×
20.01.2014
216.012.97f5

Результат интеллектуальной деятельности: СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЛЮМИНОФОРА В ВИДЕ АМОРФНОЙ ПЛЕНКИ ДИОКСИДА КРЕМНИЯ С ИОНАМИ СЕЛЕНА НА КРЕМНИЕВОЙ ПОДЛОЖКЕ

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение к способу получения люминофора в виде аморфной пленки диоксида кремния с ионами селена, расположенной на кремниевой подложке. Способ включает имплантацию ионов селена с энергией ионов 300±30 кэВ при флюенсе 4÷6·10 ион/см в указанную пленку и первый отжиг при температуре 900÷1000°C в течение 1÷1,5 часов в атмосфере сухого азота. При этом пленку дополнительно отжигают при температуре 500÷650°C в течение 1,5÷2,5 часов в воздушной атмосфере. Технический результат - повышение стабильности спектра фотолюминесценции люминофора, обладающего люминесцентным излучением в видимом диапазоне 380÷760 нм. 1 ил., 1 табл., 3 пр.
Основные результаты: Способ получения люминофора в виде аморфной пленки диоксида кремния с ионами селена на кремниевой подложке, включающий внедрение в указанную пленку ионов селена ионной имплантацией с энергией ионов 300±30 кэВ при флюенсе 4÷6·10 ион/см с первым отжигом при температуре 900÷1000°C в течение 1÷1,5 ч в атмосфере сухого азота, отличающийся тем, что упомянутую пленку дополнительно отжигают при температуре 500÷650°C в течение 1,5÷2,5 ч в воздушной атмосфере.

Изобретение характеризует способ получения люминофора в виде аморфной пленки диоксида кремния с ионами селена, расположенной на кремниевой подложке, и сам полученный люминофор. Люминофор может быть использован при создании нового поколения приборов микро-, оптоэлектроники и фотоники, совместимых с устройствами и элементами на основе кремния, в частности, для использования в системах и устройствах передачи, преобразования и детектирования сигналов малой мощности.

Прототипом предложенного способа является способ получения люминофора в виде аморфной пленки диоксида кремния на кремниевой подложке путем внедрения в указанную пленку ионов селена ионной имплантацией с энергией ионов 300±30 кэВ при флюенсе 4÷6·1016 ион/см2 с последующим отжигом при температуре 900÷4000°C в течение 1÷1,5 часов в атмосфере сухого азота [Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып.4, стр.467-470].

В люминофоре, полученном способом-прототипом, имеются излучательные кислородно-дефицитные ODC-центры, которые нестабильны во времени, вызывают эффект старения полученного люминофора - приводят к изменению во времени интенсивности и цветового тона фотолюминесценции. Способ-прототип не обеспечивает возможности управления цветовым тоном фотолюминесценции при изготовлении люминофора вследствие преобладающего влияния на цветовой тон излучения имеющихся ODC-центров, количество которых не регулируется параметрами способа.

Кроме того, спектр фотолюминесценции люминофора, полученного способом-прототипом, при возбуждении люминофора жестким ультрафиолетом (3,7÷15 эВ) определяется суперпозицией красного, зеленого, фиолетового и ультрафиолетового излучений. Красное, зеленое и фиолетовое излучения, энергии фотонов которых находятся в пределах 1,6÷3,2 эВ, а диапазон длин волн - 380÷760 нм, относятся к видимой области. Испускание люминофором-прототипом ультрафиолетового излучения с энергиями фотонов более 3,2 эВ недопустимо при создании нового поколения приборов микро-, оптоэлектроники и фотоники, совместимых с устройствами, изготавливаемыми на основе существующих кремниевых технологий. Причиной является то, что под воздействием ультрафиолетового излучения в кристаллической структуре указанных приборов реализуется экситонный механизм подпорогового образования дефектов типа френкелевских пар, ведущих к необратимой деградации функциональных свойств приборов.

Задачей предложенного изобретения является создание способа получения люминофора, характеризующегося повышенной стабильностью спектра фотолюминесценции люминофора в течение его эксплуатации и люминесцентным излучением, находящимся только в диапазоне от 380 до 760 нм, без присутствия ультрафиолетового излучения.

Для решения поставленной задачи предложенный способ получения люминофора в виде аморфной пленки диоксида кремния с ионами селена на кремниевой подложке путем внедрения в указанную пленку ионов селена ионной имплантацией с энергией ионов 300±30 кэВ при флюенсе 4÷6·1016 ион/см2 с первым отжигом при температуре 900÷1000°C в течение 1÷1,5 часов в атмосфере сухого азота, отличается тем, что люминофор дополнительно отжигают при температуре 500÷650°C в течение 1,5÷2,5 часов в воздушной атмосфере.

Причиной повышения стабильности интенсивности и цветового тона получаемого люминофора во времени является то, что при дополнительном отжиге в воздушной атмосфере при температуре 500÷650°C в течение 1,5÷2,5 часов возникшие на предыдущих этапах способа нестабильные (термодинамически неравновесные) радиационные дефекты типа ODC-центров, обычно излучающие в диапазоне длин волн 269÷477 нм (2,6÷4,6 эВ), превращаются в устойчивые нелюминесцирующие E-центры, которые не оказывают влияния на интенсивность и цветовой тон излучения в диапазоне 380÷760 нм.

Кроме того, при осуществлении способа изменением времени дополнительного отжига можно варьировать возникающее в люминофоре соотношение между интенсивностями видимого (380÷760 нм) и ультрафиолетового (менее 380 нм) диапазонов люминесцентного излучения. Это обеспечивает создание люминофора с требуемым спектром свечения, а именно, при времени дополнительного отжига от 1,5 часов до 2,5 часов в спектре фотолюминесценции отсутствует ультрафиолетовое излучение с длинами волн менее 380 нм и энергиями более 3,2 эВ.

При времени дополнительного отжига менее 1,5 часов, например, 1 час, в спектре люминесценции присутствует ультрафиолетовое излучение (менее 380 нм и более 3,2 эВ).

Использование времени дополнительного отжига более 2,5 часов и температуры отжига более 650°C нецелесообразно вследствие возрастания временных затрат и энергетических потерь. Кроме того, при этом происходит изменение состояния центров люминесценции, ответственных за красное и зеленое свечение, и наблюдается сдвиг полосы красной люминесценции в инфракрасную часть спектра (область невидимого излучения).

Таким образом, обеспечивается решение поставленной задачи - создание люминофора с устойчивым в процессе эксплуатации фотолюминесцентным излучением видимого диапазона 380÷760 нм, энергии фотонов которого находятся в пределах 1,6÷3,2 эВ.

На фигуре изображены спектры фотолюминесценции люминофоров, полученных известным и предложенным способами. По вертикальной оси отложена интенсивность излучения в относительных единицах (отн. ед.), по горизонтальной - длины волн излучения (нм). Спектры измерены при ультрафиолетовой фотостимуляции квантами с энергией 3,7÷15 эВ. Арабскими цифрами на фигуре обозначены: 1 - спектр излучения люминофора, полученного способом-прототипом (пунктир); 2 - спектр излучения люминофора, полученного способом, включающим дополнительный отжиг длительностью 1 час (штрих-пунктир); 3 - спектр излучения люминофора, полученного предложенным способом при временах дополнительного отжига, находящихся в пределах от 1,5 до 2,5 часов (сплошная линия). Римскими цифрами на фигуре обозначены: I, I' и I'' - пики красного излучения, II, II' и II'' - пики зеленого излучения, III и III' - пики ультрафиолетового диапазона.

В таблице приведены режимы отжига в воздушной атмосфере образцов люминофора в виде аморфной пленки диоксида кремния на кремниевой подложке с введенными в пленку ионами селена (1, 2, 3). Номера образцов соответствуют номерам спектров излучения, приведенных на фигуре.

Таблица
№ образца Отжиг в воздушной атмосфере Температура отжига в воздушной атмосфере (°C) Время отжига в воздушной атмосфере (час) Максимальная интенсивность ультрафиолетового излучения (отн. ед.)
1 Не проведен - - 3700
2 Проведен 500 1 950
3 Проведен 500÷650 1,5÷2,5 0

Имплантация ионов селена в аморфную пленку диоксида кремния с толщиной 500 нм, термически выращенную на кремниевой подложке, осуществлялась с помощью ионного источника, работающего в непрерывном режиме с энергией ионов 300±30 кэВ при флюенсе 4÷6·1016 ион/см2. Такие параметры имплантации обеспечивают долю внедренных ионов около 4% на глубине 250 нм (половина толщины пленки диоксида кремния). Перед облучением образцы аморфной пленки диоксида кремния на кремниевой подложке промывались в спиртовой ванне.

Образцы отжигались в электропечи. Первый отжиг проводился при температуре 900÷1000°C в течение 1÷1,5 часов в атмосфере сухого азота, дополнительный отжиг - при температуре 500÷650°C в течение 1,5÷2,5 часов в воздушной атмосфере. Кроме того, образцы отжигались в воздушной атмосфере при температуре 500÷650°C в течение времени, которое было меньше, чем 1,5 часа и больше, чем 2,5 часа.

Полученные образцы люминофора в виде аморфной пленки диоксида кремния с ионами селена на кремниевой подложке представляют собой плоскопараллельные пластины площадью 1 см2, толщиной 0,5 мм, с поверхностью оптического качества.

Фотолюминесценция полученного люминофора возбуждалась ультрафиолетовым излучением с энергией фотонов в интервале 3,7÷15 эВ (синхротронное излучение) через монохроматор. Фотолюминесцентные спектры регистрировались с помощью фотоумножителя R6358P Hamamatsu.

Ниже описаны примеры изготовления образцов люминофора в виде аморфной пленки диоксида кремния на кремниевой подложке с включением в указанную пленку ионов селена, внедренных ионной имплантацией. Номера примеров соответствуют номерам образцов в таблице и номерам спектров, приведенных на фигуре.

Пример 1. Имплантация ионов селена в аморфную пленку диоксида кремния на кремниевой подложке осуществлялась ионами с энергией 300 кэВ при флюенсе 5·1016 ион/см2. Первый отжиг проведен при температуре 900°C в течение 1 часа в атмосфере сухого азота. Дополнительный отжиг не проводился. Спектр фотолюминесценции полученного образца люминофора содержит полосы красного излучения (I на фигуре) с максимальной интенсивностью 1000 отн. ед., зеленого излучения (II на фигуре) с максимальной интенсивностью 3700 отн. ед., а также полосу ультрафиолетового излучения (III на фигуре) с максимальной интенсивностью 3700 отн. ед. Этот образец люминофора имеет спектр фотолюминесценции, приведенный на фигуре под номером 1, простирающийся от 1,5 до 4,0 эВ.

Пример 2. Имплантация ионов селена в аморфную пленку диоксида кремния на кремниевой подложке осуществлялась ионами с энергией 300 кэВ при флюенсе 5·1016 ион/см2. Первый отжиг проведен при температуре 1000°C в течение 1 часа в атмосфере сухого азота. Дополнительный отжиг выполнен при температуре 500°C в течение 1 часа в воздушной атмосфере. Спектр фотолюминесценции такого образца люминофора содержит полосы красного излучения (I' на фигуре) с максимальной интенсивностью 900 отн. ед., зеленого излучения (II'' на фигуре) с максимальной интенсивностью 3450 отн. ед., а также полосу ультрафиолетовое излучение (III' на фигуре) с максимальной интенсивностью 950 отн. ед. Ширина спектра этого образца люминофора находится в интервале от 1,6 до 3,8 эВ, спектр приведен на фигуре под номером 2.

Пример 3. Имплантация ионов селена в аморфную пленку диоксида кремния на кремниевой подложке осуществлена с энергией ионов 300 кэВ при флюенсе 5·1016 ион/см2. Первый отжиг проведен при температуре 900°C в течение 1 часа в атмосфере сухого азота. Дополнительный отжиг выполнен при температуре 500°C в течение 1,5 часов в воздушной атмосфере. Спектр фотолюминесценции этого образца люминофора (номер 3 на фигуре) содержит полосы красного излучения (I'' на фигуре) с максимальной интенсивностью 800 отн. ед. и зеленого излучения (II'' на фигуре) с максимальной интенсивностью 3100 отн. ед. Ультрафиолетовое свечение отсутствует. Образец люминофора характеризуется люминесцентным излучением только в диапазоне от 1,6 до 3,2 эВ (380÷760 нм).

Кроме этого, в рамках примера 3 проведено изготовление еще нескольких образцов люминофора при температурах дополнительного отжига 520 и 650°C, при времени дополнительного отжига 1,7 и 2,5 часа. В этих случаях получены образцы люминофора, спектр люминесценции которых совпадает со спектром 3, приведенным на фигуре. Таким образом, и эти образцы люминофора обладают люминесцентным излучением только в диапазоне от 1,6 до 3,2 эВ (380÷760 нм).

Способ получения люминофора в виде аморфной пленки диоксида кремния с ионами селена на кремниевой подложке, включающий внедрение в указанную пленку ионов селена ионной имплантацией с энергией ионов 300±30 кэВ при флюенсе 4÷6·10 ион/см с первым отжигом при температуре 900÷1000°C в течение 1÷1,5 ч в атмосфере сухого азота, отличающийся тем, что упомянутую пленку дополнительно отжигают при температуре 500÷650°C в течение 1,5÷2,5 ч в воздушной атмосфере.
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЛЮМИНОФОРА В ВИДЕ АМОРФНОЙ ПЛЕНКИ ДИОКСИДА КРЕМНИЯ С ИОНАМИ СЕЛЕНА НА КРЕМНИЕВОЙ ПОДЛОЖКЕ
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 1-10 из 10.
20.03.2013
№216.012.2f90

Легированное кварцевое стекло с тетраэдрической координацией атомов титана

Изобретение касается легированного кварцевого стекла с тетраэдрической координацией атомов титана и может быть использовано при создании оптоэлектронных и светоизлучающих устройств. Легированное кварцевое стекло с тетраэдрической координацией атомов титана представляет собой основу, состоящую...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002477711
Дата охранного документа: 20.03.2013
27.06.2013
№216.012.50d1

Способ получения имплантированного ионами олова кварцевого стекла

Изобретение относится к способу получения имплантированного ионами олова кварцевого стекла из диоксида кремния с поверхностным слоем, содержащим нанокластеры олова. Упомянутый способ может быть использован при создании компонентов микро-(нано-) и оптоэлектронных устройств. Проводят имплантацию...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002486282
Дата охранного документа: 27.06.2013
20.04.2014
№216.012.bb33

Способ измерения поглощенной дозы ионизирующего излучения в термолюминесцентном детекторе на основе анионо-дефектного монокристалла оксида алюминия (варианты)

Изобретение относится к радиационной физике, а именно к способам измерения поглощенной дозы ионизирующего γ-излучения, или β-излучения, или импульсного потока электронов в термолюминесцентном детекторе на основе анионодефектного монокристалла оксида алюминия. Способ измерения поглощенной дозы...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002513651
Дата охранного документа: 20.04.2014
20.08.2014
№216.012.ec0b

Способ термоподготовки к экспозиции термолюминесцентного детектора ионизирующих излучений на основе оксида алюминия

Изобретение относится к измерению высоких доз поглощенного излучения. Сущность изобретения заключается в том, что способ термоподготовки к экспозиции термолюминесцентного детектора ионизирующих излучений на основе оксида алюминия включает термообработку, при этом после считывания высокодозной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002526235
Дата охранного документа: 20.08.2014
20.08.2014
№216.012.ec78

Конвертер вакуумного ультрафиолетового излучения в излучение видимого диапазона в виде аморфной пленки оксида кремния sio на кремниевой подложке

Изобретение относится к люминесцентным материалам - конвертерам вакуумного ультрафиолетового излучения в излучение видимого диапазона, выполненным в виде аморфной пленки оксида кремния SiO на кремниевой подложке, предназначенным для создания функциональных элементов фотонных приборов нового...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002526344
Дата охранного документа: 20.08.2014
27.11.2014
№216.013.0acd

Способ получения конвертера вакуумного ультрафиолетового излучения в излучение видимого диапазона в виде аморфной пленки оксида кремния sio на кремниевой подложке

Изобретение относится к способу получения люминесцентного материала - конвертера вакуумного ультрафиолетового излучения в излучение видимого диапазона в виде аморфной пленки оксида кремния SiO на кремниевой подложке, предназначенного для создания функциональных элементов фотонных приборов...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534173
Дата охранного документа: 27.11.2014
10.12.2014
№216.013.0ef3

Имплантированная ионами олова пленка оксида кремния на кремниевой подложке

Изобретение относится к материаловедению. Пленка оксида кремния на кремниевой подложке, имплантированная ионами олова, включает нанокластеры альфа-олова. Толщина пленки составляет 80÷350 нм, средняя концентрация олова находится в пределах от 2,16 до 7,1 атомных процентов, нанокластеры...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002535244
Дата охранного документа: 10.12.2014
20.11.2015
№216.013.8fe8

Способ получения имплантированного ионами цинка кварцевого стекла

Изобретение относится к способу получения имплантированного ионами цинка кварцевого стекла из диоксида кремния с поверхностным слоем, содержащим нанокластеры цинка. Способ может быть использован при создании компонентов микро-(нано-) и оптоэлектронных устройств. Проводят имплантацию ионов цинка...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002568456
Дата охранного документа: 20.11.2015
20.05.2016
№216.015.3e9c

Материал для конверсии вакуумного ультрафиолетового излучения в излучение видимого диапазона в виде аморфной пленки оксида кремния sios на кремниевой подложке

Изобретение относится к люминесцентным материалам для конверсии вакуумного ультрафиолетового излучения в излучение видимого диапазона, предназначенным для создания функциональных элементов фотонных приборов нового поколения, а также для контроля жесткого ультрафиолетового излучения в вакуумных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002584205
Дата охранного документа: 20.05.2016
27.05.2016
№216.015.42d0

Имплантированное ионами цинка кварцевое стекло

Изобретение относится к кварцевым стеклам, имплантированным ионами цинка, и может быть использовано при создании компонентов микро-(нано-) и оптоэлектронных устройств, в частности микроминиатюрных источников света для планарных тонкопленочных волноводных систем и оптических интегральных схем....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002585009
Дата охранного документа: 27.05.2016
Показаны записи 81-90 из 157.
10.11.2014
№216.013.04d9

Минитеплоцентраль для выравнивания графика нагрузки в электрических сетях

Изобретение относится к электроэнергетике. Минитеплоцентраль содержит замкнутый контур низкокипящего рабочего тела, состоящий из теплообменника, турбины, конденсатора и циркуляционного насоса, причем к его теплообменнику подключен гидравлический теплоаккумулятор, оснащенный...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002532639
Дата охранного документа: 10.11.2014
20.11.2014
№216.013.05de

Способ синтеза 2-додецил-5-(2,3,7,8-бис-(9н,10н-антрацен-9,10-диил)пирен-1-ил)тиофена - мономолекулярного оптического сенсора для обнаружения нитроароматических соединений

Изобретение относится к способу получения 2-додецил-5-(2,3,7,8-бис-(9H,10H-антрацен-9,10-диил)пирен-1-ил)тиофена, который заключается во взаимодействии 1-бромпирена с 2-додецил-5-трибутилстаннилтиофеном по реакции Стилле с получением первого полупродукта 5-(пирен-1-ил)-2-додецилтиофена, с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002532903
Дата охранного документа: 20.11.2014
20.11.2014
№216.013.05f1

Способ определения меди в природных и питьевых водах

Изобретение относится к способу определения меди в природных и питьевых водах. Способ включает концентрирование меди на сорбционном материале, помещенном в патрон, путем пропускания через него анализируемой пробы, элюирование меди азотной кислотой и определение меди методами атомной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002532922
Дата охранного документа: 20.11.2014
20.11.2014
№216.013.0866

Резистивный материал

Изобретение относится к радио- и микроэлектронике, а именно к резистивному материалу, содержащему халькогениды серебра, мышьяка и германия. При этом материал дополнительно содержит селенид меди согласно эмпирической формуле: (AgSe)·(CuSe)·(AsSe)·(GeSe), где 0,6≤х≤0,95. Материал обеспечивает...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002533551
Дата охранного документа: 20.11.2014
20.11.2014
№216.013.08ac

Устройство для раскатки и раздачи труб

Изобретение относится к области обработки металлов давлением, а именно к трубопрофильному производству. Корпус устройства имеет присоединительную и рабочую части, центральный осевой канал, рабочие ролики, цилиндр и шток с возвратной пружиной. Цилиндр и шток имеют конические участки, являющиеся...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002533621
Дата охранного документа: 20.11.2014
27.11.2014
№216.013.09b0

Раствор для гидрохимического осаждения полупроводниковых пленок сульфида индия

Изобретение относится к технологии получения изделий оптоэлектроники и солнечной энергетики, а именно к раствору для гидрохимического осаждения полупроводниковых пленок сульфида индия(III). Раствор содержит соль индия(III), винную кислоту, тиоацетамид, гидроксиламин солянокислый при следующих...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002533888
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0acd

Способ получения конвертера вакуумного ультрафиолетового излучения в излучение видимого диапазона в виде аморфной пленки оксида кремния sio на кремниевой подложке

Изобретение относится к способу получения люминесцентного материала - конвертера вакуумного ультрафиолетового излучения в излучение видимого диапазона в виде аморфной пленки оксида кремния SiO на кремниевой подложке, предназначенного для создания функциональных элементов фотонных приборов...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534173
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0c6e

Система аккумулирования возобновляемой энергии

Изобретение относится к получению спирта. Система аккумулирования возобновляемой энергии представляет собой блок источников возобновляемой энергии, подключенный к технологической схеме получения спирта. Блок источников возобновляемой энергии обеспечивает тепловую и электрическую энергию для...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534590
Дата охранного документа: 27.11.2014
10.12.2014
№216.013.0e08

Способ совместного определения ионов cu(ii), pb(ii), fe(iii) и bi(iii) методом капиллярного зонного электрофореза

Изобретение относится к области аналитической химии и может быть использовано для одновременного определения содержания ионов Cu(II), Pb(II), Fe(III) и Bi(III) в различных матрицах. Техническим результатом изобретения является расширение перечня определяемых компонентов, разработка простого,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002535009
Дата охранного документа: 10.12.2014
10.12.2014
№216.013.0ef3

Имплантированная ионами олова пленка оксида кремния на кремниевой подложке

Изобретение относится к материаловедению. Пленка оксида кремния на кремниевой подложке, имплантированная ионами олова, включает нанокластеры альфа-олова. Толщина пленки составляет 80÷350 нм, средняя концентрация олова находится в пределах от 2,16 до 7,1 атомных процентов, нанокластеры...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002535244
Дата охранного документа: 10.12.2014
+ добавить свой РИД