СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ ПАНЕЛИ, СТЕКЛЯННАЯ ПОДЛОЖКА ДЛЯ ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ ПАНЕЛИ И ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ ПАНЕЛЬ, ВКЛЮЧАЮЩАЯ В СЕБЯ СТЕКЛЯННУЮ ПОДЛОЖКУ

Область техники

Настоящее изобретение относится к способу изготовления жидкокристаллической панели, включающему в себя этап маркировки через лазерную маркировку различных типов информации в маркировочной площадке, предоставленной на стеклянной подложке для жидкокристаллической панели, а также к стеклянной подложке для жидкокристаллической панели, включающей в себя маркировочную площадку, имеющую область маркировки, подходящую для лазерной маркировки, а также к жидкокристаллической панели, включающей в себя стеклянную подложку.

Уровень техники

В общем, жидкокристаллическая панель надлежащим образом используется в дисплее для жидкокристаллического телевизионного приемника или персонального компьютера, выступающем в качестве дисплейного устройства, и она очень широко используется в последние годы. В жидкокристаллической панели, исходя из необходимости управления во время производства или необходимости технического обслуживания после поставки, маркируются различные типы информации, к примеру информация серийного номера и информация об использовании. Лазерная маркировка обычно надлежащим образом используется для этой маркировки, и различные типы информации, описанной выше, маркируются во время процесса производства посредством облучения стеклянной подложки для жидкокристаллической панели, которая является компонентом жидкокристаллической панели, с помощью лазерных лучей.

В качестве способа маркировки различных типов информации в стеклянной подложке для жидкокристаллической панели посредством использования лазерной маркировки, например, известны способ маркировки посредством облучения пленки на основе ITO (оксида индия и олова), сформированной на поверхности стеклянной подложки, с помощью лазерных лучей (см. опубликованный патент (Япония) № 6-51328 (патентный документ 1)), способ маркировки посредством облучения ориентационной пленки, сформированной на поверхности стеклянной подложки, с помощью лазерных лучей (см. опубликованный патент (Япония) № 10-278422 (патентный документ 2)), способ маркировки посредством облучения металлической пленки, сформированной на поверхности стеклянной подложки, с помощью лазерных лучей и т.п.

Среди них в способе маркировки посредством облучения металлической пленки, сформированной на поверхности стеклянной подложки, с помощью лазерных лучей, в частности, маркировка обеспечивается в стеклянной подложке посредством обеспечения маркировочной площадки посредством формирования металлической пленки в периферийной части стеклянной подложки, не выступающей в качестве части жидкокристаллического дисплея, облучения этой маркировочной площадки с помощью лазерных лучей и тем самым формирования сквозного отверстия в маркировочной площадке. Следует отметить, что различные типы информации, таким образом маркируемой, маркируются в стеклянной подложке в качестве двумерного кода данных, причем информация имеет форму матрицы с данными, и информация считывается посредством использования любой из отражающей камеры и пропускающей камеры.

Список библиографических ссылок

Патентные документы

Д1. Опубликованный патент (Япония) номер 6-51328

Д2. Опубликованный патент (Япония) номер 10-278422

Раскрытие изобретения

Следующие два типа допускаются в качестве последовательностей операций обработки в случае, если маркировка обеспечивается посредством облучения металлической пленки, сформированной на стеклянной подложке для жидкокристаллической панели, с помощью лазерных лучей. Первая последовательность операций обработки называется процессом для одной подложки, и она является последовательностью операций обработки, при которой, до связывания между подложкой TFT (тонкопленочных транзисторов), которая является стеклянной подложкой, которая должна снабжаться маркировкой, и подложкой CF (цветных светофильтров), с которой связаны цветные светофильтры, различные типы информации маркируются посредством прямого облучения маркировочной площадки, предоставленной на TFT-подложке, с помощью лазерных лучей, и после этого TFT-подложка и CF-подложка связываются друг с другом. Вторая последовательность операций обработки называется процессом для множества подложек, и она является последовательностью операций обработки, при которой, после того как TFT-подложка и CF-подложка связываются друг с другом, различные типы информации маркируются посредством облучения маркировочной площадки, предоставленной на TFT-подложке, с помощью лазерных лучей через CF-подложку.

При использовании процесса для одной подложки, описанного выше, поскольку маркировочная площадка непосредственно облучается с помощью лазерных лучей, четкость сформированной маркировки (т.е. форма или размер сквозного отверстия, степень затемнения вокруг сквозного отверстия и т.п.) может подходить для считывания с использованием пропускающей камеры или отражающей камеры.

С другой стороны, при использовании процесса для множества подложек, описанного выше, поскольку процесс лазерной маркировки выполняется после связывания между TFT-подложкой и CF-подложкой, число сформированных TFT-подложек и CF-подложек, изготовленных одновременно, может регулироваться с хорошим балансом, и достигается возможность эффективного изготовления жидкокристаллических панелей.

Между тем, в случае если маркировочная площадка формируется из металлической пленки, как описано выше, различные процессы, к примеру процесс осаждения пленки или процесс травления для формирования TFT, могут выполняться после того, как металлическая пленка сформирована. В таком случае металлическая пленка, формирующая маркировочную площадку, может подвергаться коррозии, и ее качество может ухудшаться во время процесса осаждения пленки или процесса травления. Если такая коррозия возникает, качество маркировочной площадки ухудшается и, соответственно, четкость сформированной маркировки является невыгодно низкой. В результате получается ошибка распознавания при считывании с использованием пропускающей камеры или отражающей камеры, описанной выше.

Следовательно, цель настоящего изобретения заключается в том, чтобы предоставить способ изготовления жидкокристаллической панели, допускающий эффективное предотвращение коррозии маркировочной площадки, включающей в себя металлическую пленку, предоставленную на стеклянной подложке для жидкокристаллической панели, во время процесса производства жидкокристаллических панелей.

Помимо этого, цель настоящего изобретения заключается в том, чтобы предоставить стеклянную подложку для жидкокристаллической панели, включающую в себя маркировочную площадку, подходящую для процесса лазерной маркировки, и жидкокристаллическую панель.

Способ изготовления жидкокристаллической панели согласно настоящему изобретению включает в себя следующие этапы (A)-(G):

(A) подготовка стеклянной подложки для жидкокристаллической панели, включающей в себя часть, выступающую в качестве части жидкокристаллического дисплея, и периферийную часть, не выступающую в качестве части жидкокристаллического дисплея;

(B) формирование электрода затвора TFT в части, выступающей в качестве части жидкокристаллического дисплея, и формирование нижнего слоя маркировочной площадки в периферийной части посредством формирования и нанесения рисунка на металлическую пленку на основной поверхности стеклянной подложки для жидкокристаллической панели;

(C) формирование изолирующей пленки затвора TFT в части, выступающей в качестве части жидкокристаллического дисплея, и формирование защитной изолирующей пленки в контакте с нижним слоем так, чтобы она покрывала нижний слой маркировочной площадки в периферийной части, посредством формирования и нанесения рисунка на изолирующую пленку на основной поверхности стеклянной подложки для жидкокристаллической панели;

(D) выполнение различных процессов осаждения пленки и процессов нанесения рисунка в части, выступающей в качестве части жидкокристаллического дисплея, и в периферийной части, в то время как поддерживается состояние, в котором нижний слой маркировочной площадки покрывается защитной изолирующей пленкой;

(E) оставление незащищенной основной поверхности нижнего слоя маркировочной площадки за исключением ее периферии посредством удаления части защитной изолирующей пленки и, по меньшей мере, части различных пленок, сформированных на ней;

(F) формирование пикселного электрода в части, выступающей в качестве части жидкокристаллического дисплея, и верхнего слоя маркировочной площадки, который должен быть в контакте с нижним слоем, так чтобы он покрывал основную поверхность нижнего слоя маркировочной площадки в части, не покрытой защитной изолирующей пленкой в периферийной части, посредством формирования и нанесения рисунка на пленку на основе ITO на основной поверхности стеклянной подложки для жидкокристаллической панели; и

(G) обеспечение маркировки посредством обеспечения сквозного отверстия, проникающего через верхний слой и нижний слой маркировочной площадки, посредством облучения маркировочной площадки с помощью лазерных лучей.

В способе изготовления жидкокристаллической панели согласно настоящему изобретению этап (B) формирования электрода затвора и нижнего слоя маркировочной площадки, описанный выше, может включать в себя этап последовательного размещения поверх друг друга и формирования множества металлических пленок, отличающихся по материалу.

Способ изготовления жидкокристаллической панели согласно настоящему изобретению дополнительно может включать в себя этап (H) подвергания соответствующих основных поверхностей электрода затвора и нижнего слоя маркировочной площадки обработке анодирования.

Стеклянная подложка для жидкокристаллической панели согласно настоящему изобретению включает в себя часть, выступающую в качестве части жидкокристаллического дисплея, и периферийную часть, не выступающую в качестве части жидкокристаллического дисплея. TFT обеспечивается на основной поверхности части, выступающей в качестве части жидкокристаллического дисплея, и TFT включает в себя металлическую пленку, выступающую в качестве электрода затвора, изолирующую пленку, выступающую в качестве изолирующей пленки затвора, и пленку на основе ITO, выступающую в качестве пикселного электрода. Маркировочная площадка для обеспечения маркировки посредством облучения с помощью лазерных лучей обеспечивается на основной поверхности периферийной части, и маркировочная площадка имеет область маркировки, сформированную из многослойного комплекта, состоящего только из металлической пленки, выступающей в качестве нижнего слоя, и пленки на основе ITO, выступающей в качестве верхнего слоя, и периферийную область, включающую в себя изолирующую пленку, покрывающую периферию металлической пленки, выступающей в качестве нижнего слоя. Металлическая пленка, выступающая в качестве электрода затвора, и металлическая пленка, выступающая в качестве нижнего слоя, формируются одновременно на одном этапе, изолирующая пленка, выступающая в качестве изолирующей пленки затвора, и изолирующая пленка, формирующая периферийную область, формируются одновременно на одном этапе, и пленка на основе ITO, выступающая в качестве пикселного электрода, и пленка на основе ITO, выступающая в качестве верхнего слоя, формируются одновременно на одном этапе.

В стеклянной подложке для жидкокристаллической панели согласно настоящему изобретению электрод затвора и нижний слой маркировочной площадки могут быть изготовлены из многослойного комплекта пленок из множества металлических пленок, отличающихся по материалу.

В стеклянной подложке для жидкокристаллической панели согласно настоящему изобретению соответствующие основные поверхности электрода затвора и нижнего слоя маркировочной площадки могут подвергаться обработке анодирования.

Жидкокристаллическая панель согласно настоящему изобретению включает в себя любую стеклянную подложку для жидкокристаллической панели, описанной выше.

Согласно настоящему изобретению, может предоставляться способ изготовления жидкокристаллической панели, с помощью которого эффективно предотвращается коррозия маркировочной площадки, включающей в себя металлическую пленку, обеспеченную на стеклянной подложке для жидкокристаллической панели, в процессе производства жидкокристаллических панелей.

Помимо этого, согласно настоящему изобретению, могут предоставляться стеклянная подложка для жидкокристаллической панели, включающая в себя маркировочную площадку, подходящую для процесса лазерной маркировки, и жидкокристаллическая панель.

Краткое описание чертежей

Фиг. 1 является схематичным видом сверху жидкокристаллической панели в одном варианте осуществления настоящего изобретения.

Фиг. 2 является увеличенной принципиальной схемой части записи информации, показанной на Фиг. 1.

Фиг. 3 является схематичным видом в поперечном сечении жидкокристаллической панели в одном варианте осуществления настоящего изобретения.

Фиг. 4 является блок-схемой последовательности операций для иллюстрации способа изготовления жидкокристаллической панели в одном варианте осуществления настоящего изобретения.

Фиг. 5A является схематичным видом в поперечном сечении в процессе производства в случае, если жидкокристаллическая панель изготавливается согласно способу изготовления жидкокристаллической панели в одном варианте осуществления настоящего изобретения.

Фиг. 5B является схематичным видом в поперечном сечении в процессе производства в случае, если жидкокристаллическая панель изготавливается согласно способу изготовления жидкокристаллической панели в одном варианте осуществления настоящего изобретения.

Фиг. 6A является схематичным видом в поперечном сечении в процессе производства в случае, если жидкокристаллическая панель изготавливается согласно способу изготовления жидкокристаллической панели в одном варианте осуществления настоящего изобретения.

Фиг. 6B является схематичным видом в поперечном сечении в процессе производства в случае, если жидкокристаллическая панель изготавливается согласно способу изготовления жидкокристаллической панели в одном варианте осуществления настоящего изобретения.

Фиг. 7A является схематичным видом в поперечном сечении в процессе производства в случае, если жидкокристаллическая панель изготавливается согласно способу изготовления жидкокристаллической панели в одном варианте осуществления настоящего изобретения.

Фиг. 7B является схематичным видом в поперечном сечении в процессе производства в случае, если жидкокристаллическая панель изготавливается согласно способу изготовления жидкокристаллической панели в одном варианте осуществления настоящего изобретения.

Фиг. 8 является схематичным видом в поперечном сечении в процессе производства в случае, если жидкокристаллическая панель изготавливается согласно способу изготовления жидкокристаллической панели в одном варианте осуществления настоящего изобретения.

Фиг. 9A является увеличенной фотографией, показывающей один пример маркировочной площадки, подвергнутой процессу лазерной маркировки в процессе для множества подложек при применении настоящего изобретения.

Фиг. 9B является увеличенной фотографией, показывающей один пример маркировочной площадки, подвергнутой процессу лазерной маркировки в процессе для множества подложек без применения настоящего изобретения.

Фиг. 10 является блок-схемой последовательности операций для иллюстрации другого примера способа изготовления жидкокристаллической панели в одном варианте осуществления настоящего изобретения.

Фиг. 11 является схематичным видом в поперечном сечении в процессе производства в случае, если жидкокристаллическая панель изготавливается согласно другому примеру способа изготовления жидкокристаллической панели в одном варианте осуществления настоящего изобретения.

Фиг. 12 является схематичным видом в поперечном сечении маркировочной площадки согласно первой разновидности.

Фиг. 13 является схематичным видом в поперечном сечении маркировочной площадки согласно второй разновидности.

Осуществление изобретения

Один вариант осуществления настоящего изобретения подробно описывается ниже со ссылками на чертежи. Далее, идентичные элементы имеют назначенные идентичные ссылки с номерами, и их описание не повторяется.

Фиг. 1 является схематичным видом сверху жидкокристаллической панели в одном варианте осуществления настоящего изобретения, и Фиг. 2 является увеличенной принципиальной схемой части записи информации жидкокристаллической панели, показанной на Фиг. 1. Фиг. 3 является схематичным видом в поперечном сечении жидкокристаллической панели, показанной на Фиг. 1. Первоначально структура жидкокристаллической панели и стеклянной подложки для жидкокристаллической панели в настоящем варианте осуществления описывается в отношении этих Фиг. 1-3.

Как показано на Фиг. 1 и 3, жидкокристаллическая панель 1 в настоящем варианте осуществления, главным образом, включает в себя TFT-подложку 10, CF-подложку 20, герметизирующий элемент 30 и жидкий кристалл 32. Жидкокристаллическая панель 1 в настоящем варианте осуществления - это то, что называется жидкокристаллической панелью с активной матрицей, в которой множество отображаемых пикселов, размещаемых в матрице, по отдельности управляются посредством TFT, предоставленных для отображаемых пикселов.

TFT-подложка 10 также называется подложкой активной матрицы, и она, главным образом, имеет стеклянную подложку 11, выступающую в качестве основания, множество TFT 40, сформированных на ее основной поверхности 11a, и множество пикселных электродов 46, электрически подключенных к соответствующим TFT 40. TFT-подложка 10 включает в себя часть A, выступающую в качестве части жидкокристаллического дисплея для отображения изображения, и периферийную часть B, не выступающую в качестве части жидкокристаллического дисплея, и множество TFT 40 и пикселных электродов 46, описанных выше, размещаются в матрице в части A, выступающей в качестве части жидкокристаллического дисплея. Следует отметить, что TFT-подложка 10 (в некоторых случаях, стеклянная подложка 11, выступающая в качестве основания для TFT-подложки 10) соответствует первой стеклянной подложке жидкокристаллической панели.

CF-подложка 20 также называется противоположной подложкой, и она, главным образом, имеет стеклянную подложку 21, выступающую в качестве основания, цветной светофильтр (не показан), связанный с ее основной поверхностью, и противоэлектрод (не показан), сформированный на цветном светофильтре. CF-подложка 20 имеет только часть, выступающую в качестве части жидкокристаллического дисплея. Цветной светофильтр связывается с частью стеклянной подложки 21, чтобы выступать в качестве части жидкокристаллического дисплея, и множество противоэлектродов, описанных выше, размещаются в матрице на основной поверхности цветного светофильтра. Следует отметить, что эта CF-подложка 20 (в некоторых случаях, стеклянная подложка 21, выступающая в качестве основания для CF-подложки 20) соответствует второй стеклянной подложке жидкокристаллической панели.

TFT-подложка 10 и CF-подложка 20 связываются друг с другом посредством герметизирующего элемента 30 так, что они располагаются друг против друга на предписанном расстоянии (например, приблизительно 5 мкм). Герметизирующий элемент 30 предоставляется так, что он окружает часть жидкокристаллического дисплея, и жидкий кристалл 32 герметизируется в пространстве, окруженном посредством этого герметизирующего элемента 30 и находящемся между TFT-подложкой 10 и CF-подложкой 20. Жидкий кристалл 32 имеет такую характеристику, что его коэффициент пропускания света варьируется в соответствии с приложенным напряжением, и он находится между пикселным электродом 46, предоставленным на TFT-подложке 10, описанной выше, и противоэлектродом, предоставленным на CF-подложке 20, описанной выше. Следует отметить, что непоказанная ориентационная пленка предоставляется в части TFT-подложки 10 и CF-подложки 20, расположенной напротив жидкого кристалла 32.

В предписанной позиции в периферийной части B TFT-подложки 10, не выступающей в качестве части жидкокристаллического дисплея, предоставляется часть 2 записи информации, в которой записываются различные типы информации. Как показано на Фиг. 2, часть 2 записи информации включает в себя маркировочную площадку 50, на которой различные типы информации записываются в форме двумерного кода данных, и часть 60 символьных данных, на которой различные типы информации записываются в качестве символьных данных. Из них в маркировочной площадке 50, на которой различные типы информации записываются в форме двумерного кода данных, информация записывается в качестве сквозного отверстия 58, предоставленного в маркировочной площадке 50, посредством выполнения процесса лазерной маркировки, который описывается ниже.

Как показано на Фиг. 3, в части A TFT-подложки 10, выступающей в качестве части жидкокристаллического дисплея, TFT 40 предоставляется на основной поверхности 11a стеклянной подложки 11. TFT 40 имеет электрод 41 затвора, электрически подключенный к межсоединению затвора, изолирующую пленку 42 затвора, сформированную так, что она покрывает электрод 41 затвора, первый полупроводниковый слой 43, сформированный на электроде 41 затвора с размещенной между ними изолирующей пленкой 42 затвора, второй полупроводниковый слой 44, сформированный в предписанной позиции на первом полупроводниковом слое 43, и электрод 45a истока и электрод 45b стока, сформированные на втором полупроводниковом слое 44.

Электрод 41 затвора формируется из однослойной металлической пленки, изготовленной, например, из алюминия (Al), меди (Cu), тантала (Ta), титана (Ti) и т.п. Помимо этого, изолирующая пленка 42 затвора формируется из однослойной или многослойной изолирующей пленки, изготовленной из нитрида кремния (SiNx), оксида кремния (SiOx) и т.п.

Первый полупроводниковый слой 43 формируется из беспримесной полупроводниковой пленки, изготовленной, например, из аморфного кремния. Помимо этого, второй полупроводниковый слой 44 формируется из примесной полупроводниковой пленки, изготовленной, например, из аморфного кремния n+-типа. Следует отметить, что второй полупроводниковый слой 44 выступает в качестве контактного слоя между первым полупроводниковым слоем 43 и электродом 45a истока и между первым полупроводниковым слоем 43 и электродом 45b стока.

Электрод 45a истока и электрод 45b стока формируются из однослойной или многослойной металлической пленки, изготовленной, например, из алюминия, меди, тантала, титана и т.п. Помимо этого, пикселный электрод 46 формируется, например, из пленки на основе ITO (т.е. смешанной пленки из оксида индия (In₂O₃) и оксида олова (SnO₂)).

Между тем, в периферийной части B TFT-подложки 10, не выступающей в качестве части жидкокристаллического дисплея, маркировочная площадка 50 предоставляется на основной поверхности 11a стеклянной подложки 11. Маркировочная площадка 50 имеет область C маркировки, в которой предоставляется маркировка, и периферийную область D, окружающую область C маркировки, причем область C маркировки формируется из многослойного комплекта, состоящего только из металлической пленки, выступающей в качестве нижнего слоя 51, и пленки на основе ITO, выступающей в качестве верхнего слоя 56, периферия металлической пленки, выступающей в качестве нижнего слоя 51, покрывается защитной изолирующей пленкой 52 в периферийной области D, и дополнительно, первая покровная пленка 53, сформированная из первого полупроводникового слоя, вторая покровная пленка 54, сформированная из второго полупроводникового слоя, и третья покровная пленка 55, сформированная из металлической пленки, находятся на защитной изолирующей пленке 52.

Металлическая пленка, выступающая в качестве нижнего слоя 51, формируется из однослойной металлической пленки, изготовленной, например, из алюминия, меди, тантала, титана и т.п. Основная поверхность металлической пленки, выступающей в качестве нижнего слоя 51 (т.е. поверхность в контакте с верхним слоем 56), может подвергаться обработке анодирования. Следует отметить, что нижний слой 51 в области C маркировки в маркировочной площадке 50 и электрод 41 затвора TFT 40, описанного выше, формируются одновременно, и материал и толщина первого являются идентичными материалу и толщине металлической пленки, формирующей электрод 41 затвора TFT 40.

Верхний слой 56 в области C маркировки в маркировочной площадке 50 и пикселный электрод, соединенный с TFT 40, описанным выше, формируются одновременно, и материал и толщина первого являются идентичными материалу и толщине пленки на основе ITO, формирующей пикселный электрод 46, подключенный к TFT 40.

Защитная изолирующая пленка 52, расположенная в периферийной области D в маркировочной площадке 50, и изолирующая пленка 42 затвора TFT 40, описанного выше, одновременно формируются, и материал и толщина первой являются идентичными материалу и толщине изолирующей пленки 42 затвора TFT 40.

Первая покровная пленка 53 и вторая покровная пленка 54, расположенные в периферийной области D в маркировочной площадке 50, а также первый полупроводниковый слой 43 и второй полупроводниковый слой 44 TFT 40, описанного выше, одновременно формируются, и материал и толщина первых являются идентичными материалу и толщине первого полупроводникового слоя 43 и второго полупроводникового слоя 44 TFT 40 соответственно.

Третья покровная пленка 55, расположенная в периферийной области D в маркировочной площадке 50, а также электрод 45a истока и электрод 45b стока TFT 40, описанного выше, одновременно формируются, и материал и толщина первой являются идентичными материалу и толщине электрода 45a истока и электрода 45b стока TFT 40.

Здесь, в области C маркировки в маркировочной площадке 50, предоставляется множество сквозных отверстий 58, проникающих через пленку на основе ITO, выступающую в качестве верхнего слоя 56, и металлическую пленку, выступающую в качестве нижнего слоя 51. Это сквозное отверстие 58 реализует двумерный код данных, в котором кодированы различные типы информации, к примеру информация серийного номера и информация об использовании, и информация считывается посредством использования пропускающей камеры или отражающей камеры.

В частности, в случае, если используется пропускающая камера, различные типы информации считываются посредством детектирования света, который проходит через TFT-подложку 10, по мере того как он проходит через сквозное отверстие 58, предоставленное в области C маркировки в маркировочной площадке 50. С другой стороны, в случае, если используется отражающая камера, различные типы информации считываются посредством детектирования сквозного отверстия 58, предоставленного в области C маркировки в маркировочной площадке 50, и затемнения, сформированного вокруг него, отличного от окружающей основы, посредством использования разности в контрастности.

Фиг. 4 является блок-схемой последовательности операций для иллюстрации способа изготовления жидкокристаллической панели в настоящем варианте осуществления, и Фиг. 5A-8 являются схематичными видами в поперечном сечении в процессе производства в случае, если жидкокристаллическая панель изготавливается согласно способу изготовления жидкокристаллической панели в настоящем варианте осуществления. Способ изготовления жидкокристаллической панели в настоящем варианте осуществления далее описывается в отношении этих Фиг. 4-8.

Как показано на Фиг. 4, в способе изготовления жидкокристаллической панели в настоящем варианте осуществления, первоначально, одновременно выполняется изготовление TFT-подложки 10 (этап S101) и изготовление CF-подложки 20, спаренной с TFT-подложкой 10 (этап S102). При изготовлении CF-подложки 20 она изготавливается посредством подготовки стеклянной подложки 21, связывания цветной пленки с ней и формирования противоэлектрода и дополнительного формирования ориентационной пленки. При изготовлении подложки TFT 10, в частности, выполняется следующий процесс.

Первоначально, как показано на Фиг. 5A, стеклянная подложка 11, включающая в себя часть A, выступающую в качестве части жидкокристаллического дисплея, и периферийную часть B, не выступающую в качестве части жидкокристаллического дисплея, подготавливается, и металлическая пленка формируется на ней, и на нее наносится рисунок. Таким образом, электрод 41 затвора TFT 40 формируется в части A, выступающей в качестве части жидкокристаллического дисплея, и нижний слой 51 в маркировочной площадке 50 формируется в периферийной части B. Более конкретно, алюминиевая пленка формируется на основной поверхности 11a стеклянной подложки 11, например, с помощью напыления, и на алюминиевую пленку наносится рисунок с помощью фотолитографии, чтобы тем самым формировать электрод 41 затвора и нижний слой 51. Следует отметить, что сухое травление с использованием, например, BCl₃+C_l2, CF₄(+O₂) и т.п. может быть использовано в качестве процесса травления в фотолитографии. Здесь основная поверхность сформированной алюминиевой пленки может подвергаться обработке анодирования по мере необходимости.

Затем, как показано на Фиг. 5B, изолирующая пленка формируется на основной поверхности 11a стеклянной подложки 11, и на нее наносится рисунок. Таким образом, изолирующая пленка 42 затвора TFT 40 формируется в части A, выступающей в качестве части жидкокристаллического дисплея, и защитная изолирующая пленка 52 в маркировочной площадке 50 формируется в периферийной части B. Более конкретно, пленка на основе нитрида кремния формируется на основной поверхности 11a стеклянной подложки 11, например, с помощью PECVD (плазмохимическое осаждение из паровой фазы), и на пленку на основе нитрида кремния наносится рисунок с помощью фотолитографии, чтобы тем самым формировать изолирующую пленку 42 затвора и защитную изолирующую пленку 52.

Затем, как показано на Фиг. 6A, слой аморфного кремния формируется на основной поверхности 11a стеклянной подложки 11, и на него наносится рисунок и т.п. Таким образом, первый полупроводниковый слой 43 и второй полупроводниковый слой 44 формируются в части A, выступающей в качестве части жидкокристаллического дисплея, и первый полупроводниковый слой, выступающий в качестве первой покровной пленки 53, и второй полупроводниковый слой, выступающий в качестве второй покровной пленки 54, формируются в периферийной части B. Здесь второй полупроводниковый слой 44 и вторая покровная пленка 54 имеют такую форму, что покрывают всю основную поверхность первого полупроводникового слоя 43 и всю основную поверхность первой покровной пленки 53 соответственно, и они формируются посредством имплантации ионов в верхнюю часть слоя аморфного кремния посредством использования способа ионной имплантации надлежащим образом. Следует отметить, что сухое травление с использованием, например, CF₄+O₂, CCl₄+O₂, SF₆ и т.п. может быть использовано в качестве процесса травления при нанесении рисунка.

Затем, как показано на Фиг. 6A, металлическая пленка формируется на основной поверхности 11a стеклянной подложки 11, и на нее наносится рисунок. Таким образом, электрод 45a истока и электрод 45b стока TFT 40 формируются в части A, выступающей в качестве части жидкокристаллического дисплея, и третья покровная пленка 55 формируется в периферийной части B. Более конкретно, алюминиевая пленка формируется на основной поверхности 11a стеклянной подложки 11, например, с помощью напыления, и на алюминиевую пленку наносится рисунок с помощью фотолитографии, чтобы тем самым формировать электрод 45a истока, электрод 45b стока и третью покровную пленку 55. Следует отметить, что сухое травление с использованием, например, BC_l3+C_l2, CF₄(+O₂) и т.п. может быть использовано в качестве процесса травления в фотолитографии.

Затем, как показано на Фиг. 6A, с использованием электрода 45a истока и электрода 45b стока в качестве маски второй полупроводниковый слой 44 травится, и на него наносится рисунок, так что канальная часть формируется в первом полупроводниковом слое 43. Следует отметить, что сухое травление с использованием, например, CF₄+O₂, CCl₄+O₂, SF₆ и т.п. может быть использовано в качестве процесса травления при нанесении рисунка.

Затем, как показано на Фиг. 6B, часть, соответствующая области C маркировки в защитной изолирующей пленке 52 и первой-третьей покровных пленках 53-55, сформированных в периферийной части B, стравливается, чтобы тем самым формировать паз 57, имеющий основную поверхность металлической пленки, выступающей в качестве нижнего слоя 51, в качестве нижней поверхности. Таким образом, основная поверхность нижнего слоя 51 в части, соответствующей области C маркировки, оставляется незащищенной.

Затем, как показано на Фиг. 7A, пленка на основе ITO формируется на основной поверхности 11a стеклянной подложки 11, и на нее наносится рисунок, так что пикселный электрод 46, электрически соединенный с TFT 40, формируется в части A, выступающей в качестве части жидкокристаллического дисплея, и верхний слой 56 в маркировочной площадке 50 формируется в периферийной части B. Более конкретно, пленка на основе ITO формируется на стеклянной подложке 11, например, с помощью напыления, и на пленку на основе ITO наносится рисунок с помощью фотолитографии, чтобы тем самым формировать пикселный электрод 46 и верхний слой 56. Следует отметить, что жидкостное травление с использованием, например, HCl+HNO₃ и т.п. может быть использовано в качестве процесса травления в фотолитографии.

После этого ориентационная пленка формируется на основной поверхности 11a части A стеклянной подложки 11, выступающей в качестве части жидкокристаллического дисплея. Изготовление TFT-подложки 10 завершается так, как указано выше.

Последовательно, как показано на Фиг. 4, TFT-подложка 10, изготовленная на этапе S101, и CF-подложка 20, изготовленная на этапе S102, связываются друг с другом (этап S103). В частности, как показано на Фиг. 7B, герметизирующий элемент 30 выполнен с возможностью окружать часть A TFT-подложки 10, выступающую в качестве части жидкокристаллического дисплея, CF-подложка 20 размещается в контакте с этим герметизирующим элементом 30 так, что она располагается напротив TFT-подложки 10, и герметизирующий элемент 30 отверждается. Таким образом, TFT-подложка 10 и CF-подложка 20 связываются друг с другом. Здесь термореактивный герметизирующий материал, фотоотверждающий герметизирующий материал, комбинация вышеозначенного и т.п. может быть использована в качестве герметизирующего элемента 30, который должен использоваться.

В способе изготовления жидкокристаллической панели в настоящем варианте осуществления стеклянная подложка 11, выступающая в качестве основания для TFT-подложки 10, и стеклянная подложка 21, выступающая в качестве основания для CF-подложки 20, изготавливаются из родительской стеклянной подложки. Следовательно, после того как CF-подложка 20 связывается с TFT-подложкой 10, часть CF-подложки 20, не выступающая в качестве части жидкокристаллического дисплея, находится напротив периферийной части B TFT-подложки 10, не выступающей в качестве части жидкокристаллического дисплея. А именно, CF-подложка 20 размещается напротив основной поверхности области C маркировки в маркировочной площадке 50, сформированной в периферийной части B TFT-подложки 10, не выступающей в качестве части жидкокристаллического дисплея, на определенном расстоянии от нее.

Последовательно, как показано на Фиг. 4, процесс лазерной маркировки выполняется посредством испускания лазерных лучей (этап S104). В частности, как показано на Фиг. 8, область C маркировки в маркировочной площадке 50 облучается с помощью лазерных лучей 100 через CF-подложку 20 со стороны CF-подложки 20. Например, основные гармоники (имеющие длину волны 1064 нм) и т.п. лазера на YVO4, представленного посредством общих лазерных лучей на YAG (алюмоиттриевый гранат) или лазерных лучей на YAG с добавлением неодима, надлежащим образом используются в качестве испускаемых лазерных лучей 100. Таким образом, верхний слой 56 и нижний слой 51, составляющие область C маркировки в маркировочной площадке 50 в части, облучаемой с помощью лазерных лучей 100, локально нагреваются, и они сублимируют так, что формируется сквозное отверстие 58, проникающее через верхний слой 56 и нижний слой 51.

После этого, как показано на Фиг. 4, выполняются различные этапы, к примеру этап отливания жидкого кристалла 32 (этап S105). Последовательно, TFT-подложка 10 и CF-подложка 20 разделяются вдоль линии E1 разделения, показанной на Фиг. 8 (этап S106), и CF-подложка 20 разделяется вдоль линии E2 разделения, показанной на Фиг. 8, чтобы тем самым удалять необязательную часть (этап S107). Изготовление жидкокристаллической панели 1, показанной на Фиг. 1 и 3, завершается так, как указано выше.

Посредством изготовления жидкокристаллической панели 1 согласно способу изготовления жидкокристаллической панели в настоящем варианте осуществления, описанном выше, металлическая пленка, выступающая в качестве нижнего слоя 51 в маркировочной площадке 50, которая уже сформирована, может всегда защищаться посредством защитной изолирующей пленки 52 во время процесса травления или процесса осаждения пленки, выполняемого на TFT-подложке 10 для изготовления TFT 40. Следовательно, коррозия и ухудшение качества нижнего слоя 51 в маркировочной площадке 50 посредством газа для травления, травителя и т.п. во время процесса травления или процесса осаждения пленки могут надежно предотвращаться.

Помимо этого, посредством изготовления жидкокристаллической панели 1 согласно способу изготовления жидкокристаллической панели в настоящем варианте осуществления может предоставляться маркировка высокой четкости, даже если маркировочная площадка 50, предоставленная на TFT-подложке 10, облучается с помощью лазерных лучей 100 через CF-подложку 20 (т.е. выполняется процесс для множества подложек). Здесь высокая четкость означает четкость, подходящую для случая, когда информация считывается посредством использования отражающей камеры или пропускающей камеры, и это, в частности, означает, что форма или размер сквозного отверстия 58, сформированного посредством облучения с помощью лазерных лучей 100, степень затемнения вокруг сквозного отверстия 58 и т.п. подходят для детектирования. А именно, в случае, если сформированная маркировка имеет низкую четкость, возникает ошибка считывания двумерного кода данных, когда информация считывается с помощью отражающей камеры или пропускающей камеры, которая является такой ошибкой считывания информации, отличающейся от исходной информации. В случае, если сформированная маркировка имеет высокую четкость, как в настоящем варианте осуществления, тем не менее, ошибка считывания не возникает, и информация корректно считывается.

Следовательно, посредством изготовления жидкокристаллической панели 1 согласно способу изготовления жидкокристаллической панели в настоящем варианте осуществления, процесс для множества подложек, описанный выше, может выполняться так, что достигаются два эффекта эффективного производства жидкокристаллических панелей и уменьшения затрат, полученные посредством приспособления процесса для множества подложек.

Помимо этого, посредством изготовления жидкокристаллической панели 1 согласно способу изготовления жидкокристаллической панели в настоящем варианте осуществления, процесс для множества подложек может приспосабливаться при реализации маркировки высокой четкости. Следовательно, поскольку пространство, в котором жидкий кристалл 32 должен быть герметизирован в процессе лазерной маркировки, уже находится в состоянии, изолированном от внешней области, включающей в себя периферийную часть B, посредством герметизирующего элемента 30, введение в качестве примесей в пространство различных пленок, формирующих область C маркировки в маркировочной площадке 50, которые сублимируют в процессе лазерной маркировки, может предотвращаться, и, следовательно, выход годных изделий также может быть повышен.

Кроме того, посредством реализации структур TFT-подложки 10 и жидкокристаллической панели 1, включающей в себя ее в настоящем варианте осуществления, могут получаться стеклянная подложка для жидкокристаллической панели, включающая в себя маркировочную площадку 50, подходящую для лазерной маркировки, и жидкокристаллическая панель, включающая в себя стеклянную подложку. Следовательно, посредством изготовления жидкокристаллической панели 1, включающей в себя TFT-подложку 10, может получаться жидкокристаллическая панель, с которой могут точно считываться различные типы информации, к примеру информация серийного номера и информация об использовании.

Хотя механизм, с помощью которого маркировка высокой четкости может предоставляться согласно способу изготовления жидкокристаллической панели в настоящем варианте осуществления, является непонятным, одна из причин может заключаться в следующем. А именно, считается, что в случае процесса для множества подложек согласно традиционному способу TFT-подложка и CF-подложка размещаются рядом друг с другом с небольшим зазором приблизительно в 5 мкм, что приводит к такой ситуации, что область вокруг маркировочной площадки становится практически герметичным пространством, пленка, формирующая маркировочную площадку, с меньшей вероятностью сублимирует, и тепло, сформированное посредством облучения с помощью лазерных лучей, ограничивается в пространстве, что приводит к обесцвечиванию вокруг сквозного отверстия и в результате к трудности в предоставлении маркировки высокой четкости. Тем не менее, считается, что посредством выполнения процесса лазерной маркировки согласно способу изготовления жидкокристаллической панели в настоящем варианте осуществления маркировочная площадка формируется из многослойного комплекта, состоящего только из металлической пленки и пленки на основе ITO, так что тепловое влияние на часть маркировочной площадки в окрестности оптимизируется, сублимация металлической пленки и пленки на основе ITO, составляющей маркировочную площадку, поддерживается, и ограничение тепла практически в герметичном пространстве также подавляется, и, следовательно, реализуется маркировка высокой четкости.

Фиг. 9A является увеличенной фотографией, показывающей один пример маркировочной площадки, подвергнутой процессу лазерной маркировки в процессе для множества подложек при применении настоящего изобретения, и Фиг. 9B является увеличенной фотографией, показывающей один пример маркировочной площадки, подвергнутой процессу лазерной маркировки в процессе для множества подложек без применения настоящего изобретения. Ссылаясь на эти увеличенные фотографии, следует понимать, что даже в случае, если используется процесс для множества подложек, четкость маркировки, к примеру размер и форма сквозного отверстия и степень затемнения вокруг сквозного отверстия, могут поддерживаться высокой посредством применения настоящего изобретения, тогда как четкость маркировки становится низкой, когда настоящее изобретение не применяется.

Помимо этого, автор настоящего изобретения обнаружил, что структура пленки согласно изобретению настоящей заявки (т.е. двухслойная структура пленки из металлической пленки/пленки на основе ITO) является оптимальной, посредством проверки того, как четкость маркировки варьируется, если структура пленки маркировочной площадки по-разному изменяется на основе использования процесса для множества подложек. При проверке посредством создания прототипов других структур пленки (например, двухслойной структуры пленки из металлической пленки/изолирующей пленки, трехслойной структуры пленки из металлической пленки/изолирующей пленки/металлической пленки, трехслойной структуры пленки из металлической пленки/изолирующей пленки/пленки на основе ITO и т.п.) удовлетворительные результаты не могут быть получены в любом случае.

Фиг. 10 является блок-схемой последовательности операций для иллюстрации другого примера способа изготовления жидкокристаллической панели в настоящем варианте осуществления, и Фиг. 11 является схематичным видом в поперечном сечении в процессе производства в случае, если жидкокристаллическая панель изготавливается согласно другому примеру способа изготовления жидкокристаллической панели в настоящем варианте осуществления.

В способе изготовления жидкокристаллической панели в настоящем варианте осуществления, описанном выше, описан случай, когда процесс лазерной маркировки выполняется при использовании того, что называется процессом для множества подложек. Настоящее изобретение, тем не менее, естественно, является применимым к тому, что называется процессом для одной подложки. Далее описывается случай, когда настоящее изобретение применяется к процессу для одной подложки, в качестве еще одного примера способа изготовления жидкокристаллической панели в настоящем варианте осуществления со ссылкой на Фиг. 10 и 11.

Как показано на Фиг. 10, в другом примере способа изготовления жидкокристаллической панели в настоящем варианте осуществления, первоначально, одновременно выполняется изготовление TFT-подложки 10 (этап S201) и изготовление CF-подложки 20, спаренной с TFT-подложкой 10 (этап S202). Конкретный процесс, связанный с изготовлением этой TFT-подложки 10, и конкретный процесс, связанный с изготовлением CF-подложки 20, являются идентичными процессам в способе изготовления жидкокристаллической панели в настоящем варианте осуществления, описанном выше.

Затем, как показано на Фиг. 10, процесс лазерной маркировки выполняется посредством испускания лазерных лучей на TFT-подложку 10, изготовление которой завершено (этап S203). В частности, как показано на Фиг. 11, область C маркировки в маркировочной площадке 50 облучается с помощью лазерных лучей 100 со стороны основной поверхности TFT-подложки 10, имеющей сформированную маркировочную площадку 50. Например, основные гармоники (имеющие длину волны 1064 нм) и т.п. лазера на YVO4, представленного посредством общих лазерных лучей на YAG или лазерных лучей на YAG с добавлением неодима, надлежащим образом используются в качестве испускаемых лазерных лучей 100. Таким образом, верхний слой 56 и нижний слой 51, составляющие область C маркировки в маркировочной площадке 50 в части, облучаемой с помощью лазерных лучей 100, локально нагреваются, и они сублимируют так, что сквозное отверстие 58, проникающее через верхний слой 56 и нижний слой 51, формируется.

Последовательно, как показано на Фиг. 10, TFT-подложка 10, подвергнутая процессу лазерной маркировки на этапе S203, и CF-подложка 20, изготовленная на этапе S202, связываются друг с другом (этап S204), подробности чего являются идентичными подробностям в настоящем варианте осуществления, описанном выше.

После этого, как показано на Фиг. 10, выполняются различные этапы, к примеру этап отливания жидкого кристалла 32 (этап S205). Последовательно, TFT-подложка 10 и CF-подложка 20 разделяются (этап S206), и помимо этого, CF-подложка 20 разделяется, чтобы тем самым удалять необязательную часть (этап S207). Изготовление жидкокристаллической панели 1, показанной на Фиг. 1 и 3, завершается так, как указано выше.

В случае, если жидкокристаллическая панель 1 изготавливается согласно другому примеру способа изготовления жидкокристаллической панели в настоящем варианте осуществления, также описанному выше, эффект, практически идентичный эффекту при изготовлении жидкокристаллической панели 1 согласно способу изготовления жидкокристаллической панели в настоящем варианте осуществления, описанном выше, может получаться. А именно, коррозия и ухудшение качества нижнего слоя 51 маркировочной площадки 50 во время процесса травления или процесса осаждения пленки для изготовления TFT 40 могут надежно предотвращаться, и может предоставляться маркировка высокой четкости в маркировочной площадке 50.

Фиг. 12 и 13 являются схематичными видами в поперечном сечении маркировочных площадок согласно первой и второй разновидностям соответственно. В обеих из маркировочных площадок 50A и 50B, согласно этим первой и второй разновидностям, металлическая пленка, формирующая нижний слой 51 в области C маркировки в маркировочной площадке 50 в настоящем варианте осуществления, описанном выше, формируется из многослойного комплекта пленок.

Как показано на Фиг. 12, в первой разновидности, нижний слой 51 в области C маркировки в маркировочной площадке 50A формируется, например, из двухслойного комплекта пленок из первой металлической пленки 51a и второй металлической пленки 51b, сформированных так, что они покрывают основную поверхность первой металлической пленки 51a. Первая металлическая пленка 51a и вторая металлическая пленка 51b формируются посредством последовательного формирования металлических пленок, отличающихся по материалу, с помощью напыления и т.п. при формировании нижнего слоя 51 в маркировочной площадке 50A. В этом случае основная поверхность второй металлической пленки 51b может подвергаться обработке анодирования.

Например, танталовая пленка надлежащим образом используется в качестве первой металлической пленки 51a, и, например, алюминиевая пленка или медная пленка надлежащим образом используются в качестве второй металлической пленки 51b. В этом случае также нижний слой 51 в области C маркировки в маркировочной площадке 50A, сформированной из двухслойного комплекта пленок, и электрод 41 затвора TFT 40, описанного выше, одновременно формируются, и металлическая пленка, формирующая электрод 41 затвора TFT 40, также формируется в качестве двухслойного комплекта пленок, имеющего структуру, описанную выше.

Как показано на Фиг. 13, во второй разновидности, нижний слой 51 в области C маркировки в маркировочной площадке 50B формируется, например, из трехслойного комплекта пленок из первой металлической пленки 51a, второй металлической пленки 51b, сформированной так, что она покрывает основную поверхность первой металлической пленки 51a, и третьей металлической пленки 51c, сформированной так, что она покрывает основную поверхность второй металлической пленки 51b. Первая металлическая пленка 51a, вторая металлическая пленка 51b и третья металлическая пленка 51c формируются посредством последовательного формирования металлических пленок, отличающихся по материалу, с помощью напыления и т.п. при формировании нижнего слоя 51 в маркировочной площадке 50B. В этом случае основная поверхность третьей металлической пленки 51c может подвергаться обработке анодирования.

Например, танталовая пленка надлежащим образом используется в качестве первой металлической пленки 51a, например, алюминиевая пленка или медная пленка надлежащим образом используются в качестве второй металлической пленки 51b, и, например, танталовая пленка надлежащим образом используется в качестве третьей металлической пленки 51c. В этом случае также нижний слой 51 в области C маркировки в маркировочной площадке 50B, сформированной из трехслойного комплекта пленок, и электрод 41 затвора TFT 40, описанного выше, одновременно формируются, и металлическая пленка, формирующая электрод 41 затвора TFT 40, также формируется в качестве трехслойного комплекта пленок, имеющего структуру, описанную выше.

Согласно первой и второй разновидностям, также описанным выше, могут получаться эффекты, идентичные эффектам в настоящем варианте осуществления, описанном выше.

Один вышеприведенный вариант осуществления и его разновидности, раскрытые в данном документе, являются иллюстративными, а не ограничивающими во всех отношениях. Объем настоящего изобретения задается посредством формулы изобретения и имеет намерение включать в себя любые модификации в рамках объема и смысла, эквивалентные пунктам формулы изобретения.

Список номеров ссылок

1 - жидкокристаллическая панель;

2 - часть записи информации;

10 - TFT-подложка;

11 - стеклянная подложка;

11a - основная поверхность;

20 - CF-подложка;

21 - стеклянная подложка;

30 - герметизирующий элемент;

32 - жидкий кристалл;

40 - TFT;

41 - электрод затвора;

42 - изолирующая пленка затвора;

43 - первый полупроводниковый слой;

44 - второй полупроводниковый слой;

45a - электрод истока;

45b - электрод стока;

46 - пикселный электрод;

50, 50A, 50B - маркировочная площадка;

51 - нижний слой;

51a - первая металлическая пленка;

51b - вторая металлическая пленка;

51c - третья металлическая пленка;

52 - защитная изолирующая пленка;

53 - первая покровная пленка;

54 - вторая покровная пленка;

55 - третья покровная пленка;

56 - верхний слой;

57 - паз;

58 - сквозное отверстие;

60 - часть символьных данных;

100 - лазерный луч;

A - часть, выступающая в качестве части жидкокристаллического дисплея;

B - периферийная часть;

C - область маркировки;

D - периферийная область; и

E1, E2 - линия разделения.