет определять диспрозий с пределом обнаружения n·10-3%. [Кравченко Т.Б., Бельтюкова С.В., Полуэктов Н.С., Кононенко Л.И., Иванов Э.И. // Украинский химический журнал. - 1985. - т.51. - №1. - с.66-68].

Недостатком этого способа определения диспрозия является тушение люминесценции диспрозия в присутствии РЗЭ с недостроенной 4f-оболочкой, недостаточная чувствительность, селективность и устойчивость во времени стояния и облучения.

Задачей изобретения является определение диспрозия на фоне других РЗЭ, при отсутствии влияния других РЗЭ с недостроенной 4f-оболочкой и природных водах, снижение предела обнаружения, повышение устойчивости растворов комплекса диспрозия во времени стояния и облучения.

Задача решается тем, что в раствор люминесцирующего комплексного соединения диспрозия с органическим реагентом (R)-1,2-ди-оксибензол-3,5-дисульфокислота (ДБСК) используемый в качестве комплексообразователя приливают раствор этилендиаминтетрауксусной кислоты (ЭДТА) в соотношении Dy:ДБСК:ЭДТА=1:1:1, затем 10%-ным раствором КОН создают рН=12-13.

Получаемое соединение диспрозия с органическим реагентом ДБСК в присутствии ЭДТА при облучении ультрафиолетовым светом ртутной лампы СВД-120А дает интенсивную люминесценцию желто-оранжевого цвета, устойчивую во время стояния и облучения при длине волны λDy=572 нм.

Раствор комплекса диспрозия с ДБСК в присутствии ЭДТА способствует повышению селективности аналитических определений за счет присоединения одной молекулы ЭДТА. В растворах комплексов отсутствует влияние РЗЭ с недостроенной 4f-оболочкой на люминесцирующий ион, что связано с нахождением в молекуле комплекса всего одного иона металла и отсутствием полимеризации. Указанное влияние ЭДТА на комплекс диспрозия способствует повышению чувствительности, воспроизводимости и позволяет проводить определение диспрозия по калибровочному графику и методом сравнения со стандартными растворами (образцами).

Пример. Определение диспрозия в смеси оксидов РЗЭ и природных водах.

Для приготовления растворов хлоридов лантанидов их оксиды предварительно прокаливают в течение одного часа в муфельной печи при температуре 650-700°С и охлаждают в эксикаторе. Навеску оксидов лантанидов, по расчетам концентрации 1·10-2 М, обрабатывают соляной кислотой и H2O2, а затем раствор выпаривают. Сухой остаток растворяют в дистиллированной воде. Растворы с меньшей концентрацией РЗЭ готовят соответствующим разбавлением. Концентрацию стандартного раствора хлорида диспрозия контролируют комплексоно-метрическим методом. Титрование производят в присутствии уротропина, в качестве индикатора используется арсеназо I. При определении содержания ионов диспрозия в оксидах РЗЭ на рабочих приборах ширина щели подбирается небольшой и одинаковой при работе со стандартными образцами и анализируемыми растворами.

Раствор ДБСК концентрации 10-4 М готовят соответствующим разбавлением более концентрированного водного раствора.

Раствор ЭДТА концентрации 10-4 М готовят растворением ее натриевой соли в дистиллированной воде. Соответствующим разбавлением готовят раствор меньшей концентрации. Кислотность среды создают 10%-ым раствора КОН до рН=(12-13)±0,1. Измерение рН растворов проводят с помощью универсального иономера ЭВ-74 со стеклянными электродами, прокалиброванными по стандартным буферным растворам. Для определения диспрозия в оксидах РЗЭ используется калибровочный график и метод добавок.

Люминесценцию возбуждают ультрафиолетовым светом ртутной лампы СВД-120А, находящейся в осветителе ОИ-18А, снабженном кварцевым конденсором и светофильтром УФС-1,2. Для регистрации спектров люминесценции использована люминесцентная установка, снабженная спектрометром ДФС-24 с самописцем КСП-4. Интенсивность люминесценции комплексов регистрировали при λ=572 нм. По величине пиков люминесценции растворов пробы и пробы с добавками рассчитывается содержание диспрозия в анализируемом образце. Приемником служит фотоумножитель ФЭУ-79.

Технический результат: предложенный способ позволяет определять диспрозий в смеси оксидов РЗЭ, природных водах с пределом обнаружения n·10-10 г/мл, минуя методы концентрирования. По сравнению с известным методом в нем отсутствует влияние других РЗЭ и d-элементов на интенсивность люминесценции диспрозия в комплексе с ДБСК и ЭДТА при определении его в различных объектах (λ=572 нм; рН=(12-13)±0,1; состав Dy: ДБСК: ДЭСК=1:1:1, при CDy=0,5 мл 1·10-4 М, СДБСКЭДТА=1 мл 1·10-4 М; tст=1,5 часа; растворы комплексов устойчивы в течение tобл.=10 мин).

Люминесцентный способ определения диспрозия, включающий перевод его в люминесцирующее комплексное соединение с органическим реагентом, в качестве которого используют 1,2-диоксибензол-3,5-дисульфокислоту, и добавление в люминесцирующее комплексное соединение этилендиаминтетрауксусной кислоты, при следующем соотношении компонентов: Dy:ДБСК:ЭДТА=1:1:1 с последующим созданием рН=12-13.
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 31-32 из 32.
10.11.2015
№216.013.8ab7

Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов. В способе изготовления полупроводникового прибора формируют активные области полупроводникового прибора и пленку диоксида кремния, наносят слой молибденовой пленки толщиной 400 нм, затем структуру обрабатывают ионами...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002567118
Дата охранного документа: 10.11.2015
20.12.2015
№216.013.9b97

Способ изготовления тонкопленочного транзистора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления тонкопленочных транзисторов с низким значением тока утечки. Согласно изобретению предложен способ изготовления тонкопленочных транзисторов, включающий процессы формирования...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002571456
Дата охранного документа: 20.12.2015
Показаны записи 31-36 из 36.
20.01.2015
№216.013.1fd3

Полимерная композиция

Настоящее изобретение относится к полиэфирным композиционным материалам. Описана полимерная композиция, используемая в качестве конструкционного материала, на основе полибутилентерефталат-политетраметиленоксидного блок-сополимера состава полибутилентерефталата 70% масс. и политетраметиленоксида...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002539588
Дата охранного документа: 20.01.2015
27.01.2015
№216.013.2095

Способ изготовления полупроводниковой структуры

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур с пониженной плотностью дефектов. Задача решается путем обработки структур кремний на сапфире с эпитаксиальным слоем кремния ионами водорода в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002539789
Дата охранного документа: 27.01.2015
20.07.2015
№216.013.6282

Способ изготовления полупроводниковой структуры

Использование: для производства полупроводниковых приборов, в частности в технологии изготовления биполярных транзисторов с низкой плотностью дефектов. Сущность изобретения заключается в том, что способ изготовления полупроводникового прибора включает нанесение эпитаксиального слоя,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002556765
Дата охранного документа: 20.07.2015
10.11.2015
№216.013.8ab6

Способ отжига полупроводниковых структур

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии отжига полупроводниковых структур. Изобретение обеспечивает снижение токов утечек в полупроводниковых структурах, обеспечивающее технологичность, улучшение параметров структур,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002567117
Дата охранного документа: 10.11.2015
10.11.2015
№216.013.8ab7

Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов. В способе изготовления полупроводникового прибора формируют активные области полупроводникового прибора и пленку диоксида кремния, наносят слой молибденовой пленки толщиной 400 нм, затем структуру обрабатывают ионами...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002567118
Дата охранного документа: 10.11.2015
20.12.2015
№216.013.9b97

Способ изготовления тонкопленочного транзистора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления тонкопленочных транзисторов с низким значением тока утечки. Согласно изобретению предложен способ изготовления тонкопленочных транзисторов, включающий процессы формирования...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002571456
Дата охранного документа: 20.12.2015
+ добавить свой РИД