×
21.04.2023
223.018.5010

Результат интеллектуальной деятельности: Датчик измерения механических напряжений на основе микропроводов с положительной магнитострикцией

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к измерительной технике и выполняет функцию датчика механических напряжений. Датчик состоит из аморфного ферромагнитного микропровода с положительной магнитострикцией, размещенного по оси дифференциальной измерительной катушки, и внешней катушки, задающей переменное магнитное поле вдоль оси микропровода. Измерительная дифференциальная катушка соединена с усилителем, выход которого подключается к аналого-цифровому преобразователю (АЦП), выполненному в виде индивидуального устройства или как часть микроконтроллера. Вывод сигнала с АЦП реализуется на персональный компьютер. Конструкция датчика позволяет проводить измерение механических напряжений по изменению коэрцитивной силы, переключающего поля и временной зависимости электродвижущей силы, вызванной перемагничиванием микропровода. При этом существует возможность снятия корпуса датчика без полного его отделения от исследуемого объекта для замены аморфного ферромагнитного микропровода в процессе эксплуатации датчика. Технический результат – повышение чувствительности системы регистрации напряжений на основе аморфных микропроводов, снижении помех, обеспечение заменяемости чувствительного элемента (аморфного ферромагнитного микропровода). 3 ил.

Изобретение относится к области неразрушающего контроля и технической диагностики материалов и может служить в качества датчика механических напряжений.

Известен датчик измерения механических напряжений (RU 2552124, опубл. 10.06.2015), который включает в себя прямоугольную пластину из полимерного материала, на верхней поверхности которой сделано углубление, в котором помещается детектор, при этом внутри прямоугольной пластины вдоль продольной оси располагается предварительно напряженный аморфный ферромагнитный микропровод, изготовленный из обогащенных кобальтом сплавов, помещенный внутрь измерительной катушки в виде встречно соединенных соленоидов из медной проволоки. Данное устройство позволяет получать петли гистерезиса микропровода, проводить их анализ на персональном компьютере и по изменению формы кривых делать выводы о типе приложенных напряжений (растягивающие, скручивающие) и их величине.

Недостатком этого устройства является расположение микропровода в полимерной матрице, что потенциально может ухудшить магнитомеханические свойства микропроводов в стеклянной оболочке в силу влияния адгезии между стеклянной оболочкой и полимером. Кроме того, в данном устройстве используются микропровода с отрицательной магнитострикцией, которые не отличаются бистабильным характером перемагничивания как, например, микропровода с положительной магнитострикцией, а имеют наклонную петлю гистерезиса. Анализ кривых перемагничивания микропроводов с положительной магнитострикцией может обеспечить большую чувствительность к деформации и потенциально более удобно для регистрации сигнала перемагничивания.

Известен композитный датчик (WO 2010055282, опубл. 20.05.2010). Композитный датчик также основан на расположении микропровода в полимерной матрице. Через микропровод пропускается переменный электрический ток и регистрируется напряжение на микропроводе. Данный композитный датчик основан на применении эффекта гигантского магнитного импеданса и гигантского стресс-импедансного эффекта.

Недостаток этого устройства состоит в сложности измерения локальных механических нагрузок из-за необходимости использования микропроводов протяженной длины. При этом данное устройство обладает высокой чувствительностью к внешним магнитным полям, что может искажать результаты измерения механических напряжений.

Известен датчик измерения механических деформаций (RU 2654827, опубл. 22.05.2018). Датчик содержит прямоугольную пластину с поперечными разрезами, обеспечивающими возможность растяжения не только в продольном, но и поперечном направлении. В посадочном месте пластины располагается миниатюрный соленоид, внутри которого размещен магниточувствительный элемент. Миниатюрный соленоид подключен к источнику постоянного тока. Аморфный ферромагнитный микропровод (магниточувствительный элемент) подключен к источнику переменного тока. В датчике измерения напряжений используется эффект малоуглового вращения намагниченности относительно оси микропровода, при этом в измерительной катушке регистрируется сигнал удвоенной частоты относительно частоты тока, протекающего по микропроводу. Изменение ЭДС сигнала удвоенной частоты позволяет регистрировать изменение напряженного состояния микропровода.

Недостатком этого устройства является сложность регистрации сигнала предложенного типа, что потенциально понижает чувствительность устройства, несмотря на оригинальность предложенного подхода.

Известен способ измерения физических величин (WO 2007116218, опубл. 18.10.2007). В данном способе, наиболее близком к предлагаемому изобретению, используется датчик на основе аморфных ферромагнитных микропроводов с ненулевой магнитострикцией. Способ основан на регистрации электродвижущей силы (ЭДС), возникающей в измерительном соленоиде при перемагничивания микропровода в переменном магнитном поле. Для регистрации изменения напряженного состояния производится измерение переключающего поля, полученного по сопоставлению кривых электродвижущей силы и внешнего переменного магнитного поля.

Недостатками этого подхода является лишь общее описание системы регистрации сигнала без конкретизации механизмов исполнения и достижения технического результата. Кроме того предложенный способ отличается чувствительностью к внешним магнитным полям и основан лишь на регистрации переключающего поля.

В изобретении достигается технический результат, заключающийся в измерении уровня механических напряжений, повышении чувствительности системы регистрации напряжений на основе аморфных микропроводов по сравнению с существующими аналогами за счет применения комбинированного подхода в регистрации различного типа механических нагрузок (растяжение, кручение), снижении помех и обеспечения заменяемости чувствительного элемента (аморфного ферромагнитного микропровода).

Указанный технический результат достигается следующим образом.

Предполагаемый датчик измерения механических напряжений состоит из аморфного микропровода с положительной магнитострикцией, представляющего собой чувствительный элемент измерительного устройства. Аморфный микропровод скреплен с промежуточными нитями или пластинами с помощью алюминиевых зажимных держателей. Промежуточные нити или пластины необходимы для размещения микропровода в центре измерительной схемы для исключения воздействия внешних магнитных помех. Такая связанная конструкция (микропровод и нити или пластины) располагается вдоль одной из осей дифференциальной измерительной катушки, представляющей собой два встречно включенных и симметрично расположенных соленоида или катушку, намотанную восьмеркой. Дифференциальная измерительная катушка с аморфным микропроводом внутри размещены на оси внешнего соленоида, задающего переменное магнитное поле. Во внешний соленоид подается переменный электрический ток. Переменный электрический ток во внешнем соленоиде создает переменное магнитное поле в области размещения аморфного микропровода и вызывает его перемагничивание. В результате в дифференциальной измерительной катушке возникает сигнал ЭДС, вызванной перемагничиванием аморфного микропровода. При этом ЭДС, связанная с нахождением измерительной катушки во внешнем переменном поле, компенсируется за счет встречного включения соленоидов дифференциальной измерительной катушки или намотки дифференциальной измерительной катушки восьмеркой. Внешние концы промежуточных нитей или пластин фиксируются на краевых зажимных подвижных держателях, находящихся снаружи внешнего соленоида. Краевые зажимные подвижные держатели при измерении фиксируются на исследуемом объекте с помощью клеевого соединения или сварки. При этом аморфный микропровод и связанные с ним промежуточные нити или пластины оказываются натянуты между краевыми зажимными держателями. Между краевыми зажимными подвижными держателями и внешним соленоидом, размещенном в съемном корпусе устройства, находятся промежуточные пластины с круговым вырезом в центре, препятствующие проскальзыванию подвижных держателей внутрь внешнего соленоида в случае возникновения отрицательной деформации на исследуемом объекте. Корпус устройства имеет цилиндрическую форму и содержит внутри себя внешний и дифференциальный измерительный соленоиды и аморфный микропровод с промежуточными нитями или пластинами. Диаметр корпуса меньше максимальных поперечных размеров краевых зажимных держателей. Конструкция корпуса предусматривает возможность его снятия путем отделения двух половин корпуса друг от друга за счет удаления скрепляющих обе половины корпуса винтов или иным способом, позволяющим осуществлять снятие корпуса без отделения краевых зажимных держателей от исследуемого объекта.

Дифференциальная измерительная катушка подключена к аналого-цифровому преобразователю (АЦП) микроконтроллера или изолированному АЦП с возможностью дальнейшего подключения к компьютеру. При необходимости возможна установка усилителя сигнала с дифференциальной катушки для подключения к АЦП. Внешний соленоид подключен к генератору синусоидальных импульсов с возможностью генерации колебаний с частотой до 10 кГц. Такое максимальное значение частоты необходимо для исключения влияния динамических эффектов перемагничивания микропровода на результаты измерения. При необходимости измеренный сигнал ЭДС перемагничивания микропровода может быть интегрирован для получения петли магнитного гистерезиса и значений коэрцитивной силы микропровода. При увеличении уровня напряжений в микропроводе, например, при растяжении, его коэрцитивная сила и переключающее поле увеличиваются. Данная зависимость коэрцитивной силы и переключающего поля от напряжений обратима вплоть до напряжений близких к половине предела прочности на растяжение материала (величина около 1,5 ГПа) для аморфных микропроводов на основе Fe.

Аморфный ферромагнитных микропровод с положительной магнитострикцией может быть выполнен на основе сплавов с преимущественным содержанием железа, например: Fe77.5Si7.5B15, Fe73.8Cu1Nb2.1B9.1Si13 и других.

Аморфный ферромагнитный микропровод может иметь длину от 20 до 150 мм.

Может быть использован аморфный ферромагнитный микропровод в стеклянной оболочке и без оболочки.

Внешний соленоид выполнен в виде многослойной катушки, намотанной виток к витку. Плотность и количество витков зависят от диапазона магнитных полей, в которых необходима работа датчика, а также размера датчика. Основной сдвиг измеряемых датчиком зависимостей сигнала ЭДС происходит в интервале максимальных значений поля от -100 до 100 эрстед. Соответственно, основным требованием является работа соленоида в данном диапазоне полей.

Дифференциальная измерительная катушка изготовлена из медного провода с диаметром не более 120 мкм. Диаметр провода намотки может быть подобран, исходя из требуемых размеров датчика и возможности подключения усилителя к дифференциальной катушке.

Промежуточные нити или пластины могут быть выполнены из алюминия или другого материала, вносящего малые искажения в регистрируемый с дифференциальной измерительной катушки сигнал ЭДС.

Повышение чувствительности системы регистрации напряжений связано с возможностью одновременной регистрации:

- коэрцитивной силы, измеренной по магнитной петеле гистерезиса, полученной при интегрировании зависимости электродвижущей силы для;

- переключающего поля, полученного при сопоставлении значений напряженности перемагничивающего поля и значений кривой ЭДС от времени;

- изменения уровня механических напряжений путем регистрации временного сдвига пиков перемагничивания на кривой электродвижущей силы от времени.

Кроме того повышение чувствительности системы обеспечивается:

- использованием аморфных микропроводов с положительной магнитострикцией, для которых характерен бистабильный характер перемагничивания и, как следствие, большая крутизна и амплитуда пиков, соответствующих перемагничиванию, на кривой ЭДС от времени;

- использованием дифференциальной измерительной катушки в виде двух встречно включенных соленоидов или катушки, намотанной восьмеркой, что исключает влияние на измеряемый сигнал ЭДС, не связанной с перемагничиванием аморфного микропровода.

Значительный диапазон длины микропровода (от 20 до 150 мм) позволяет осуществить изготовление датчика для измерения нагрузок с большей или меньшей степенью локальности.

Признаки, отличающие предлагаемый датчик напряжений от наиболее близкого к нему, известного по патенту WO 2007116218 (прототип), характеризуют механизм размещения микропровода вдоль оси внешнего и дифференциального соленоидов, позволяющий исключить влияние помех внешних магнитных полей, фиксация микропровода через промежуточные нити или пластины краевыми подвижными держателями, наличие разъемного корпуса устройства, позволяющего производить замену внутренних элементов корпуса устройства (внешнего соленоида, дифференциальной измерительной катушки, аморфного микропровода, алюминиевых зажимных держателей, промежуточных нитей или пластин), возможность одновременной регистрации коэрцитивной силы, переключающего поля и временного сдвига пиков перемагничивания на кривой ЭДС от времени, использование микропровода различной длины (от 20 до 150 мм) для достижения большей или меньшей локальности измеряемого уровня напряжений.

Изобретение поясняется чертежами. На фиг. 1 изображен вид датчика сверху, на фиг. 2 изображена электрическая схема датчика, на фиг. 3 изображено изменение сигнала ЭДС, возникающего при перемагничивании микропровода, при растяжении микропровода.

На фиг. 1, 2 показаны промежуточные нити или пластины 1, дифференциальная измерительная катушка 2, внешний соленоид 3, корпус датчика 4, аморфный ферромагнитный микропровод 5, краевые зажимные подвижные держатели 6, промежуточные пластины с круговым вырезом в центре 7, алюминиевые зажимные держатели 8, генератор синусоидальных импульсов 9, АЦП 10.

На фиг. 3а на представленном графике по оси Y приведены значения ЭДС в мВ, возникающей в дифференциальной катушке при перемагничивании микропровода, по оси X отложены значения времени в мкс. На фиг. 3б на представленном графике по оси Y приведены значения напряженности магнитного синусоидального поля в эрстедах. По оси X отложены значения времени в мкс. Как видно из фиг. 3а, при приложении внешней растягивающей нагрузки положение интенсивного пика ЭДС кривой перемагничивания смещается вправо по оси времени. Данный факт используется для оценки изменения уровня напряжений без сопоставления значений сигнала ЭДС и внешнего магнитного поля.

Датчик работает следующим образом. Датчик может быть инсталлирован на поверхность объекта измерения с помощью клеевого соединения или сварки объекта с краевыми зажимными подвижными держателями 6. При приложении к объекту измерений механических нагрузок (растягивающих или скручивающих) микропровод 5 также испытывает данные нагрузки, что приводит к изменению величины коэрцитивной силы и переключающего поля. Это может быть полезно для анализа типа механической нагрузки. При этом штатным режимом работы датчика является анализ сдвига пика сигнала ЭДС по шкале времени при изменении напряженного состояния микропровода. Штатная частота работы датчика составляет 2,5 кГц. Для повышения амплитуды измеряемого сигнала и чувствительности возможно увеличение данной частоты вплоть до 10 кГц.

Сигнал ЭДС, возникающей при перемагничивании микропровода в отсутствие внешней нагрузки, считается опорным и соответствует нулевому значению напряжений.

Крепление микропровода 5 алюминиевыми зажимными держателями 8 позволяет проводить замену чувствительного элемента (микропровода 5) в случае его повреждения или необходимости изменения чувствительности датчика внешним механическим воздействиям. При этом возможно снятие корпуса датчика 4 для замены микропровода 5 без непосредственного демонтажа датчика с исследуемого объекта. Для этого корпус датчика 4 должен иметь меньшие максимальные поперечные размеры, чем краевые зажимные подвижные держатели 6.

Изменение диапазона механических напряжений, в которых может работать датчик, возможно путем применения микропроводов: 1) различного диаметра, что соответствует различному исходному уровню закалочных напряжений; 2) с различной толщиной стеклянной оболочки по отношению к диаметру провода (чем выше данный параметр, тем большим внутренним уровнем напряжений обладает микропровод). Исходно наиболее напряженные микропровода обладают более резким изменением коэрцитивной силы, переключающего поля, сдвига пика кривой ЭДС при приложение внешней механической нагрузки.

В предложенном датчике достигаются улучшенные в сравнении с аналогами магнитомеханические характеристики за счет: 1) возможности применения микропроводов с различным напряженным состоянием и длиной; 2) использования микропроводов с положительной магнитострикцией, характеризующиеся наиболее резкими и интенсивными зависимостями сигнала ЭДС от времени, возникающими в измерительной катушке при перемагничивании микропровода; 3) возможности применения трех способов регистрации изменения напряженного состояния (по изменению коэрцитивной силы, переключающего поля, путем непосредственной регистрации времени сдвига пика кривой ЭДС при растяжении). При этом в датчике реализована возможность замены чувствительного элемента в случае его повреждения или необходимости изменения параметров датчика.

Датчик измерения механических напряжений на основе микропроводов с положительной магнитострикцией, состоящий из аморфного ферромагнитного микропровода, размещенного по оси дифференциальной измерительной катушки, представляющей собой два встречно включенных симметрично расположенных соленоида или катушку, намотанную восьмеркой, и внешней катушки, задающей переменное магнитное поле вдоль оси микропровода, в которой концы микропровода фиксированы зажимными держателями, соединяющими микропровод с промежуточными нитями или пластинами, другие концы которых закреплены краевыми зажимными подвижными держателями, ограниченными со стороны катушки упорами, препятствующими изгибу провода относительно оси катушки, при этом внешняя катушка соединена с генератором синусоидальных импульсов для генерации вдоль оси катушки однородного синусоидального магнитного поля, а дифференциальная катушка подключена к аналого-цифровому преобразователю напрямую или через усилитель мощности, при этом аналого-цифровой преобразователь подключен к персональному компьютеру, отличающийся тем, что аморфный микропровод размещен вдоль оси внешнего и дифференциального соленоидов, позволяет исключить влияние помех внешних магнитных полей, при этом аморфный микропровод фиксирован между краевыми подвижными держателями через промежуточные нити или пластины, при этом внешний соленоид, дифференциальная катушка и аморфный микропровод размещены в разъемном корпусе устройства, позволяющем производить замену внутренних элементов корпуса, а именно внешнего соленоида, дифференциальной измерительной катушки, аморфного микропровода, алюминиевых зажимных держателей, промежуточных нитей или пластин, при этом существует возможность одновременной регистрации коэрцитивной силы, переключающего поля и временного сдвига пиков перемагничивания на кривой ЭДС от времени и использования микропровода различной длины от 20 до 150 мм для достижения большей или меньшей локальности измеряемого уровня напряжений.
Источник поступления информации: Роспатент

Showing 71-80 of 91 items.
31.05.2020
№220.018.22bb

Сапфировый роликовый аппликатор для криохирургии и криотерапии

Изобретение относится к криогенной технике, а именно криоаппликаторам иммерсионного типа, и может использоваться в криомедицине и ветеринарии. Криоаппликатор содержит ролик и ручку, ролик выполнен из сапфира в виде шлифованного или полированного шара или цилиндра с углублениями на торцах, в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002722352
Дата охранного документа: 29.05.2020
09.06.2020
№220.018.25bc

Структура с резистивным переключением

Изобретение предназначено для применения в электронике для нейроморфных вычислений и хранения информации. Структура с резистивным переключением включает два металлических алюминиевых контакта, нанесенных на поверхность тонкой пленки аморфной сурьмы. Изобретение обеспечивает получение структуры...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002723073
Дата охранного документа: 08.06.2020
03.07.2020
№220.018.2dda

Способ получения timnal

Изобретение относится к области металлургии, в частности к получению объемных слитков спин-поляризованного бесщелевого полупроводника TiMnAl, который может быть использован в спинтронике. Способ получения TiMnAl из элементарных титана, марганца и алюминия включает помещение навесок марганца и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002725229
Дата охранного документа: 30.06.2020
06.07.2020
№220.018.2fb7

Трансформатор импульсов электроэнергии однополярного тока

Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано в электрометаллургии для гальванической развязки в источниках питания высокочастотной дуги, используемой для плавления металлических порошков, электроэрозионной обработки поверхности и изготовления деталей сложной формы....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002725610
Дата охранного документа: 03.07.2020
09.07.2020
№220.018.3097

Устройство для выращивания смешанных кристаллов сульфата кобальта-никеля-калия для оптических фильтров ультрафиолетового диапазона

Изобретение относится к области роста кристаллов, в частности, к выращиванию смешанных монокристаллов K(Со,Ni)(SO)x6HO (KCNSH) из водных растворов и может быть использовано в оптическом приборостроении для изготовления солнечно-слепых фильтров. Устройство для выращивания смешанных кристаллов...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002725924
Дата охранного документа: 07.07.2020
20.04.2023
№223.018.4c95

Способ легирования кристаллов селенида цинка хромом

Изобретение относится к области выращивания кристаллов. Способ легирования кристаллов селенида цинка хромом включает смешивание порошков селенида цинка и легирующей добавки и последующее выращивание кристалла из расплава под давлением аргона, при этом хром вводится в исходную загрузку в виде...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002751059
Дата охранного документа: 07.07.2021
20.04.2023
№223.018.4c96

Высокотемпературный слоисто-волокнистый композит, армированный оксидными волокнами, и способ его получения

Изобретение относится к высокотемпературным конструкционным композитным материалам с металлической матрицей и способам их получения. Высокотемпературный слоисто-волокнистый композит, с матрицей на основе Nb, твердого раствора Nb(Al), а также интерметаллидов NbAl и NbAl содержит слои Мо,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002751062
Дата охранного документа: 07.07.2021
20.04.2023
№223.018.4cda

Способ легирования кристаллов сульфида цинка железом или хромом

Изобретение относится к области выращивания кристаллов. Способ легирования кристаллов сульфида цинка железом или хромом включает смешивание порошков сульфида цинка и порошка моносульфида легирующего металла с последующим выращиванием кристалла из расплава вертикальной зонной плавкой. Способ...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002755023
Дата охранного документа: 09.09.2021
20.04.2023
№223.018.4d09

Устройство для измерения малых токов инжектированных зарядов в конденсированных средах

Устройство для измерения малых токов инжектированных зарядов в конденсированных средах предназначено для измерения малых токов ~ 10 А и регистрации их изменения во времени, а также записи результатов измерения на электронный носитель. Устройство содержит преобразователь ток-напряжение,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002754201
Дата охранного документа: 30.08.2021
20.04.2023
№223.018.4d26

Устройство для получения наночастиц из газов и паров жидкостей при сверхнизких температурах

Изобретение относится к области нанотехнологии, а именно предлагаемое устройство позволяет получать частицы малых размеров (наночастицы) из материалов, которые существуют при комнатных температурах в виде газов или паров. Устройство для получения наночастиц из материалов, существующих при...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002756051
Дата охранного документа: 24.09.2021
Showing 1-1 of 1 item.
20.12.2015
№216.013.9c6c

Электронный блок сенсорного управления координатным станком

Изобретение относится к области сенсорного управления координатными станками и может выполнять роль устройства защиты оператора и устройства автоматического отслеживания правильности исполнения программы обработки изделия. Устройство содержит инфракрасную сенсорную рамку, блок обработки...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002571669
Дата охранного документа: 20.12.2015
+ добавить свой РИД