×
20.10.2013
216.012.7736

Результат интеллектуальной деятельности: СПОСОБ ОБРАЗОВАНИЯ ДВУМЕРНОГО ЛИНЕЙНОГО ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к области электронной и ионной оптики и масс-спектрометрии, где используется движение заряженных частиц в статических и переменных двумерных линейных электрических полях, и может быть использовано для усовершенствования конструкций и технологий изготовления устройств пространственно-временной фокусировки и масс-разделения заряженных частиц. Способ образования двумерных линейных электрических полей заключается в формировании с помощью устройства из плоских дискретных и гиперболических электродов на границах рабочей области линейного по одной координате распределений среднего значения потенциала. Причем плоские дискретные электроды состоят из равномерно распределенных по границам области тонких заземленных металлических нитей, а расположенные в каждом квадранте по одному гиперболические электроды имеют малые размеры полуосей. Под действием противоположных потенциалов на смежных гиперболических электродах в плоскостях дискретных электродов создаются линейные по одной оси распределения среднего значения потенциала, под действием которых в рабочей области образуется двумерное линейное электрическое поле. Технический результат - минимизация размеров и улучшение конструктивно-технологических параметров электродных систем для образования двумерных линейных электрических полей с протяженными вдоль одной оси рабочими областями. 2 н.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к областям электронно-ионной оптики и масс-спектрометрии, основанных на движении заряженных частиц в статических и переменных двумерных линейных электрических полях, и может быть использовано для усовершенствования конструкции и технологии изготовления устройств пространственно-временной фокусировки и масс-разделения заряженных частиц. Гиперболические электродные системы не эффективны для создания масс-анализаторов с протяженной вдоль одной оси рабочей областью из-за значительных размеров электродов по всем координатам [1]. Задачу решают системы из плоских электродов с дискретно-линейным распределением потенциала [2], с дискретно-изменяющейся электрической прозрачностью [3] и дискретно-изменяющейся плотностью зарядов [4]. Техническая задача предлагаемого изобретения состоит в усовершенствовании конструктивно-технологических характеристик устройств образования двумерных линейных электрических полей с протяженной вдоль одной оси рабочей областью, использующих гиперболические и плоские дискретные эквипотенциальные электроды.

Двумерные линейные электрические поля в рабочей области с размерами 2xc, 2yc, L по осям X, Y, Z при условии yc>>xc можно образовывать с помощью плоских дискретных поверхностей из неэквипотенциальных проводящих элементов, распределенных по оси Y с постоянным шагом ∆y [2] или эквипотенциальных проводящих элементов, неравномерно распределенных по оси Y [3, 4]. Наиболее близким к заявленному решению является способ, описанный в [4], заключающийся в образовании линейного электрического поля с помощью эквипотенциальных элементов, неравномерно распределенных по оси Y. Однако недостатками указанных систем являются трудности конструкторско-технологического характера, которые усложнят процесс изготовления ионно-оптических устройств и анализаторов ионов с использованием плоских дискретных электродов.

Во всех случаях при использовании плоских дискретных электродов задача образования двумерных линейных в плоскости XOY электрических полей сводится к созданию на границах области x=±xc линейных вдоль оси Y распределений среднего значения потенциала:

где φ∂i(y) - распределение потенциала в плоскостях x=±xc i-го дискретного элемента, ∆yi - шаг дискретности электродов, φmсрср(yc).

Для практической реализации ионно-оптических систем с двумерными линейными электрическими полями представляют интерес использование плоских дискретных поверхностей, образованных из равномерно распределенных по оси Y с шагом ∆y, параллельных оси Z, одинаковых эквипотенциальных проводящих элементов - нитей или полосок. Однако использование только плоских дискретных с постоянным шагом ∆y эквипотенциальных поверхностей не решает проблему образования двумерных линейных электрических полей. Задача решается с помощью дополнительных 4-х гиперболических потенциальных поверхностей, позволяющих сформировать линейные по оси Y распределения среднего значения потенциала в плоскостях x=±xc дискретных поверхностей. Гиперболические поверхности 2 располагают в области |x|>xc и на смежных поверхностях устанавливают противоположные потенциалы φ0 и -φ0 (Фиг.1). Наличие дискретных поверхностей 1 позволяет сместить начала координат гиперболических поверхностей 2 по оси Х на расстояние x0 для поверхностей в I и IV квадрантах и на расстояние - x0 для поверхностей во II и III квадрантах и тем самым существенно уменьшить значение их геометрического параметра r0 - действительной полуоси гипербол. Величина смещения определяется соотношением:

Гиперболические поверхности в этом случае описываются уравнением:

Под действием противоположных потенциалов φ0 и -φ0 на смежных гиперболических поверхностях в сечениях x=±xc формируются распределения потенциала φ(±xc,y) - (кривая 1, Фиг.2), средние значения которых φср(±xc,y) при выполнении условия (2), будут изменяться по линейному закону (кривая 2, Фиг.2):

где . При этом в рабочей области |x|<xc, |y|<yc образуется поле с распределением потенциала вида:

которое соответствует двумерному линейному электрическому полю с проекциями напряженности поля на оси X и Y:

Из (5) и (6) следует, что система из 2-х плоских с постоянным шагом ∆y эквипотенциальных дискретных и 4-х гиперболических поверхностей позволяет образовывать двумерные линейные электрические поля в рабочих областях 4 |x|<xc, |yc|<y с произвольным соотношением параметров xc, yc. Причем при фиксированной длине полуосей r0 гиперболических поверхностей выбором параметров xc и ∆y размеры рабочей области по оси X могут изменяться в широких пределах.

Устройство для образования двумерного линейного электрического поля по предлагаемому в п.1 формулы изобретения способу состоит из 2-х плоских дискретных электродов 1 длиной L>>2xc и 4-х гиперболических электродов 2 длиной L>>2xc (Фиг.1). Дискретные электроды 1 с размером ya>>xc по оси Y расположены в плоскостях x=±xc и образованы из равномерно распределенных по оси Y с шагом ∆y тонких диаметром d<<∆y параллельных оси Z эквипотенциальных нитей. Начала координат гиперболических электродов сдвинуты попарно по оси Х на расстояние ±x0 и имеют конечные координаты х=±xa, y=±ya, где xa≥(xc+1.5r0), ya≥(yc+1.5xc). Гиперболические электроды расположены за пределами рабочей области 4 (Фиг.1) |x|>xc по одному в каждом квадранте. Геометрический параметр r0 гиперболических электродов определяется шагом дискретности ∆y плоских электродов и их размером ya по оси Y:

.

При заданных параметрах xc, yc рабочей области геометрический параметр r0 гиперболических электродов, используемых в совокупности с плоскими дискретными электродами с постоянным значением шага ∆y, оказывается значительно меньше параметра r0 гиперболических электродов 3 (Фиг.1), создающих такое же поле в отсутствии дискретных электродов. Это позволяет в анализаторах с вытянутыми вдоль оси Y рабочими областями 4 (Фиг.1), когда yc>>xc путем минимизации значения параметра r0 гиперболических электродов в 2-2,5 раза сократить размеры электродных систем анализаторов по оси X. Размер L электродов 1 и 2 по оси Z выбирается исходя из допустимого уровня отклонения поля от линейного в рабочей области анализатора из-за краевых эффектов:

L≥4xc.

Использование в качестве плоских дискретных электродов равномерно распределенных по оси Y металлических нитей в совокупности с гиперболическими электродами упрощает конструкцию и технологию изготовления, а также снижает размеры анализаторов с двумерными линейными электрическими полями.

ЛИТЕРАТУРА

1. Гуров B.C., Мамонтов Е.В., Дягилев А.А. Электродные системы с дискретным линейным распределением высокочастотного потенциала для масс-анализаторов заряженных частиц // Масс-спектрометрия. 2007. №4 (2). - С.139-142.

2. Патент RU №2327245 от 03.05.2006, Способ масс-селективного анализа ионов по времени пролета и устройство для его осуществления.

3. Патент RU №2387043 от 10.04.2008, Способ формирования линейного поля и устройство для его осуществления.

4. Патент RU №2422939 от 25.11.2009, Способ образования двумерного линейного электрического поля и устройство для его осуществления.


СПОСОБ ОБРАЗОВАНИЯ ДВУМЕРНОГО ЛИНЕЙНОГО ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ
СПОСОБ ОБРАЗОВАНИЯ ДВУМЕРНОГО ЛИНЕЙНОГО ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ
СПОСОБ ОБРАЗОВАНИЯ ДВУМЕРНОГО ЛИНЕЙНОГО ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 21-30 из 93.
20.08.2014
№216.012.ebef

Аппаратура подводной оптической связи

Изобретение относится к технике электрической связи и может использоваться в системах двусторонней оптической связи. Технический результат заключается в расширении функциональных возможностей устройства двусторонней оптической связи в подводных условиях. Для этого в аппаратуру оптической...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002526207
Дата охранного документа: 20.08.2014
10.11.2014
№216.013.0383

Устройство подавления влияния помехи промышленной частоты на электрокардиосигнал

Изобретение относится к медицинской технике. Устройство подавления влияния помехи промышленной частоты на электрокардиосигнал содержит блок выделения интервала времени (2), соответствующего ТР-сегменту электрокардиосигнала, ключевой элемент (8), фильтр (14), усилитель (15), блок задержки (16) и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002532297
Дата охранного документа: 10.11.2014
10.11.2014
№216.013.0402

Способ измерения влажности вискозного волокна

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к измерению влажности волокнистых материалов, и может быть использовано в текстильной и хлопчатобумажной промышленности. Предлагаемый способ включает в себя размещение между двумя электродами пробы волокна, приложение к ним переменного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002532424
Дата охранного документа: 10.11.2014
10.11.2014
№216.013.04a8

Способ измерения контактной разности потенциалов

Изобретение относится измерительной технике и представляет собой способ измерения контактной разности потенциалов между проводящими материалами (металлами, полупроводниками, электролитами) и может быть использовано для измерения электродных потенциалов, работы выхода поверхности, для контроля...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002532590
Дата охранного документа: 10.11.2014
27.11.2014
№216.013.0b00

Способ измерения координат элементов земной поверхности в бортовой четырехканальной доплеровской рлс

Изобретение относится к радиолокации, а именно к бортовым радиолокационным системам наблюдения за земной поверхностью (радиовидению) на базе четырехканальной доплеровской радиолокационной станции с четырехэлементной антенной решеткой. Достигаемый технический результат - измерение координат...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534224
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0b16

Способ определения атомного состава активных нанопримесей в жидкостях

Изобретение относится к области нано-, микроэлектроники и аналитического приборостроения и может быть использовано в разработке технологии и в производстве изделий микро- и наноэлектроники, а также в производстве чистых материалов и для диагностики и контроля жидких технологических сред. Способ...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534246
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0b9e

Способ определения концентрации носителей заряда в полупроводниках и устройство для его осуществления

Группа изобретений относится к области электронной техники, микро- и наноэлектроники и может быть использована для локального определения концентрации свободных носителей заряда в отдельно взятых полупроводниковых нанообъектах и наноструктурах, а также для контроля качества материалов,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534382
Дата охранного документа: 27.11.2014
10.12.2014
№216.013.0ee3

Способ определения длительности времени плазмохимического травления поверхности полупроводниковых пластин для субмикронных технологий

Изобретение относится к области микроэлектроники. Технический результат направлен на повышение достоверности определения типа и количества загрязняющих примесей на поверхности полупроводниковых пластин после плазмохимического травления и определения оптимального значения длительности времени...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002535228
Дата охранного документа: 10.12.2014
10.01.2015
№216.013.19f5

Способ исследования нелинейного спинового резонанса в полупроводниках и устройство для его осуществления

Использование: для исследования нелинейного спинового резонанса в объемных, тонкопленочных и двумерных полупроводниковых наноструктурах. Сущность изобретения заключается в том, что для исследования нелинейного спинового резонанса образец охлаждают, воздействуют на него изменяющимся постоянным и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002538073
Дата охранного документа: 10.01.2015
20.01.2015
№216.013.1fb5

Способ формирования трехмерного изображения земной поверхности и воздушной обстановки с помощью антенной решетки

Изобретение относится к бортовым радиолокационным системам наблюдения за земной поверхностью и воздушной обстановкой, работающим в режиме реального луча на базе плоской антенной решетки. Достигаемый технический результат - формирование трехмерного изображения объектов отражения в зоне обзора с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002539558
Дата охранного документа: 20.01.2015
Показаны записи 21-30 из 97.
20.04.2014
№216.012.bb3e

Способ изготовления фотоэмиттера с отрицательным электронным сродством для инфракрасного диапазона

Изобретение относится к области эмиссионной и наноэлектроники и может быть использовано в разработке и в технологии производства фотоэлектронных преобразователей второго поколения, эмиттеров с отрицательным электронным сродством для приборов ИК-диапазона. Способ изготовления фотоэмиттера с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002513662
Дата охранного документа: 20.04.2014
20.07.2014
№216.012.df32

Способ обработки сигналов для обнаружения прямолинейных границ объектов, наблюдаемых на изображении

Изобретение относится к средствам цифровой обработки изображений. Техническим результатом является повышение точности обнаружения прямолинейных границ объектов на изображении за счет получения локальных максимумов. В способе на основе градиентного поля проводится формирование трех изображений,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002522924
Дата охранного документа: 20.07.2014
20.08.2014
№216.012.ebef

Аппаратура подводной оптической связи

Изобретение относится к технике электрической связи и может использоваться в системах двусторонней оптической связи. Технический результат заключается в расширении функциональных возможностей устройства двусторонней оптической связи в подводных условиях. Для этого в аппаратуру оптической...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002526207
Дата охранного документа: 20.08.2014
10.11.2014
№216.013.0383

Устройство подавления влияния помехи промышленной частоты на электрокардиосигнал

Изобретение относится к медицинской технике. Устройство подавления влияния помехи промышленной частоты на электрокардиосигнал содержит блок выделения интервала времени (2), соответствующего ТР-сегменту электрокардиосигнала, ключевой элемент (8), фильтр (14), усилитель (15), блок задержки (16) и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002532297
Дата охранного документа: 10.11.2014
10.11.2014
№216.013.0402

Способ измерения влажности вискозного волокна

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к измерению влажности волокнистых материалов, и может быть использовано в текстильной и хлопчатобумажной промышленности. Предлагаемый способ включает в себя размещение между двумя электродами пробы волокна, приложение к ним переменного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002532424
Дата охранного документа: 10.11.2014
10.11.2014
№216.013.04a8

Способ измерения контактной разности потенциалов

Изобретение относится измерительной технике и представляет собой способ измерения контактной разности потенциалов между проводящими материалами (металлами, полупроводниками, электролитами) и может быть использовано для измерения электродных потенциалов, работы выхода поверхности, для контроля...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002532590
Дата охранного документа: 10.11.2014
27.11.2014
№216.013.0b00

Способ измерения координат элементов земной поверхности в бортовой четырехканальной доплеровской рлс

Изобретение относится к радиолокации, а именно к бортовым радиолокационным системам наблюдения за земной поверхностью (радиовидению) на базе четырехканальной доплеровской радиолокационной станции с четырехэлементной антенной решеткой. Достигаемый технический результат - измерение координат...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534224
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0b16

Способ определения атомного состава активных нанопримесей в жидкостях

Изобретение относится к области нано-, микроэлектроники и аналитического приборостроения и может быть использовано в разработке технологии и в производстве изделий микро- и наноэлектроники, а также в производстве чистых материалов и для диагностики и контроля жидких технологических сред. Способ...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534246
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0b9e

Способ определения концентрации носителей заряда в полупроводниках и устройство для его осуществления

Группа изобретений относится к области электронной техники, микро- и наноэлектроники и может быть использована для локального определения концентрации свободных носителей заряда в отдельно взятых полупроводниковых нанообъектах и наноструктурах, а также для контроля качества материалов,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534382
Дата охранного документа: 27.11.2014
10.12.2014
№216.013.0ee3

Способ определения длительности времени плазмохимического травления поверхности полупроводниковых пластин для субмикронных технологий

Изобретение относится к области микроэлектроники. Технический результат направлен на повышение достоверности определения типа и количества загрязняющих примесей на поверхности полупроводниковых пластин после плазмохимического травления и определения оптимального значения длительности времени...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002535228
Дата охранного документа: 10.12.2014
+ добавить свой РИД