×
29.04.2020
220.018.1a56

СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕПЛОВЫХ СОПРОТИВЛЕНИЙ ПЕРЕХОД-КОРПУС И ТЕПЛОВЫХ ПОСТОЯННЫХ ВРЕМЕНИ ПЕРЕХОД-КОРПУС КРИСТАЛЛОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИЗДЕЛИЙ В СОСТАВЕ ЭЛЕКТРОННОГО МОДУЛЯ

Вид РИД

Изобретение

Юридическая информация Свернуть Развернуть
Краткое описание РИД Свернуть Развернуть
Аннотация: Изобретение относится к технике измерения тепловых параметров кристаллов бескорпусных полупроводниковых изделий в составе электронных модулей и может быть использовано для контроля качества сборки электронных модулей как на этапах разработки и производства электронных модулей, так и на входном контроле предприятий-потребителей электронных модулей при оценке их температурных запасов. Сущность изобретения заключается в том, что на электронный модуль с двумя активными элементами в виде бескорпусных полупроводниковых изделий, находящийся при начальной температуре T В момент времени t подают импульс греющей мощности заданного уровня P длительностью t≈(3÷5)τ, где τ - примерное значение тепловой постоянной времени переход-корпус кристаллов полупроводниковых изделий. Измеряют приращения температуры ΔT(t) и ΔT(t) активной области (поверхности) кристаллов полупроводниковых изделий через интервал времени t≈τ после подачи импульса греющей мощности и приращения ΔT(t) и ΔT(t). В момент окончания импульса греющей мощности в течение времени t~τ электронный модуль оставляют в выключенном состоянии с целью его охлаждения до начальной температуры, затем в момент времени t на него подают импульс греющей мощности уровня Р длительностью t=t≈τ Измеряют приращение температуры ΔT(t) и ΔT(t) активной области (поверхности) кристаллов полупроводниковых изделий в момент окончания импульса греющей мощности, то есть через тот же интервал времени t после подачи импульса греющей мощности. По результатам измерений рассчитывают тепловые сопротивления переход-корпус кристаллов полупроводниковых изделий по формулам где и точные значения тепловых постоянных времени переход-корпус кристаллов полупроводниковых изделий - по формулам Технический результат - снижение погрешности и обеспечение возможности измерения тепловых параметров кристаллов гальванически связанных полупроводниковых изделий в составе электронного модуля при невозможности раздельного измерения мощности, потребляемой каждым полупроводниковым изделием в отдельности и, как следствие, повышение достоверности контроля качества сборки электронных модулей. 2 ил.
Реферат Свернуть Развернуть

Изобретение относится к технике измерения тепловых параметров кристаллов бескорпусных полупроводниковых изделий (ППИ) в составе электронных модулей и может быть использовано для контроля качества сборки электронных модулей как на этапах разработки и производства, так и на входном контроле предприятий-потребителей электронных модулей при оценке их температурных запасов.

В радиоэлектронных и электротехнических устройствах различного назначения широко применяются электронные модули с двумя активными элементами - бескорпусными ППИ (мощными транзисторами, диодами, монолитными интегральными схемами и др.), которые рассеивают основную часть электрической мощности от источника питания; а мощностью, потребляемой другими элементами электронного модуля, можно пренебречь. Кристаллы ППИ в таких модулях монтируются на монтажную плату, которая закрепляется на массивном металлическом основании корпуса электронного модуля для эффективного отвода тепла. По существу такие электронные модули представляют собой большую гибридную интегральную схему. Примерами таких модулей являются инверторы, выпрямители, транзисторные сборки, модули СВЧ-усилителей мощности и др.

Активные ППИ зачастую включаются симметрично относительно источника питания в схеме электронного модуля и имеют одинаковые значения параметров электрического режима работы при работе электронного модуля в номинальном режиме. Это, в свою очередь, предполагает и равенство рассеиваемых ППИ мощностей; при работе на переменном или импульсном токе имеется в виду равенство мощностей, усредненных за период колебаний тока. Учитывая необходимость обеспечения одинаковых тепловых режимов работы ППИ, их кристаллы обычно размещают симметрично на несущей плате модуля.

Во многих практических случаях тепловой связью между активными элементами модуля можно пренебречь. Дискретная тепловая схема такого модуля в представлении Фостера показана на фиг. 1 (см. например, Сергеев В.А. Анализ тепловых режимов мощных светодиодов в составе светодиодных излучателей // Известия вузов. Электроника. - 2013. - №1. - С. 85-87; Сергеев В.А., Смирнов В.И., Тарасов Р.Г. Проблемы и возможности диагностики электронных модулей по тепловым характеристикам // Автоматизация процессов управления. - 2017. -№4. - С. 96-102.). В таком приближении изменение температуры активной области (рабочей поверхности) кристалла ППИ при подаче на модуль мощности Р0 в момент времени t=0 будет описываться выражениями:

где - тепловая постоянная времени переход-корпус i-го кристалла ППИ; - температура перехода i-го кристалла ППИ; Т0 - температура окружающей среды; Тк(t)- температура корпуса электронного модуля; τТк-с=RТк-сСТк-c - тепловая постоянная времени корпус-среда электронного модуля; Pi - мощность рассеиваемая i-м ППИ, причем Р210.

Заметим, что мощность, выделяющаяся в активных элементах электронного модуля, определяется в общем случае как разность между мощностью, потребляемой от источника питания, и мощностью, выделяющейся в нагрузке.

Практически во всех электронных модулях (и мощных полупроводниковых приборах) в корпусном исполнении выполняется условие , и ключевой задачей контроля тепловых свойств электронных модулей является определение теплового сопротивления переход-корпус и тепловой постоянной времени переход-корпус кристаллов ППИ в их составе.

В электронных модулях с возможностью независимого доступа и задания электрического режима каждого ППИ по отдельности для измерения тепловых сопротивлений переход-корпус ППИ можно использовать (в зависимости от класса ППИ) один из способов, установленных ОСТ 11 0944-96 Микросхемы интегральные и приборы полупроводниковые. Методы расчета, измерения и контроля теплового сопротивления. - М.: ГНПП «Пульсар», 1997.

Известен способ измерения тепловых сопротивлений переход-корпус кристаллов ППИ в составе электронных модулей (см. Laurent Dupont, Yvan Avenas, and Pierre-Olivier Jeannin Comparison of Junction Temperature Evaluations in a Power IGBT Module Using an IR Camera and Three Thermosensitive Electrical Parameters /IEEE Transaction on Industrial Applications. - 2013. - Vol. 49, №4. - 1599-1608), состоящий в измерении тока, потребляемого каждым ППИ в отдельности при заданном напряжении питания ППИ, вычислении электрической мощности Pi, рассеиваемой каждым ППИ в отдельности, в измерении температуры корпуса ТК с помощью термодатчика, размещенного в определенной точке корпуса, в измерении температуры и активной области (поверхности кристаллов) ППИ в состоянии теплового равновесия либо по изменению электрического температурочувствительного параметра, либо по тепловому излучению кристаллов и в определении тепловых сопротивлений переход-корпус ППИ по формуле

где i - номер ППИ.

Недостатками известного способа является большое время измерения и невозможность измерения тепловой постоянной времени переход-корпус и теплового сопротивления переход-корпус кристаллов гальванически связанных ППИ в составе электронного модуля.

Известен способ измерения теплового сопротивления переход-корпус СВЧ-диодов (см. ГОСТ 19656.15-84 Диоды полупроводниковые СВЧ. Методы измерения теплового сопротивления переход-корпус и импульсного теплового сопротивления), заключающийся в определении приращения температуры перехода диода в результате рассеивания в диоде заданной импульсной СВЧ-мощности. При реализации способа для заданного типа диодов или конкретного диода определяют температурный коэффициент прямого напряжения (ТКН) при заданном прямом токе, устанавливают диод в диодную камеру, задают через диод прямой ток, подают на диод импульсы СВЧ-мощности длительностью τи=(3-5)τТ с периодом следования, удовлетворяющим условию Т-τи≥3τТ, где τТ - время тепловой релаксации СВЧ-диода, проводят согласование диода, измеряют изменение прямого падения напряжения ΔUпр на диоде за время действия импульса СВЧ-мощности, и тепловое сопротивление RТп-к определяют по формуле

где Рг - импульсная мощность генератора СВЧ-мощности; КР - коэффициент потерь в диодной камере, определенный известным методом.

Недостатками указанного способа являются большая относительная погрешность (до 25%) измерения, обусловленная погрешностями измерения импульсного напряжения и коэффициента потерь, а также невозможность измерять тепловые сопротивления переход-корпус и тепловые постоянные времени переход-корпус гальванически связанных (например, параллельно соединенных) СВЧ-диодов.

Технический результат состоит в снижении погрешности и в обеспечении возможности измерения тепловых параметров кристаллов гальванически связанных полупроводниковых изделий в составе электронного модуля при невозможности раздельного измерения мощности, потребляемой каждым полупроводниковым изделием в отдельности, и, как следствие, в повышении достоверности контроля качества сборки электронных модулей.

Технический результат достигается тем, что на электронный модуль с двумя активными элементами в виде бескорпусных полупроводниковых изделий, находящийся при начальной температуре T0, в момент времени t01 подают импульс греющей мощности заданного уровня Р01 длительностью , где - примерное значение тепловой постоянной времени переход-корпус кристаллов полупроводниковых изделий, измеряют приращения температуры ΔT11(t1) и ΔT21(t1) активной области (поверхности) кристаллов полупроводниковых изделий через интервал времени после подачи импульса греющей мощности и приращения ΔT11(tИ1) и ΔT21(tИ1) - в момент окончания импульса греющей мощности в течение времени tохлТк-с электронный модуль оставляют в выключенном состоянии с целью его охлаждения до начальной температуры, затем в момент времени t02 на него подают импульс греющей мощности уровня Р02 длительностью и измеряют приращение температуры ΔT12(t1) и ΔT22(t1) активной области (поверхности) кристаллов полупроводниковых изделий в момент окончания импульса греющей мощности то есть через тот же интервал времени t1, после подачи импульса греющей мощности, по результатам измерений рассчитывают тепловые сопротивления переход-корпус кристаллов полупроводниковых изделий по формулам где и точные значения тепловых постоянных времени переход-корпус кристаллов полупроводниковых изделий - по формулам

Суть изобретения поясним следующим анализом и эпюрами сигналов, приведенными на фиг. 2. Если измерить приращение температуры ППИ через интервалы времени t1 и tИ1 удовлетворяющие условиям и , то, считая изменение температуры корпуса ΔТк(tИ1) за время tИ1 пренебрежимо малым, можно составить систему уравнений:

Если после охлаждения электронного модуля до исходной температуры на него подать на электронный модуль импульс мощности уровня Р02 длительностью и измерить приращение температуры ППИ в момент окончания импульса, то получим еще два уравнения:

Разделив (3а) на (4а) и (3б) на (4б), получим систему уравнения для нахождения Р11 и Р12:

Откуда где

Значения тепловых сопротивлений переход-корпус ППИ находятся из уравнений (3б) и (3г)

Разделив уравнение (3а) на (3б) и (4а) на (4б) соответственно, получим систему уравнений для нахождения значений тепловых постоянных времени переход корпус τТп-к1 и τТп-к2:

решение которой и дает искомые выражения:

В отличие от известного способа в предлагаемом способе не требуется измерять мощность, потребляемую каждым полупроводниковым изделием в отдельности, задается только полная мощность, потребляемая электронным модулем от источника питания. Для реализации способа необходима возможность изменения полной рассеиваемой электронным модулем мощности. Это практически всегда возможно в определенном диапазоне путем, например, изменения напряжения питания модуля либо путем изменения параметров модуляции импульсной мощности.

Погрешность измерения обусловлена принятыми допущениями, что изменением температуры корпуса, которое не учитывается при расчете тепловых параметров, можно пренебречь. В реальных электронных модулях тепловая постоянная времени корпус-среда в 30-50 раз больше тепловой постоянной времени переход-корпус (см. например, описание изобретения к патенту №2240573 РФ) и погрешность, обусловленная изменением температуры корпуса, не превышает 7-10%. Заметим, что в предлагаемом способе при выборе интервалов времени t1 и tИ1 необходимо выполнять примерные соотношения , а выполнения точных соотношений не требуется. При этом примерное значение можно оценить либо путем предварительного эксперимента или расчетным путем.

Универсальным для всех вариантов электронных модулей является измерение температуры кристаллов ППИ в предлагаемом способе с помощью инфракрасной камеры или ИК-радиометра. Заметим, что в этом случае не требуется знать точное значение коэффициента излучательной способности поверхности кристаллов ППИ, поскольку все искомые параметры определяются только отношениями приращений температур, и коэффициенты излучательной способности будут сокращаться.

В тех случаях, когда возможно подключение к выводам активных элементов модуля, температуру ППИ можно измерять по изменению какого-либо температурочувствительного параметра.

Способ измерения тепловых сопротивлений переход-корпус и тепловых постоянных времени переход-корпус кристаллов полупроводниковых изделий в составе электронного модуля, заключающийся в измерении приращения температуры перехода (поверхности) кристалла полупроводникового изделия за время действия импульса греющей мощности заданного уровня и длительности, отличающийся тем, что на электронный модуль с двумя активными элементами T, в момент времени t подают импульс греющей мощности заданного уровня Р длительностью t≈(3÷5)τ, где τ - примерное значение тепловой постоянной времени переход-корпус кристаллов полупроводниковых изделий, измеряют приращения температуры ΔT(t) и ΔT(t) активной области (поверхности) кристаллов полупроводниковых изделий через интервал времени t≈τ после подачи импульса греющей мощности и приращения ΔT(t) и ΔT(t), в момент окончания импульса греющей мощности в течение времени t~τ электронный модуль оставляют в выключенном состоянии с целью его охлаждения до начальной температуры, затем в момент времени t на него подают импульс греющей мощности уровня P длительностью t=t≈τ и измеряют приращение температуры ΔT(t) и ΔT(t) активной области (поверхности) кристаллов полупроводниковых изделий в момент окончания импульса греющей мощности, то есть через тот же интервал времени t после подачи импульса греющей мощности, по результатам измерений рассчитывают тепловые сопротивления переход-корпус кристаллов полупроводниковых изделий по формулам где и точные значения тепловых постоянных времени переход-корпус кристаллов полупроводниковых изделий - по формулам
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕПЛОВЫХ СОПРОТИВЛЕНИЙ ПЕРЕХОД-КОРПУС И ТЕПЛОВЫХ ПОСТОЯННЫХ ВРЕМЕНИ ПЕРЕХОД-КОРПУС КРИСТАЛЛОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИЗДЕЛИЙ В СОСТАВЕ ЭЛЕКТРОННОГО МОДУЛЯ
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕПЛОВЫХ СОПРОТИВЛЕНИЙ ПЕРЕХОД-КОРПУС И ТЕПЛОВЫХ ПОСТОЯННЫХ ВРЕМЕНИ ПЕРЕХОД-КОРПУС КРИСТАЛЛОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИЗДЕЛИЙ В СОСТАВЕ ЭЛЕКТРОННОГО МОДУЛЯ
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕПЛОВЫХ СОПРОТИВЛЕНИЙ ПЕРЕХОД-КОРПУС И ТЕПЛОВЫХ ПОСТОЯННЫХ ВРЕМЕНИ ПЕРЕХОД-КОРПУС КРИСТАЛЛОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИЗДЕЛИЙ В СОСТАВЕ ЭЛЕКТРОННОГО МОДУЛЯ
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕПЛОВЫХ СОПРОТИВЛЕНИЙ ПЕРЕХОД-КОРПУС И ТЕПЛОВЫХ ПОСТОЯННЫХ ВРЕМЕНИ ПЕРЕХОД-КОРПУС КРИСТАЛЛОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИЗДЕЛИЙ В СОСТАВЕ ЭЛЕКТРОННОГО МОДУЛЯ
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕПЛОВЫХ СОПРОТИВЛЕНИЙ ПЕРЕХОД-КОРПУС И ТЕПЛОВЫХ ПОСТОЯННЫХ ВРЕМЕНИ ПЕРЕХОД-КОРПУС КРИСТАЛЛОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИЗДЕЛИЙ В СОСТАВЕ ЭЛЕКТРОННОГО МОДУЛЯ
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕПЛОВЫХ СОПРОТИВЛЕНИЙ ПЕРЕХОД-КОРПУС И ТЕПЛОВЫХ ПОСТОЯННЫХ ВРЕМЕНИ ПЕРЕХОД-КОРПУС КРИСТАЛЛОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИЗДЕЛИЙ В СОСТАВЕ ЭЛЕКТРОННОГО МОДУЛЯ
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕПЛОВЫХ СОПРОТИВЛЕНИЙ ПЕРЕХОД-КОРПУС И ТЕПЛОВЫХ ПОСТОЯННЫХ ВРЕМЕНИ ПЕРЕХОД-КОРПУС КРИСТАЛЛОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИЗДЕЛИЙ В СОСТАВЕ ЭЛЕКТРОННОГО МОДУЛЯ
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕПЛОВЫХ СОПРОТИВЛЕНИЙ ПЕРЕХОД-КОРПУС И ТЕПЛОВЫХ ПОСТОЯННЫХ ВРЕМЕНИ ПЕРЕХОД-КОРПУС КРИСТАЛЛОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИЗДЕЛИЙ В СОСТАВЕ ЭЛЕКТРОННОГО МОДУЛЯ
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕПЛОВЫХ СОПРОТИВЛЕНИЙ ПЕРЕХОД-КОРПУС И ТЕПЛОВЫХ ПОСТОЯННЫХ ВРЕМЕНИ ПЕРЕХОД-КОРПУС КРИСТАЛЛОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИЗДЕЛИЙ В СОСТАВЕ ЭЛЕКТРОННОГО МОДУЛЯ
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕПЛОВЫХ СОПРОТИВЛЕНИЙ ПЕРЕХОД-КОРПУС И ТЕПЛОВЫХ ПОСТОЯННЫХ ВРЕМЕНИ ПЕРЕХОД-КОРПУС КРИСТАЛЛОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИЗДЕЛИЙ В СОСТАВЕ ЭЛЕКТРОННОГО МОДУЛЯ
Источник поступления информации: Роспатент

Showing 1-10 of 216 items.
25.08.2017
№217.015.cbd0

Способ получения многослойного покрытия для режущего инструмента

Изобретение относится к способу нанесения износостойкого покрытия на режущий инструмент и может быть использовано в металлообработке. Проводят вакуумно-плазменное нанесение многослойного покрытия. Сначала наносят нижний слой из нитрида циркония. Затем наносят верхний слой из нитрида соединения...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002620529
Дата охранного документа: 26.05.2017
25.08.2017
№217.015.cbf7

Способ получения многослойного покрытия для режущего инструмента

Изобретение относится к способам нанесения износостойких покрытий на режущий инструмент и может быть использовано в металлообработке. Проводят вакуумно-плазменное нанесение многослойного покрытия. Сначала наносят нижний слой из нитрида титана. Затем наносят верхний слой из нитрида соединения...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002620528
Дата охранного документа: 26.05.2017
25.08.2017
№217.015.cbf9

Способ получения многослойного покрытия для режущего инструмента

Изобретение относится к способам нанесения износостойких покрытий на режущий инструмент и может быть использовано в металлообработке. Проводят вакуумно-плазменное нанесение многослойного покрытия. Сначала наносят нижний слой из нитрида хрома. Затем наносят верхний слой из нитрида соединения...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002620532
Дата охранного документа: 26.05.2017
25.08.2017
№217.015.cc62

Способ получения многослойного покрытия для режущего инструмента

Изобретение относится к способам нанесения износостойких покрытий на режущий инструмент и может быть использовано в металлообработке. Проводят вакуумно-плазменное нанесение многослойного покрытия, при котором сначала наносят нижний слой из нитрида хрома, затем наносят верхний слой из нитрида...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002620531
Дата охранного документа: 26.05.2017
25.08.2017
№217.015.cc8e

Способ получения многослойного покрытия для режущего инструмента

Изобретение относится к способам нанесения износостойких покрытий на режущий инструмент и может быть использовано в металлообработке. Проводят вакуумно-плазменное нанесение многослойного покрытия. Сначала наносят нижний слой из нитрида ниобия. Затем наносят верхний слой из нитрида соединения...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002620530
Дата охранного документа: 26.05.2017
25.08.2017
№217.015.cca6

Способ получения многослойного покрытия для режущего инструмента

Изобретение относится к области металлургии, а именно к способам нанесения износостойких покрытий на режущий инструмент, и может быть использовано в металлообработке. Проводят вакуумно-плазменное нанесение многослойного покрытия. Сначала наносят нижний слой из нитрида титана. Затем наносят...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002620527
Дата охранного документа: 26.05.2017
26.08.2017
№217.015.d7c6

Способ получения многослойного покрытия для режущего инструмента

Изобретение относится к области металлургии, а именно к способам нанесения износостойких покрытий на режущий инструмент, и может быть использовано в металлообработке. Проводят вакуумно-плазменное нанесение многослойного покрытия. Наносят нижний слой из нитрида циркония. Затем наносят верхний...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002622533
Дата охранного документа: 16.06.2017
26.08.2017
№217.015.d7d2

Способ получения многослойного покрытия для режущего инструмента

Изобретение относится к способам нанесения износостойких покрытий на режущий инструмент и может быть использовано в металлообработке. Проводят вакуумно-плазменное нанесение многослойного покрытия. Сначала наносят нижний слой из нитрида циркония. Затем наносят верхний слой из нитрида соединения...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002622531
Дата охранного документа: 16.06.2017
26.08.2017
№217.015.d7d6

Способ получения многослойного покрытия для режущего инструмента

Изобретение относится к способу нанесения износостойкого покрытия на режущий инструмент и может быть использовано в металлообработке. Проводят вакуумно-плазменное нанесение многослойного покрытия. Сначала наносят нижний слой из нитрида циркония. Затем наносят верхний слой из нитрида соединения...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002622537
Дата охранного документа: 16.06.2017
26.08.2017
№217.015.d7ee

Способ получения многослойного покрытия для режущего инструмента

Изобретение относится к области металлургии, а именно к способам нанесения износостойких покрытий на режущий инструмент, и может быть использовано в металлообработке. Проводят вакуумно-плазменное нанесение многослойного покрытия. Сначала наносят нижний слой из нитрида ниобия. Затем наносят...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002622543
Дата охранного документа: 16.06.2017
Showing 1-10 of 28 items.
20.09.2013
№216.012.6a98

Ультрафиолетовый светодиодный облучатель

Изобретение предназначено для отверждения ультрафиолетовым излучением полимерных материалов и может быть использовано, в частности, при изготовлении изделий цилиндрической формы и при ремонте поврежденных участков трубопроводов. Изобретение обеспечивает отверждение цилиндрических изделий из...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002492939
Дата охранного документа: 20.09.2013
27.11.2014
№216.013.0b11

Устройство для отверждения изделий из полимерных материалов ультрафиолетовым излучением

Устройство относится к установкам для отверждения полимерных материалов на основе полиэфирных смол ультрафиолетовым излучением и может быть использовано при изготовлении изделий со сложной поверхностью. Устройство для отверждения изделий из полимерных материалов ультрафиолетовым излучением...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534241
Дата охранного документа: 27.11.2014
10.01.2015
№216.013.17cb

Способ определения напряжения локализации тока в мощных вч и свч биполярных транзисторах

Изобретение относится к технике измерения предельных параметров мощных биполярных транзисторов и может использоваться на входном и выходном контроле их качества. Способ основан на использовании известного эффекта резкого изменения крутизны зависимости напряжения на эмиттерном переходе при...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002537519
Дата охранного документа: 10.01.2015
27.03.2015
№216.013.3526

Способ измерения дифференциального сопротивления нелинейного двухполюсника с температурозависимой вольтамперной характеристикой

Изобретение относится к технике измерения электрических параметров нелинейных элементов цепей с температурозависимой вольт-амперной характеристикой, в частности полупроводниковых приборов, и может быть использовано на выходном и входном контроле их качества. Подают на контролируемый...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002545090
Дата охранного документа: 27.03.2015
27.03.2015
№216.013.3636

Рециркуляционный способ измерения времени задержки распространения сигнала цифровых интегральных микросхем

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения времени задержки распространения сигнала цифровых интегральных микросхем. Формируют стартовый и стоповый импульсы заданной длительности и с заданной длительностью интервала между ними, превышающей длительность...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002545362
Дата охранного документа: 27.03.2015
20.04.2015
№216.013.4413

Способ измерения последовательного сопротивления базы полупроводникового диода

Изобретение относится к технике измерения электрофизических параметров полупроводниковых диодов и может быть использовано на выходном и входном контроле их качества. Технический результат - повышение точности измерения последовательного сопротивления базы диода путем исключения саморазогрева...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002548925
Дата охранного документа: 20.04.2015
10.07.2015
№216.013.60c5

Способ измерения теплового импеданса светодиодов

Изобретение относится к технике измерения теплофизических параметров полупроводниковых изделий и может быть использовано на выходном и входном контроле качества изготовления светодиодов. Способ состоит в том, что через светодиод пропускают последовательность импульсов греющего тока постоянной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002556315
Дата охранного документа: 10.07.2015
27.08.2015
№216.013.7441

Способ измерения параметров элементов многоэлементных нерезонансных линейных двухполюсников

Изобретение относится к технике измерения параметров элементов электрических цепей и может быть использовано для измерения параметров элементов многоэлементных двухполюсников, в том числе параметров элементов эквивалентных схем замещения полупроводниковых приборов. На контролируемый...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002561336
Дата охранного документа: 27.08.2015
27.08.2015
№216.013.7442

Способ измерения теплового сопротивления кмоп цифровых интегральных микросхем

Использование: для контроля качества цифровых интегральных микросхем КМОП логическими элементами и оценки их температурных запасов. Сущность изобретения заключается в том, что способ включает подачу напряжения на контролируемую микросхему, переключение логического состояния греющего...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002561337
Дата охранного документа: 27.08.2015
20.10.2015
№216.013.85d0

Способ измерения теплового сопротивления компонентов наноэлектроники с использованием широтно-импульсной модуляции греющей мощности

Изобретение относится к технике измерения теплофизических параметров компонентов наноэлектроники, таких как нанотранзисторы, нанорезисторы и др.. Сущность: способ заключается в пропускании через объект измерения последовательности импульсов греющего тока с постоянным периодом следования и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002565859
Дата охранного документа: 20.10.2015
+ добавить свой РИД