×
20.02.2013
216.012.2880

Результат интеллектуальной деятельности: КОНСТРУКЦИЯ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО МОДУЛЯ

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к области солнечной энергетики. Конструкция фотоэлектрического модуля (1) содержит боковые стенки (2), фронтальную панель (3) с линзами Френеля (4), светопрозрачную тыльную панель (5), солнечные элементы (6) с фотоприемными площадками (15), совмещенными с фокальным пятном соответствующей линзы Френеля (4) и расположенными на теплоотводящих основаниях (7), и байпасные диоды. Солнечные элементы (6) и байпасные диоды установлены в центрах отверстий (8) в планках (9) из конструкционного металла толщиной Н от 0,4 мм до 0,8 мм. На фронтальную сторону планок (9) нанесен слой диэлектрика (10) толщиной h и металлическое покрытие (11) толщиной h, к которому подсоединены верхние контакты солнечных элементов (6) и байпасных диодов. Диаметр отверстий в металлическом покрытии (11) над отверстиями планок (7) меньше диаметра отверстий в слое диэлектрика (10) над отверстиями планок на 0,05-0,1 мм, а общая толщина слоя диэлектрика (11) и металлического покрытия (10) h+h удовлетворяет соотношению: 0,1H≤h+h≤0,2H. Фотоэлектрический модуль согласно изобретению имеет повышенную надежность работы и увеличенный срок службы при увеличении концентрации солнечного излучения до уровня 1000-3000. 5 з.п.ф-лы, 5 ил.

Заявляемое изобретение относится к области солнечной энергетики и, в частности, к концентраторным солнечным фотоэлектрическим модулям, применяемым, например, в наземных гелиоэнергетических установках, предназначенных для систем автономного энергоснабжения в различных климатических зонах.

Одним из наиболее перспективных методов получения электроэнергии из возобновляемых источников является фотоэлектрическое преобразование концентрированного солнечного излучения с использованием дорогостоящих высокоэффективных многокаскадных солнечных элементов и недорогих оптических концентраторов. Использование оптических концентраторов, обеспечивающих степень концентрации солнечного излучения 500-1000 крат, имеющих высокую оптическую эффективность, позволяет достичь высокого КПД преобразования солнечного излучения в электричество и сократить суммарную площадь солнечных элементов пропорционально кратности концентрирования солнечного излучения. Оптические концентраторы позволяют увеличить эффективность преобразования солнечного излучения, но от вклада их стоимости в общую стоимость модуля, степени сложности их изготовления и сборки модуля, величины срока эксплуатации зависит экономичность фотоэлектрического модуля.

Известен фотоэлектрический модуль (см. патент US 6717045, МПК H01L 31/052, опубликован 06.04.2004), включающий множество оптических концентраторов, фокусирующих солнечное излучение на фотоприемные площадки солнечных фотоэлементов. Каждый из оптических концентраторов состоит из первичного концентратора, имеющего степень концентрации солнечного излучения 5-10 крат, вторичного концентратора, расположенного ниже первого и увеличивающего степень концентрации солнечного излучения в 20-50 раз, и третьего концентратора, установленного в нижней плоскости вторичного концентратора и фокусирующего излучение на поверхность солнечного фотоэлемента. В качестве первичного концентратора может быть использована линза Френеля. Вторичный концентратор представляет собой комбинированный параболический отражатель, изготовленный из стекла или керамики и имеющий отражающие и защитные покрытия. В качестве третьего концентратора служит стеклянная линза. Солнечный фотоэлемент установлен на площадке, имеющей оребрение для рассеяния тепла.

Недостатками известной конструкции фотоэлектрического модуля являются большие потери света за счет отражения от поверхностей оптических элементов трехкаскадного концентратора, технические сложности изготовления, монтажа и юстировки большого количества оптических деталей и, соответственно, также высокая стоимость конструкции.

Известен фотоэлектрический модуль (см. заявка РСТ WO 9213362, H01L 31/00, опубликована 06.08.1992), состоящий из нескольких фотоэлектрических сборок, содержащих корпус, смонтированный в корпусе концентратор и фоточувствительный элемент, расположенный на задней стенке корпуса. В качестве концентратора может быть использована линза Френеля, а корпус может иметь вид усеченного конуса, либо усеченной пирамиды.

Основным недостатком рассматриваемого фотоэлектрического модуля с концентратором является сложность изготовления и высокая стоимость конструкции.

Известен фотоэлектрический модуль (см. US 4834805 H01L 31/00, дата публикации 30.05.1989), содержащий линзовую панель, сформированную из множества линз, расположенную на фиксированном расстоянии от многослойной подложки, в которую вмонтированы солнечные элементы небольших размеров. При этом солнечные элементы, выполненные на основе многослойных полупроводниковых кристаллов, имеющие нижний сплошной металлический контакт и верхний контакт в виде тонкой металлической сетки, солнечные элементы устанавливаются в лунки многослойной подложки, фиксируются там механически и электрически соединяются с токопроводящими слоями подложки. Линзовая панель состоит из матриц сферических или асферических стеклянных плосковыпуклых линз, обращенных в сторону подложки с фотоэлементами.

Недостатком известной конструкции является высокая технологическая сложность изготовления и монтажа многослойной подложки с фотоэлементами, большой вес линзовой панели, а также сложности с отводом тепла от фотоэлементов.

Известен фотоэлектрический модуль (см. заявка РСТ WO 2008068006, H01L 31/00, опубликована 12.06.2008), в котором на основании из электроизолирующего материала смонтированы сборки солнечных элементов. Сборки солнечных элементов представляют собой электро- и теплопроводящий носитель, на котором установлены кристалл солнечного элемента и байпасный диод. Поскольку байпасный диод и кристалл солнечного элемента имеют противоположную проводимость, то их верхние контакты соединены электрическим проводником, который также соединяет их с электро- и теплопроводящим носителем соседней сборки солнечных элементов.

Недостатком известного фотоэлектрического модуля является сложность монтажа панели солнечных элементов и, поскольку данная конструкция предполагает последовательное соединение всех элементов, то при изготовлении солнечных батарей большой мощности возникают сложности с коммутацией и требуется высокая электрозащищенность всех элементов конструкции.

Известен фотоэлектрический модуль (см. В.М.Андреев и др. "Фотоэлектрическое преобразование концентрированного солнечного излучения". Л., "Наука", Ленинградское отделение, 1989, с.302-303). Модуль содержит 8 или 16 линз Френеля и соответствующее количество солнечных фотоэлементов, размещенных против линз на алюминиевом листе, который одновременно выполняет роль подложки фотоэлементов, радиатора и металлического корпуса. Для электроизоляции солнечных фотоэлементов от корпуса используются пластины высокоомного кремния, обладающие высокой теплопроводностью. Линзы Френеля изготовлены из органического стекла методом прессования. Для защиты от атмосферных воздействий линзы закрыты листом силикатного стекла.

Модуль превосходит по своим технико-экономическим показателям кремниевые солнечные фотоэлектрические модули без концентраторов. Однако он обладает малой энергопроизводительностью.

Известен фотоэлектрический модуль (см. патент RU 2307294, МПК H01L 31/052, опубликован 27.09.2007). Фотоэлектрический модуль содержит боковые стенки и фронтальную панель из силикатного стекла с линзами Френеля на ее тыльной стороне, а также солнечные фотоэлементы с теплоотводящими основаниями. Теплоотводящие основания расположены на тыльной панели из силикатного стекла или выполнены в виде лотков с плоским дном, через центральные продольные линии поверхностей которых проходят оптические оси соответствующих линз Френеля. Введена дополнительная промежуточная панель из силикатного стекла, на фронтальной или тыльной стороне которой установлены плоско-выпуклые линзы, соосные с соответствующими линзами Френеля. Лотки своими верхними частями могут быть герметично соединены с тыльной поверхностью промежуточной панели. Светоприемные поверхности фотоэлементов находятся в фокусном пятне двух концентраторов - линз Френеля и плоско-выпуклых линз. В зависимости от варианта выполнения модуля расстояние между промежуточной панелью и теплоотводящими основаниями, фокусное расстояние плоско-выпуклых линз, толщины фотоэлементов, промежуточной панели и плоско-выпуклых линз связаны соотношениями, приведенными в формуле изобретения.

Известный фотоэлектрический модуль обеспечивает увеличение энергопроизводительности фотоэлектрического модуля. Однако недостатком известного фотоэлектрического модуля является высокая трудоемкость позиционирования отдельных ФЭ и статистическая вероятность линейного несовпадения центров ФЭ с оптическими центрами соответствующих линз в линзовой панели.

Известен фотоэлектрический модуль (см. патент RU 2395136, МПК H01L 31/042, опубликован 15.06.2010), совпадающий с заявляемым техническим решением по наибольшему числу существенных признаков и принятый за прототип. Конструкция фотоэлектрического модуля содержит боковые стенки, фронтальную панель с линзами Френеля на ее внутренней стороне, светопрозрачную тыльную панель, солнечные элементы, снабженные теплоотводящими основаниями, и байпасные диоды. Солнечные элементы установлены в центрах отверстий планок, выполненных из диэлектрического материала с двусторонним металлическим покрытием, к которому подсоединены соответствующие контакты солнечных элементов и байпасные диоды. Расстояние между центрами соседних отверстий планок равны расстоянию между центрами соседних линз Френеля фронтальной панели, лежащих в плоскости, параллельной планкам. Планки установлены за фронтальной панелью параллельно друг другу с шагом, равным расстоянию между центрами соседних линз Френеля, лежащих в плоскости, перпендикулярной планкам. Фронтальная панель и тыльная панель прикреплены к боковым стенкам так, что центр фотоприемной площадки каждого солнечного элемента лежит на одной оси с центром соответствующей линзы Френеля и совпадает с фокусом этой линзы. Планки фотоэлектрического модуля могут быть выполнены из стеклотекстолита с двусторонним металлическим покрытием. Металлическое теплоотводящее основание является и одним из электрических контактов солнечного фотоэлемента. Вторым контактом является верхнее металлическое покрытие фольгированного стеклотекстолита, к которому подведен проволочный контакт, присоединенный другим концом к контактной сетке фотоэлемента.

Конструкция модуля-прототипа обеспечивает высокую точность монтажа солнечных элементов при низкой трудоемкости изготовления, что позволяет улучшить характеристики фотоэлектрического модуля и, тем самым, увеличить его энергопроизводительность при снижении стоимости затрат. Модуль-прототип превосходит по своим показателям все другие известные фотоэлектрические модули с концентраторами, включая рассмотренные выше аналоги.

Однако недостатком конструкции модуля-прототипа является сокращение срока службы фотоэлектрического модуля при увеличении концентрации излучения за счет выгорания стеклотекстолита в сфокусированном пятне солнечного излучения при временной разориентации модуля в процессе слежения за Солнцем и осаждения продуктов распада материала стеклотекстолита на поверхности фотоэлементов.

Задачей, решаемой настоящим техническим решением, является повышение надежности работы фотоэлектрического модуля и увеличение срока службы при увеличении концентрации солнечного излучения до уровня 1000Х-3000Х при сохранении точности монтажа солнечных элементов и низкой стоимости изготовления модуля.

Поставленная задача решается тем, что конструкция фотоэлектрического модуля содержит боковые стенки, фронтальную панель с линзами Френеля на ее внутренней стороне, светопрозрачную тыльную панель, солнечные элементы, снабженные теплоотводящими основаниями, и байпасные диоды. Солнечные элементы установлены в центрах отверстий металлических планок, выполненных из конструкционного металла толщиной Н от 0,4 мм до 0,8 мм. На фронтальную сторону планок нанесен слой диэлектрика толщиной h1 и металлическое покрытие толщиной h2, к которому подсоединены верхние контакты солнечных элементов и байпасных диодов. Диаметр отверстий в металлическом покрытии над отверстиями планок меньше диаметра отверстий в слое диэлектрика над отверстиями планок на 0,05-0,1 мм, а общая толщина слоя диэлектрика и металлического покрытия h1+h2 удовлетворяет соотношению:

0,1 Н≤h1+h2≤0,2 Н, мм.

Расстояние между центрами соседних отверстий планок равно расстоянию между центрами соседних линз Френеля фронтальной панели, лежащих в плоскости, параллельной планкам. Планки установлены за фронтальной панелью параллельно друг другу с шагом, равным расстоянию между центрами соседних линз Френеля, лежащих в плоскости, перпендикулярной планкам. Фронтальная панель и тыльная панель прикреплены к боковым стенкам так, что центр фотоприемной площадки каждого солнечного элемента совпадает с фокусом соответствующей линзы Френеля.

Планки фотоэлектрического модуля могут быть изготовлены из стальной ленты.

В качестве металлического покрытия металлических планок может быть использована медная фольга с нанесенным слоем иммерсионного золота.

В качестве слоя диэлектрика между поверхностью металлической планки и металлическим покрытием может быть использована полиимидная пленка.

Теплоотводящие основания, на которых устанавливаются солнечные элементы, могут соединяться с металлическими планками методом пайки или с помощью крепежных элементов.

Планки с отверстиями выполняются из конструкционного металла, что обеспечивает точность позиционирования солнечных элементов. Для обеспечения жесткости конструкции толщина металла Н должна быть не менее 0,4 мм. Увеличивать толщину металла Н больше 0,8 мм нецелесообразно из-за увеличения веса конструкции. По сравнению с диэлектриками, металлы обладают более высокой теплопроводностью и отражательной способностью. Поэтому при попадании сфокусированного солнечного излучения на поверхности металлических планок при временной разориентации модуля в процессе слежения за Солнцем не происходит выгорания металла и нарушения работы модуля. Для предотвращения выгорания слоя диэлектрического покрытия вокруг отверстий планок из металла при временной разориентации модуля в процессе слежения за Солнцем диаметр отверстий в металлическом покрытии над отверстиями планок выполняется меньше диаметра отверстий в слое диэлектрика. Разница диаметров отверстий в слое диэлектрика и металлическом покрытии над отверстиями планок в 0,05 мм обеспечивает надежное затенение диэлектрика при попадании сфокусированного солнечного пятна на край отверстий планок. Увеличение разницы диаметров отверстий в слое диэлектрика и металлическом покрытии над отверстиями планок свыше 0,1 мм приводит к снижению надежности работы конструкции вследствие возможного электрического закорачивания солнечных элементов при загибании края металлического покрытия и соприкосновения его с металлической планкой. Для обеспечения хорошей электрической проводимости металлического покрытия и надежной защиты от электрического пробоя между контактами солнечных элементов толщина слоя диэлектрика и металлического покрытия h1+h2 должна быть не меньше 0,1 толщины планок. Увеличение толщины слоя диэлектрика и металлического покрытия h1+h2 выше 0,2Н приводит к ухудшению передачи тепла к металлической планке и теплоотводящим основаниям при попадании сфокусированного солнечного пятна на фронтальную сторону планок. Кроме того, увеличение суммарной глубины отверстий металлических планок, в которых расположены солнечные элементы, равной H+h1+h2, свыше 1 мм может приводить к частичному затенению поверхности солнечных элементов при фокусировке солнечного излучения.

На фиг.1 схематически изображен вид сбоку заявляемой конструкции фотоэлектрического модуля с частичным разрезом;

на фиг.2 показан вид сверху заявляемой конструкции фотоэлектрического модуля в разрезе по А-А;

на фиг.3 показан в увеличенном виде вид сбоку в разрезе на солнечный элемент, установленный в центре отверстия планки из конструкционного металла при соединении теплоотводящих оснований с металлической планкой методом пайки;

на фиг.4 показан вид сбоку в разрезе на солнечный элемент, установленный в центре отверстия планки из конструкционного металла при соединении теплоотводящих оснований с металлической планкой крепежными элементами;

на фиг.5 показан вид снизу сквозь светопрозрачную тыльную панель на крепежные элементы, соединяющие теплоотводящие основания с металлической планкой.

Заявляемый фотоэлектрический модуль 1 (см. фиг.1, фиг.2) содержит боковые стенки 2, фронтальную панель 3 с линзами 4 Френеля, например, на внутренней стороне фронтальной панели 3, светопрозрачную тыльную панель 5 и солнечные элементы 6, снабженные теплоотводящими основаниями 7. Металлическое теплотводящее основание 7 также является и одним из электрических контактов солнечного фотоэлемента 6. Солнечные элементы 6 установлены в центрах отверстий 8 планок 9, параллельных друг другу и выполненных из конструкционного металла, на фронтальную сторону которых нанесен слой диэлектрика 10 толщиной h1 и металлическое покрытие 11 толщиной h2 (см. фиг.3), к которому подсоединены верхние контакты 12 солнечных элементов 6 и байпасных диодов (не показаны). Отверстия 13 в металлическом покрытии 11 над отверстиями планок 9 имеют диаметр D1. Отверстия 14 в слое диэлектрика 10 над отверстиями планок 9 имеют диаметр D2. При этом планки установлены за фронтальной панелью, а центр фотоприемной площадки 15 каждого солнечного элемента 6 лежит на одной оси с центром соответствующей линзы 4 Френеля и совпадает с фокусом этой линзы. Планки 9 обычно выполнены из стальной ленты. Слой диэлектрика 10 может быть выполнен из полиимидной пленки. Металлическое покрытие 11 обычно выполнено из медной фольги с нанесенным на нее слоем иммерсионного золота. Теплоотводящие основания 7 могут быть соединены с металлическими планками 9 с помощью пайки 16 (см. фиг.3), либо с помощью дополнительных крепежных элементов, например отгибающихся лепестков 17 в отверстия 18 в теплотводящих основаниях 7 (см. фиг.4, фиг.5).

Заявляемая конструкция фотоэлектрического модуля 1 собирается следующим образом. Металлические теплоотводящие основание 7 прикрепляют к тыльной стороне планок 9 посредством пайки 16 или дополнительных крепежных элементов 17 так, чтобы центры отверстий 8 планок 9 совпадали с центрами металлических теплоотводящих оснований 7. В центры отверстий 8 планок 9 на металлическое теплоотводящее основание 7 прикрепляют солнечные элементы 6. Верхние контакты 12 солнечных элементов 6 соединяют проводом посредством сварки с верхним металлическим покрытием 11 планок 9. Планки 9 металлическими теплоотводящими основаниями 7 с установленными солнечными элементами 6 прикрепляют к тыльной панели 5 фотоэлектрического модуля 1 так, чтобы центр фотоприемной площадки 15 каждого солнечного элемента 6 совпадал с фокусом соответствующей линзы 4 Френеля.

Заявляемый фотоэлектрический модуль 1 работает следующим образом: фотоэлектрический модуль 1 устанавливают на систему слежения за Солнцем и ориентируют в пространстве так, чтобы плоскость фронтальной панели 3 была перпендикулярна световому потоку солнечного излучения. При этом линзы 4 Френеля фронтальной панели 3 фокусируют солнечное излучение на фотоприемные площадки 15 фотоэлементов 6, установленных на теплоотводящих основаниях 7 в центрах отверстий 8 планок 9, которые закреплены на тыльной панели 5. При подключении к внешним контактам фотоэлектрического модуля 1 электрической нагрузки в цепи нагрузки будет протекать электрический ток, генерируемый фотоэлементами 6 под воздействием солнечного излучения. Коэффициент полезного действия фотоэлектрического модуля 1 достигает 25÷30%. Часть солнечной энергии, не преобразованная в электрическую, превращается в тепло, которое передается от фотоэлементов 6 к теплоотводящим основаниям 7 и тыльной панели 5 и рассеивается в окружающем пространстве. В процессе слежения за Солнцем при временной разориентации фотоэлектрического модуля 1 энергия сфокусированного пятна солнечного излучения, попадающего на фронтальную сторону металлических планок 9, либо на края отверстий 8 планок 9, частично отражается от металлических поверхностей, частично превращается в тепло, которое также передается от металлических планок 9 к теплоотводящим основаниям 7 и тыльной панели 5 и рассеивается в окружающем пространстве, не разрушая элементов фотоэлектрического модуля 1.

Заявляемая конструкция фотоэлектрического модуля повышает надежность работы фотоэлектрического модуля и увеличивает срок службы при уровнях концентрирования солнечного излучения, достигающих 1000Х-3000Х при сохранении точности монтажа солнечных элементов и низкой стоимости изготовления.


КОНСТРУКЦИЯ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО МОДУЛЯ
КОНСТРУКЦИЯ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО МОДУЛЯ
КОНСТРУКЦИЯ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО МОДУЛЯ
КОНСТРУКЦИЯ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО МОДУЛЯ
КОНСТРУКЦИЯ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО МОДУЛЯ
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 301-310 из 389.
28.10.2018
№218.016.97a8

Способ получения n-изопропил-n'-фенил-п-фенилендиамина

Изобретение относится к области органической химии, конкретно к способу получения N-изопропил-N'-фенил-п-фенилендиамина путем алкилирования п-аминодифениламина. Способ характеризуется тем, что в качестве алкилирующего агента используют изопропилбромид, а в качестве акцептора для связывания...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002670975
Дата охранного документа: 26.10.2018
01.11.2018
№218.016.988b

Грузовая пневматическая шина радиального типа

Изобретение относится к автомобильной промышленности. Грузовая пневматическая шина радиального типа с протектором, металлокордным каркасом, брекерной конструкцией содержит четыре либо три пересекающихся под углом слоя брекера (1) из высокопрочных стальных кордов. По меньшей мере два слоя...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002671112
Дата охранного документа: 29.10.2018
01.11.2018
№218.016.989e

Грузовая цельнометаллокордная пневматическая шина с усиливающим бандажом

Изобретение относится к автомобильной промышленности. Грузовая цельнометаллокордная пневматическая радиальная шина с протектором, металлокордным каркасом содержит три слоя брекера из высокопрочных стальных кордов со структурой (3×0,20+6×0,35) и плотностью 65 нитей на дециметр и усиливающий...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002671111
Дата охранного документа: 29.10.2018
26.12.2018
№218.016.aaf9

Способ изготовления утоньшенной двухспектральной фоточувствительной сборки

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых двухспектральных гибридизированных сборок и может использоваться для создания матричных фотоприемников (МФП) различного назначения. Изобретение решает задачу изготовления утоньшенной двухспектральной фоточувствительной сборки (УД...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002676052
Дата охранного документа: 25.12.2018
29.12.2018
№218.016.acab

Способ улучшения адгезии индиевых микроконтактов с помощью ультразвуковой обработки

Использование: для изготовления индиевых микроконтактов в матричных фотоприемниках. Сущность изобретения заключается в том, что способ улучшения адгезии индиевых микроконтактов с помощью ультразвуковой обработки на полупроводниковых пластинах с матрицами БИС считывания или фотодиодными...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002676222
Дата охранного документа: 26.12.2018
11.01.2019
№219.016.ae8b

Способ получения n-фенил-2-нафтиламина

Изобретение относится к усовершенствованному способу получения N-фенил-2-нафтиламина. N-фенил-2-нафтиламин применяется как термостабилизатор резин на основе натурального и синтетических каучуков общего назначения, в качестве антиоксиданта для стабилизации полиэтилена и добавки к...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002676692
Дата охранного документа: 10.01.2019
02.02.2019
№219.016.b667

Способ изготовления чувствительного элемента криогенного гироскопа

Изобретение относится к области точного приборостроения и может быть использовано при изготовлении чувствительных элементов (далее - ЧЭ) криогенного гироскопа (далее - КГ). Сущность изобретения заключается в том, что способ изготовления чувствительного элемента криогенного гироскопа...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002678706
Дата охранного документа: 31.01.2019
02.02.2019
№219.016.b676

Способ определения разницы длин плеч в двухлучевом волоконно-оптическом интерферометре

Изобретение относится к области волоконно-оптических измерительных приборов. Способ определения разницы длин плеч в двухлучевом волоконно-оптическом интерферометре заключается в формировании направляемого в двухлучевой волоконно-оптический интерферометр частотно-модулированного оптического...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002678708
Дата охранного документа: 31.01.2019
02.02.2019
№219.016.b678

Способ изготовления чувствительного элемента криогенного гироскопа

Использование: для изготовления криогенного гироскопа. Сущность изобретения заключается в том, что способ изготовления чувствительного элемента криогенного гироскопа содержит: формообразование сферического ротора, представляющего собой заготовку из углеродного нанокомпозита, покрытую...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002678707
Дата охранного документа: 31.01.2019
01.03.2019
№219.016.d02c

Способ выработки кож

Изобретение относится к способам производства особых видов кож. Способ включает дубление, крашение, жирование, сушку, сортировку полуфабриката на полуфабрикаты с неглубокими и глубокими дефектами лицевой поверхности. Дополнительную обработку полуфабрикатов линейно развернутым лазерным лучом с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002447159
Дата охранного документа: 10.04.2012
Показаны записи 301-310 из 325.
01.03.2019
№219.016.cedd

Способ полирования полупроводниковых материалов

Изобретение относится к области обработки полупроводниковых материалов, а именно к химико-механическим способам полирования полупроводников. Изобретение обеспечивает высокое качество полированной поверхности. Сущность изобретения: в способе химико-механического полирования полупроводниковых...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002457574
Дата охранного документа: 27.07.2012
01.03.2019
№219.016.d0be

Способ изготовления полупроводниковой структуры с p-n переходами

Изобретение относится к электронной технике, а именно к полупроводниковым многопереходным структурам, используемым, в частности, в фотоэлектрических преобразователях. Способ изготовления полупроводниковой структуры включает последовательное формирование на полупроводниковой подложке методом...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002461093
Дата охранного документа: 10.09.2012
01.03.2019
№219.016.d0c1

Способ определения неоднородностей в полупроводниковом материале

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано для контроля качества проводящих слоев и поверхностей полупроводниковых пленок, применяемых при изготовлении изделий микроэлектроники. Сущность изобретения: в способе определения неоднородностей в полупроводниковом...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002461091
Дата охранного документа: 10.09.2012
03.03.2019
№219.016.d231

Способ изготовления мощного фотодетектора

Изобретение может быть использовано для создания СВЧ-фотодетекторов на основе эпитаксиальных структур GaAs/AlGaAs, чувствительных к излучению на длине волны 810-860 нм. Способ заключается в создании фоточувствительной области и контактной площадки для бондинга вне фоточувствительной области на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002680983
Дата охранного документа: 01.03.2019
10.04.2019
№219.017.0277

Способ формирования многослойного омического контакта фотоэлектрического преобразователя (варианты)

Изобретение относится к микроэлектронике. Сущность изобретения: в способе формирования многослойного омического контакта фотоэлектрического преобразователя на основе арсенида галлия электронной проводимости формируют фотолитографией топологию фоточувствительных областей и проводят травление...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002391741
Дата охранного документа: 10.06.2010
16.05.2019
№219.017.5260

Способ изготовления фотоэлектрического преобразователя с антиотражающим покрытием

Изобретение относится к солнечной энергетике. Способ изготовления фотоэлектрического преобразователя включает последовательное формирование фоточувствительной полупроводниковой гетероструктуры АВ с пассивирующим слоем и контактным слоем GaAs, удаление контактного слоя над...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002687501
Дата охранного документа: 14.05.2019
18.05.2019
№219.017.5967

Солнечный фотоэлектрический модуль на основе наногетероструктурных фотопреобразователей

Концентраторный фотоэлектрический модуль на основе наногетероструктурных солнечных элементов относится к области фотоэлектрического преобразования энергии, в частности к системам с расщеплением солнечного спектра. Модуль содержит корпус (1), имеющий фронтальную панель (2), содержащую...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002426198
Дата охранного документа: 10.08.2011
29.05.2019
№219.017.689a

Концентраторный солнечный элемент

Концентраторный солнечный элемент (8) выполнен в форме в форме прямоугольника с соотношением длин сторон, находящимся в интервале от 1 до 1,5. Он содержит подложку (3), многослойную структуру (4), сформированную на подложке (3), с центральной фоточувствительной областью (12), контактный слой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002407108
Дата охранного документа: 20.12.2010
07.06.2019
№219.017.7543

Концентраторно-планарный солнечный фотоэлектрический модуль

Концентраторно-планарный фотоэлектрический модуль (1) содержит фронтальную светопрозрачную панель (2) с концентрирующими оптическими элементами (4), светопрозрачную тыльную панель (5), на которой сформированы планарные неконцентраторные фотоэлектрические преобразователи (6) с окнами (10),...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002690728
Дата охранного документа: 05.06.2019
09.06.2019
№219.017.7c22

Способ получения структуры многослойного фотоэлектрического преобразователя

Способ получения многослойной структуры двухпереходного фотоэлектрического преобразователя, включающий последовательное осаждение из газовой фазы на подложку p-типа GaAs тыльного потенциального барьера из триметилгаллия (TMGa), триметилалюминия (TMAl), арсина (AsH) и источника p-примеси, базы...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002366035
Дата охранного документа: 27.08.2009
+ добавить свой РИД