ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ ИНДИКАТОРНАЯ ПАНЕЛЬ И СПОСОБ ТЕХНИЧЕСКОГО КОНТРОЛЯ КАЧЕСТВА ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ ИНДИКАТОРНОЙ ПАНЕЛИ

Область техники, к которой относится изобретение

[0001] Настоящее изобретение относится к жидкокристаллической индикаторной панели, а также к способу технического контроля качества жидкокристаллической индикаторной панели.

Предшествующий уровень техники

[0002] Жидкокристаллическая индикаторная панель, которая включает в себя тонкопленочный транзистор (иногда в настоящем описании называемый «TFT»), в частности, жидкокристаллическая индикаторная панель с активной матрицей, имеет превосходные показатели качества изображения, угла обзора, времени отклика и т.п., вследствие чего она широко используется для воспроизведения кинофильмов.

[0003] Жидкокристаллическая индикаторная панель формируется посредством размещения двух электродных подложек, каждая из которых имеет ориентирующий слой, при котором эти ориентирующие слои располагаются друг напротив друга, а также посредством герметичного закрепления жидкого кристалла между этими электродными подложками. Этими двумя электродными подложками в жидкокристаллической индикаторной панели TFT являются подложка TFT и подложка цветового фильтра (иногда в настоящем описании называемая «CF»).

[0004] Ориентирующий слой, в целом, состоит из полиимида (иногда в настоящем описании называемого «PI»). Примеры жидкокристаллических индикаторных панелей, в которых используется ориентирующий слой PI, раскрыты в патентных документах 1-3.

[0005] К примеру, ориентирующий слой PI может быть получен посредством следующего процесса: изначально на подложку наносится смесь полиамидокислоты (полиаминовой кислоты) с материалом для ориентирующего слоя, после чего нанесенная полиамидокислота закрепляется посредством просушки и имидизации (имидирования).

[0006] Недостаточная степень имидизации полиамидокислоты в процессе формирования ориентирующего слоя, к примеру, возникающая из-за низкой температуры при термообработке нанесенной полиамидокислоты, может привести к дефектному ориентированию жидкого кристалла. Поэтому в процессе изготовления жидкокристаллической индикаторной панели важно контролировать степень имидизации ориентирующего слоя.

[0007] Дефект ориентирующего слоя PI становится заметным при отображении дефектного изображения, такого как пятно, неравномерность и т.п., после герметичного закрепления жидкого кристалла между электродными подложками жидкокристаллической индикаторной панели, и после подачи напряжения на жидкокристаллическую индикаторную панель. Однако желательно выявить такой дефект по возможности на более раннем этапе, и принять соответствующие меры.

[0008] На Фиг.7-9 изображается обычный способ измерения степени имидизации ориентирующего слоя PI. Фиг.7 изображает жидкокристаллическую индикаторную панель 100 TFT. Как изображено на Фиг.8, жидкокристаллическая индикаторная панель 100 TFT делится на подложку 101 TFT и подложку 102 CF. Стилусом 103 управляют посредством манипулятора, который не изображен на данном чертеже, для сбора образцов 104 PI, например, с поверхности подложки 101 TFT. Собранные образцы 104 PI переносятся на платформу 105 измерения, как изображено на Фиг.9. Образцы 104 PI размещаются в маленькой области, площадь которой, к примеру, равняется 50 мкм. После чего, посредством инфракрасного спектрометра с преобразованием Фурье (иногда в настоящем описании называемого «FT-IR»), анализируется спектр образцов 104 PI и измеряется степень имидизации.

Список патентной литературы

[0009]

Патентный документ 1: JP-A-2001-5001

Патентный документ 2: JP-A-2002-40438

Патентный документ 3: JP-A-2002-69447

Сущность изобретения

Техническая проблема

[0010] Как изображено на Фиг.7-9, способ измерения степени имидизации PI требует разделения жидкокристаллической индикаторной панели 100 TFT, изготовление которой было завершено или почти завершено, на подложку 101 TFT и подложку 102 CF; кроме того, требуются специальные устройства, такие как манипулятор и т.п. Такие требования затрачивают длительное время на получение результата измерения. Вышеупомянутый длительный процесс приводит к замедленной обратной связи на этапе изготовления при обнаружении проблем.

[0011] Настоящее изобретение было разработано с учетом вышеупомянутых проблем, и его цель заключается в обеспечении жидкокристаллической индикаторной панели, степень имидизации полиамидного ориентирующего слоя которой может быть измерена без необходимости в разделении жидкокристаллической индикаторной панели. Кроме того, другая цель настоящего изобретения заключается в обеспечении способа технического контроля качества жидкокристаллической индикаторной панели, который эффективно измеряет степень имидизации полиимидного ориентирующего слоя жидкокристаллической индикаторной панели.

Решение проблемы

[0012] Чтобы достижения вышеупомянутых целей, в соответствии с настоящим изобретением, жидкокристаллическая индикаторная панель содержит: подложку TFT и подложку CF, ориентирующие слои, располагающиеся на подложке TFT и подложке CF друг напротив другу, ориентирующие слои, состоящие из полиамида, жидкий кристалл, герметично закрепляемый между подложкой TFT и подложкой CF, металлическую пленку, располагающуюся на подложке TFT, металлическую пленку, которая может быть оптически распознана через подложку CF, и металлическую пленку, служащую в качестве отражателя инфракрасного излучения в ситуации, когда измеряется степень имидизации ориентирующего слоя, который покрывает металлическую пленку.

[0013] В жидкокристаллической индикаторной панели, имеющей вышеупомянутую структуру, может быть измерена степень имидизации ориентирующего слоя, который покрывает металлическую пленку посредством использования металлической пленки, которая может быть оптически распознана через подложку CF, в качестве отражателя инфракрасного излучения. Следовательно, даже если процесс изготовления жидкокристаллической индикаторной панели приближается к заключительному этапу, существует возможность измерения степени имидизации полиимидного ориентирующего слоя без необходимости в разделении жидкокристаллической индикаторной панели. Измерение не требует разделения жидкокристаллической индикаторной панели, и поэтому оно может быть выполнено быстро, кроме того измерение также может быть выполнено относительно просто, в связи с тем, что для выполнения измерения требуется только лишь оптическое устройство.

[0014] Желательно, чтобы металлическая пленка в жидкокристаллической индикаторной панели, имеющей вышеупомянутую структуру, была сформирована в качестве части проволочного соединения затвора или проволочного соединения истока подложки TFT.

[0015] В соответствии с данной структурой, возможно сформировать металлическую пленку посредством использования обычного процесса для изготовления жидкокристаллической индикаторной панели. Кроме того, для изготовления металлической пленки, которая может быть оптически распознана через подложку CF, если отверстие сформировано через наложенный слой, сформированный на металлической пленке посредством нанесения рисунка и травления при помощи маски, полиимид накапливается в отверстии, чтобы в случае, когда, к примеру, инфракрасное излучение испускается из FT-IR и отражается посредством металлической пленки, инфракрасное излучение проходило на большое расстояние, а также увеличивался диапазон отношения S/N.

[0016] Желательно, чтобы металлическая пленка в жидкокристаллической индикаторной панели, имеющей вышеупомянутую структуру, располагалась в зоне черной матрицы, окружающей область отображения жидкокристаллической индикаторной панели; а также, чтобы черная матрица подложки CF снабжалась прозрачным элементом, который предоставляет возможность оптического распознавания металлической пленки.

[0017] В соответствии с данной структурой, металлическая пленка располагается за пределами области отображения, благодаря чему она не оказывает никакого влияния на жидкокристаллическое устройство отображения. Кроме того, прозрачный элемент, сформированный на черной матрице, также располагается за пределами области отображения для предоставления возможности скрытия прозрачного элемента посредством использования структуры, в которой прозрачный элемент покрывается корпусом устройства, которое включает в себя жидкокристаллическую индикаторную панель.

[0018] Желательно, чтобы металлическая пленка в жидкокристаллической индикаторной панели, имеющей вышеупомянутую структуру, была сформирована в качестве части проволочного соединения компенсационной емкости подложки TFT.

[0019] В соответствии с данной структурой, возможно сформировать металлическую пленку посредством использования обычного процесса для изготовления жидкокристаллической индикаторной панели. Кроме того, элемент компенсационной емкости не покрывается черной матрицей для упрощения формирования прозрачного элемента на черной матрице.

[0020] В соответствии с настоящим изобретением, способ технического контроля качества жидкокристаллической индикаторной панели посредством инфракрасного спектрометра с преобразованием Фурье выполняет измерение микроотражения ориентирующего слоя, покрывающего вышеупомянутую металлическую пленку жидкокристаллической индикаторной панели, причем инфракрасный спектрометр с преобразованием Фурье измеряет степень имидизации ориентирующего слоя посредством инфракрасного спектра поглощения ориентирующего слоя.

[0021] В соответствии с данным способом, поскольку степень имидизации полиимидного ориентирующего слоя измеряется посредством инфракрасного спектрометра с преобразованием Фурье, оборудование, которое обычно используется для анализа, не требующего разделения жидкокристаллической индикаторной панели, содержащей полиамидный ориентирующий слой, выполняет быстрое и простое измерение.

Выгодные эффекты изобретения

[0022] В соответствии с настоящим изобретением, даже если процесс изготовления жидкокристаллической индикаторной панели приближается к заключительному этапу, существует возможность измерения степени имидизации полиимидного ориентирующего слоя без необходимости в разделении жидкокристаллической индикаторной панели. Поэтому возможно беспрепятственно проверить качество жидкокристаллического ориентирующего слоя, и при возникновении любой проблемы быстро вернуться на этап изготовления.

Краткое описание чертежей

[0023]

Фиг.1 изображает схематическое горизонтальное представление жидкокристаллической индикаторной панели, в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения.

Фиг.2 изображает схематическое вертикальное представление в разрезе жидкокристаллической индикаторной панели, изображенной на Фиг.1.

Фиг.3 изображает схематическое представление, описывающее измерение степени имидизации ориентирующего слоя жидкокристаллической индикаторной панели, изображенной на Фиг.1.

Фиг.4 изображает схематическое вертикальное представление в разрезе, иллюстрирующее другой вариант осуществления подложки TFT.

Фиг.5 изображает схематическое горизонтальное представление элемента компенсационной емкости в жидкокристаллической индикаторной панели.

Фиг.6 изображает схематическое горизонтальное представление, иллюстрирующее ситуацию, когда черная матрица перекрывается элементом, изображенным на Фиг.5.

Фиг.7 изображает схематическое горизонтальное представление, иллюстрирующее структуру обычной жидкокристаллической индикаторной панели.

Фиг.8 изображает схематическое представление, описывающее ситуацию, когда образцы ориентирующего слоя берутся из жидкокристаллической индикаторной панели, изображенной на Фиг.7.

Фиг.9 изображает схематическое представление, описывающее измерение степени имидизации образцов ориентирующего слоя из жидкокристаллической индикаторной панели, изображенной на Фиг.7.

Описание варианта осуществления

[0024] Далее в настоящем документе, со ссылкой на чертежи, будет описан вариант осуществления настоящего изобретения. В настоящем описании предполагается, что процесс изготовления жидкокристаллической индикаторной панели либо еще выполняется, либо уже завершен, а жидкокристаллическая индикаторная панель размещается на горизонтальной поверхности, при этом ее поверхность отображения направлена вверх.

[0025] В жидкокристаллической индикаторной панели 1, которая изображена на Фиг.1, зона 3 черной матрицы (иногда в настоящем описании называемой «ВМ») по периметру прилегает к центральной области 2 отображения (заштрихованной области) подобно рамке. Зона 4 герметичного закрепления по периметру прилегает к зоне 3 BM. Верхний элемент жидкокристаллической индикаторной панели 1, изображенной на Фиг.1, формируется в контактной площадке 5. Прозрачный элемент 6 формируется в зоне 3 BM.

[0026] Фиг.2 изображает структуру элемента, находящегося около прозрачного элемента 6. Подложка 10 TFT имеет структуру, в которой на верхней поверхности стеклянной подложки 11 последовательно располагаются следующие компоненты. В частности, эти компоненты включают в себя: основную изолирующую пленку 12 (основную площадку), изолирующую пленку 13 затвора (иногда в настоящем описании называемую «GI»), межслойную изолирующую пленку 14, пассивирующую пленку 15, которая является защитной пленкой, органическую изолирующую пленку 16; пленку 17 прозрачного электрода (иногда в настоящем описании называемую «ITO», и ориентирующий слой 18, состоящий из PI.

[0027] Подложка 20 CF имеет структуру, в которой на нижней поверхности стеклянной подложки 21 последовательно располагаются следующие компоненты. В частности, эти компоненты включают в себя: матрицу 22 BM, пленку 23 ITO и ориентирующий слой 24, состоящий из PI.

[0028] Между подложкой 10 TFT и подложкой 20 CF располагается герметическая перегородка 30 для формирования зоны герметичного закрепления жидкого кристалла, а также распорка 31 колонного типа для поддержания предварительно определенного расстояния между подложкой 10 TFT и подложкой 20 CF. К примеру, если высота распорки 31 колонного типа приблизительно равняется 4 мкм, то толщина жидкокристаллического слоя 32 приблизительно равняется 4 мкм.

[0029] Соединение подложки 10 TFT с подложкой 20 CF выполняется следующим образом. Подложка 20 CF, изготовленная посредством использования процесса изготовления подложки CF, располагается таким образом, чтобы ориентирующий слой 24 был направлен вверх; за пределами слоя, такого как матрица 22 BM или другого, герметик, состоящий из смолы, полимеризующейся при нагревании или облучении ультрафиолетовым излучением, используется для формирования рамки посредством не изображенного дозатора. Жидкокристаллический материал заливается в рамку герметика. Затем подложка 10 TFT, изготовленная посредством использования процесса изготовления подложки TFT, располагается на подложке 20 CF с ориентирующим слоем 18, который направлен вниз. Подложка 20 CF и подложка 10 TFT соединяются друг с другом под вакуумметрическим давлением, после чего среда, окружающая соединенные подложки, возвращается в атмосферное давление. Подложка 20 CF и подложка 10 TFT с расположенным между ними герметиком и распоркой 31 колонного типа прижимаются друг к другу посредством атмосферного давления. Затем ультрафиолетовые лучи направляются на герметик, а соединенные подложки нагреваются, посредством чего герметик отверждается и формируется герметическая перегородка 30. Таким образом выполняется соединение подложки 10 TFT с подложкой 20 CF.

[0030] Вышеупомянутая структура жидкокристаллической индикаторной панели 1 попросту является иллюстративной и не ограничивает настоящее изобретение. Структуры пленки подложки 10 TFT и подложки 20 CF, которые описаны в настоящем документе ниже, также являются иллюстративными.

[0031] Материалом основной изолирующей пленки 12 является SiO₂/SiON и обрабатывается посредством процесса химического осаждения из паровой фазы (далее в настоящем документе называемого «CVD») таким образом, чтобы иметь толщину пленки, равную 100 нм. Материалом пленки 13 GI является SiO₂ и обрабатывается посредством процесса CVD таким образом, чтобы иметь толщину пленки, равную 75 нм. Материалами межслойной изолирующей пленки 14 являются SiO₂/SiN/SiO₂ и обрабатываются посредством процесса CVD таким образом, чтобы иметь толщину пленки, равную 600/50/250 нм. Материалом пассивирующей пленки 15 является SiN и обрабатывается посредством процесса CVD таким образом, чтобы иметь толщину пленки, равную 500 нм. Материалом органической изолирующей пленки 16 является акриловая смола и обрабатывается посредством процесса нанесения таким образом, чтобы иметь толщину пленки, равную 2400 нм. Материалом пленки 17 ITO является окись индия с оловом и обрабатывается посредством процесса напыления таким образом, чтобы иметь толщину пленки, равную 100 нм. Материалом ориентирующего слоя 18 является полиимид и обрабатывается посредством процесса нанесения таким образом, чтобы иметь толщину пленки, равную 100 - 200 нм.

[0032] Материалами проволочного соединения затвора и проволочного соединения компенсационной емкости, которые формируются на подложке 10 TFT, являются W/TaN и обрабатываются посредством процесса напыления таким образом, чтобы иметь толщину пленки, равную 370/30 нм. Материалами проволочного соединения истока, которое также формируется на подложке 10 TFT, являются Ti/Al/Ti и обрабатываются посредством процесса напыления таким образом, чтобы иметь толщину пленки, равную 100 / 100/ 350 нм.

[0033] Материалом матрицы 22 BM является положительно заряженная светочувствительная смола, в которой диспергирован (рассеян) черный пигмент, включающий в себя частицы углерода, и обрабатывается посредством процесса нанесения таким образом, чтобы иметь толщину пленки, равную 2,0 мкм. Красящим веществом (R, G, B) цветового фильтра является окрашенная светочувствительная акриловая смола, и обрабатывается посредством процесса нанесения таким образом, чтобы иметь толщину пленки, равную 2,0 мкм. Материалом пленки 23 ITO является окись индия с оловом и обрабатывается посредством процесса напыления таким образом, чтобы иметь толщину пленки, равную 100 нм. Материалом ориентирующего слоя 24 является полиимид и обрабатывается посредством процесса нанесения таким образом, чтобы иметь толщину пленки, равную 100-200 нм.

[0034] В настоящем изобретении металлическая пленка 40, которая может быть распознана через подложку 20 CF, формируется на подложке 10 TFT. Металлическая пленка 40 служит в качестве отражателя инфракрасного излучения в ситуации, когда измеряется степень имидизации ориентирующего слоя 18, который покрывает металлическую пленку. Металлическая пленка 40 формируется в качестве части проволочного соединения затвора, проволочного соединения истока, проводного соединения компенсационной емкости и т.п., или формируется в качестве другой металлической пленки, которая является независимой от них.

[0035] В структуре, изображенной на Фиг.2, предполагается, что часть проволочного соединения затвора или проволочного соединения истока является металлической пленкой 40. Металлическая пленка 40 формируется на пленке 13 GI. Межслойная изолирующая пленка 14, пассивирующая пленка 15, органическая изолирующая пленка 16 и пленка 17 ITO, которые последовательно накладываются на металлическую пленку 40, снабжаются отверстием 41, которое проходит через них для достижения металлической пленки 40. Отверстие 41 формируется посредством обычного способа, в котором накладывается маска, имеющая схему расположения отверстий, и выполняется травление. Если ориентирующий слой 18 наносится после формирования отверстия 41, то PI входит в отверстие 41 и формируется слой PI, который толще других элементов.

[0036] Подложка 20 CF снабжается прозрачным элементом 6 в позиции, находящейся выше отверстия 41. В качестве прозрачного элемента 6 служит отверстие, проходящее через матрицу 22 BM и пленку 23 ITO. Прозрачный элемент 6 также формируется посредством обычного способа, в котором накладывается маска, имеющая схему расположения отверстий, и выполняется травление. Если ориентирующий слой 24 наносится после формирования прозрачного элемента 6, то PI накапливается в прозрачном элементе 6 и формируется слой PI, который толще других элементов. Толстый слой PI приводит к тому, что при выполнении спектрального анализа посредством FT-IR, инфракрасное излучение проходит на большое расстояние, а также увеличивается диапазон отношения S/N.

[0037] Размеры отверстия 41 и прозрачного элемента 6 равняются 50 мкм² или более, соответственно. 50 мкм² является областью, в которой получают спектр, имеющий хорошее отношение S/N, при выполнении спектрального анализа посредством способа измерения микроотражения с использованием FT-IR. Соответственно, это является удовлетворительным лишь тогда, когда размеры отверстия 41 и прозрачного элемента 6 больше 50 мкм², независимо от точности. Формы отверстия 41 и прозрачного элемента 6 не ограничиваются квадратом. Они могут быть расположены в любой позиции зоны 3 BM.

[0038] При проявлении беспокойства по утечке света из прозрачного элемента 6, на поверхность стеклянной подложки 21 может быть нанесена черная краска или светонепроницаемый герметик. Такие меры не являются необходимыми в ситуации, когда корпус устройства, включающего в себя жидкокристаллическую индикаторную панель 1, покрывается матрицей BM.

[0039] При измерении степеней имидизации ориентирующего слоя 18 и ориентирующего слоя 24 жидкокристаллической индикаторной панели 1, которая имеет вышеупомянутую структуру, как изображено на Фиг.3, жидкокристаллическая индикаторная панель переносится на платформу 51 измерения, то есть помещается под спектрометр 50 FT-IR. Спектрометр 50 FT-IR и платформа 51 измерения составляют микроскоп FT-IR. Размеры платформы 51 измерения приблизительно равны 130 мм × 200 мм. При этом, регулируется позиция платформы 51 измерения, а поверхность металлической пленки 40 размещается в центральной позиции спектрометра 50 FT-IR. Затем посредством способа измерения микроотражения измеряется степень имидизации.

[0040] Инфракрасное излучение направляется от спектрометра 50 FT-IR к металлической пленке 40. В качестве источника инфракрасного излучения может быть использован, к примеру, источник инфракрасного излучения на основе SiC или керамический источник излучения. Что касается длины волны, то используется длина волны, равная 2,5-25 мкм, которая является промежуточной длиной волны инфракрасной области. Воспроизводимые длины волн составляют 4000 см^{-1 -} 400 см^-1. Что касается детектора, то используется ртутно-кадмиево-теллуровый детектор (МСТ).

[0041] Размер маскирования задается при просмотре видимого изображения в области представления микроскопа спектрометра 50 FT-IR, при этом определяется область измерения. Используется способ двойного маскирования.

[0042] Диаметр луча окна излучения источника инфракрасного излучения приблизительно составляет 7-8 мм. Луч фокусируется посредством способа маскирования и направляется на прозрачный элемент 6. Расстояние от спектрометра 50 FT-IR до жидкокристаллической индикаторной панели 1 составляет 10-20 мм. Платформа 51 измерения является большой и расстояние до спектрометра 50 FT-IR является относительно большим для возможности беспрепятственной установки жидкокристаллической индикаторной панели 1.

[0043] Используется кассегрен, имеющий 32-кратное увеличение. В случае, когда кассегрен имеет такое увеличение, размеры маскирования (зоны фокусировки инфракрасного излучения), равные 46×46 мкм, удовлетворяют размерам элемента, равным 250×250 мкм, детектора MCT. Это является причиной того, что стандартные размеры прозрачного элемента 6 являются квадратом, имеющим стороны, размер которых равен 50 мкм.

[0044] Инфракрасное излучение отражается посредством металлической пленки 40 и обнаруживается посредством детектора MCT. Выполняется спектральный анализ принятого инфракрасного излучения, посредством которого возможно измерить степень имидизации полиимида.

[0045] Как изображено на Фиг.4, также возможно использовать структуру, в которой на металлической пленке 40 остается пассивирующая пленка 15, органическая изолирующая пленка 16 и пленка 17 ITO. Инфракрасное излучение проходит через эти пленки и отражается от металлической пленки 40 для предоставления возможности измерения степени имидизации ориентирующего слоя 18 и ориентирующего слоя 24 посредством спектрометра 50 FT-IR. В спектральном анализе вычитаются пиковые значения материалов пассивирующей пленки 15, органической изолирующей пленки 16, пленки 17 ITO и жидкокристаллического материала жидкокристаллического слоя 32. Кроме того, для увеличения отношение S/N спектра количество интеграций за период анализа может быть удвоено. Например, со 128 до 256.

[0046] Также возможно сформировать металлическую пленку 40 в качестве части проволочного соединения компенсационной емкости. На Фиг.5 ссылочный номер 42 указывает проволочное соединение затвора, ссылочный номер 43 указывает проволочное соединение истока, а ссылочный номер 44 указывает проволочное соединение компенсационной емкости (далее в настоящем документе называемой «Cs»). Как изображено на Фиг.6, проволочное соединение 44 Cs не покрывается матрицей 22 BM для того, чтобы формирование прозрачного элемента на матрице 22 BM не являлось необходимым.

[0047] На Фиг.4 изображено представление в разрезе, выполненном по линии А-А, изображенной на Фиг.5. Однако ширина металлической пленки 40 приблизительно равняется 20 мкм. Если область отражения инфракрасного излучения является маленькой, то отношение S/N может быть ухудшено; однако при увеличении количества интеграций за период анализа (например, четырехкратное увеличение со 128 до 512) возможна компенсация.

[0048] Выше был описан вариант осуществления настоящего изобретения, однако объем настоящего изобретения не ограничивается данным вариантом осуществления, кроме того возможно добавить различные модификации и применять их на практике без отступления от сущности настоящего изобретения.

Индустриальная применимость

[0049] Настоящее изобретение является широко применимым к жидкокристаллическим индикаторным панелям TFT.

Перечень ссылочных номеров

[0050]

1 - Жидкокристаллическая индикаторная панель

2 - Область отображения

3 - Зона черной матрицы

6 - Прозрачный элемент

10 - Подложка TFT

11 - Стеклянная подложка

12 - Основная изолирующая пленка

13 - Изолирующая пленка затвора

14 - Межслойная изолирующая пленка

15 - Защитная пленка

16 - Органическая изолирующая пленка

17 - Пленка прозрачного электрода

18 - Ориентирующий слой

20 - Подложка CF

21 - Стеклянная подложка

22 - Черная матрица

23 - Пленка прозрачного электрода

24 - Ориентирующий слой

30 - Герметик

31 - Распорка колонного типа

32 - Жидкокристаллический слой

40 - Металлическая пленка

50 - Инфракрасный спектрометр с преобразованием Фурье

51 - Платформа измерения