×
30.05.2023
223.018.741d

Результат интеллектуальной деятельности: Способ измерения комплексных диэлектрической и магнитной проницаемостей поглощающих материалов

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к области радиоизмерений параметров поглощающих материалов на СВЧ. Способ измерения комплексных диэлектрической и магнитной проницаемостей поглощающих материалов включает заполнение волноводной секции исследуемым материалом, зондирование электромагнитной волной, измерение комплексных коэффициентов отражения и передачи и обработку результатов измерения. Исследуемый материал выполняют в виде параллелепипеда с боковым ребром длинной а, определяемой из соотношения где ε - диэлектрическая проницаемость материала, μ - магнитная проницаемость материала, электрическая длина L секции волновода с материалом не более λ/4. При этом дополнительно выполняют электродинамическое моделирование волновода с параметризованными частотно зависимыми значениями ε', ε'', μ', μ'' материала, при котором оптимизируют результаты в полосе частот, и сравнивают измеренные и расчетные коэффициенты отражения и передачи. Технический результат - повышение точности и оперативности измерений комплексных диэлектрической и магнитной проницаемости поглощающих материалов в широкой полосе частот. 1 пр., 2 ил.

Изобретение относится к области радиоизмерений параметров поглощающих материалов на СВЧ в широкой полосе частот и может быть использовано в производстве существующих и новых материалов, а также для контроля электрических параметров диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь, магнитной проницаемости и тангенса угла магнитных потерь.

Известен способ для измерения диэлектрической проницаемости косвенным методом. [Брандт А.А. Исследование диэлектриков на сверхвысоких частотах. - М.: Физматгиз, 1963. - 120 с.]. Измерения проводятся в два этапа, вначале производят измерение резонансной частоты и добротности полого разъемного перестраиваемого цилиндрического резонатора, у которого подвижный поршень является одной из торцевых стенок резонатора и играет роль эталонного короткозамыкателя. От СВЧ-генератора по волноводу подается зондирующая электромагнитная волна, производят измерение резонансной частоты и добротности полого резонатора. Затем в цилиндрический резонатор помещают образец измеряемого материала на поршень и также производят измерение резонансной частоты и добротности резонатора с материалом. Информация о параметрах материала заключается в резонансной частоте и добротности резонатора. Обработка результатов производится по методике, изложенной [Брандт А.А. Исследование диэлектриков на сверхвысоких частотах. - М.: Физматгиз, 1963. - 117 с.].

Недостатком описанного способа являются большие ошибки измерения ε и tgδε для материалов, имеющих одновременно большие значения диэлектрической проницаемости ε и тангенса угла диэлектрических потерь tgδε, характеризующиеся большими коэффициентами отражения от образца. А также разъемный цилиндрический резонатор перестраивается в достаточно узкой полосе частот.

Известен способ для измерения диэлектрической проницаемости косвенным методом, включающий СВЧ-генератор, измерительное устройство комплексного коэффициента отражения, открытый на конце прямоугольный волновод, заканчивающийся фланцем, эталонный короткозамыкатель и измеряемый материал, использующийся в качестве замыкающей волновод пластины. Брандт А.А. Исследование диэлектриков на сверхвысоких частотах. - М.: Физматгиз, 1963. - 192 с.]. Измерения проводятся в два этапа, вначале к волноводному фланцу подключается эталонный короткозамыкатель и производится калибровка установки, затем к волноводному фланцу взамен короткозамыкателя крепится исследуемый плоский образец диэлектрика. От СВЧ-генератора по волноводу подается зондирующая электромагнитная волна. Информация о параметрах материала заключается в амплитудах и фазах отраженных волн (комплексный коэффициент отражения). Обработка результатов производится по методике, изложенной [Брандт А.А. Исследование диэлектриков на сверхвысоких частотах. -М.: Физматгиз, 1963. - 192 с.].

Недостатком описанного способа является низкая точность измерения комплексной диэлектрической проницаемости. Большие ошибки измерения связаны с тем, что образец имеет большие значения диэлектрической проницаемости ε и тангенса угла диэлектрических потерь tgδε, при которых |Г|→1, а ϕ→180° из-за большой крутизны зависимости ε(ϕ), tgδε (ϕ) в области ϕ→180°. Из-за отклонения плоскости прилегания образца к волноводу от плоскости отражения зондирующей электромагнитной волны появляется методическая ошибка, величина которой по фазе недопустимо большая.

Известен способ измерения диэлектрической проницаемости с использованием образцов с кратными толщинами, в котором сначала измеряют комплексный коэффициент отражения от образца одной толщины, а затем от образца с толщиной вдвое больше. [Брандт А.А. Исследование диэлектриков на сверхвысоких частотах. - М.: Физматгиз, 1963. - 198 с.].

Недостатком способа является необходимость в изготовлении двух образцов с определенными толщинами.

Известен способ измерения диэлектрической проницаемости, включающий измерение комплексного коэффициента отражения от исследуемого образца, полностью заполняющего поперечное сечение волновода, за которым располагается отражатель один раз на расстоянии от задней стенки исследуемого образца, а второй раз на расстоянии . [Брандт А.А. Исследование диэлектриков на сверхвысоких частотах. - М.: Физматгиз, 1963. - 200 с.].

Недостатком способа является то, что необходимо дополнительно с высокой точностью измерять расстояние от образца до отражателя, что особенно затруднительно при увеличении частоты.

Наиболее близким техническим решением к предлагаемому изобретению является способ измерения комплексных диэлектрической и магнитной проницаемости волноводным методом, включающий измерения комплексных коэффициентов отражения и передачи от измерительной секции прямоугольного волновода, сечение которой заполнено исследуемым материалом, а зазоры между образцом и широкой стенкой волновода заполнены материалом с хорошей электропроводностью (прототип) [Пархоменко М.П., Каленов Д.С. Еремин И.С., Федосеев Н.А., Колесникова В.М., Баринов Ю.Л. Волноводный метод для измерения комплексной диэлектрической проницаемости материалов в сантиметровом и миллиметровом диапазонах. - Электронная техника, Сер. 1, СВЧ-техника, вып. 1(540), 2019. - 20 с.]. Измерения проводятся в два этапа, вначале производится калибровка установки, затем в волноводный тракт вставляют секцию волновода с исследуемым материалом, при этом длина секции должна точно равняться длине образца. От СВЧ-генератора по волноводу подается зондирующая электромагнитная волна. Информация о параметрах материала заключается в комплексных коэффициентах отражения и передачи измерительной секции с образцом исследуемого материала. Обработка результатов производится по методике, изложенной [Nicolson A.M. Measurement of intrinsic properties of materials by time domain techniques / A.M. Nicolson and G.F. Ross // IEEE Trans. - 1970 - Vol. IM-19, No 4. - P. 377-382. Weir W.B. Automatic measurement of complex dielectric constant and permeability at microwave frequencies / W.B. Weir // Proceedings of the IEEE - 1974 - Vol. 62, Nol. - P. 33-36.].

Недостатком способа является необходимость заполнения проводящей пастой воздушные зазоры между широкой стенкой волновода и исследуемым материалом, имеющим одновременно большие значения диэлектрической проницаемости ε и тангенса угла диэлектрических потерь tgδε. Неоднородное заполнение воздушных зазоров пастой на основе серебра с удельной проводимостью 2*106 См/м приводит к инструментальным и методическим погрешностям и может достигать 40% и более при определении ε и tgδε. А также после проведения измерений требуется очистка волновода и исследуемого образца от остатков проводящей пасты.

Техническим результатом предлагаемого изобретения является повышение точности и оперативности измерений комплексных диэлектрической и магнитной проницаемости поглощающих материалов в широкой полосе частот.

Технический результат достигается тем, что способ измерения комплексных диэлектрической и магнитной проницаемостей поглощающих материалов включает заполнение волноводной секции исследуемым материалом, зондирование электромагнитной волной, измерение комплексных коэффициентов отражения и передачи и обработку результатов измерения. Исследуемый материал выполняют в виде параллелепипеда с боковым ребром длинной а, определяемой из соотношения где ε - диэлектрическая проницаемость материала, μ - магнитная проницаемость материала, электрическая длина Lλ, секции волновода с материалом не более λ/4. При этом дополнительно выполняют электродинамическое моделирование волновода с параметризованными частотно зависимыми значениями ε', ε'', μ', μ'' материала, при котором оптимизируют результаты в полосе частот, и сравнивают измеренные и расчетные коэффициенты отражения и передачи.

В прямоугольном волноводе распространяется только волна типа Н10. Волноводная секция, заполненная исследуемым материалом, имеет электрическую длину Lλ≤А/4 для обеспечения однозначности определения ε', ε'', μ', μ'' материала.

Длина бокового ребра исследуемого материала определяется из соотношения, которое позволяет существенно расширить частотный диапазон измерения характеристик материала волноводным методом, за счет смещения резонансов, возникающих в исследуемом материале, в сторону больших частот, за границу пропускания волновода.

Методическая погрешность, связанная с воздушным зазором, образованным между широкой стенкой волновода и боковым ребром параллелепипеда, существенно влияет на результаты измерений. Аналитическое решение предполагает отсутствие воздушного зазора, что в реальности неразрушающим способом добиться нельзя. Поэтому данная погрешность особенно заметна при измерении материалов с большими диэлектрической и магнитной проницаемостями. Это связано со значительным скачком напряженностей электрического поля при переходе из исследуемого материала в воздушный зазор.

Обработка результатов измерения проводится в программе электродинамического моделирования, с учетом воздушного зазора, который можно делать любой высоты, что позволяет удобно расположить исследуемый материал в волноводной секции и оперативно определить параметризованные частотнозависимые значения ε', ε'', μ', μ''. Измеренные коэффициенты отражения и передачи импортируются в программу электродинамического моделирования и сравниваются с расчетными. Процедура оптимизации симплексным методом Нелдера-Мида сходится к истинному значению комплексных диэлектрической и магнитной проницаемостей, сравнивая расчетные и измеренные коэффициенты отражения и передачи. Это позволяет минимизировать методическую ошибку, связанную с воздушным зазором, и повысить точность измерения волноводным способом материалов с большими комплексными диэлектрической и магнитной проницаемостями.

Изобретение поясняется чертежом.

На фиг. 1 представлен прямоугольный волновод с волноводной секцией, в которой размещен прямоугольный параллелепипед из исследуемого материала, где:

- прямоугольный волновод 1,

- исследуемый материал 2,

- волноводная секция с исследуемым материалом 3,

- воздушный зазор 4.

На фиг. 2 график модуля |S| коэффициентов отражения и передачи исследуемого материала от частоты, где:

S1,1 - коэффициент отражения расчетный,

S2,1 - коэффициент передачи расчетный,

S11 - коэффициент отражения измеренный,

S21 - коэффициент передачи измеренный.

Пример

Секция 3 с измеряемым материалом 2, выполненным в виде прямоугольного параллелепипеда с боковым ребром 9.97 мм, электрической длины 9,7 мм вставлена в прямоугольный волновод 1 сечением 23*10 мм. От СВЧ-генератора по прямоугольному волноводу 1 подается зондирующая электромагнитная волна Н10, которая доходит до секции 3, часть отражается от исследуемого материала 2, который имеет диэлектрическую проницаемость ε ~ 24 и tgδε ~ (0.9-0.1) на частоте 10 ГГц, и движется в обратном направлении, а другая часть проходит через исследуемый материал 2 и движется на второй порт векторного анализатора цепей, преобразуя информацию об амплитудах и фазах этих сигналов в комплексные коэффициенты отражения и передачи секции 3 (S-параметры). Полученные S-параметры импортируются в программу электродинамического моделирования CST Studio. В данной программе моделируется секция 3, в которой учитывается воздушный зазор 4 равный 300 мкм. Параметры материала 2 в программе электродинамического моделирования задаются параметризованными частотнозависимыми значениями ε'=10, ε''=0.08 μ'=1, μ''=0.2. С помощью процедуры оптимизации симплексным методом Нелдера-Мида, встроенным в программу электродинамического моделирования, определяются истинные значения комплексных диэлектрической и магнитной проницаемостей независимо от стартовых значений этих параметров, сравнивая расчетные и измеренные коэффициенты отражения и передачи для получения качественного их совпадения (см. фиг. 2). В полосе частот 8-12 ГГЦ были получены следующие результаты:

Существующая обработка результатов измерений с применением алгоритма Nicolson-Ross-Weir, учитывающая воздушный зазор 4, в данном случае дает погрешность 60%. Предлагаемый способ обработки результатов обеспечивает погрешность ≤2%.

Предлагаемый способ измерения комплексных диэлектрической и магнитной проницаемостей поглощающих материалов упрощает измерения и позволяет оперативно получить полную и точную информацию о характеристиках материала в широкой полосе частот (40%). Методическая погрешность данного способа составляет 2%, что позволяет оперативно контролировать параметры поглощающих материалов при их производстве и учитывать с высокой точностью свойства таких материалов при проектировании СВЧ изделий из них.

Способ измерения комплексных диэлектрической и магнитной проницаемостей поглощающих материалов, включающий заполнение волноводной секции исследуемым материалом, зондирование электромагнитной волной, измерение комплексных коэффициентов отражения и передачи и обработку результатов измерения, отличающийся тем, что материал выполняют в виде параллелепипеда с боковым ребром длинной а, определяемой из соотношения где ε - диэлектрическая проницаемость материала, μ - магнитная проницаемость материала, электрическая длина L секции волновода с материалом не более λ/4, при этом дополнительно выполняют электродинамическое моделирование волновода с параметризованными частотно зависимыми значениями ε', ε'', μ', μ'' материала, при котором оптимизируют результаты в полосе частот, и сравнивают измеренные и расчетные коэффициенты отражения и передачи.
Источник поступления информации: Роспатент

Showing 41-50 of 59 items.
04.04.2018
№218.016.2ee3

Способ очистки перед пайкой припоя, выполненного в виде фольги или ленты

Изобретение может быть использовано при подготовке поверхности фольги, ленты припоя после прокатки перед низкотемпературной бесфлюсовой пайкой, в частности, при сборке изделий РЭА и СВЧ-техники. В первой ванне ультразвукового комплекса проводят обезжиривание при температуре 180-200°С в течение...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002644486
Дата охранного документа: 12.02.2018
09.05.2018
№218.016.37d3

Способ получения катодного материала на основе металла платиновой группы и бария

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для изготовления эффективных термо- и вторичноэмиссионных катодов для мощных приборов СВЧ-электроники, в частности ламп бегущей волны, магнетронов и т.п. Способ получения катодного материала на основе металла платиновой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002646654
Дата охранного документа: 06.03.2018
10.05.2018
№218.016.3af7

Прессованный металлосплавный палладий-бариевый катод и способ его получения

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для изготовления эффективных термо- и вторичноэмиссионных катодов для мощных приборов СВЧ-электроники. Прессованный металлосплавный палладий-бариевый катод выполнен трехслойным из двух сплошных палладиевых лент и размещенной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002647388
Дата охранного документа: 15.03.2018
29.05.2018
№218.016.5767

Интегральная схема свч

Заявлена интегральная схема СВЧ, содержащая диэлектрическую подложку из алмаза, на обратной стороне которой выполнено металлизационное покрытие, элементы интегральной схемы - активные и пассивные элементы, линии передачи, выводы, в диэлектрической подложке из алмаза выполнены сквозные...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002654970
Дата охранного документа: 23.05.2018
29.05.2018
№218.016.5810

Способ металлизации диэлектрического материала компонента электронной техники свч

Использование: для металлизации диэлектрического материала компонента электронной техники СВЧ. Сущность изобретения заключается в том, что способ включает формирование защитного слоя на поверхности диэлектрического материала компонента, за исключением его лицевой поверхности, посредством...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002654963
Дата охранного документа: 23.05.2018
14.06.2018
№218.016.61be

Приемопередающий модуль активной фазированной антенной решетки

Заявлен приемопередающий модуль активной фазированной антенной решетки, содержащий, по меньшей мере, четыре одноканальных модуля, каждый из которых содержит последовательно соединенные защитное устройство и малошумящий усилитель приемного канала, выходной усилитель мощности передающего канала,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002657336
Дата охранного документа: 13.06.2018
28.07.2018
№218.016.762c

Клеевая композиция для электронной техники свч

Изобретение относится к клеевой композиции для электронной техники СВЧ. Композиция содержит связующее - модифицированную эпоксидную смолу - продукт взаимодействия эпоксититанкремнийорганической смолы с тетрабутоксититанатом, при соотношении компонентов 1:0,06 соответственно, металлический...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002662513
Дата охранного документа: 26.07.2018
07.11.2019
№219.017.debe

Водорастворимый флюс для пайки

Изобретение относится к составам флюсов для низкотемпературной пайки с повышенной термостойкостью. Водорастворимый флюс содержит компоненты в следующем соотношении, мас %: глицерин 60-62, сорбит 27-28, щелочь 8-9, ингибитор в виде тетрабората натрия или борной кислоты 2-4. Введение в состав...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002705190
Дата охранного документа: 05.11.2019
10.11.2019
№219.017.e054

Баночное окно ввода-вывода энергии свч

Изобретение относится к электровакуумной технике СВЧ, а именно к баночным окнам ввода-вывода энергии СВЧ электровакуумных приборов и ввода энергии СВЧ в ускоряющие структуры ускорителей. В частности, оно может быть использовано при создании мощных и сверхмощных клистронов и мощных современных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002705563
Дата охранного документа: 08.11.2019
31.01.2020
№220.017.fb76

Способ получения поглощающего свч-энергию покрытия

Изобретение относится к поглощающим СВЧ-энергию покрытиям и может быть использовано в электронной технике. Способ получения поглощающего СВЧ-энергию покрытия на металлических поверхностях деталей включает газотермическое напыление порошка, содержащего диоксид титана, при этом в качестве...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002712326
Дата охранного документа: 28.01.2020
Showing 1-10 of 10 items.
10.06.2014
№216.012.ce05

Электровакуумный свч прибор гибридного типа, истрон

Изобретение относится к электронной СВЧ технике, а именно к электровакуумным СВЧ приборам гибридного типа - клистродам. Технический результат - повышение электрической прочности и КПД при высокой выходной мощности (более 20 КВт) в многолучевом электровакуумном приборе гибридного типа,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002518512
Дата охранного документа: 10.06.2014
20.11.2015
№216.013.8f24

Способ изготовления диэлектрического резонатора свч

Изобретение относится к электронной технике СВЧ. Технический результат - повышение точности получения значения величины температурного коэффициента частоты диэлектрического резонатора СВЧ. Для этого способ осуществляет приготовление шихты заданного керамического диэлектрического материала,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002568260
Дата охранного документа: 20.11.2015
10.04.2016
№216.015.2c9c

Корпус для полупроводникового прибора свч

Использование: для полупроводниковых приборов СВЧ. Сущность изобретения заключается в том, что корпус для полупроводникового прибора СВЧ содержит высокотепло- и электропроводное основание, рамку по периметру одной из поверхностей высокотепло- и электропроводного основания со сквозными...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002579544
Дата охранного документа: 10.04.2016
29.05.2018
№218.016.5317

Замедляющая система планарного типа

Использование: для широкополосных приборов О-типа миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов длин волн. Сущность изобретения заключается в том, что замедляющая система планарного типа содержит периодический волновод, в котором размещена диэлектрическая подложка с системой проводников, вторая...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002653573
Дата охранного документа: 11.05.2018
29.03.2019
№219.016.f2f2

Устройство для генерирования электрических импульсов напряжения

Изобретение относится к радиоэлектронике, в частности к электровакуумным приборам СВЧ, предназначенным для генерирования сверхкоротких электрических импульсов напряжения со сверхвысокой частотой повторения, и может быть использовано, например, в радиолокации, радиопротиводействии и в других...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002379782
Дата охранного документа: 20.01.2010
19.04.2019
№219.017.2ef4

Поглотитель электромагнитных волн

Изобретение относится к области электронной техники. Поглотитель электромагнитных волн выполнен в виде диэлектрического слоя заданного размера - связующего и наполнителя, распределенного в объеме связующего. При этом наполнитель содержит множество дискретных электропроводящих резонансных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002383089
Дата охранного документа: 27.02.2010
19.06.2019
№219.017.8b8f

Мощный полевой транзистор свч

Изобретение относится к электронной технике. Сущность изобретения: мощный полевой транзистор СВЧ содержит полупроводниковую подложку со структурой слоев, которая выполнена в виде прямой последовательности полуизолирующего слоя, nтипа проводимости слоя, стоп-слоя, буферного слоя, активного слоя,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002463685
Дата охранного документа: 10.10.2012
10.07.2019
№219.017.ae6d

Фильтр свч

Изобретение относится к области радиотехники, а именно: к технике СВЧ. Техническим результатом является снижение потерь на СВЧ, вплоть до полного их исключения. Фильтр СВЧ содержит два отрезка металлической волноводной линии на входе и выходе одинакового внутреннего поперечного сечения, которые...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002364994
Дата охранного документа: 20.08.2009
05.02.2020
№220.017.fea8

Устройство для выравнивания амплитудно-частотной характеристики свч тракта

Изобретение относится к области радиотехники. Устройство для выравнивания амплитудно-частотной характеристики СВЧ тракта содержит центральный тракт и коаксиальные резонаторы, настраиваемые на разные частоты внутри полосы пропускания. Центральный тракт представляет собой воздушную коаксиальную...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002713073
Дата охранного документа: 03.02.2020
30.05.2023
№223.018.72e7

Окно вывода энергии свч

Изобретение относится к электронной и ускорительной технике, а именно к вакуумноплотным волноводным окнам вывода энергии СВЧ, и может быть использовано при создании сверхмощных клистронов. Технический результат - устранение дополнительных неоднородностей в выходном волноводе, обеспечение...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002739214
Дата охранного документа: 22.12.2020
+ добавить свой РИД