×
20.12.2013
216.012.8e1c

Результат интеллектуальной деятельности: СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕМПЕРАТУРЫ ТЕРМОЯДЕРНОЙ ПЛАЗМЫ

Вид РИД

Изобретение

№ охранного документа
0002502063
Дата охранного документа
20.12.2013
Аннотация: Изобретение относится к физике высокотемпературной плазмы и может найти применение в управляемом термоядерном синтезе. Сущность изобретения заключается в том, что способ измерения электронной температуры термоядерной плазмы, включающий операции, заключающиеся в том, что поток рентгеновских квантов из установки пропускают через средства детектирования, включающие фильтрующие элементы, причем в качестве средств детектирования используют две низковольтные ионизационные камеры (НИК), на входе одной из которых помещают алюминиевый фильтрующий элемент, который выполняют толщиной 10-20 мкм, сигналы с НИК подают на один общий анод, при этом на катоды одной из НИК подают постоянное смещение величиной +15 B, а на другую - переменное напряжение - меандр амплитудой ±15 B и полученные сигналы используют для определения показателей прозрачности фильтра для излучения данного спектрального состава для соотнесения с определяемой температурой термоядерной плазмы. Технический результат - упрощение конструкции и повышение надежности измерения. 1 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к физике высокотемпературной плазмы и может найти применение в управляемом термоядерном синтезе, для исследований физики космической плазмы, для исследований рентгеновского излучения от различных источников, при разработке диагностических приборов для управляемого термоядерного синтеза.

Известен способ измерения функции электронной температуры плазмы методом фильтров, описанный в работе Jahoda, F.C., Little, Е.М., Quinn, W.E., Sawyer, G.A., Stratton, T.F. Phys. Rev., v.119, p.843, 1960.

Недостатком известного способа является то, что в нем используются по крайней мере два измерительных канала, имеющих два детектора и два усилительных устройства. В настоящее время для усиления сигнала обычно применяются полупроводниковые усилители. Применение таких усилителей вблизи термоядерного устройства, которое является источником мощного нейтронного и гамма излучения, исключено из-за того, что такое излучение выводит полупроводниковые элементы из строя за очень короткое время. Еще одним недостатком известного способа является то, что измерительная аппаратура обоих каналов должна иметь строго одинаковые характеристики.

Наиболее близким техническим решением (прототипом) является способ, использованный для измерения электронной температуры плазмы, описан в работе V. Weinzettl, V. Piffl, J. Badalec, Electron Temperature Measurement on the CASTOR Tokamak by the Absorber-foil Method, serwer.ipp.cas.cz/~vwei/work/foil.pdf. В описанном методе для детектирования сигналов применялись или два поверхностно-барьерных диода или два каналтрона, входы в которые закрывались AL или Be фильтрами разной толщины. Возможность использования каналтронов на термоядерных установках весьма проблематична.

Сущность изобретения состоит в том, что в предлагаемом способе для регистрации рентгеновского излучения из плазмы применяются два измерительных канала конструктивно размещенных в одном детекторе, состоящем из двух одинаковых Низковольтных Ионизационных Камер (НИК) (Ю.В. Готт, М.М. Степаненко, Низковольтная ионизационная камера для установки ИТЭР, Приборы и техника эксперимента, №2, стр.117, 2009), на входе одной из которых устанавливается Al фильтр толщиной 10 или 20 мкм, отличия, в частности, состоят в том, что аноды обеих камер соединены между собой, что позволяет использовать один усилитель сигнала. Величина сигнала такого детектора достаточна для его транспортировки за биологическую защиту термоядерной установки. Кроме того, малое рабочее напряжение НИК позволяет использовать описанную в упомянутой выше работе систему компенсации наводок.

Техническим результатом предложенного изобретения является упрощение конструкции и повышение надежности измерения электронной температуры плазмы в термоядерном реакторе за счет использования для регистрации рентгеновского излучения термоядерной установки двух Низковольтных Ионизационных Камер, на входе одной из которых помещается Al фильтр толщиной 10 или 20 мкм и аноды которых соединены между собой.

Указанный технический результат обеспечен предложенной совокупностью существенных признаков.

Способ измерения электронной температуры термоядерной плазмы, включающий операции, заключающиеся в том, что поток рентгеновских квантов из установки пропускают через средства детектирования, включающие фильтрующие элементы,

при этом

в качестве средств детектирования используют две низковольтные ионизационные камеры (НИК), на входе одной из которых помещают алюминиевый фильтрующий элемент, который выполняют толщиной 10-20 мкм, сигналы с НИК подают на один общий анод, при этом на катоды одной из НИК подают постоянное смещение величиной +15 В, а на другую - переменное напряжение - меандр, амплитудой ±15 В и полученные сигналы используют для определения показателей прозрачности фильтра для излучения данного спектрального состава для соотнесения с определяемой температурой термоядерной плазмы,

причем

диапазон измерения электронной температуры термоядерной плазмы регулируют подбором толщины и материала фильтра, при этом для измерения температуры в диапазоне 0.5-5 кэВ используют алюминиевый фильтр толщиной 10-12 мкм., а для измерения температуры в диапазоне 5-20 кэВ используют алюминиевый фильтр толщиной 17-20 мкм.

Для достижения технического результата в способе измерения электронной температуры термоядерной плазмы изготавливается детектор, принципиальная схема которого изображена на Фиг.1. На входе НИК-2 размещается Al фильтр толщиной 10 или 20 мкм. Толщина фильтра зависит от измеряемой температуры и, вообще говоря, подбирается опытным путем.

Внешний вид детектора представлен на Фиг.2.

/Женское кольцо помещено на рисунке в качестве «масштабирующего» элемента./

Каждая из НИК имеет несколько плоских электродов, установленных на расстоянии 3 мм друг от друга. Диаметр детектора - 60 мм и его длина - 65 мм. Аноды обеих НИК соединены между собой.

Вольт-амперная характеристика каждой из НИК приведена на Фиг.3. Как видно из этого рисунка, вольт-амперная характеристика симметрична относительно знака приложенного потенциала, что является принципиальным для описываемого метода. Режим «плато» достигается при потенциале, превышающем 10-15 В.

Предлагаемый метод фильтров основан на том факте, что отношение сигналов с двух детекторов просматривающих плазму вдоль одной и той же хорды в том случае, когда вход в один из детекторов закрыт фильтром, зависит, в основном, от максимальной температуры плазмы на данной хорде. Величина этой температуры может быть определена из сравнения экспериментальных и теоретических данных. Обычно такой метод применяется для определения электронных температур превышающих несколько сот электронвольт.

В данном методе на одну из НИК подается потенциал +15 В, а на другую-меандр ±15 В с импульсами длительностью 10-20 мс.

Если на обеих НИК потенциал одного знака, то анодный ток равен сумме токов с обеих НИК (НИК-1 (I1=I) и НИК-2 (I2=ηI)

где η - коэффициент пропускания фильтра.

Коэффициент пропускания фильтра определяется из соотношений (1) и (2)

Для калибровки прибора было использовано излучение рентгеновской трубки с вольфрамовым анодом. Рабочий потенциал на трубке изменялся от 5 до 50 кВ.

Функция распределения по энергиям в потоке фотонов из трубки, падающих на вход детектора, имеет вид

где U0 - потенциал на трубке, ηВе=exp(µBedBe) - поглощение излучения в бериллиевом окне трубки, µВе линейный коэффициент поглощения в Be, dBe - толщина окна. Если толщина Al фильтра составляет dAl и расстояние между детектором и трубкой составляет dAir, то сигнал с НИК-1 будет пропорционален величине

А сигнал с НИК-2

где feff - эффективность регистрации рентгеновских квантов, µAir è µAl - линейные коэффициенты поглощения в воздухе и Al.

Величины пропускания для dAl=20 µm и dAl=40 µm представлены на Фиг.4. На этом рисунке точки - экспериментальные значения, а кривые рассчитаны для

Функция распределения по энергия рентгеновского излучения плазмы, попадающего на вход детектора имеет вид

Обычно, рентгеновское излучение плазмы попадает на детектор через Be окно толщиной d и расстояние между окном и детектором составляет dA. В этом случае, сигнал с НИК-2 после Al будет пропорционален величине

Используя приведенные соотношения можно определить зависимость температуры плазмы от линейного коэффициента поглощения. Это соотношение изображено на Фиг.5. Из этого рисунка видно, что если температура плазмы составляет 1.5 кэВ, то через Al фильтр толщиной 10 мкм проходит 36% излучения, а через 20 мкм - 19%. Расстояние от выхода из установки до детектора 10 см.

Так как, энергетический спектр фотонов из трубки и плазмы различаются, то при измерениях на плазменной установке нужно измерить значение feff in situ. Для этого нужно провести измерения в одном и том же режиме работы установки с фильтрами различной толщины и определить эту величину.


СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕМПЕРАТУРЫ ТЕРМОЯДЕРНОЙ ПЛАЗМЫ
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕМПЕРАТУРЫ ТЕРМОЯДЕРНОЙ ПЛАЗМЫ
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕМПЕРАТУРЫ ТЕРМОЯДЕРНОЙ ПЛАЗМЫ
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕМПЕРАТУРЫ ТЕРМОЯДЕРНОЙ ПЛАЗМЫ
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕМПЕРАТУРЫ ТЕРМОЯДЕРНОЙ ПЛАЗМЫ
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 91-100 из 259.
20.12.2015
№216.013.9a64

Реактор конверсии метана

Изобретение относится к установкам получения водорода, водород-метановой смеси, синтез-газа, содержащего в основном Н и СО, для производства водорода, спиртов, аммиака, диметилового эфира, этилена, для процессов Фишера-Тропша и может быть использовано в химической промышленности для переработки...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002571149
Дата охранного документа: 20.12.2015
20.01.2016
№216.013.a3ee

Термоэлектрическая батарея

Изобретение относится к области термоэлектрического приборостроения и может быть использовано при изготовлении термоэлектрических устройств, основанных на эффекте Пельтье или Зеебека, прежде всего термоэлектрических генераторов электрической энергии, а также холодильных термоэлектрических...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002573608
Дата охранного документа: 20.01.2016
10.02.2016
№216.014.c33e

Способ изготовления защитного диэлектрического слоя

Изобретение относится к способам получения тонкопленочных материалов, в частности тонких пленок на основе оксида европия(III), и может быть использовано для защиты функционального слоя EuO. Способ изготовления защитного диэлектрического слоя EuO для полупроводниковой пленки, полученной на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002574554
Дата охранного документа: 10.02.2016
20.03.2016
№216.014.c8df

Способ изготовления наноструктурированной мишени для производства радиоизотопа молибдена-99

Изобретение относится к реакторной технологии получения радиоизотопа молибден-99 (Мо), являющегося основой для создания радиоизотопных генераторов технеция-99m (Tc). В заявленном способе производство радиоизотопа молибден-99 по реакции Мо(n,γ)Мо, осуществляемой в потоке тепловых нейтронов...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002578039
Дата охранного документа: 20.03.2016
27.03.2016
№216.014.c8fb

Микротвэл ядерного реактора

Изобретение относится к области ядерной энергетики, в частности к микросферическому топливу с керамическими защитными покрытиями, и может быть использовано в ядерных реакторах, применяемых как для транспорта, так и в стационарных энергоустановках, в частности в сверхвысокотемпературных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002578680
Дата охранного документа: 27.03.2016
20.03.2016
№216.014.c9f3

Способ защиты от окисления биполярных пластин и коллекторов тока электролизеров и топливных элементов с твердым полимерным электролитом

Изобретение относится к способу защиты от окисления биполярных пластин топливных элементов и коллекторов тока электролизеров с твердым полимерным электролитом (ТПЭ), заключающемуся в предварительной обработке металлической подложки, нанесении на обработанную металлическую подложку...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002577860
Дата охранного документа: 20.03.2016
20.04.2016
№216.015.3472

Способ изготовления сверхпроводящих многосекционных оптических детекторов

Использование: для изготовления сверхпроводниковых датчиков излучения. Сущность изобретения заключается в том, что способ изготовления сверхпроводящих многосекционных оптических детекторов, включающий формирование отдельных секций из сверхпроводящих нанопроводов, образующих рисунок в виде...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002581405
Дата охранного документа: 20.04.2016
20.04.2016
№216.015.3605

Структура полупроводник-на-изоляторе и способ ее получения

Изобретение относится к твердотельной электронике. Изобретение заключается в том, что на изоляторе формируют поверхностный слой полупроводника. В изоляторе на расстоянии от поверхностного слоя полупроводника, меньшем длины диффузии носителей заряда, возникающих при облучении внешним...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002581443
Дата охранного документа: 20.04.2016
27.04.2016
№216.015.3891

Способ измерения профиля стационарных мегаваттных пучков ионов и атомов в инжекторах

Изобретение относится к диагностике профилей (распределения плотности тока по сечению пучка) пучков ионов и атомов в мегаваттных квазистационарных (десятки и сотни секунд) инжекторах, предназначенных для нагрева плазмы и поддержания тока в термоядерных установках типа токамак. Способ измерения...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002582490
Дата охранного документа: 27.04.2016
27.08.2016
№216.015.506f

Способ изготовления и модификации электрохимических катализаторов на углеродном носителе

Изобретение относится к области электрохимии, а именно к способам модификации электрохимических катализаторов на углеродном носителе, применяемых для электролизеров или топливных элементов с твердым полимерным электролитом (ТПЭ). Техническим результатом заявленного изобретения является...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002595900
Дата охранного документа: 27.08.2016
Показаны записи 91-100 из 150.
20.11.2015
№216.013.8ffe

Способ разложения карбонатов

Изобретение может быть использовано в химической, горнодобывающей промышленности. Способ разложения карбонатов включает измельчение исходного сырья, разложение карбонатов за счет подвода внешней энергии, отвод конверсионного газа, охлаждение целевого продукта. В качестве карбонатов используют...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002568478
Дата охранного документа: 20.11.2015
20.12.2015
№216.013.9a64

Реактор конверсии метана

Изобретение относится к установкам получения водорода, водород-метановой смеси, синтез-газа, содержащего в основном Н и СО, для производства водорода, спиртов, аммиака, диметилового эфира, этилена, для процессов Фишера-Тропша и может быть использовано в химической промышленности для переработки...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002571149
Дата охранного документа: 20.12.2015
20.01.2016
№216.013.a3ee

Термоэлектрическая батарея

Изобретение относится к области термоэлектрического приборостроения и может быть использовано при изготовлении термоэлектрических устройств, основанных на эффекте Пельтье или Зеебека, прежде всего термоэлектрических генераторов электрической энергии, а также холодильных термоэлектрических...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002573608
Дата охранного документа: 20.01.2016
10.02.2016
№216.014.c33e

Способ изготовления защитного диэлектрического слоя

Изобретение относится к способам получения тонкопленочных материалов, в частности тонких пленок на основе оксида европия(III), и может быть использовано для защиты функционального слоя EuO. Способ изготовления защитного диэлектрического слоя EuO для полупроводниковой пленки, полученной на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002574554
Дата охранного документа: 10.02.2016
20.03.2016
№216.014.c8df

Способ изготовления наноструктурированной мишени для производства радиоизотопа молибдена-99

Изобретение относится к реакторной технологии получения радиоизотопа молибден-99 (Мо), являющегося основой для создания радиоизотопных генераторов технеция-99m (Tc). В заявленном способе производство радиоизотопа молибден-99 по реакции Мо(n,γ)Мо, осуществляемой в потоке тепловых нейтронов...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002578039
Дата охранного документа: 20.03.2016
27.03.2016
№216.014.c8fb

Микротвэл ядерного реактора

Изобретение относится к области ядерной энергетики, в частности к микросферическому топливу с керамическими защитными покрытиями, и может быть использовано в ядерных реакторах, применяемых как для транспорта, так и в стационарных энергоустановках, в частности в сверхвысокотемпературных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002578680
Дата охранного документа: 27.03.2016
20.03.2016
№216.014.c9f3

Способ защиты от окисления биполярных пластин и коллекторов тока электролизеров и топливных элементов с твердым полимерным электролитом

Изобретение относится к способу защиты от окисления биполярных пластин топливных элементов и коллекторов тока электролизеров с твердым полимерным электролитом (ТПЭ), заключающемуся в предварительной обработке металлической подложки, нанесении на обработанную металлическую подложку...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002577860
Дата охранного документа: 20.03.2016
20.04.2016
№216.015.3472

Способ изготовления сверхпроводящих многосекционных оптических детекторов

Использование: для изготовления сверхпроводниковых датчиков излучения. Сущность изобретения заключается в том, что способ изготовления сверхпроводящих многосекционных оптических детекторов, включающий формирование отдельных секций из сверхпроводящих нанопроводов, образующих рисунок в виде...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002581405
Дата охранного документа: 20.04.2016
20.04.2016
№216.015.3605

Структура полупроводник-на-изоляторе и способ ее получения

Изобретение относится к твердотельной электронике. Изобретение заключается в том, что на изоляторе формируют поверхностный слой полупроводника. В изоляторе на расстоянии от поверхностного слоя полупроводника, меньшем длины диффузии носителей заряда, возникающих при облучении внешним...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002581443
Дата охранного документа: 20.04.2016
27.04.2016
№216.015.3891

Способ измерения профиля стационарных мегаваттных пучков ионов и атомов в инжекторах

Изобретение относится к диагностике профилей (распределения плотности тока по сечению пучка) пучков ионов и атомов в мегаваттных квазистационарных (десятки и сотни секунд) инжекторах, предназначенных для нагрева плазмы и поддержания тока в термоядерных установках типа токамак. Способ измерения...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002582490
Дата охранного документа: 27.04.2016
+ добавить свой РИД