×
12.05.2023
223.018.5464

Результат интеллектуальной деятельности: Способ электроосаждения сплошных осадков кремния из расплавленных солей

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к получению сплошных осадков кремния для использования в качестве фоточувствительных материалов, устройств микроэлектроники и накопления энергии. Способ электроосаждения сплошных осадков кремния из расплавленных солей включает электролиз в инертной атмосфере галогенидного расплава из смеси солей, мас.%: 15-45 хлорида калия (KCl), 50-80 хлорида цезия (CsCl), 0,5-20 гексафторсиликата калия (KSiF). Электролиз расплава ведут при температуре от 620 до 650°C в импульсном потенциостатическом режиме с многократным периодическим наложением катодного перенапряжения на рабочий электрод величиной от 0,05 до 0,30 В длительностью от 2 до 100 мс. Техническим результатом является получение сплошных осадков кремния при снижении температуры и химической агрессивности расплавленного электролита, повышении устойчивости кремнийсодержащих электроактивных ионов в расплаве. 2 ил., 1 пр.

Изобретение относится способам электролитического получения фотоэлектроактивного кремния из расплавленных солей для изготовления устройств преобразования солнечной энергии.

В настоящее время в условиях повышения энергопотребления и сокращения запасов энергоресурсов активно ведутся исследования, направленные на разработку устройств преобразования солнечной энергии с улучшенными и стабильными характеристиками. При этом, несмотря на относительно низкий коэффициент поглощения (преобразования) солнечной энергии в электрическую (не более 15%) фотоэлементы на основе кремния по-прежнему занимают доминирующую нишу в сфере производства и потребления солнечных панелей. Для повышения коэффициента поглощения солнечной энергии кремнием ведутся поиски способов текстурирования и легирования его поверхности, а также поиски новых энергоэффективных способов нанесения тонких слоев кремния на электропроводящие подложки.

Одним из направлений синтеза фотоэлектроактивного кремния является его электроосаждение из расплавленных солей. В сравнении с традиционными способами изготовления кремниевых фотоэлементов, включающими многоступенчатый синтез кремния, перекристаллизацию, а затем механическую обработку или лазерное напыление кремния, электролитические способы характеризуются простотой исполнения, использованием дешевого оборудования и реагентов, а также возможностью получения готовых фотоэлектроактивных покрытий кремния с заданной структурой в одну стадию.

На основании одного из первых систематических исследований по электролитическому получению кремния был предложен способ электроосаждения сплошных осадков кремния из расплавленных солей, включающий гальваностатический электролиз расплава LiF-KF при температуре 750°C в инертной атмосфере [Some prospective applications of silicon electrodeposition from molten fluorides to solar cell fabrication / U. Cohen // Journal of Electronic Materials. - 1977. - Vol. 6. - P. 607-643]. На графитовом катоде при катодной плотности тока от 1 до 10 мА/см2 были получены тонкие (от 2 до 6 мкм) эпитаксиальные осадки кремния. Недостатками способа являются крайне низкая растворимость LiF в воде, что затрудняет отделение остатков электролита от кремния, а также относительно высокая химическая активность фторидов по отношению к материалам реактора для осуществления способа, что неизбежно приведет к присутствию примесей в расплавленном электролите и получаемом кремнии.

Известен также способ электроосаждения сплошных осадков кремния из расплавленных солей, включающий гальваностатический электролиз расплава CaCl2-CaO-SiO2 с температурой 850°C в инертной атмосфере при катодной плотности тока до 50 мА/см2 [Toward cost-effective manufacturing of silicon solar cells: Electrodeposition of high-quality Si films in a CaCl2-based molten salt / X. Yang, L. Ji, X. Zou, T. Lim, J. Zhao, E.T. Yu, and A.J. Bard // Angewandte Chemie. - 2017. - Vol. 129. - P. 15274-15278]. Способ позволяет получать сплошные осадки кремния на графите толщиной от 7 до 37 мкм. Способ характеризуется относительно низкой стоимостью компонентов расплавленного электролита, высокой растворимостью хлорида кальция в воде и относительной простотой исполнения. Недостатками способа являются необходимость предварительной очистки гигроскопичного хлорида кальция от примесей, относительно высокая температура, нестабильность состава электроактивных ионов в расплавленном электролите и присутствие кислорода в составе расплава, что приведет к появлению кислорода в объеме получаемого осадка кремния.

Известен способ электроосаждения сплошных осадков кремния из расплавленных солей, включающий гальваностатический электролиз расплава KF-KCl-KI-K2SiF6 при температуре 725°C в инертной атмосфере [Electrodeposition of thin silicon films from the KF-KCl-KI-K2SiF6 melt / M.V. Laptev, A.V. Isakov, O.V. Grishenkova, A.S. Vorob'ev, A.O. Khudorozhkova, L.A. Akashev, Yu.P. Zaikov // Journal of The Electrochemical Society. - 2020. - Vol. 167. - P. 042506]. На стеклоуглеродном электроде при катодной плотности тока 50 мА/см2 и длительности электролиза 120 с был получен сплошной осадок кремния толщиной около 0.6 мкм. Преимуществами способа являются относительно низкая температура, доступность компонентов расплава и их высокая растворимость в воде. Недостатками способа являются низкая термическая устойчивость кремнийсодержащих электроактивных ионов в расплаве и присутствие в нем химически агрессивного фторида калия (KF). В совокупности эти недостатки осложняют поддержание концентрации кремнийсодержащих электроактивных ионов в расплаве и управление морфологией осадка, приводят к коррозии конструкционных материалов электролизера и появлению в расплаве нежелательных примесей.

Аналогичными недостатками характеризуется способ электроосаждения сплошных осадков кремния из расплавленных солей, включающий электролиз расплава KF-KCl с добавками в качестве источника кремния K2SiF6 или SiCl4 при температуре 800°C и катодной плотности тока от 50 до 100 мА/см2 с использованием графитового катода в инертной атмосфере [Silicon electrodeposition in a water-soluble KF-KCl molten salt: Properties of Si films on graphite substrates / K. Yasuda, T. Kato, Yu. Norikawa, T. Nohira // Journal of The Electrochemical Society. - 2021. - Vol. 168. - P. 112502].

Ближайшим к заявляемому является электролитический способ электроосаждения осадков кремния из расплавленных солей, включающий электролиз расплава LiCl-KCl-CsCl-K2SiF6 при температуре от 400 до 650°C, катодной плотности тока не выше 0.1 А/см2 и катодном перенапряжении от -0.15 до -0.4 В [Электролитический способ получения кремния из расплавленных солей / Ю.А. Устинова, О.Б. Павленко, А.В. Суздальцев, Ю.П. Зайков // RU 2775862, приоритет от 20.09.2021, опубл. 11.07.2022]. Преимуществами способа в сравнении с вышеизложенными являются пониженная температура и химическая агрессивность расплава, которые позволят повысить термическую устойчивость кремнийсодержащих ионов в расплаве и снизить коррозию материалов электролизера. Однако, в составе галогенидного расплава присутствует дорогостоящий и гигроскопичный LiCl, требующий обязательной дополнительной очистки перед электроосаждением кремния и обуславливающий появление в расплаве нерастворимого в воде LiF, что будет затруднять отделение остатков электролита от осадков кремния.

Основной проблемой ближайшего и вышеизложенных известных способов электроосаждения сплошных осадков кремния является присутствие в совокупности признаков того или иного фактора, препятствующего повышению эффективности способов в целом. В частности, ближайший способ требует обязательной дополнительной очистки соли, что обуславливает многостадийность и повышенные энергозатраты.

Задачей способа является электроосаждение сплошных осадков кремния при снижении энергозатрат и примесей получаемом кремнии.

Для решения некоторых недостатков известных способов предлагается способ электроосаждения сплошных осадков кремния из расплавленных солей, включающий электролиз галогенидного расплава из смеси солей, содержащей (мас.%):

15-45 - хлорида калия (KCl);

50-80 - хлорида цезия (CsCl);

0.5-20 - гексафторсиликата калия (K2SiF6),

при этом электролиз расплава ведут в инертной атмосфере при температуре от 620 до 650°C в импульсном потенциостатическом режиме с многократным периодическим наложением катодного перенапряжения на рабочий электрод величиной от 0.05 до 0.25 В длительностью от 2 до 100 мс.

Сущность способа заключается в том, что для электроосаждения сплошных осадков кремния используют расплав KCl-CsCl с содержанием от 15 до 45 мас.% KCl, от 50 до 80 мас.% CsCl и от 0.5 до 20 мас.% K2SiF6, при этом указанное содержание компонентов позволяет вести электролиз в диапазоне температур от 620 до 650°С, что позволяет существенным образом повысить стабильность кремнийсодержащих электроактивных ионов в расплаве. Повышению термической устойчивости кремнийсодержащих электроактивных ионов в расплаве способствует также присутствие в расплавленном электролите CsCl. Отсутствие в составе расплава таких компонентов как CaCl2, KF и KI позволяет исключить сложные операции по предварительной подготовке солей и необходимости хранения электролита в условиях инертной атмосферы, а сокращение фторидов в расплаве (KF, NaF и LiF) снижает химическую агрессивность электролита и позволяет повысить чистоту получаемого кремния.

Чистота реагентов может быть дополнительно повышена путем зонной перекристаллизации хлоридов (KCl и CsCl) и гидрофторирования K2SiF6.

Основанием для выбора режима электролиза расплавов из указанного диапазона составов являются закономерности и параметры начальных стадий электрозарождения кремния, которые были установлены путем хроноамперных измерений. В ходе таких измерений на рабочий электрод подается импульс катодного перенапряжения, и производится фиксация зависимости изменения катодной плотности тока во времени. При электроосаждении кремния из расплавов заявляемого способа на данной зависимости, как правило, фиксируется пиковое значение катодной плотности тока, которое соответствует окончанию процесса формирования новых центров зарождения кремния и росту имеющихся. Из этого следует, что длительность импульса катодного перенапряжения до формирования пикового значения катодной плотности тока является оптимальной с точки сплошности кремниевого осадка и энергозатрат на его получение.

В связи с вышеизложенным для электролиза галогенидного расплава из смеси солей, содержащей (мас.%):

15-45 - хлорида калия (KCl);

50-80 - хлорида цезия (CsCl);

0.5-20 - гексафторсиликата калия (K2SiF6),

в инертной атмосфере при температуре от 620 до 650°C был подобран импульсный потенциостатический режим с многократным периодическим наложением катодного перенапряжения на рабочий электрод величиной от 0.05 до 0.25 В длительностью от 2 до 100 мс. Общая длительность электролиза и количество импульсов катодного перенапряжения определяется необходимой толщиной сплошного осадка кремния.

Технический результат заключается в получении сплошных осадков кремния при снижении температуры и химической агрессивности расплавленного электролита, повышении устойчивости кремнийсодержащих электроактивных ионов в расплаве, что в целом приведет к снижению потерь кремния, повышению чистоты получаемых осадков кремния и снижению удельных энергозатрат при их получении.

Заявляемый способ иллюстрируется Фигурами, где на Фиг. 1 приведены типичные хроноамперные зависимости, характеризующие кинетику начальных стадий электроосаждения кремния из расплава KCl-CsCl-K2SiF6 при температуре от 620 до 650°С, а на Фиг. 2 - микрофотография осадка сплошного осадка кремния на стеклоуглеродном рабочем электроде.

Экспериментальную апробацию заявленного способа осуществляли в лабораторном электролизере, представляющего кварцевую реторту с расположенным на ее дне стеклоуглеродным контейнером (СУ-2000) с предварительно приготовленной смесью солей KCl, CsCl и K2SiF6 квалификации ОСЧ (Реахим, Россия). Кварцевую реторту закрывали фторопластовой крышкой с технологическими отверстиями для электродов, газоотвода, термопары и отбора проб. Нагрев реторты осуществляли в шахтной печи сопротивления при помощи задающей термопары S-типа, терморегулятора «Варта ТП 703». Для измерения и фиксации температуры в электролизере использовали контрольную термопару S-типа, термопарный модуль USB-TC01 (National Instruments, США) и персональный переносной компьютер. В ходе нагрева внутреннее пространство реторты вакуумировали до остаточного давления не более 150 Па и заполняли высокочистым аргоном.

При электрохимических измерениях и электроосаждении в качестве рабочих электродов использовали предварительно отполированные пластины из стеклоуглерода (СУ-2000), потенциал которых измеряли относительно кремниевого квазиэлектрода сравнения марки КР-00. Противоэлектродом служил также кремний марки КР-00. Для измерений и электролиза использовали потенциостат/гальваностат AutoLab 302n c ПО Nova 2.1.5 (The Metrohm, Нидерланды). Электрохимические измерения проводили методом хроноамперометрии с целью определения параметров импульсного электролиза. В ходе измерений получали хроноамперограммы, типичный вид которых представлен на Фиг. 1. Из полученных зависимостей определяли время достижения пикового значения катодного тока при конкретной величине катодного перенапряжения и использовали полученные параметры для электроосаждения. В частности, из расплава (мас. %) 40KCl-55CsCl-5K2SiF6 при температуре 650°С электролиз проводили в импульсном потенциостатическом режиме при наложении катодного перенапряжения от 0.08 до 0.18 В длительностью от 5 до 20 мкс.

В зависимости от температуры (620-650°С) и состава галогенидного расплава в диапазоне концентраций (мас.%):

15-45 - хлорида калия (KCl);

50-80 - хлорида цезия (CsCl);

0.5-20 - гексафторсиликата калия (K2SiF6).

Эмпирически было показано, что импульсный потенциостатический электролиз необходимо проводить при катодном перенапряжении от 0.05 до 0.30 В, а длительность многократно повторяемых импульсов должна составлять от 2 до 100 мс.

Непосредственно после электрохимических измерений проводили электроосаждение кремния на рабочий электрод. Для этого на него многократно подавали импульс катодного перенапряжения с установленными параметрами. После окончания электролиза рабочий электрод поднимали над расплавом и выдерживали в течение получаса, после чего извлекали из электролизера и многократно промывали в дистиллированной воде. Полученные осадки исследовали при помощи сканирующей электронной микроскопии и энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии с использованием микроскопа Tescan Vega 4 (Tescan, Чехия) с системой EDX Oxford Xplore 30 (Oxford, Великобритания).

Типичная микрофотография катодного осадка кремния приведена на Фиг. 2. Видно, что поверхность осадка представлена сферическими дендритами, плотно закрывающими поверхность электрода. Аналогичные осадки были получены при изменении состава галогенидного расплава, температуры, катодного перенапряжения и его длительности.

Экспериментально были установлены параметры электролиза позволяющие получать сплошные осадки кремния толщиной от 0.2 мкм из расплавов KCl-CsCl-K2SiF6.

Таким образом путем электроосаждения из галогенидных расплавов KCl-CsCl-K2SiF6 с пониженной температурой и содержанием фторидов щелочных металлов были получены сплошные осадки кремния. Снижение температуры и содержания фторидов щелочных металлов, а также подбор оптимального режима электроосаждения позволяет снизить потери кремния и повысить катодный выход по току как за счет повышения термической устойчивости его соединений в расплаве, так и за счет снижения доли побочных реакций в расплаве, коррозию материалов электролизера.

Источник поступления информации: Роспатент

Showing 41-50 of 207 items.
25.08.2017
№217.015.b6d0

Резистивный материал на основе нестехиометрических сульфидов

Изобретение относится к радио- и микроэлектронике и может быть использовано в микроэлектронной аппаратуре с малыми значениями токов и напряжений, где требуются переключения в течение промежутков времени от 25 до 110 минут при 10-150°С. Резистивный материал содержит сульфид серебра,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002614738
Дата охранного документа: 29.03.2017
25.08.2017
№217.015.b7be

Резистивный материал на основе стеклообразных халькогенидов с содержанием нанотрубок

Изобретение относится к радио- и микроэлектронике и может быть использовано в микроэлектронной аппаратуре с малыми значениями токов и напряжений, где требуются переключения в течение промежутков времени от 20 до 70 минут при 10-150°С. Резистивный материал содержит сульфид серебра,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002614942
Дата охранного документа: 31.03.2017
25.08.2017
№217.015.b868

Ветрогидроэнергетическая установка с составными лопастями, использующая в потоке эффект магнуса (варианты)

Изобретение относится к области ветрогидроэнергетики. Ветрогидроэнергетическая установка с составными лопастями, использующая в потоке эффект Магнуса, содержит ветрогидроколесо с горизонтальной осью вращения, на которой закреплен электрогенератор, и радиально установленные на махах цилиндры с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002615287
Дата охранного документа: 04.04.2017
25.08.2017
№217.015.b942

Способ извлечения урана из подземной воды

Изобретение относится к галургии, в частности к извлечению урана из подземных вод. В предложенном способе, включающем сорбцию урана на цеолите, согласно заявляемому изобретению цеолит предварительно модифицируют путем нанесения на его поверхность гидроксидов меди (II) и никеля с получением...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002615403
Дата охранного документа: 04.04.2017
25.08.2017
№217.015.bf43

Раствор для гидрохимического осаждения полупроводниковых пленок селенида индия

Изобретение относится к технологии получения селенида индия(III), широко используемого в микроэлектронике для получения детекторов ядерного излучения и при создании преобразователей солнечного излучения в качестве основы для такого материала, как диселенид меди(I) и индия CuInSe. Раствор для...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002617168
Дата охранного документа: 21.04.2017
25.08.2017
№217.015.c14a

Способ получения нитевидного нитрида алюминия

Изобретение относится к химической технологии получения нитевидных нанокристаллов нитрида алюминия (или нановискеров) и может быть использовано при создании элементов нано- и оптоэлектроники, а также люминесцентно-активных наноразмерных сенсоров медико-биологического профиля. Сущность...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002617495
Дата охранного документа: 25.04.2017
25.08.2017
№217.015.c347

Способ получения оксида скандия из концентрата скандия

Изобретение относится к металлургии цветных металлов, а именно к технологии получения оксида скандия из концентрата скандия, попутно выделяемого, в том числе, при извлечении урана, переработке руд и отходов цветных и редких металлов. Способ получения оксида скандия включает растворение...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002618012
Дата охранного документа: 02.05.2017
25.08.2017
№217.015.c4c8

Способ извлечения урана из разбавленных растворов и природных вод

Изобретение относится к гидрометаллургии урана, в частности к способу извлечения и концентрирования урана из разбавленных растворов. Извлечение урана из раствора осуществляют сорбцией. В качестве сорбента используют смесь шунгита, гидроксида меди и гидроксида никеля при массовом соотношении...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002618293
Дата охранного документа: 03.05.2017
25.08.2017
№217.015.c4e3

Способ определения антиоксидантной активности с использованием радикальных инициаторов

Изобретение относится к области физико-химических методов анализа, в частности к анализу растворов на предмет определения антиоксидантной активности. Изобретение может быть использовано в научно-исследовательских лабораториях для изучения антиоксидантных свойств различных природных,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002618426
Дата охранного документа: 03.05.2017
25.08.2017
№217.015.cee5

Магнитная система

Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано в малогабаритных приборах ЯМР- и ЭПР-спектроскопии высокого спектрального разрешения. Технический результат состоит в повышении степени однородности магнитного поля в рабочей области системы и увеличении его напряженности....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002620579
Дата охранного документа: 29.05.2017
Showing 41-50 of 58 items.
03.08.2019
№219.017.bc0f

Установка для очистки галогенидных солей

Изобретение относится к области химической технологии и может быть использовано для получения особо чистых галогенидных солей методом зонной перекристаллизации, применяемых, в частности, при пирохимической переработке ядерного топлива, химическом и электрохимическом синтезе элементов и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002696474
Дата охранного документа: 01.08.2019
02.10.2019
№219.017.cfc0

Способ переработки оксидного ядерного топлива

Изобретение относится к ядерной энергетике и может быть использовано преимущественно в замкнутом ядерном топливном цикле (ЗЯТЦ). Способ включает восстановление компонентов оксидного ядерного топлива при электролизе расплава хлорида лития с добавкой оксида лития в количестве не менее 1 мас. % с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002700934
Дата охранного документа: 24.09.2019
15.11.2019
№219.017.e214

Электрохимический способ формирования кристаллов оксидных вольфрамовых бронз из нановискеров (варианты)

Изобретение относится к вариантам электрохимического способа формирования кристаллов оксидных вольфрамовых бронз из нановискеров. Один из вариантов включает электролиз поливольфраматного расплава с использованием платинового анода, в котором электроосаждение ведут при 700°C в импульсном...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002706006
Дата охранного документа: 13.11.2019
01.12.2019
№219.017.e966

Способ переработки тепловыделяющих элементов

Изобретение относится к ядерной энергетике. Способ переработки тепловыделяющих элементов с нитридным отработавшим ядерным топливом включает растворение их фрагментов до получения электролитного раствора, содержащего соединения актинидов, пригодного для их выделения. Растворение тепловыделяющих...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002707562
Дата охранного документа: 28.11.2019
18.12.2019
№219.017.ee33

Устройство и способ определения фильтрующих свойств керамических фильтров по расплавленной смеси галогенидов щелочных металлов

Группа изобретений предназначена для определения фильтрующих свойств пористых керамических фильтров в форме цилиндров с боковой фильтрующей поверхностью по расплавленной смеси галогенидов щелочных металлов, например, хлоридов натрия и калия эквимолярного состава с содержанием нерасплавленных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002709092
Дата охранного документа: 13.12.2019
16.01.2020
№220.017.f560

Электролитический способ получения рениевых пленок

Изобретение относится к области гальванотехники и может быть использовано для изготовления тонких пленок рения, которые могут быть использованы в качестве подслоя для последующего электроосаждения. Электролиз ведут в растворе соляной кислоты с концентрацией 200-350 г/л, содержащем соединения...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002710807
Дата охранного документа: 14.01.2020
18.03.2020
№220.018.0ca0

Устройство и способ определения фильтрующих свойств металлических фильтров по расплавленной смеси галогенидов щелочных металлов

Заявлена группа изобретений, предназначенная для определения фильтрующих свойств, а именно: тонкости (номинальной и абсолютной) фильтрации и производительности (номинального и удельного расхода фильтрата), пористых металлических материалов (фильтров) по расплавленной смеси галогенидов щелочных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002716793
Дата охранного документа: 16.03.2020
18.03.2020
№220.018.0ccc

Способ нанесения защитного покрытия на катоды электролизера для получения алюминия

Изобретение относится к способу нанесения защитного покрытия на катоды электролизера для получения алюминия из расплавленных электролитов, смачиваемого получаемым алюминием. Способ включает электроосаждение компонентов покрытия на катоды из расплавленного электролита, содержащего добавки,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002716726
Дата охранного документа: 16.03.2020
18.03.2020
№220.018.0cf5

Электролитический способ получения лигатур алюминия из оксидного сырья

Изобретение относится к способу электролитического получения лигатур алюминия из оксидного сырья. Способ включает электролиз оксидно-фторидного расплава, который ведут с использованием твердого катода при температуре выше 570 °С, а продукты электролиза с включениями компонентов расплава...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002716727
Дата охранного документа: 16.03.2020
04.06.2020
№220.018.2405

Сенсор для измерения кислородосодержания расплава licl-lio-li и атмосферы над расплавом

Изобретение относится к аналитической технике и может быть использовано в технологиях переработки оксидного ядерного топлива преимущественно в замкнутом ядерном топливном цикле. Сенсор содержит пробирку из твердого электролита, эталонный электрод, токосъемник с эталонного электрода, токосъемник...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002722613
Дата охранного документа: 02.06.2020
+ добавить свой РИД