×
10.08.2013
216.012.5e54

ГЕРМЕТИЧНЫЙ КОРПУС ДЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА ИЛИ ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ СВЧ-ДИАПАЗОНА

Вид РИД

Изобретение

Юридическая информация Свернуть Развернуть
№ охранного документа
0002489769
Дата охранного документа
10.08.2013
Краткое описание РИД Свернуть Развернуть
Аннотация: Изобретение относится к области конструирования изделий электронной техники с улучшенными техническими характеристиками и повышенной помехозащищенностью, предназначенных для поверхностного монтажа на плату. Изобретение обеспечивает герметичность корпуса, улучшение его электрорадиоэкранирующих характеристик, обеспечение возможности использования корпуса для поверхностного монтажа БИС СВЧ-диапазона с улучшенными техническими характеристиками и большим количеством выводов. В герметичном корпусе для полупроводникового прибора или интегральной схемы СВЧ-диапазона, содержащем керамическое основание, герметично соединенный с ним ободок и прилегающую герметично к ободку металлическую крышку, внешние и внутренние металлизированные контактные площадки, расположенные по периферии соответственно на внешней и внутренней стороне керамического основания, электрически соединенные попарно посредством металлических проводников, расположенных внутри керамического основания, керамическое основание выполнено многослойным, а ободок выполнен из металла, в центральной части внешней и внутренней стороны керамического основания размещены центральные металлизированные «земляные» площадки, на внешней стороне керамического основания по периферии также расположены внешние «земляные» металлизированные контактные площадки, а часть расположенных по периферии электрически попарно соединенных между собой внутренних и внешних контактных площадок дополнительно электрически соединена с внешними «земляными» контактными площадками, центральными «земляными» контактными площадками и металлическим ободком. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.
Реферат Свернуть Развернуть

Изобретение относится к области конструирования изделий электронной техники с улучшенными техническими характеристиками и повышенной помехозащищенностью, предназначенных для поверхностного монтажа на плату.

Известен корпус для полупроводниковых приборов, предназначенный для поверхностного монтажа, содержащий кристаллодержатель из металлокерамического основания, керамического каркаса и изолированных планарных выводов (Патент RU 86048 U1).

Недостатком данной конструкции является слабая электрорадиоэкранировка корпуса, что не позволяет его использовать в изделиях СВЧ-диапазона.

Наиболее близким аналогом является герметичный корпус интегральной схемы СВЧ-диапазона, содержащий металлическое основание, расположенную на нем одной своей стороной с внешними выводами диэлектрическую пластину с микрополосковыми линиями на ее противоположной стороне по периферии для электрического соединения с интегральной схемой СВЧ-диапазона, которые электрически соединены с внешними выводами посредством сквозных металлических проводников в диэлектрической пластине, и крышку, герметично соединенную по периметру с диэлектрической пластиной, отличающийся тем, что в центре диэлектрической пластины выполнено отверстие для размещения в нем интегральной схемы СВЧ-диапазона заподлицо с поверхностью диэлектрической пластины с микрополосковыми линиями с возможностью теплового контакта интегральной схемы СВЧ-диапазона с основанием и с зазором между стенками указанного отверстия и указанной интегральной схемой СВЧ-диапазона не более 250 мкм, а сквозные металлические проводники диэлектрической пластины выполнены с диаметром в поперечном сечении, который составляет 0,1-1,0 от ширины микрополосковой линии диэлектрической пластины, причем металлическое основание расположено в одной плоскости с внешними выводами, выполнено толщиной 0,03-1,5 мм с возможностью перекрытия отверстия диэлектрической пластины, величина которого составляет 0,1-1,5 мм, и герметично соединено с диэлектрической пластиной (Патент RU 2079931). Такой корпус может быть использован и для полупроводниковых приборов.

Недостатком известного корпуса являются недостаточная герметичность, низкие электрорадиоэкранирующие характеристики, ограниченные конструктивные возможности при увеличении количества выводов, конструкция не интегрируется с технологией поверхностного монтажа.

Техническим результатом изобретения является обеспечение достаточной герметичности корпуса, улучшение его электрорадиоэкранирующих характеристик, обеспечение возможности использования корпуса для поверхностного монтажа БИС СВЧ-диапазона с улучшенными техническими характеристиками и большим количеством выводов.

Указанный технический результат обеспечивается тем, что в герметичном корпусе для полупроводникового прибора или интегральной схемы СВЧ-диапазона, содержащем керамическое основание, герметично соединенный с ним ободок и прилегающую герметично к ободку металлическую крышку, внешние и внутренние металлизированные контактные площадки, расположенные по периферии соответственно на внешней и внутренней стороне керамического основания, электрически соединенные попарно посредством металлических проводников, расположенных внутри керамического основания, керамическое основание выполнено многослойным, а ободок выполнен металлическим, в центральной части внешней и внутренней стороны керамического основания размещены центральные металлизированные «земляные» площадки, на внешней стороне керамического основания по периферии также расположены внешние «земляные» металлизированные контактные площадки, а часть расположенных по периферии электрически попарно соединенных между собой внутренних и внешних контактных площадок дополнительно электрически соединена с внешними «земляными» контактными площадками, центральными «земляными» контактными площадками и металлическим ободком, все электрически соединенные контактные площадки соединены посредством металлических проводников, расположенных внутри керамического основания.

Кроме того, все внешние контактные площадки, электрически соединенные с центральными «земляными» площадками могут быть размещены равномерно по периметру основания корпуса, и их количество составляет не менее восьми.

А электрически соединенные между собой контактные площадки и металлический ободок могут быть соединены посредством металлизации слоев и/или отверстий многослойного керамического основания.

На фиг.1 представлены вид сверху (без крышки), разрез и вид снизу герметичного квадратного корпуса 5×5 для интегральной микросхемы с 32-мя выводами.

На фиг.2 изображен вид сверху и разрез нижнего слоя герметичного корпуса.

Герметичный корпус для полупроводникового прибора или интегральной схемы СВЧ-диапазона содержит многослойное керамическое основание 1 (фиг.1), состоящее из четырех слоев, герметично соединенный с ним металлический ободок 2 и прилегающую герметично к металлическому ободку металлическую крышку 3.

На внешней 4 и внутренней 5 стороне керамического основания 1 расположены по периферии тридцать две внешние и тридцать две внутренние металлизированные контактные площадки, электрически соединенные попарно между собой посредством металлических проводников - металлизированных отверстий 15, а также металлизации слоев 14, расположенных внутри керамического основания 1.

В центральной части внешней 4 и внутренней 5 стороны керамического основания 1 расположены внешние и внутренние центральные металлизированные «земляные» площадки 6 и 7, электрически соединенные между собой равномерно посредством металлических проводников - двадцати пяти металлизированных отверстий 8, расположенных внутри керамического основания 1.

На внешней 4 стороне керамического основания 1 также по периферии (по углам) расположены четыре внешние «земляные» металлизированные контактные площадки 9.

Четыре пары расположенных по периферии электрически соединенных между собой внутренних 10 и внешних 11 контактных площадок, а также четыре внешние «земляные» металлизированные контактные площадки 9 электрически соединены с внутренней центральной «земляной» площадкой 7 и металлическим ободком 2 посредством металлических проводников - металлизированных отверстий 12 (фиг.1, фиг.2), а также металлизации слоев 13, расположенных внутри керамического основания 1.

Четыре внешние «земляные» металлизированные контактные площадки 9 также электрически соединены с металлическим ободком посредством металлизированных отверстий 12, расположенных внутри керамического основания 1, а также металлизации верхнего слоя 16 керамического основания 1

Восемь внешних контактных площадок 9 и 11 размещены преимущественно равномерно по периметру основания корпуса 1.

Реализовать такую конструкцию можно по технологии многослойного керамического производства при предварительном формировании топологии на каждом из слоев на сырой керамике и последующем одновременном обжиге всей многослойной конструкции основания корпуса. В многослойной керамической технологии при формировании топологии корпуса и организации внутренних металлизированных связей используются сырые керамические пленки толщиной 0,1-0,2 мм.

Пример. При изготовлении 5-слойной конструкции корпуса для поверхностного монтажа интегральной схемы СВЧ-диапазона реализовывается следующий технологический цикл. Из шликера, приготовленного на основе порошка ВК-94-1, отливается керамическая пленка толщиной 0,2 мм. На заготовках из сырых керамических карт предварительно формируют требуемую конструкцией корпуса для каждого слоя свою топологию, используя стандартные операции пробивки сырых керамических карт и металлизации по трафаретам и шаблону. В данном случае для изготавливаемого корпуса внутренняя сторона основания корпуса по контуру имеет металлизированные отверстия 15. Из них восемь металлизированных отверстий 12 соединены посредством соответствующей металлизации слоя с внутренней центральной металлизированной «земляной» площадкой 7, предназначенной для размещения кристалла интегральной схемы СВЧ-диапазона, а также соединены с внешними изолированными «земляными» площадками 9 и через внутренние связи в следующих керамических слоях соединяются с ободком 2 и крышкой 3. Следующий керамический слой, содержащий изолированные внутренние контактные площадки, позволяет организовать требуемую разводку «заземляющих» и сигнальных связей кристалла интегральной схемы. Для уменьшения индуктивности связей внутренняя металлизированная «земляная» площадка 7 имеет металлизированные отверстия 8 и равномерно соединена с внешней центральной «земляной» площадкой 6. После подготовки отдельных керамических слоев они совмещаются, пакетируются и обжигаются в едином технологическом цикле в инертной и восстановительной атмосфере с максимальной температурой до 1580°C.

Таким образом, образуется монолитная герметичная конструкция металлокерамического корпуса, в которой реализуется замкнутый электрорадиоэкран, что обеспечивает повышенную помехозащищенность интегральной схемы СВЧ-диапазона.

Форма и размеры металлокерамического корпуса могут быть различными (квадратной или прямоугольной), и в каждом конкретном случае определяются формой кристалла интегральной схемы или полупроводникового прибора и количеством их выводов.

Такая герметичная конструкция металлокерамического корпуса может быть использована для поверхностного монтажа интегральных схем с большим количеством выводов.


ГЕРМЕТИЧНЫЙ КОРПУС ДЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА ИЛИ ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ СВЧ-ДИАПАЗОНА
ГЕРМЕТИЧНЫЙ КОРПУС ДЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА ИЛИ ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ СВЧ-ДИАПАЗОНА
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 1-10 из 14.
10.06.2014
№216.012.cdf7

Свч-транзистор

Изобретение относится к электронной технике, а именно к полупроводниковым приборам, предназначенным для усиления СВЧ-электромагнитных колебаний. СВЧ-транзистор содержит базовую подложку из кремния, теплопроводящий поликристаллический слой алмаза, гетероэпитаксиальную структуру, буферный слой,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002518498
Дата охранного документа: 10.06.2014
10.06.2014
№216.012.d023

Мощный транзистор свч с многослойной эпитаксиальной структурой

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в качестве активных элементов СВЧ-устройств различного назначения. Мощный транзистор СВЧ с многослойной эпитаксиальной структурой содержит базовую подложку из кремния, теплопроводящий поликристаллический слой алмаза,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002519054
Дата охранного документа: 10.06.2014
10.06.2014
№216.012.d024

Мощный транзистор свч

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в качестве активных элементов СВЧ-устройств различного назначения. Мощный транзистор СВЧ содержит базовую подложку из кремния, теплопроводящий поликристаллический слой алмаза, эпитаксиальную структуру на основе широкозонных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002519055
Дата охранного документа: 10.06.2014
27.11.2014
№216.013.0bda

Способ изготовления мощного свч-транзистора

Изобретение относится к области полупроводниковой техники. Способ изготовления мощного СВЧ-транзистора включает нанесение на фланец слоя припоя, формирование пьедестала, нанесение подслоя, обеспечивающего крепление кристалла транзистора к пьедесталу, формирование на базовой подложке из...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534442
Дата охранного документа: 27.11.2014
10.08.2015
№216.013.69d8

Органичитель мощности свч

Использование: для изготовления полупроводниковых изделий. Сущность изобретения заключается в том, что ограничитель мощности СВЧ включает электроды и емкостные элементы. Емкостные элементы представляют собой конденсаторы, ограничитель мощности СВЧ включает подложку из сапфира, на которой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002558649
Дата охранного документа: 10.08.2015
20.09.2015
№216.013.7cc0

Мощный переключатель свч

Изобретение относится к области создания полупроводниковых изделий, а именно к мощному переключателю СВЧ на основе соединения галлия, содержащему подложку, поверх которой размещена эпитаксиальная гетероструктура и барьер Шоттки. Технический результат заключается в уменьшении теплового...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002563533
Дата охранного документа: 20.09.2015
10.02.2016
№216.014.c1cc

Коммутирующее устройство свч

Изобретение относится к технике СВЧ. Технический результат - повышение надежности и скорости переключения, увеличение уровня выходной мощности и уровня радиационной стойкости. Для этого коммутирующее устройство СВЧ содержит электроды и емкостной элемент, представляющий собой конденсатор, при...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002574811
Дата охранного документа: 10.02.2016
10.02.2016
№216.014.c2a0

Мощный переключатель свч

Изобретение относится к области полупроводниковых изделий. Технический результат - повышение надежности устройства путем снижения влияния DX центров, повышения плотности электронов и устранения деградации в гетероструктуре. Для этого переключатель СВЧ содержит подложку, на которой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002574810
Дата охранного документа: 10.02.2016
10.02.2016
№216.014.c300

Мощный псевдоморфный переключатель свч

Изобретение относится к области полупроводниковых изделий. Технический результат - повышение надежности устройства путем снижения влияния DX центров, повышения плотности электронов и устранения деградации в гетероструктуре. Для этого переключатель СВЧ содержит подложку, на которой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002574808
Дата охранного документа: 10.02.2016
10.02.2016
№216.014.c398

Псевдоморфный переключатель свч

Изобретение относится к области полупроводниковых изделий, Технический результат - повышение надежности устройства путем снижения влияния DX центров, повышения плотности электронов и устранения деградации в гетероструктуре. Для этого переключатель СВЧ содержит подложку из сапфира, на которой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002574809
Дата охранного документа: 10.02.2016
Показаны записи 1-10 из 16.
10.06.2014
№216.012.cdf7

Свч-транзистор

Изобретение относится к электронной технике, а именно к полупроводниковым приборам, предназначенным для усиления СВЧ-электромагнитных колебаний. СВЧ-транзистор содержит базовую подложку из кремния, теплопроводящий поликристаллический слой алмаза, гетероэпитаксиальную структуру, буферный слой,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002518498
Дата охранного документа: 10.06.2014
10.06.2014
№216.012.d023

Мощный транзистор свч с многослойной эпитаксиальной структурой

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в качестве активных элементов СВЧ-устройств различного назначения. Мощный транзистор СВЧ с многослойной эпитаксиальной структурой содержит базовую подложку из кремния, теплопроводящий поликристаллический слой алмаза,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002519054
Дата охранного документа: 10.06.2014
10.06.2014
№216.012.d024

Мощный транзистор свч

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в качестве активных элементов СВЧ-устройств различного назначения. Мощный транзистор СВЧ содержит базовую подложку из кремния, теплопроводящий поликристаллический слой алмаза, эпитаксиальную структуру на основе широкозонных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002519055
Дата охранного документа: 10.06.2014
27.11.2014
№216.013.0bda

Способ изготовления мощного свч-транзистора

Изобретение относится к области полупроводниковой техники. Способ изготовления мощного СВЧ-транзистора включает нанесение на фланец слоя припоя, формирование пьедестала, нанесение подслоя, обеспечивающего крепление кристалла транзистора к пьедесталу, формирование на базовой подложке из...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534442
Дата охранного документа: 27.11.2014
10.08.2015
№216.013.69d8

Органичитель мощности свч

Использование: для изготовления полупроводниковых изделий. Сущность изобретения заключается в том, что ограничитель мощности СВЧ включает электроды и емкостные элементы. Емкостные элементы представляют собой конденсаторы, ограничитель мощности СВЧ включает подложку из сапфира, на которой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002558649
Дата охранного документа: 10.08.2015
20.09.2015
№216.013.7cc0

Мощный переключатель свч

Изобретение относится к области создания полупроводниковых изделий, а именно к мощному переключателю СВЧ на основе соединения галлия, содержащему подложку, поверх которой размещена эпитаксиальная гетероструктура и барьер Шоттки. Технический результат заключается в уменьшении теплового...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002563533
Дата охранного документа: 20.09.2015
10.02.2016
№216.014.c1cc

Коммутирующее устройство свч

Изобретение относится к технике СВЧ. Технический результат - повышение надежности и скорости переключения, увеличение уровня выходной мощности и уровня радиационной стойкости. Для этого коммутирующее устройство СВЧ содержит электроды и емкостной элемент, представляющий собой конденсатор, при...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002574811
Дата охранного документа: 10.02.2016
10.02.2016
№216.014.c2a0

Мощный переключатель свч

Изобретение относится к области полупроводниковых изделий. Технический результат - повышение надежности устройства путем снижения влияния DX центров, повышения плотности электронов и устранения деградации в гетероструктуре. Для этого переключатель СВЧ содержит подложку, на которой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002574810
Дата охранного документа: 10.02.2016
10.02.2016
№216.014.c300

Мощный псевдоморфный переключатель свч

Изобретение относится к области полупроводниковых изделий. Технический результат - повышение надежности устройства путем снижения влияния DX центров, повышения плотности электронов и устранения деградации в гетероструктуре. Для этого переключатель СВЧ содержит подложку, на которой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002574808
Дата охранного документа: 10.02.2016
10.02.2016
№216.014.c398

Псевдоморфный переключатель свч

Изобретение относится к области полупроводниковых изделий, Технический результат - повышение надежности устройства путем снижения влияния DX центров, повышения плотности электронов и устранения деградации в гетероструктуре. Для этого переключатель СВЧ содержит подложку из сапфира, на которой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002574809
Дата охранного документа: 10.02.2016
+ добавить свой РИД