×
20.06.2013
216.012.4cb4

Результат интеллектуальной деятельности: СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ ВОЛЬФРАМАТА НАТРИЯ-ВИСМУТА

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к области выращивания из расплава нелегированных кристаллов вольфрамата натрия-висмута NaBi(WO), являющегося перспективным материалом для Черепковских детекторов. Выращивание кристаллов осуществляют методом Чохральского в воздушной атмосфере со скоростью вытягивания 4-5 мм/час и скоростью вращения кристалла 15-19 мин. Способ позволяет получать кристаллы, прозрачные в видимом диапазоне начиная с длины волны 352 нм. 3 ил., 4 пр.
Основные результаты: Способ получения кристаллов вольфрамата натрия-висмута NaBi(WO) методом Чохральского в воздушной атмосфере из платинового тигля со скоростью вытягивания 4-5 мм/ч, отличающийся тем, что скорость вращения кристалла составляет 15-19 мин.

Изобретение относится к области выращивания кристаллов из расплава. Вольфрамат натрия висмута NaBi(WO4)2 - перспективный материал для Черенковских детекторов.

Известен способ получения кристаллов NaBi(WO4)2 методом Чохральского [E.G.Devitsin, V.A.Kozlov, V.A.Nefedov, A.R.Terkulov, B.I.Zadneprovski. Colorless NaBi(WO4)2: In Cherenkov Crystals for Electromagnetic Calorimetry. Научно-информационный журнал «ЭЛЛФИ», 2003, выпуск 5, №28, с.1-14] - прототип, в котором кристаллы выращивают в воздушной среде, из платиновых тиглей, со скоростью вытягивания 4-5 мм/час при скорости вращения 30-32 мин-1. По этому способу получены нелегированные кристаллы NaBi(WO4)2, а также кристаллы, легированные индием.

Основной недостаток способа-прототипа состоит в том, что нелегированные кристаллы NaBi(WO4)2 практически непрозрачны в диапазоне длин волн 352-380 нм, что снижает эффективность их применения в Черенковских детекторах. При выращивании кристаллов по способу-прототипу, для обеспечения прозрачности в указанном диапазоне, NaBi(WO4)2 необходимо легировать индием, что усложняет процесс.

На Фиг.1 представлены опубликованные авторами способа-прототипа [E.G.Devitsin, V.A.Kozlov, V.A.Nefedov, A.R.Terkulov, B.I.Zadneprovski. Colorless NaBi(WO4)2: In Cherenkov Crystals for Electromagnetic Calorimetry. Научно-информационный журнал «ЭЛЛФИ», 2003, выпуск 5, №28, с.1-14] спектры светопропускания нелегированного NaBi(WO4)2, а также кристалла, легированного индием. Из спектров на Фиг.1 видно, что нелегированный кристалл NaBi(WO4)2 прозрачен в видимом диапазоне начиная с длины волны 380 нм, а легированный индием - начиная с длины волны 352 нм.

Задачей данного изобретения является упрощение процесса получения кристаллов NaBi(WO4)2, прозрачных в диапазоне длин волн 352-380 нм.

Эта задача решается в предлагаемом способе в воздушной атмосфере из платинового тигля со скоростью вытягивания 4-5 мм/час за счет выращивания нелегированных кристаллов NaBi(WO4)2 со скоростью вращения 15-19 мин-1.

На фиг.2 показаны кристалл NaBi(WO4)2, выращенный по предлагаемому способу (слева), и заготовка твердотельного элемента Черепковского детектора из такого кристалла (справа).

На фиг.3 представлен спектр светопропускания кристалла NaBi(WO4)2, выращенного по предлагаемому способу. Видно, что материал прозрачен в видимом диапазоне начиная с волнового числа 28400 см-1, что соответствует длине волны 352 нм.

Таким образом, получен нелегированный NaBi(WO4)2, прозрачный в диапазоне длин волн 352-380 нм.

Достигнутый результат может быть объяснен следующим образом. При выращивании NaBi(WO4)2 с высокими скоростями вытягивания и вращения, в кристаллах, как правильно отмечено авторами способа-прототипа, образуются точечные дефекты, а именно вакансии вольфрама и атомы висмута, занимающие места атомов натрия в решетке (см. [E.G.Devitsin, V.A.Kozlov, V.A.Nefedov, A.R.Terkulov, B.I.Zadneprovski. Colorless NaBi(WO4)2: In Cherenkov Crystals for Electromagnetic Calorimetry. Научно-информационный журнал «ЭЛЛФИ», 2003, выпуск 5, №28, с.4]). Эти дефекты обуславливают появление глубоких энергетических уровней в запрещенной зоне NaBi(WO4)2, вызывающих интенсивное поглощение света в диапазоне длин волн 350-420 нм и, как следствие, непрозрачность кристаллов в диапазоне длин волн 352-380 нм. В способе-прототипе прозрачность кристаллов в диапазоне длин волн 352-380 нм достигается за счет компенсации глубоких уровней при введении примеси индия. В предлагаемом способе, за счет снижения скорости вращения кристалла, существенно снижается концентрация точечных дефектов в NaBi(WO4)2, что позволяет получать нелегированные кристаллы, прозрачные в диапазоне длин волн 352-380 нм. Исключение легирования упрощает технологический процесс.

Предлагаемый интервал скорости вращения выбран экспериментально. При скорости выше 19 мин-1 значительно возрастает концентрация точечных дефектов в кристаллах, и, как следствие, NaBi(WO4)2 интенсивно поглощает свет с длинами волн 352-380 нм. При скоростях вращения ниже 15 мин-1 выращивание качественного NaBi(WO4)2 неосуществимо, так как в этом случае механизм роста сменяется на дендритный и в кристаллах образуется множество структурных макродефектов, что делает невозможным применение NaBi(WO4)2 в Черенковских детекторах.

Пример 1

Кристалл вольфрамата натрия-висмута NaBi(WO4)2 выращивается методом Чохральского в воздушной атмосфере из платинового тигля со скоростью вытягивания 4 мм/час и скоростью вращения кристалла 14 мин-1. Получить качественный NaBi(WO4)2 не удается из-за дендритного механизма роста кристалла.

Пример 2

Кристалл вольфрамата натрия-висмута NaBi(WO4)2 выращивается методом Чохральского в воздушной атмосфере из платинового тигля со скоростью вытягивания 5 мм/час и скоростью вращения кристалла 15 мин-1. Получен кристалл NaBi(WO4)2, прозрачный в диапазоне длин волн 352-380 нм.

Пример 3

Кристалл вольфрамата натрия-висмута NaBi(WO4)2 выращивается методом Чохральского в воздушной атмосфере из платинового тигля со скоростью вытягивания 4 мм/час и скоростью вращения кристалла 19 мин-1. Получен кристалл NaBi(WO4)2, прозрачный в диапазоне длин волн 352-380 нм.

Пример 4

Кристалл вольфрамата натрия-висмута NaBi(WO4)2 выращивается методом Чохральского в воздушной атмосфере из платинового тигля со скоростью вытягивания 5 мм/час и скоростью вращения кристалла 20 мин-1. Получен кристалл NaBi(WO4)2, практически полностью поглощающий свет в диапазоне длин волн 352-380 нм, т.е. непрозрачный в данном диапазоне.

Способ получения кристаллов вольфрамата натрия-висмута NaBi(WO) методом Чохральского в воздушной атмосфере из платинового тигля со скоростью вытягивания 4-5 мм/ч, отличающийся тем, что скорость вращения кристалла составляет 15-19 мин.
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ ВОЛЬФРАМАТА НАТРИЯ-ВИСМУТА
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ ВОЛЬФРАМАТА НАТРИЯ-ВИСМУТА
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ ВОЛЬФРАМАТА НАТРИЯ-ВИСМУТА
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ ВОЛЬФРАМАТА НАТРИЯ-ВИСМУТА
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 91-94 из 94.
15.05.2023
№223.018.5c68

Опора тигля для выращивания кристаллов

Изобретение относится к оборудованию для выращивания кристаллов прямоугольной формы из расплава. Опора тигля выполнена в виде прямоугольного в поперечном сечении корпуса 1 с посадкой для установки тигля на опору 6 и посадкой для установки опоры на шток 5, и имеющего сквозные пазы 4,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002759623
Дата охранного документа: 16.11.2021
16.05.2023
№223.018.5dc6

Способ выращивания смешанных кристаллов сульфата кобальта-никеля-калия для оптических фильтров ультрафиолетового диапазона

Изобретение относится к области выращивания смешанных монокристаллов сульфата кобальта-никеля-калия K(Co,Ni)(SO)⋅6HO (KCNSH) из водных растворов и может быть использовано в оптическом приборостроении для изготовления солнечно-слепых фильтров. Способ выращивания смешанных кристаллов сульфата...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002758652
Дата охранного документа: 01.11.2021
16.05.2023
№223.018.5dc7

Способ выращивания смешанных кристаллов сульфата кобальта-никеля-калия для оптических фильтров ультрафиолетового диапазона

Изобретение относится к области выращивания смешанных монокристаллов сульфата кобальта-никеля-калия K(Co,Ni)(SO)⋅6HO (KCNSH) из водных растворов и может быть использовано в оптическом приборостроении для изготовления солнечно-слепых фильтров. Способ выращивания смешанных кристаллов сульфата...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002758652
Дата охранного документа: 01.11.2021
16.05.2023
№223.018.5ecf

Электродуговой способ получения слитков timnal

Изобретение относится к области металлургии, в частности к получению сплава Гейслера в виде слитков, пригодных для изучения свойств спин-поляризованного бесщелевого полупроводника TiMnAl. Способ получения слитков сплава TiMnAl из смеси алюминия, марганца и титана включает подготовку смеси...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002754540
Дата охранного документа: 03.09.2021
Показаны записи 71-71 из 71.
16.05.2023
№223.018.6357

Электродуговой способ получения прецизионного сплава timnal

Изобретение относится к области металлургии прецизионных сплавов и может быть использовано для получения сплава Гейслера. Осуществляют сплавление смеси порошков алюминия, марганца и титана в гарнисаже плазмой дугового разряда напряжением от 65 до 70 В и током от 8 до 10 А в атмосфере гелия...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002776576
Дата охранного документа: 22.07.2022
+ добавить свой РИД