×
25.06.2020
220.018.2b6d

Результат интеллектуальной деятельности: Способ увеличения прочности зондов многозондовых головок

Вид РИД

Изобретение

№ охранного документа
0002724301
Дата охранного документа
22.06.2020
Аннотация: Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники, а именно к технологии контроля функциональных и динамических параметров многовыводных кристаллов БИС. Задача изобретения состоит в увеличения прочности зондов ЖЗГ. Технический результат достигается тем, что по всей поверхности зоны загиба каждого зонда наносится слой материала, увеличивающий прочность зоны загиба зонда. Для работы только при комнатной температуре достаточно покрыть это место каплей клея, например, на основе эпоксидной смолы. Для работы при азотных температурах зонды можно упрочнить облуживанием поверхности зоны загиба припоем, например твердым припоем на основе серебра. 2 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники, а именно к технологии контроля функциональных и динамических параметров многовыводных кристаллов БИС.

Для подсоединения контролирующих схем к кристаллам БИС служат специальные контактные устройства с фиксированным (жестким) расположением контактирующих зондов. Такие устройства, называемые обычно проб-картами, многозондовыми головками или жесткими зондовыми головками (ЖЗГ), широко используются в составе зондовых установок для осуществления электрической связи с контактными площадками кристаллов БИС. При измерениях контактирующие кончики иголок ЖЗГ одновременно опускаются на контактные площадки кристалла, создавая надежное электрическое соединение с металлизированными контактными площадками кристаллов БИС.

Известны Автоматические зондовые станции для контроля кристаллов БИС [Зонд А5, фирмы ООО «Вито-техникс», Москва], использующие перестраиваемые многозондовые устройства для контактирования с кристаллами.

Недостатками такого устройства контактирования являются их громоздкость (диаметр устройства 26 см), и, в связи с этим, невозможность работы с ним на современных зондовых установках, особенно при криогенных температурах, и ограниченное число индивидуально настраиваемых зондов (60 по кругу, следовательно, по 15 на каждую сторону кристалла)

Наиболее близким к предлагаемому техническому решению являются многозондовые устройства, с зондами, жестко закрепленными на печатных платах с помощью слоев эпоксидной смолы [УКФ-5, Контактные устройства с фиксированным расположением зондов, справочные материалы завода «Планар», г. Минск, Беларусь]. Обычно зонды изготавливают из вольфрамовой проволоки диаметром от 250 до 300 мкм. Контактирующий кончик иголки утоньшен электрохимическим способом с углом заточки порядка 3-6° до радиуса кончика ~25 мкм. Рабочий кончик иголки формируют путем его загиба под углом ~70° на расстоянии 0,3÷0,5 мм от его начала на диаметре меньше 100 мкм (фиг. 1).

Одним из недостатков такого метода формирования зонда состоит в том, что в месте загиба кончика иголки происходит ослабление металла из-за нарушения его структуры, так как в обычных условиях вольфрам недостаточно пластичный. При комнатной температуре он не поддается обработке давлением из-за его хрупкости, возможно даже расщепление проволоки при гибке, особенно для неотожженного металла.

Во время измерения параметров кристаллов БИС при азотной температуре ситуация осложняется из-за высокой склонности вольфрама к ломкости при низкой температуре. Это приводит к деформации иголок, особенно в месте загиба кончика зонда. После нескольких корректировок формы иголки кончик зонда может отломиться, что приводит к неработоспособности всей ЖЗГ и необходимости ее замены на новую.

Задача изобретения состоит в увеличения прочности зондов ЖЗГ.

Технический результат достигается тем, что по всей поверхности зоны загиба каждого зонда (по «кругу») наносится слой материала, увеличивающий прочность зоны загиба зонда (фиг. 2). Для работы только при комнатной температуре достаточно покрыть эти места эпоксидной смолой для формирования упрочняющей капли клея в зоне загиба.. ЖЗГ, используемые при азотных температурах, можно упрочнить путем облуживания по всей поверхности зоны загиба припоем, например твердым припоем на основе серебра, у которого КТР ближе к вольфраму, чем у эпоксидной смолы. На фиг. 3 представлен внешний вид блока зондов экспериментальной ЖЗГ с упрочняющими каплями эпоксидной смолы в зоне загиба зондов. Для увеличения эластичности слоя эпоксидной смолы в нее вносится наполнитель, например порошок нитрида бора.

Проведен цикл контактирований зондов с контактными площадками кристаллов БИС, после которых не была замечена деформация зондов ЖЗГ.


Способ увеличения прочности зондов многозондовых головок
Способ увеличения прочности зондов многозондовых головок
Источник поступления информации: Роспатент

Showing 11-20 of 27 items.
25.08.2017
№217.015.c90c

Способ сборки кристаллов мфпу

Изобретение относится к технологии сборки гибридных матричных фотоприемных устройств (МФПУ). Одной из основных операций при изготовлении МФПУ является сборка кристаллов в корпус с последующим соединением контактных площадок кристалла БИС с внешними выводами корпуса МФПУ. Такая электрическая...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002619362
Дата охранного документа: 15.05.2017
26.08.2017
№217.015.dd2a

Открытая зондовая установка тестирования матричных фотоприёмников и способ ускоренного тестирования матричных фотоприемников

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых фотоприемников и может использоваться при создании матричных фотоприемников. Заявляемые зондовая установка и способ позволяют проводить межоперационный контроль матричных фотоприемников при температуре жидкого азота и различных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002624623
Дата охранного документа: 04.07.2017
26.08.2017
№217.015.ec23

Способ изготовления многоэлементного ик фотоприемника

Изобретение относится к способу изготовления многоэлементных или матричных фотоприемников на основе антимонида индия. Многоэлементный фотоприемник на основе антимонида индия включает матрицу фоточувствительных элементов (МФЧЭ) с антиотражающим покрытием на освещаемой стороне фоточувствительных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002628449
Дата охранного документа: 16.08.2017
20.01.2018
№218.016.1006

Способ изготовления матричного фчэ на основе gaas

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводникового фотоприемника (ФП) и может быть использовано при создании матричных ФП различного назначения. Способ изготовления матричного ФЧЭ на основе GaAs, в котором согласно изобретению базовую область МФЧЭ после гибридизации с БИС...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002633656
Дата охранного документа: 16.10.2017
29.05.2018
№218.016.5839

Способ формирования матричных микроконтактов

Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники, а именно к технологии создания матричных фотоприемных устройств (МФПУ), и может быть использовано при формировании матричных микроконтактов для кристаллов БИС считывания и матрицы фоточувствительных элементов (МФЧЭ) с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002654944
Дата охранного документа: 23.05.2018
09.06.2018
№218.016.5c5b

Способ изготовления микроконтактов

Изобретение относится к технологии сборки полупроводниковых приборов и может быть использовано для гибридизации кристаллов БИС считывания и матрицы фоточувствительных элементов (МФЧЭ) методом перевернутого монтажа. Способ изготовления микроконтактов согласно изобретению включает нанесение...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002655953
Дата охранного документа: 30.05.2018
05.07.2018
№218.016.6b33

Способ оперативного контроля качества стыковки

Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники, а именно к технологии сборки полупроводниковых приборов, и может быть использовано для гибридизации кристаллов БИС считывания и матрицы фоточувствительных элементов (МФЧЭ) методом перевернутого монтажа. Изобретение обеспечивает...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002660020
Дата охранного документа: 04.07.2018
26.12.2018
№218.016.aaf9

Способ изготовления утоньшенной двухспектральной фоточувствительной сборки

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых двухспектральных гибридизированных сборок и может использоваться для создания матричных фотоприемников (МФП) различного назначения. Изобретение решает задачу изготовления утоньшенной двухспектральной фоточувствительной сборки (УД...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002676052
Дата охранного документа: 25.12.2018
29.12.2018
№218.016.acab

Способ улучшения адгезии индиевых микроконтактов с помощью ультразвуковой обработки

Использование: для изготовления индиевых микроконтактов в матричных фотоприемниках. Сущность изобретения заключается в том, что способ улучшения адгезии индиевых микроконтактов с помощью ультразвуковой обработки на полупроводниковых пластинах с матрицами БИС считывания или фотодиодными...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002676222
Дата охранного документа: 26.12.2018
31.01.2019
№219.016.b54c

Способ изготовления двухспектрального матричного фотоприемника

Изобретение относится к области оптического приборостроения и касается способа изготовления многоэлементного двухспектрального матричного фотоприемника. Фотоприемник включает в себя корпус с входным окном, матрицу фоточувствительных элементов (МФЧЭ) с тонким поглощающим слоем из однородного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002678519
Дата охранного документа: 29.01.2019
+ добавить свой РИД