×
10.04.2013
216.012.338c

Результат интеллектуальной деятельности: СПОСОБ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОГО ПОЛУЧЕНИЯ КОМПОЗИЦИОННОГО НИКЕЛЕВОГО ПОКРЫТИЯ С КВАЗИКРИСТАЛЛИЧЕСКИМИ ЧАСТИЦАМИ

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к области гальванотехники и может быть использовано для повышения износостойкости инструмента, снижения трения в подшипниках и в качестве защитных несмачиваемых покрытий в различных отраслях промышленности, в частности, для предотвращения обледенения проводов линий электропередач. Способ включает введение в электролит никелирования квазикристаллического порошка состава AlCuFe и нанесение покрытия на поверхность изделий, при этом электроосаждение покрытия осуществляют при температуре 18-22°С и перемешивании электролита в присутствии неионогенных поверхностно-активных веществ (ПАВ) ОС-20 или синтанола АЛМ-10 с использованием никелевых анодов при следующем соотношении компонентов, г/л: NiSO·7HO 25-30; NHCl 28-30; NaSO 16-20; ПАВ 0,013-0,014; квазикристаллический порошок - не выше 70, при этом средний размер частиц квазикристаллического порошка составляет 6,0 мкм. Технический результат: удешевление и упрощение получения несмачиваемых композиционных квазикристаллических покрытий с содержанием квазикристаллов 30-42% в менее коррозионноактивных условиях электролиза. 1 з.п. ф-лы, 1 табл., 4 ил.

Изобретение относится к способу получения квазикристаллических материалов, в частности электрохимических композиционных покрытий состава AlCuFe на основе никеля, которые могут использоваться благодаря своим уникальным свойствам для повышения износостойкости инструмента, снижения трения в подшипниках, применяться в качестве защитных несмачиваемых покрытий в различных отраслях промышленности, в частности, для предотвращения обледенения проводов линий электропередач.

Известны различные способы получения квазикристаллических материалов - пленок состава Al-Cu-Fe. Так, методом послойного магнетронного распыления на переменном токе получают пленки толщиной 300 нм (Klein Т., Symko O.G., // Appl.Phys. Lett. 1994. V.64. №4. P.431), методом электроннолучевого испарения из одного сплавленного катода - пленки 400-900 нм (Yoshioka A., Edagawa K., Kimura K., Takeuchi Sh. // Jpn. J. Appl. Phys. 1995. V.34. №3. P.1606). Для получения квазикристаллической фазы в пленках, полученных этими методами, необходим последующий отжиг, без которого квазикристаллические пленки образуются лишь при распылении на нагретую подложку (Eisenhammer Т., Trampert A. // Phys. Rev. Lett. 1997. V.78. №2. P.262).

Толстые пленки толщиной 50 мкм были получены при распылении с помощью СО2 лазера с последующим лазерным отжигом (Audebert F., Colaco R., Villar R. et al // Scripta Mater. 1999. V.40. №5. P.551).

Более совершенный способ получения квазикристаллических пленок заключается в послойном нанесении материалов методом катодного распыления в ячейке Пенинга (патент РФ №2329333 С23С 14/06, оп. 20.07.2008). Количество секций и материалы катодов ячейки выбирают в соответствии с составом квазикристаллической пленки. Затем наносят защитное покрытие Аl2O3 и проводят вакуумный отжиг. При этом получают квазикристаллические пленки стабильного состава, обладающие высокими технологическими свойствами: электропроводностью, теплопроводностью и твердостью.

Известные способы получения квазикристаллических пленок технологически сложны, трудоемки и требуют дорогостоящего специального оборудования. Поэтому решение этой проблемы состоит в разработке электрохимического способа получения композиционных покрытий на основе квазикристаллов, так как этот способ является технологически простым и дешевым.

Композиционные электрохимические покрытия находят широкое распространение в различных отраслях промышленности, о чем свидетельствует многочисленная научная и патентная литература [Молчанов В.Ф., Аюпов Ф.А., Вандышев В.А., Дзыцюк В.М. Комбинированные электрохимические покрытия. К.: Техника, 1976, 67 с.; Сайфуллин Р.С. Композиционные покрытия и материалы. М.: Химия. 1977. 270 с.; Кузнецова Е.В. //ЖПХ. 1993. Т.66. №5. С.1155-1158; Целуйкин В.И., Соловьева Н.Д. // ЖПХ. 2008. Т.81. №7. С.1106-1107; Чулованец С.А., Парфенов В.И. // ЖПХ. 2007. Т.80. №6. С.982; Тихонов К.И., Буркат и др. //ЖПХ. 2007. Т 80. №7. С.1113 ; авторское свидетельство СССР №1694710. C25D 15/00. 1991; патент РФ №2329337. C25D 15/00. 2008; патент РФ №2339746. C25D 15/00. 2008; патент РФ №2080422. C25D 3/56. 2002; патент РФ №2149927. C25D 3/56; патент РФ №2096535. C25D 15/0]. Композиционные электрохимические покрытия наносят из электролитов - суспензий, модифицированных добавками высокодисперсных порошков, которые при электроосаждении заращиваются металлом, закрепляясь на поверхности изделия (катода) в металлической матрице. В качестве веществ дисперсной фазы применяют бориды, карбиды, силициды, сульфиды, оксиды, графиты, фуллерены, алмазный порошок и т.д., а электролитами служат стандартные электролиты: никелирования, хромирования, меднения, цинкования и т.д. Для обеспечения седиментационной устойчивости дисперсной фазы в электролите применяют различные приемы: осуществляют перемешивание электролита; используют ПАВ [Авторское свидетельство СССР №1636481, C25D 15/00, 1991]; применяют ПАВ с последующей активацией электролита-суспензии в специальном аппарате - дезинтеграторе [Патент РФ №2202007. C25D 15/00. 2003]; обрабатывают электролит - суспензию ультразвуком [Патент РФ №2283373. C25D 15/00. 2006]; используют очищенные и ультрадисперсные порошки [Патент РФ №2156838. C25D 15/00. 2000]; циклически изменяют скорость электролита - суспензии в межэлектродном пространстве в ходе электролиза [Патент РФ №2138583. C25D 15/00. 1999]. Однако литературные данные, касающиеся использования квазикристаллического порошка для получения композиционных электрохимических покрытий, весьма ограничены.

Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату является известный электрохимический способ получения композиционных квазикристаллических покрытий, принятый за прототип (патент США №7309412. 2007). Этот способ заключается в электроосаждении квазикристаллического порошка состава Аl65Cu23Fe12 с размером частиц менее 20 мкм из сульфатного электролита никелирования с концентрацией никеля 5,8 г/л и добавкой гипофосфита натрия на подложку из алюминиевого сплава Аl-3004. Концентрация квазикристаллического порошка в электролите составляет 77 г/л, плотность тока в ходе электролиза изменяют ступенчато с 2,4 до 1,2 А/дм2, а температуру электролита поддерживают 33-50°С. При этом в качестве анода применяют платинированный титан, а покрываемый алюминиевый образец (катод) вращают со скоростью 3 об/мин. Полученное этим способом покрытие имеет толщину 25 мкм, а содержание квазикристаллов в нем составляет около 50%. Угол соприкосновения водных капель воды с покрытием превышает 105°, а коэффициент трения квазикристаллического покрытия составляет 0,2 (для непокрытого алюминиевого сплава - 0,75-0,85). Коэффициент трения и контактный угол воды не изменяются для термически обработанных квазикристаллических покрытий при температуре 425°С в течение 4 часов в бескислородной атмосфере (аргоне). Эти характеристики являются наиболее важными для работоспособности покрытия.

Недостатками прототипа являются: сравнительно высокая рекомендуемая температура электролиза 33-50°С, повышающая коррозионную активность электролита; вращение покрываемого образца (катода), усложняет конструкцию гальванического оборудования; использование платинированного титана в качестве анодного материала приводит к существенному удорожанию процесса электроосаждения квазикристаллического порошка. Кроме того, в известном способе не приводится состав электролита никелирования и вводится в электролит фосфит натрия, обычно используемый при химическом никелировании.

Задачей предлагаемого изобретения является упрощение электрохимического способа получения несмачиваемых композиционных никелевых покрытий с содержанием квазикристаллических частиц 30-42%, в менее коррозионноактивных условиях электролиза.

Техническим результатом является повышение гидрофобности покрытия.

Для этого предложен способ электрохимического получения композиционного никелевого покрытия с квазикристаллическими частицами, включающий введение в электролит никелирования квазикристаллического порошка состава AlCuFe и нанесение покрытия на поверхность изделий, при этом электроосаждение покрытия осуществляют при температуре 18-22°С и перемешивании электролита в присутствии неионогенных поверхностно-активных веществ (ПАВ) ОС-20 или синтанола АЛМ-10 с использованием никелевых анодов при следующем соотношении компонентов, г/л:

NiSO4·7H2O - 25-30,

NH4Cl - 28-30, Na2SO4 - 16-20,

ПВА - 0,013-0,014,

с концентрацией квазикристаллического порошка не выше 70 г/л,

при этом средний размер частиц квазикристаллического порошка составляет 6,0 мкм.

Кроме того, проводят магнитное перемешивание электролита.

Предлагаемый способ осуществляют в обычной гальванической ячейке при температуре 18-22°C с использованием никелевых анодов, а для обеспечения седиментационной устойчивости квазикристаллического порошка в электролите применяют перемешивание электролита магнитной мешалкой и неионогенных поверхностно-активных веществ: синтанол АЛМ-10 (смесь полиоксиэтиленгликолевых эфиров синтетических первичных высших жирных спиртов фракций С12-C14, ТУ 6-14-864-88) или ОС-20 (смесь полиоксиэтиленгликолевых эфиров высших жирных спиртов, ГОСТ 10730-82).

Электролит никелирования готовят следующим образом: в емкости, наполненной горячей дистиллированной водой, растворяют рецептурное количество сульфата никеля, сульфата натрия и хлорида аммония. Полученный электролит обрабатывают активированным углем, фильтруют и переливают в гальваническую ячейку в количестве 100 мл. В этот объем электролита при включенной магнитной мешалке вводят требуемые количества квазикристаллического порошка со средним размером частиц 6 мкм и поверхностно-активного вещества. Используемый квазикристаллический порошок состава Al65Cu22Fe13 получают по технологии, описанной в патенте РФ №2244761. По этой же технологии были получены порошки состава Al63,5Cu24,5Fe12 Al70Cu20,3Fe9,7, Al65Cu22Fe13.

Исходную смесь порошков берут при соотношении алюминия, меди и железа, непосредственно соответствующем области существования квазикристаллической фазы сплава Al-Cu-Fe. Проводят перемешивание исходной смеси порошков на воздухе в среде жидкого испаряющегося пластификатора до получения однородной смеси и повышения ее вязкости. Затем осуществляют нагрев в бескислородной атмосфере и выдержку. Процесс нанесения покрытия на медную подложку ведут при катодной плотности тока 1-2 А/дм2.

В качестве параметров, характеризующих свойства полученных покрытий, определялись содержание квазикристаллической фазы в весовых процентах и смачиваемость образца дистиллированной водой, которая определялась по форме капли воды, нанесенной на поверхность покрытия.

На фигуре 1 показана зависимость интенсивности рентгеновского излучения от угла дифракции на образце электрохимического композиционного никелевого покрытия с квазикристаллическими частицами состава Al65Cu22Fe13, полученная на установке D8 Advance фирмы «Брукер». На той же фигуре приведена табличная штрих-рентгенограмма квазикристаллической фазы. Индицированы пики, относящиеся к Ni и квазикристаллу.

На фигуре 2 представлена фотография капли дистиллированной воды на поверхности медной подложки. Размер капли ~1.5 мм. Медь является материалом с умеренной смачиваемостью. Угол смачиваемости (в данном случае 64.5°±1°) определялся по компьютерному изображению с помощью аппроксимации формы капли сферой с известным центром и радиусом.

На фигуре 3 представлена фотография такой же капли на поверхности тефлона, который известен как материал с предельно низкой смачиваемостью. Угол смачиваемости, который определялся так же, как и для меди, составляет в данном случае 108.5±1°.

На фигуре 4 представлена фотография капли дистиллированной воды на поверхности несмачиваемого композиционного квазикристаллического покрытия. В этом случае капля представляет собой слегка искаженную сферу, и угол смачиваемости не определяется. Следует отметить, что, в отличие как от меди и тефлона, так и от покрытий с более низким содержанием квазикристалла, капля воды скатывается с несмачиваемого покрытия при наклоне образца.

В таблице приведены технологические параметры процесса и характеристики полученных покрытий для серии образцов

Из данных, приведенных в таблице, видно, что содержание квазикристаллов в композиционном покрытии и его качество зависят от состава электролита и условий электролиза. Так, увеличение концентраций сульфата никеля, сульфата натрия и хлорида аммония, а также повышение температуры электролита, среднего размера частиц квазикристаллического порошка и его концентрации выше 70 г/л приводят к снижению содержания квазикристаллов в композиционном покрытии до 12,2-20,0 % и ухудшению его качества. Композиционные квазикристаллические покрытия, получаемые по предлагаемому способу, обладают хорошей адгезией с медной основе, не разрыхляются и не смачиваются.

Таким образом, предлагаемый способ позволяет получать несмачиваемые композиционные никелевые покрытия с квазикристаллическими частицами с содержанием квазикристаллов 30-42 вес.%, в менее коррозионноактивных условиях электролиза с одновременным упрощением его реализации за счет использования существующего гальванического оборудования и удешевлением в результате замены платинированных анодов на обычные никелевые. Такие покрытия могут применяться для повышения износостойкости инструмента, снижения трения в подшипниках, применяться в качестве защитных несмачиваемых покрытий в различных отраслях промышленности, в частности, для предотвращения обледенения проводов линий электропередач.


СПОСОБ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОГО ПОЛУЧЕНИЯ КОМПОЗИЦИОННОГО НИКЕЛЕВОГО ПОКРЫТИЯ С КВАЗИКРИСТАЛЛИЧЕСКИМИ ЧАСТИЦАМИ
СПОСОБ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОГО ПОЛУЧЕНИЯ КОМПОЗИЦИОННОГО НИКЕЛЕВОГО ПОКРЫТИЯ С КВАЗИКРИСТАЛЛИЧЕСКИМИ ЧАСТИЦАМИ
СПОСОБ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОГО ПОЛУЧЕНИЯ КОМПОЗИЦИОННОГО НИКЕЛЕВОГО ПОКРЫТИЯ С КВАЗИКРИСТАЛЛИЧЕСКИМИ ЧАСТИЦАМИ
СПОСОБ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОГО ПОЛУЧЕНИЯ КОМПОЗИЦИОННОГО НИКЕЛЕВОГО ПОКРЫТИЯ С КВАЗИКРИСТАЛЛИЧЕСКИМИ ЧАСТИЦАМИ
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 251-260 из 265.
24.06.2020
№220.018.29f7

Автономная космическая энергетическая установка

Изобретение относится к энергосистемам на основе прямого преобразования тепловой энергии в электрическую и может быть использовано, в частности, для энергоснабжения лунной базы. Установка содержит два замкнутых контура жидкометаллического теплоносителя (ЖМТ). Контур горячего ЖМТ включает в себя...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002724206
Дата охранного документа: 22.06.2020
29.06.2020
№220.018.2c89

Способ косвенного измерения отказоустойчивости облучаемых испытательных цифровых микросхем, построенных различными способами постоянного поэлементного резервирования, и функциональная структура испытательной микросхемы, предназначенной для реализации этого способа

Изобретение относится к способам косвенного измерения отказоустойчивости облучаемых цифровых испытательных микросхем, построенных различными способами постоянного поэлементного резервирования, и к испытательным микросхемам для реализации этих способов измерения. Технический результат - создание...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002724804
Дата охранного документа: 25.06.2020
21.07.2020
№220.018.34cd

Устройство для исследования энергетического спектра ионов плазмы

Изобретение относится к области измерений в физике плазмы и физике заряженных частиц. Технический результат - повышение точности регистрации спектра энергий потока ионов и последующего измерения потока ионов. Устройство для исследования энергетического спектра ионов плазмы содержит вакуумную...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002726954
Дата охранного документа: 17.07.2020
21.07.2020
№220.018.34e1

Вакуумная камера термоядерного реактора

Изобретение относится к термоядерной технике, а именно к конструкциям вакуумной камеры и бланкета, которые являются элементами термоядерного реактора или демонстрационного термоядерного источника нейтронов (ДЕМО-ТИН). Для достижения этого результата предложена вакуумная камера термоядерного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002726940
Дата охранного документа: 17.07.2020
12.04.2023
№223.018.493d

Способ точечной магнитно-импульсной сварки плоских листовых металлических материалов и устройство для его осуществления

Изобретение может быть использовано при точечной магнитно-импульсной сварке листовых металлических материалов. Верхнюю и нижнюю свариваемые детали размещают на упоре, который выполняют со сквозным отверстием. В нижней детали в каждой точке сварного соединения выполняют коническое отверстие,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002740937
Дата охранного документа: 21.01.2021
20.04.2023
№223.018.4d2f

Способ создания интерфейса для интеграции монокристаллического оксида европия с германием

Изобретение относится к технологии формирования эпитаксиальных гетероструктур, а именно тонких пленок оксида европия на германии, которые могут быть использованы при создании устройств германиевой наноэлектроники и спинтроники, в частности инжекторов спин-поляризационного тока, спиновых...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002793379
Дата охранного документа: 31.03.2023
22.04.2023
№223.018.5157

Донная станция для долгосрочного многопараметрического мониторинга

Изобретение относится к области технологий морского мониторинга, в частности к глубоководной якорной системе и методам наблюдения за морским дном в режиме реального времени. Предложена Донная станция для долгосрочного многопараметрического мониторинга характеризующаяся тем, что содержит...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002794239
Дата охранного документа: 13.04.2023
11.05.2023
№223.018.542a

Способ получения конъюгата boc-thz-phe-d-trp-lys(boc)-thr-nhchchnh-dota, являющегося прекурсором для противоопухолевых радиофармпрепаратов

Изобретение относится к области пептидной химии и касается получения конъюгата Boc-Thz-Phe-D-Trp-Lys(Boc)-Thr-NHCHCHNH-DOTA, имеющего в качестве вектора пентапептид, являющийся аналогом соматостатина. Данный конъюгат перспективен как адресный носитель медицинских радионуклидов для использования...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002795447
Дата охранного документа: 03.05.2023
14.05.2023
№223.018.5573

Энергоустановка для работы в условиях отрицательных температур

Изобретение относится к области электротехники, а именно к энергоустановкам на топливных элементах с твердым полимерным электролитом, и может быть использовано в переносных/мобильных энергоустановках в условиях отрицательных температур окружающей среды. Техническим результатом заявленного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002736883
Дата охранного документа: 23.11.2020
15.05.2023
№223.018.5aa4

Устройство для электролиза воды в арктической зоне

Изобретение относится к устройству для электролиза воды в арктической зоне, содержащему твердополимерный электролизер с пневматически изолированными полостями для водорода и кислорода, подключенный к блоку питания и управления, а также к системе водоснабжения с запасом деионизированной воды,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002769324
Дата охранного документа: 30.03.2022
Показаны записи 161-167 из 167.
29.04.2019
№219.017.4633

Способ количественного определения гидрохлорида 5-аминолевулиновой (5-амино-4-оксопентановой) кислоты и ее сложных эфиров

Изобретение относится к аналитической химии и описывает способ кондуктометрического количественного определения гидрохлоридов 5-аминолевулиновой (5-амино-4-оксопентановой) кислоты или ее сложных эфиров, включающий подготовку проб анализируемого вещества, измерение удельной электропроводности...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002442979
Дата охранного документа: 20.02.2012
09.05.2019
№219.017.4b1f

Способ очистки гидрохлорида 5-аминолевулиновой (5-амино-4-оксопентановой) кислоты

Предлагаемое изобретение касается способа очистки синтетического гидрохлорида 5-аминолевулиновой (5-амино-4-оксопентановой) кислоты (5-АЛК), являющегося эндогенным веществом - биологическим предшественником порфиринов в живых организмах и растениях, и может быть использовано в исследовательской...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002295516
Дата охранного документа: 20.03.2007
13.07.2019
№219.017.b3c5

Способ получения 2-аминоэтансульфоновой кислоты

Изобретение относится к органической химии, а именно к способу получения 2-аминоэтансульфоновой кислоты взаимодействием 2-аминоэтилсерной кислоты с избытком сульфита натрия в водном растворе при кипячении в течении 20 часов с последующим отделением целевого продукта от минеральных солей...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002384568
Дата охранного документа: 20.03.2010
01.12.2019
№219.017.e97a

Способ количественного определения хлоридов в концентрате тетраметиламмония гидроксида

Изобретение относится к аналитической химии, в частности, к способу количественного определения хлоридов в концентрате тетраметиламмония гидроксида, который может быть использован в исследовательской и производственной практике. Сущность способа: количественное определение хлоридов в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002707580
Дата охранного документа: 28.11.2019
14.05.2020
№220.018.1ca8

Способ определения фракционного состава сульфированного фталоцианина алюминия

Изобретение относится к способу определения фракционного состава сульфированного фталоцианина алюминия, включающему разделение фракций сульфокислот методом тонкослойной хроматографии в элюенте состава н-бутанол - уксусная кислота – вода. Способ характеризуется тем, что разделение фракций...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002720799
Дата охранного документа: 13.05.2020
18.07.2020
№220.018.33ef

Теплозащитный и теплоизоляционный волокнистый керамический материал «наноксилен» и способ его получения

Изобретение относится к технологии получения волокнистых керамических материалов теплозащитного и теплоизоляционного назначения, в частности для изготовления плоских и фасонных изделий для горячих металлургических цехов, летательных аппаратов, энергетических установок и др. Техническим...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002726800
Дата охранного документа: 15.07.2020
16.06.2023
№223.018.7ca3

Способ получения квазикристаллического материала

Изобретение относится к порошковой металлургии, в частности к получению порошков квазикристаллических материалов. Способ получения порошка квазикристаллического материала системы Al–Cu– Fe включает перемешивание порошков алюминия, меди и железа при соотношении компонентов, соответствующем...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002740496
Дата охранного документа: 14.01.2021
+ добавить свой РИД