Результат интеллектуальной деятельности: ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ С РАСШИРЕННЫМ ДИАПАЗОНОМ ИЗМЕНЕНИЯ ВХОДНОГО СИНФАЗНОГО СИГНАЛА

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления дифференциальных сигналов при наличии синфазной составляющей, в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения (например, в прецизионных интегральных и решающих усилителях, компараторах и т.п.).

Известны схемы дифференциальных усилителей (ДУ) на основе каскодных токовых зеркал [1-5]. ДУ с такой архитектурой стали основой построения многих современных аналоговых микросхем [1-22], в т.ч. ДУ с опцией rail-to-rail, имеющих максимальную амплитуду выходного напряжения, близкую к напряжениям питания.

Ближайшим прототипом (фиг.1) заявляемого устройства является дифференциальный усилитель, описанный в патенте US №4241315, fig.4. Его существенная особенность - применение каскодных токовых зеркал, обладающих предельно высоким выходным сопротивлением (влияющим на коэффициент усиления ДУ по напряжению), а также характеризующихся повышенным диапазоном рабочих частот в сравнении с другими вариантами токовых зеркал. Архитектура ДУ-прототипа также используется во многих патентах ведущих микроэлектронных фирм [5-22].

ДУ-прототип фиг.1 содержит входной дифференциальный каскад 1 с первым 2 и вторым 3 токовыми выходами, причем первый 2 токовый выход связан с первой 4 шиной источника питания через первый 5 прямосмещенный p-n переход, а второй 3 токовый выход связан с первой 4 шиной источника питания через второй 6 прямосмещенный p-n переход, первый 7 выходной транзистор, эмиттер которого связан с первой 4 шиной источника питания, база связана с первым 5 прямосмещенным p-n переходом, а коллектор соединен с эмиттером второго 8 выходного транзистора, третий 9 выходной транзистор, эмиттер которого связан с первой 4 шиной источника питания, база связана со вторым 6 прямосмещенным p-n переходом, а коллектор соединен с эмиттером четвертого 10 выходного транзистора, цепь нагрузки 11, согласованную со второй 12 шиной источника питания и связанную с выходами устройства и коллекторами второго 8 и четвертого 10 выходных транзисторов.

Существенный недостаток известного ДУ фиг.1 состоит в том, что при малых напряжениях питания (Е_п) он имеет не достаточно широкий относительный (приведенный к Е_п) диапазон изменения синфазной составляющей входных напряжений u_c≈0,5(u_c1+u_c2), где u_c1, u_c2 - напряжения на входах ДУ.

Основная задача предлагаемого изобретения состоит в расширении допустимого диапазона изменения входных синфазных сигналов на 0,7÷0,8 В. При малых напряжениях питания (Е_п≤±2 В) - это существенное улучшение одного из важных качественных показателей ДУ.

Поставленная задача решается тем, что в дифференциальном усилителе фиг.1, содержащем входной дифференциальный каскад 1 с первым 2 и вторым 3 токовыми выходами, причем первый 2 токовый выход связан с первой 4 шиной источника питания через первый 5 прямосмещенный p-n переход, а второй 3 токовый выход связан с первой 4 шиной источника питания через второй 6 прямосмещенный p-n переход, первый 7 выходной транзистор, эмиттер которого связан с первой 4 шиной источника питания, база связана с первым 5 прямосмещенным p-n переходом, а коллектор соединен с эмиттером второго 8 выходного транзистора, третий 9 выходной транзистор, эмиттер которого связан с первой 4 шиной источника питания, база связана со вторым 6 прямосмещенным p-n переходом, а коллектор соединен с эмиттером четвертого 10 выходного транзистора, цепь нагрузки 11, согласованную со второй 12 шиной источника питания и связанную с выходами устройства и коллекторами второго 8 и четвертого 10 выходных транзисторов, предусмотрены новые элементы и связи - базы второго 8 и четвертого 10 выходных транзисторов соединены с эмиттером дополнительного транзистора 13, эмиттер которого связан с дополнительным источником опорного тока 14, а коллектор подключен к первой 4 шине источника питания, причем в схему введены первый 15 и второй 16 последовательно соединенные дополнительные резисторы, которые включены между базами первого 7 и третьего 9 выходных транзисторов, а общий узел первого 15 и второго 16 дополнительных резисторов связан с базой дополнительного транзистора 13.

Схема дифференциального усилителя-прототипа представлена на фиг.1.

На фиг.2 показана схема заявляемого ДУ в соответствии с формулой изобретения.

На фиг.3 и фиг.4 показаны схемы усилителя-прототипа (фиг.3) и заявляемого ДУ (фиг.4) в среде компьютерного моделирования PSpice на моделях интегральных транзисторов АВМК_1_3 (НПО «Интеграл», г.Минск).

На фиг.5 приведены амплитудно-частотные характеристики коэффициента ослабления входного синфазного сигнала при разных уровнях входного синфазного напряжения: U_c=10 мВ (a), U_c=1 В (б), U_c=1,7 В (в).

Дифференциальный усилитель фиг.2 содержит входной дифференциальный каскад 1 с первым 2 и вторым 3 токовыми выходами, причем первый 2 токовый выход связан с первой 4 шиной источника питания через первый 5 прямосмещенный p-n переход, а второй 3 токовый выход связан с первой 4 шиной источника питания через второй 6 прямосмещенный p-n переход, первый 7 выходной транзистор, эмиттер которого связан с первой 4 шиной источника питания, база связана с первым 5 прямосмещенным p-n переходом, а коллектор соединен с эмиттером второго 8 выходного транзистора, третий 9 выходной транзистор, эмиттер которого связан с первой 4 шиной источника питания, база связана со вторым 6 прямосмещенным p-n переходом, а коллектор соединен с эмиттером четвертого 10 выходного транзистора, цепь нагрузки 11, согласованную со второй 12 шиной источника питания и связанную с выходами устройства и коллекторами второго 8 и четвертого 10 выходных транзисторов. Базы второго 8 и четвертого 10 выходных транзисторов соединены с эмиттером дополнительного транзистора 13, эмиттер которого связан с дополнительным источником опорного тока 14, а коллектор подключен к первой 4 шине источника питания, причем в схему введены первый 15 и второй 16 последовательно соединенные дополнительные резисторы, которые включены между базами первого 7 и третьего 9 выходных транзисторов, а общий узел первого 15 и второго 16 дополнительных резисторов связан с базой дополнительного транзистора 13.

В схеме фиг.2 входной каскад 1 реализован на транзисторах 17 и 18 и источнике тока 19, а цепь нагрузки 11 содержит резисторы 20 и 21.

Рассмотрим факторы, определяющие допустимый диапазон U_c.max изменения входных синфазных сигналов ДУ фиг.1 и ДУ фиг.2.

Максимально возможное входное синфазное напряжение ДУ фиг.1 (U_c.max) определяется из уравнения для данной схемы по второму закону Кирхгофа:

где U_c.max=U_c1=U_c2=U_c,

U_кб.13≥0 - напряжение коллектор-база транзистора 13 входного каскада 1, при котором этот транзистор работает в активном режиме;

U_d=U_d5=U_d6≈0,8 В - напряжения на p-n переходах в коллекторной цепи транзисторов 13, 14 входного каскада.

Из уравнения (1) можно найти, что максимально возможное положительное приращение входного синфазного напряжения в ДУ-прототипе U_c.max, при котором не деградирует коэффициент ослабления входных синфазных сигналов (К_ос.сф) и другие динамические параметры, не лучше чем

.

При и SiGe интегральных транзисторах U_c.max≤0,4 В.

В заявляемой схеме ДУ фиг.2

,

т.е. ДУ фиг.2 имеет на 0,8 В более высокое значение U_c.max. При низковольтном питании - это весьма существенное преимущество.

Результаты компьютерного моделирования известной (фиг.3) и предлагаемой (фиг.4) схем ДУ, представленные на чертежах фиг.5, показывают, что схема фиг.4 имеет более высокое значение U_c.max, при превышении которого К_ос.сф существенно деградирует.

Кроме этого, заявляемый ДУ характеризуется более широким частотным диапазоном из-за отсутствия эффекта умножения емкостей коллектор-база транзисторов 8 и 10, приведенных к выходам Вых.1, Вых.2.

Таким образом, заявляемое устройство обладает существенными преимуществами в сравнении с прототипом по величине U_c.max.

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК

1. Операционные усилители и компараторы: справочник [Текст]. - М.: Издательский дом «Додэка-XXI», 2001., стр.225.

2. Полонников, Д.Е. Операционные усилители: Принципы построения, теория, схемотехника [Текст] / Д.Е.Полонников. - М., 1983., С.203.

3. Операционные усилители и компараторы. - М.: Издательский дом «Додэка-XXI», 2001., стр.106 (ОУ СА3078).

4. Матавкин, В.В. Быстродействующие операционные усилители [Текст] / В.В.Матавкин. - М.: Радио и связь, 1989. - Рис.2.12.

5. Шкритек, П. Справочное руководство по звуковой схемотехнике [Текст]: Пер. с нем. / П.Шкритек - М.: Мир, 1991. - С.96, рис.8.2.1.

6. Патент США №4783602.

7. Патент США №4176323.

8. Патент США №5371476.

9. Патент США RE 30587.

10. Патент США №4241315.

11. Патент США №4267519.

12. Патент США №4361815.

13. Патент США №3439542.

14. Патент США №5880639.

15. А.св. СССР №361605.

16. Патент ФРГ №2551068.

17. Патент ФРГ №2620999.

18. Патент США №5936568.

19. Патент США №5497124.

20. Патент США №3979689.

21. Патент США №5399991.

22. Патент США №4618832.