×
20.10.2013
216.012.765f

Результат интеллектуальной деятельности: СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОРИСТОГО АНОДНОГО ОКСИДА ТИТАНА

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к области гальванотехники и может быть использовано в области наноэлектроники. Способ включает формирование слоя пористого анодного оксида анодным окислением титанового образца в потенциостатическом режиме в электролите на неводной основе, при этом после формирования слоя пористого анодного оксида проводят электрохимический процесс его отделения в слабом водном растворе неорганической кислоты катодной поляризацией титанового образца в потенциостатическом режиме, затем анодным окислением титанового образца в потенциостатическом режиме в электролите на неводной основе формируют вторичный слой пористого анодного оксида титана, при этом анодное окисление титанового образца для формирования слоя и вторичного слоя пористого анодного оксида проводят при термостабилизации зоны протекания электрохимической реакции. Технический результат: повышение воспроизводимости формирования пористого оксида титана с высокой степенью упорядоченности наноструктуры. 2 з.п. ф-лы, 2 ил., 1 пр.

Изобретение относится к области нанотехнологии и наноэлектроники, а конкретно к получению пористых оксидных наноматериалов.

Известен способ получения пористого оксида титана путем анодного окисления титана [1]. Он заключается в том, что электрохимически в электролите на водной основе (0,5-3,5 вес.% HF в воде) на титановом образце выращивают слой пористого анодного оксида титана. Основным недостатком способа является то, что он не обеспечивает получение оксида титана с повышенной степенью упорядоченности его наноструктуры и воспроизводимости геометрических параметров пор. Кроме того, выращиваемые в водных растворах кислот пористые слои оксида имеют предельную толщину (не более 500 нм), хотя для практического применения часто необходимы пористые пленки оксида большей толщины.

Известен способ получения пористого анодного оксида титана [2]. Он заключается в том, что электрохимически в электролите на неводной основе (1 вес.% HF в диэтиленгликоле) на титановом образце выращивают слой пористого оксида титана. Оксид имеет пористую структуру, а его толщина составляет более 10 мкм, что значительно превышает предельную толщину оксида, получаемого в водных растворах. Однако как в первом, так и в данном случае не удается получить оксид с высокой степенью упорядоченности пор и воспроизводимости их геометрических параметров.

Наиболее близким к предлагаемому техническому решению является способ получения пористого анодного оксида титана [3]. Он заключается в том, что электрохимически в потенциостатическом режиме с использованием электролита на неводной основе (раствор NH4F в этиленгликоле) на титановой подложке выращивают слой пористого оксида титана. Как и в предыдущем способе обеспечивается возможность формирования оксида значительной толщины. Способ позволяет формировать оксид титана с квазиупорядоченной наноструктурой. Однако и в данном случае не удается получить оксид с повышенной степенью упорядоченности пор и воспроизводимости их геометрических параметров.

Задача изобретения - повышение воспроизводимости формирования пористого оксида титана с высокой степенью упорядоченности наноструктуры.

Сущность изобретения заключается в следующем.

Исходным является титановый образец. На титановом образце формируют слой пористого оксида титана. Слой оксида титана формируют анодным окислением титанового образца (электрохимически при анодной поляризации титанового образца) в потенциостатическом режиме (в режиме стабилизации напряжения) в электролите на неводной основе при термостабилизации зоны протекания электрохимической реакции. Электролит на неводной основе меняют на слабый водный раствор неорганической кислоты и проведением электрохимического процесса при катодной поляризации титанового образца в потенциостатическом режиме отделяют слой пористого анодного оксида. Меняют слабый водный раствор неорганической кислоты на электролит на неводной основе и анодным окислением титанового образца в потенциостатическом режиме при термостабилизации зоны протекания электрохимической реакции формируют вторичный слой пористого анодного оксида титана. В качестве него используют титановую фольгу или подложку с нанесенной на нее тонкой пленкой титана. В качестве материала подложки может быть использован монокристаллический кремний.

Предлагаемый способ основан на двухстадийном анодировании титанового образца. Формируемый на титановом образце слой пористого оксида титана является «жертвенным». При протекании электрохимического процесса в слабом водном растворе неорганической кислоты при катодной поляризации титанового образца (по сути, при противоположной в сравнении с анодированием полярности напряжения между анодом и катодом) в потенциостатическом режиме на границе раздела титан-оксид титана, происходит активное выделение водорода, приводящее к отделению (механическому отрыву) «жертвенного» слоя пористого оксида титана. Образующаяся наноструктурированная поверхность титана является ориентирующей для последующего эффективного выращивания вторичного слоя пористого оксида титана с повышенной степенью упорядоченности наноструктуры.

На фиг.1 приведена РЭМ-микрофотография нанорельефной поверхности титанового образца после удаления с него слоя пористого оксида титана.

На фиг.2 представлены РЭМ-микрофотографии поверхности слоя пористого оксида титана, полученного при одностадийном (а) и двустадийном (б) анодировании.

Анодное окисление титанового образца для формирования слоя и вторичного слоя пористого анодного оксида проводят при термостабилизации зоны протекания электрохимической реакции. Это необходимо для того, что бы исключить локальные разогревы титанового образца и, как следствие, локальные растравы образующихся пор. В целой это повышает воспроизводимость формирования массива пор с требуемыми геометрическими параметрами.

Пример исполнения.

Исходной является титановая фольга. Титановую фольгу помещают в электрохимическую ячейку, в которой находится электролит на неводной основе (0,3 М NH4F в этиленгликоле), и анодным окислением в потенциостатическом режиме при клеммном напряжении 90 В в течение 15 минут при термостабилизации зоны протекания электрохимической реакции при 20°С выращивают слой пористого оксида титана толщиной 4 мкм. Электролит удаляют из электрохимической ячейки, заливают в нее слабый водный раствор неорганической кислоты (5% водный раствор H2SO4) и проводят электрохимический процесс при катодной поляризации титанового образца в потенциостатическом режиме при клеммном напряжении 5 В в течение 1 минуты, при этом отделяют (удаляют) слой пористого анодного оксида титана. Меняют слабый водный раствор неорганической кислоты на электролит на неводной основе (0,3М NH4F в этиленгликоле) и анодным окислением титанового образца в потенциостатическом режиме при клеммном напряжении 90 В в течение 45 минут при термостабилизации зоны протекания электрохимической реакции при 20°С формируют вторичный слой пористого анодного оксида титана толщиной 12 мкм.

Положительный эффект от использования предлагаемого способа заключается в повышении воспроизводимости формирования пористого оксида титана с высокой степенью упорядоченности наноструктуры. В процессе проведения предложенного двухстадийного способа формирования пористого анодного оксида титана образующаяся наноструктурированная поверхность титана является ориентирующей для последующего эффективного выращивания вторичного слоя пористого оксида титана с повышенной степенью упорядоченности наноструктуры.

Практическая значимость предлагаемого способа заключается в возможности создания на основе титан-оксидных структур высокочувствительных датчиков различных газов, характеризующихся повышенной воспроизводимостью, тонкопленочных солнечных элементов нового поколения.

Источники информации

1. Gong D., Grimes С.А., Varghese O.K. Titanium oxide nanotube arrays prepared by anodic oxidation // Journal of Materials Research. 2001. - Vol.16, No. 12. - P.3331-3334.

2. Sorachon Yoriya and Craig A. Grimes Self-Assembled TiО2 Nanotube Arrays by Anodization of Titanium in Diethylene Glycol: Approach to Extended Pore Widening// Langmuir. 2010. - Vel.26. P.417-420.

3. Патент США №20100320089, кл. C23C 28/00 - прототип.


СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОРИСТОГО АНОДНОГО ОКСИДА ТИТАНА
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОРИСТОГО АНОДНОГО ОКСИДА ТИТАНА
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 11-20 из 27.
10.02.2015
№216.013.2490

Выходной формирователь импульсных сигналов с устройством защиты от электростатических разрядов для кмоп микросхем

Изобретение относится к области формирования выходных сигналов высокочастотных КМОП микросхем и защиты выходов от электростатических разрядов. Техническим результатом является повышение быстродействия формирователя импульсов. Формирователь содержит выходной каскад на основе комплементарных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002540813
Дата охранного документа: 10.02.2015
20.02.2015
№216.013.2a7d

Фотокатод

Изобретение относится к области электронной техники. В фотокатоде, выполненном из высокочистого полупроводника, область, регистрирующая оптическое излучение, выполнена в виде полупроводниковой мембраны с омическим контактом к несущей ее подложке и расположенной над отверстием в ней, на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002542334
Дата охранного документа: 20.02.2015
20.02.2015
№216.013.2b6d

Способ корреляционного приема фазоманипулированных сигналов

Изобретение относится к технике электрической связи и может использоваться в мобильных системах передачи и приема данных. Техническим результатом является возможность обеспечения корреляционного приема фазоманипулированных сигналов при отсутствии слежения за текущей фазой несущей частоты....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002542574
Дата охранного документа: 20.02.2015
10.05.2015
№216.013.4b31

Трехколлекторный биполярный магнитотранзистор с ортогональными потоками носителей заряда

Изобретение относится к полупроводниковой электронике. Изобретение обеспечивает повышение чувствительности к магнитному полю, направленному параллельно поверхности кристалла. Трехколлекторный биполярный магнитотранзистор с ортогональными потоками носителей заряда содержит кремниевую...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002550756
Дата охранного документа: 10.05.2015
20.07.2015
№216.013.623e

Способ изготовления гибкой микропечатной платы

Изобретение может быть использовано при изготовлении гибких микропечатных плат, применяемых при изготовлении вторичных преобразователей микромеханических акселерометров, микрогироскопов, интегральных датчиков давления. Технический результат - получение высокоплотного монтажа при ширине...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002556697
Дата охранного документа: 20.07.2015
10.08.2015
№216.013.6c82

Способ микропрофилирования кремниевых структур

Изобретение относится к приборостроению и может применяться для изготовления конструктивных элементов микромеханических приборов на кремниевых монокристаллических подложках, а именно упругих подвесов и всего чувствительного элемента в целом, например для микромеханических акселерометров и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002559336
Дата охранного документа: 10.08.2015
20.08.2015
№216.013.7244

Выходной каскад для кмоп микросхем с устройством защиты от электростатических разрядов

Изобретение относится к полупроводниковой промышленности, в частности к интегральным микросхемам, и может быть использовано для защиты выходов высокочастотных металлооксидных полупроводниковых (МОП) микросхем от электростатических разрядов. Техническим результатом является повышение...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002560822
Дата охранного документа: 20.08.2015
10.02.2016
№216.014.c4e9

Способ комплексного мониторинга состояния динамических объектов и систем

Изобретение относится к способам ведения комплексного мониторинга состояния динамических объектов и систем. Технический результат заключается в расширении функциональных возможностей средств и систем мониторинга, а именно в придании им новых свойств, которые обеспечивают дистанционную,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002574083
Дата охранного документа: 10.02.2016
12.01.2017
№217.015.5853

Фильтр для очистки скважинной жидкости

Изобретение относится к нефтяной промышленности и может найти применение при очистке жидкости в стволе скважины от плавающего мусора и взвешенных частиц. Техническим результатом является повышение эффективности очистки скважинной жидкости. Фильтр для очистки скважинной жидкости включает щелевой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002588228
Дата охранного документа: 27.06.2016
12.01.2017
№217.015.609c

Фильтр очистки скважинной жидкости

Изобретение относится к нефтяной промышленности и может найти применение при очистке жидкости в стволе скважины от плавающего мусора и взвешенных частиц. Устройство включает щелевой патрубок, сетку, клапан, герметизатор межтрубного пространства скважины, муфту, корпус и цилиндрическое днище....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002590924
Дата охранного документа: 10.07.2016
Показаны записи 11-20 из 35.
10.02.2015
№216.013.2490

Выходной формирователь импульсных сигналов с устройством защиты от электростатических разрядов для кмоп микросхем

Изобретение относится к области формирования выходных сигналов высокочастотных КМОП микросхем и защиты выходов от электростатических разрядов. Техническим результатом является повышение быстродействия формирователя импульсов. Формирователь содержит выходной каскад на основе комплементарных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002540813
Дата охранного документа: 10.02.2015
20.02.2015
№216.013.2a7d

Фотокатод

Изобретение относится к области электронной техники. В фотокатоде, выполненном из высокочистого полупроводника, область, регистрирующая оптическое излучение, выполнена в виде полупроводниковой мембраны с омическим контактом к несущей ее подложке и расположенной над отверстием в ней, на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002542334
Дата охранного документа: 20.02.2015
20.02.2015
№216.013.2b6d

Способ корреляционного приема фазоманипулированных сигналов

Изобретение относится к технике электрической связи и может использоваться в мобильных системах передачи и приема данных. Техническим результатом является возможность обеспечения корреляционного приема фазоманипулированных сигналов при отсутствии слежения за текущей фазой несущей частоты....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002542574
Дата охранного документа: 20.02.2015
10.05.2015
№216.013.4b31

Трехколлекторный биполярный магнитотранзистор с ортогональными потоками носителей заряда

Изобретение относится к полупроводниковой электронике. Изобретение обеспечивает повышение чувствительности к магнитному полю, направленному параллельно поверхности кристалла. Трехколлекторный биполярный магнитотранзистор с ортогональными потоками носителей заряда содержит кремниевую...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002550756
Дата охранного документа: 10.05.2015
20.07.2015
№216.013.623e

Способ изготовления гибкой микропечатной платы

Изобретение может быть использовано при изготовлении гибких микропечатных плат, применяемых при изготовлении вторичных преобразователей микромеханических акселерометров, микрогироскопов, интегральных датчиков давления. Технический результат - получение высокоплотного монтажа при ширине...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002556697
Дата охранного документа: 20.07.2015
10.08.2015
№216.013.6c82

Способ микропрофилирования кремниевых структур

Изобретение относится к приборостроению и может применяться для изготовления конструктивных элементов микромеханических приборов на кремниевых монокристаллических подложках, а именно упругих подвесов и всего чувствительного элемента в целом, например для микромеханических акселерометров и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002559336
Дата охранного документа: 10.08.2015
20.08.2015
№216.013.7244

Выходной каскад для кмоп микросхем с устройством защиты от электростатических разрядов

Изобретение относится к полупроводниковой промышленности, в частности к интегральным микросхемам, и может быть использовано для защиты выходов высокочастотных металлооксидных полупроводниковых (МОП) микросхем от электростатических разрядов. Техническим результатом является повышение...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002560822
Дата охранного документа: 20.08.2015
10.02.2016
№216.014.c4e9

Способ комплексного мониторинга состояния динамических объектов и систем

Изобретение относится к способам ведения комплексного мониторинга состояния динамических объектов и систем. Технический результат заключается в расширении функциональных возможностей средств и систем мониторинга, а именно в придании им новых свойств, которые обеспечивают дистанционную,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002574083
Дата охранного документа: 10.02.2016
12.01.2017
№217.015.5853

Фильтр для очистки скважинной жидкости

Изобретение относится к нефтяной промышленности и может найти применение при очистке жидкости в стволе скважины от плавающего мусора и взвешенных частиц. Техническим результатом является повышение эффективности очистки скважинной жидкости. Фильтр для очистки скважинной жидкости включает щелевой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002588228
Дата охранного документа: 27.06.2016
12.01.2017
№217.015.609c

Фильтр очистки скважинной жидкости

Изобретение относится к нефтяной промышленности и может найти применение при очистке жидкости в стволе скважины от плавающего мусора и взвешенных частиц. Устройство включает щелевой патрубок, сетку, клапан, герметизатор межтрубного пространства скважины, муфту, корпус и цилиндрическое днище....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002590924
Дата охранного документа: 10.07.2016
+ добавить свой РИД