×
27.02.2013
216.012.2ca1

Результат интеллектуальной деятельности: ЭЛЕКТРОННО-ОПТИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к электронной технике, в частности к электронно-оптическим преобразователям инфракрасного излучения с высокой разрешающей способностью. Технический результат: повышение разрешающей способности, обеспечивающее технологичность, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных приборов. Электронно-оптический преобразователь содержит вакуумированную колбу с входным окном, прозрачным в инфракрасной области спектра, фотокатод, создающий поток электронов, пироэлектрическую мишень со сквозными отверстиями, разделенными на дискретные элементы для прохождения электронного потока, управляющий электрод, несущую диэлектрическую пленку и поглощающий слой, включающую пироэлектрический слой, устройство регистрации двумерного электронного изображения, микроканальную пластину - умножитель электронов, выполненный преимущественно из кремния. Пироэлектрический кристалл размещен непосредственно на микроканальной пластине и выполнен толщиной 0,1-5 мкм из пироэлектрического материала, наносимого в вакууме 10-10 мм рт.ст. при температуре подложки 300-400°С. Размеры элементов пироэлектрического кристалла составляет 15-25 мкм. 1 табл., 1 з.п. ф-лы.

Изобретение относится к электронной технике, в частности к электронно-оптическим преобразователям инфракрасного излучения с высокой разрешающей способностью.

Известен способ изготовления электронно-оптического преобразователя, патент США №5017829, МКИ H01J 31/26, путем применения фотокатода, первой отклоняющей системы, щелевой диафрагмы, второй отклоняющей системы, люминесцентного экрана и двух электронных линз, одна из которых расположена непосредственно у фотокатода, а другая - на выходе из щелевой диафрагмы. Формирование на экране последовательности изображений в форме дискретных кадров осуществляется путем поэлементного пропускания изображения через щель, преобразования его во временную последовательность сигналов и восстановления пространственных распределений на экране с помощью второй линзы и второй отклоняющей системы. Электронно-оптический преобразователь, изготовленный таким способом, ограничивает сигнал и ухудшает электрические характеристики и параметры прибора.

Наиболее близким является электронно-оптический преобразователь по патенту РФ №2160479, МПК H01J 31/52, содержащий в вакуумированной колбе входное окно, прозрачное в инфракрасной области спектра, фотокатод, создающий поток электронов, устройство регистрации двумерного электронного изображения, пироэлектрическую мишень, включающую пироэлектрический слой, управляющий электрод, поглощающий слой, фотокатод выполнен сплошным из материала прозрачного в инфракрасном диапазоне и расположен на входном окне со стороны пироэлектрической мишени, пироэлектрическая мишень дополнительно содержит несущую диэлектрическую пленку, причем пироэлектрический слой, управляющий электрод, несущая диэлектрическая пленка и поглощающий слой пироэлектрической мишени расположены друг за другом по направлению от входного окна к устройству регистрации двумерного электронного изображения, пироэлектрический слой выполнен из отдельных дискретных элементов, управляющий электрод содержит щелевые отверстия, расположенные между дискретными элементами пироэлектрического слоя, несущая диэлектрическая пленка выполнена непрерывной и содержит щелевые отверстия, совпадающие с щелевыми отверстиями управляющего электрода, поглощающий слой выполнен в виде дискретных элементов, по конфигурации совпадающих с дискретными элементами пироэлектрического слоя.

Недостатками этого способа являются:

- низкая технологичность конструкции;

- плохая разрешающая способность;

- высокий уровень фонового сигнала.

Задача, решаемая изобретением: повышение разрешающей способности, обеспечивающее технологичность, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных приборов.

Указанная задача решается путем последовательного размещения источника электронов, пироэлектрического кристалла и микроканальной пластины с люминесцирующим экраном. Конфигурация пироэлектрического кристалла определяется геометрией входной плоскости микроканальной пластины, на которой формируется пирокристалл.

Предлагаемый электронно-оптический преобразователь содержит в вакуумированной колбе входное окно, прозрачное для ИК-излучения, источник электронов, пироэлектрическую мишень, включающую пироэлектрический слой, управляющий электрод, поглощающий слой, устройство регистрации двумерного электронного изображения, микроканальную пластину - умножитель электронов из кремния. Пироэлектрический кристалл размещают непосредственно на микроканальную пластину и формируют в виде дискретных элементов.

Предлагаемый электронно-оптический преобразователь работает следующим образом.

Катод, расположенный на входном окне, возбуждают источником вспомогательного излучения. Катод создает однородный поток электронов. На пути этого потока электронов находится пироэлектрическая мишень. Прошедший через пироэлектрическую мишень поток электронов попадает на микроканальную пластину - умножитель электронов из кремния. Затем электронный поток попадает на устройство регистрации двумерного электронного изображения (люминофор).

Пироэлектрический кристалл выполнен толщиной 0,1-5 мкм из пироэлектрического материала, наносимого в вакууме 10-5-10-6 мм рт.ст. при температуре подложки 300-400°С. Размеры элементов пироэлектрического кристалла составляет 15-25 мкм.

При нагревании пироэлектрического слоя инфракрасным излучением, сфокусированным в плоскости мишени, внутренняя поляризация пироэлектрического материала изменяется и потенциал на поверхности пироэлектрического слоя изменяется в положительную или отрицательную сторону в зависимости от знака начальной поляризации пироэлектрического материала. Изменение потенциала на поверхности пироэлектрического слоя приводит к изменению количества электронов (фотоэлектронов), которые смогут пройти через пироэлектрическую мишень.

По предлагаемому способу были изготовлены электронно-оптические преобразователи. Результаты обработки представлены в таблице 1.

Таблица 1
Параметры приборов, изготовленных по стандартному способу Параметры приборов, изготовленных по предлагаемому способу
Чувствительность, мК Коэффициент преобразования, отн. ед. Чувствительность, мК Коэффициент преобразования, отн. ед.
30 25000 19 30000
32 24100 21 29800
35 24400 24 29200
37 24600 23 29600
31 24900 22 29500
33 24200 25 29700
35 24700 20 29100
34 24300 21 29400
39 24500 23 29800
40 24100 26 29300
36 24800 24 30000
38 24200 25 29900

Экспериментальные исследования показали, что выход годных приборов увеличивается на 12,5%.

Технический результат: повышение разрешающей способности, обеспечивающее технологичность, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных приборов .

Стабильность параметров во всем эксплуатационном интервале температур была нормальной и соответствовала требованиям.

Предложенный способ изготовления электронно-оптического преобразования путем размещения пироэлектрического кристалла на микроканальную пластину из кремния позволяет повысить процент выхода годных приборов и улучшить их надежность.

Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 41-50 из 52.
26.08.2017
№217.015.e32e

Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с повышенной радиационной стойкостью. В способе изготовления полупроводникового прибора после окисления затвора производят диффузию золота с обратной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002626075
Дата охранного документа: 21.07.2017
26.08.2017
№217.015.e389

Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с пониженными токами утечки. В способе изготовления полупроводникового прибора после формирования подзатворного диоксида кремния на кремниевой пластине...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002626292
Дата охранного документа: 25.07.2017
19.01.2018
№218.016.00ae

Способ изготовления полупроводниковой структуры

Изобретение относиться к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковой структуры кремний на диэлектрике с низкой плотностью дефектов. В способе изготовления полупроводниковой структуры кремниевую пластину p-типа проводимости...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002629655
Дата охранного документа: 30.08.2017
19.01.2018
№218.016.00d1

Способ получения нитрида кремния

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии получения нитрида кремния. В способе получения нитрида кремния нитрид кремния формируют каталитическим парофазным химическим осаждением смеси гидразина (NH) и силана (SiH) при...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002629656
Дата охранного документа: 30.08.2017
19.01.2018
№218.016.00d3

Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение относиться к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления приборов с гетероструктурой с пониженной дефектностью. В способе изготовления полупроводникового прибора гетеропереход база-коллектор формируют выращиванием n-слоя Si...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002629659
Дата охранного документа: 30.08.2017
19.01.2018
№218.016.0115

Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводникового прибора, в частности к технологии изготовления биполярного транзистора с высоким напряжением пробоя. В способе изготовления полупроводникового прибора после формирования области эмиттера на подложке кремния разложением...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002629657
Дата охранного документа: 30.08.2017
20.01.2018
№218.016.10e4

Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с пониженными токами утечки. Технология способа состоит в следующем: на кремниевой подложке p-типа проводимости с удельным сопротивлением 10 Ом⋅см, с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002633799
Дата охранного документа: 18.10.2017
13.02.2018
№218.016.20d4

Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с пониженным контактным сопротивлением. В способе изготовления полупроводникового прибора формируют на GaAs подложку области истока/стока n+ - типа...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002641617
Дата охранного документа: 18.01.2018
17.02.2018
№218.016.2b24

Способ получения термоэлектрического материала для термоэлектрических генераторных устройств на основе теллурида свинца

Использование: для получения термоэлектрических материалов на основе теллурида свинца. Сущность изобретения заключается в том, что получение термоэлектрического материала для термоэлектрических генераторных устройств на основе теллурида свинца заданного свойства и состава производится...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002642890
Дата охранного документа: 29.01.2018
04.04.2018
№218.016.2f7c

Способ изготовления полупроводниковой структуры

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур с пониженной дефектностью. В способе изготовления полупроводниковой структуры выращивание эпитаксиального слоя кремния проводят в процессе...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002644627
Дата охранного документа: 13.02.2018
Показаны записи 11-16 из 16.
27.09.2014
№216.012.f77b

Поли-n, n-диаллиллейцин

Изобретение относится к ионогенному водорастворимому полиэлектролиту - поли-N,N-диаллиллейцину, который может быть использован в качестве флокулянтов, коагулянтов, структураторов почв, пролонгаторов лекарственных средств. Поли-N,N-диаллиллейцин имеет следующую формулу: где n=100-112....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002529192
Дата охранного документа: 27.09.2014
27.12.2014
№216.013.13ba

Галогенсодержащие полиариленэфиркетоны

Настоящее изобретение относится к полиариленэфиркетонам блочного строения. Описаны полиариленэфиркетоны формулы ,где n=1-20; m=2-50. Технический результат - получение полиариленэфиркетонов, обладающих высокой тепло-, термо-, огне- и химстойкостью, а также высокими механическими...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002536474
Дата охранного документа: 27.12.2014
27.12.2014
№216.013.15a9

Полимерный композиционный материал и способ его получения

Изобретение относится к полимерным композиционным материалам, в частности к углепластикам на основе полисульфона, которые применяются в авиа-, вертолето- и автомобилестроении. Задача настоящего изобретения заключается в получении композиционного материала на основе полисульфона, армированного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002536969
Дата охранного документа: 27.12.2014
10.01.2015
№216.013.174f

Сополимер на основе n,n-диаллиламинобутандиовой кислоты и винилацетата

Изобретение относится к ионогенным полиэлектролитам диаллильной природы. Описан сополимер N,N-диаллиламинобутандиовой кислоты (ДААсК) с винилацетатом (BA) формулы, представленной ниже, где 0.1≤m≤0.9; 0.1≤n≤0.9; z=80-150, в качестве полиэлектролита диаллильной природы. Формула: Технический...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002537395
Дата охранного документа: 10.01.2015
20.04.2015
№216.013.4515

Полигидроксиэфир

Изобретение относится к полигидроксиэфирам. Описан полигидроксиэфир на основе 3,3-диаллил-4,4-диоксидифенилпропана общей формулы: где n=70-180. Технический результат - полигидроксиэфир, обладающий улучшенными значениями прочностных и термических характеристик, адгезии, а также стойкости к воде...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002549183
Дата охранного документа: 20.04.2015
10.11.2015
№216.013.8afd

Прибор для определения электрического сопротивления щелочных металлов и их сплавов

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике, а именно к приборам и устройствам для исследования электрофизических свойств жидкометаллических растворов. Прибор для измерения электросопротивления щелочных металлов и их сплавов в полном концентрационном интервале составов состоит из...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002567188
Дата охранного документа: 10.11.2015
+ добавить свой РИД