×
28.03.2020
220.018.1131

Результат интеллектуальной деятельности: Способ выращивания кристалла из раствора при постоянной температуре

Вид РИД

Изобретение

№ охранного документа
0002717799
Дата охранного документа
25.03.2020
Аннотация: Изобретение относится к области выращивания искусственных кристаллов из растворов. В способе выращивания кристалла из раствора при постоянной температуре, включающем отвод и последующее возвращение раствора в кристаллизатор, общий объем раствора в кристаллизаторе делят на две сообщающиеся между собой части, в первой из которых поддерживают постоянный уровень и концентрацию раствора, а во второй меняют уровень раствора путем подачи газа под давлением, вытесняя объем раствора из второй части в первую. Для поддержания постоянного уровня в первой части из нее отводят в сборник конденсата, размещенный вне кристаллизатора, объем раствора, который равен объему раствора, вытесненного из второй части. Подачу газа во вторую часть производят вручную или автоматически. В качестве газа возможно применение воздуха. Технический результат – повышение качества кристалла при одновременном упрощении процесса. 3 з.п. ф-лы, 1 ил.

Способ относятся к области техники связанной с получением искусственных кристаллов из растворов.

Известен способ выращивания кристаллов из раствора, в котором осуществляют отвод раствора из кристаллизатора с последующим его возвращением в кристаллизатор (RU 185230 U1, 27.11.2018).

Недостатком способа является то, что при выращивании кристалла происходит значительное снижение уровня раствора и его концентрации, что отрицательно сказывается на качестве кристалла.

Технической задачей изобретения является обеспечение поддержания постоянной концентрации и уровня раствора в кристаллизаторе.

Техническим результатом является повышение качества кристалла при одновременном упрощении процесса выращивания.

Указанный результат достигается в результате того, что в способе выращивания кристалла из раствора при постоянной температуре, включающим отвод и последующее возвращение раствора в кристаллизатор, общий объем раствора в кристаллизаторе делят на две сообщающиеся между собой части, в первой из которых поддерживают постоянный уровень и концентрацию раствора, а во второй меняют уровень раствора путем подачи газа под давлением, вытесняя объем раствора из второй части в первую. При этом для поддержания постоянного уровня в первой части из нее отводят в сборник конденсата, размещенный вне кристаллизатора, объем раствора, который равен объему раствора, вытесненного из второй части. Подачу газа, например, воздуха во вторую часть производят вручную или автоматически.

На фигуре представлена схема устройства для реализации предлагаемого способа.

Устройство содержит кристаллизационный стакан 1, заполненный маточным раствором. На стакане 1 герметично установлена крышка 2. в которой выполнено отверстие большого диаметра для прохода паров растворителя (показаны стрелками), как правило воды, испаряющихся с поверхности маточного раствора. Сверху к крышке прикреплен конденсатор 3. В крышке 2 выполнена кольцевая канавка 4, в полости которой собираются стекающие по стенкам конденсатора 3 капли растворителя. Внутри кристаллизационного стакана 1 размещен кристаллоносец 5, приводимый во вращение электродвигателем (не показан) посредством оси 6. Нижняя секция 7 кристаллоносца 5 выполнена в форме перевернутого стакана и снабжена лопастями 8 для перемешивания маточного раствора. Наличие секции 7 приводит к разделению общего объема раствора в кристаллизаторе на две части - первую, которая заполняет объем кристаллизатора за исключение объема внутри секции 7, и вторую, которая составляет объем секции 7. Внутри секции 7 размещена трубка 9, подключенная через клапан 10 к источнику сжатого газа (не показан). Для контроля за уровнем раствора в кристаллизационном стакане 1 применен датчик 11. Полость канавки 4 через трубку 12 подключена к насосу 13, в качестве которого может применяться перистальтический насос. Насос 13 обеспечивает подачу жидкости из полости канавки 4 в сборник 14 конденсата. Выращиваемый кристалл, размещенный на кристаллоносце 5, обозначен позицией 15.

Способ реализуют следующим образом.

После сборки кристаллизатора его полость заполняют насыщенным маточным раствором. При этом весь объем внутри полости секции 7 заполнен раствором. Приводят во вращение кристаллоносец, обеспечивая перемешивание раствора внутри полости секции 7 посредством лопастей 8. Начинается рост кристалла 15, в результате чего концентрация и уровень раствора в кристаллизаторе начинают уменьшаться. Для предотвращения изменения концентрации и уровня от источника газа под давлением через клапан 10 по трубке 9 в полость секции 7 подают сжатый газ. Последний вытесняет раствор из полости секции 7, что обеспечивает поддержание уровня раствора в кристаллизаторе при уменьшении объема раствора внутри секции 7.

Одновременно идет процесс конденсации растворителя на стенке конденсатора. Капли конденсата стекают по стенке конденсатора в полость канавки 4 в крышке 2. Из полости канавки 4 жидкий растворитель по трубке 12 поступает в насос 13, например, перистальтический в сборник 14. Таким образом поддерживается равенство объема, вытесненного из полости в секции 7 путем подачи сжатого газа, и объема, который отводят из полости канавки 4. В результате этого уровень раствора и его концентрация в кристаллизаторе сохраняются постоянными.

Поддержание равенства названных объемов обеспечивают автоматической (по сигналу от датчика уровня 11) или ручной регулировкой функционирования клапана 12 и насоса 13. Достигаемое постоянство концентрации пресыщенного раствора в кристаллизаторе позволяет обеспечить высокое качество кристалла 15.

В результате поддержания постоянного уровня раствора в кристаллизаторе достаточно просто рассчитать сколько надо отбирать растворителя, чтобы кристалл рос с необходимой скоростью. Также преимуществом способа является возможность его реализации практически при использовании любого кристаллизатора. При этом нет необходимости в специальном устройстве для подпитки кристаллизатора раствором извне.

Проведенные эксперименты по выращиванию кристаллов подтвердили технологическую целесообразность его использование в промышленности.


Способ выращивания кристалла из раствора при постоянной температуре
Источник поступления информации: Роспатент

Showing 31-39 of 39 items.
14.05.2023
№223.018.5491

Способ формирования 3d микроструктур в оптических материалах

Изобретение относится к способу формирования 3D микроструктур в оптически прозрачном материале и может быть использовано, например, для изготовления элементов микрооптики, волоконной и интегральной оптики, фотоники, плазмоники, сенсорики и микрофлюидики. Осуществляют воздействие импульсного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002729253
Дата охранного документа: 05.08.2020
14.05.2023
№223.018.54a6

Устройство для измерения термо-эдс тонких пленок

Изобретение относится к измерительной технике и предназначено для измерения термо-ЭДС в тонких пленках металлических, полупроводниковых термоэлектрических материалов. Сущность: устройство для измерения термо-ЭДС тонких пленок длиной L и шириной S, содержит термопары и средства для замера ЭДС....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002737341
Дата охранного документа: 27.11.2020
15.05.2023
№223.018.5a31

Устройство для термической обработки металлических, полупроводниковых подложек и аморфных плёнок

Изобретение относится к технологии термической обработки металлических, полупроводниковых подложек и аморфных пленок. Устройство содержит корпус с размещенной внутри него теплоизоляцией, подложкодержатель и нагреватель, нагреватель содержит два дистанционно расположенных кварцевых кольца,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002761867
Дата охранного документа: 13.12.2021
15.05.2023
№223.018.5a51

Способ многократного использования раствора-расплава при синтезе febo

Изобретение относится к области получения высокосовершенных монокристаллов FeBO. Способ многократного использования раствора-расплава при синтезе FeBO заключается в том, что после синтеза FeBO раствор-расплав сливают, среди синтезированных кристаллов отбирают высокосовершенные монокристаллы...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002769681
Дата охранного документа: 05.04.2022
15.05.2023
№223.018.5a52

Способ многократного использования раствора-расплава при синтезе febo

Изобретение относится к области получения высокосовершенных монокристаллов FeBO. Способ многократного использования раствора-расплава при синтезе FeBO заключается в том, что после синтеза FeBO раствор-расплав сливают, среди синтезированных кристаллов отбирают высокосовершенные монокристаллы...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002769681
Дата охранного документа: 05.04.2022
16.05.2023
№223.018.5f4b

Устройство для выращивания кристаллов из раствора при постоянной температуре

Изобретение относится к области кристаллографии, а более конкретно к устройствам для выращивания кристаллов из растворов, например к технике скоростного выращивания кристаллов группы КДР (KHPO), в том числе, в промышленных масштабах. Устройство для выращивания кристаллов из раствора при...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002745770
Дата охранного документа: 31.03.2021
16.05.2023
№223.018.628d

Способ азотирования покрытий из оксида титана на твердой подложке

Изобретение относится к области термохимической обработки материалов, находящихся в твердой фазе, в частности, к азотированию покрытий титана на твердой подложке. Способ азотирования покрытий из титана на твердой подложке включает воздействие на открытом воздухе на покрытие без его...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002785576
Дата охранного документа: 08.12.2022
16.05.2023
№223.018.6330

Способ травления поверхности сапфировых пластин

Изобретение относится к области радиационно-химической обработки кристаллических материалов. Способ травления поверхности сапфировых пластин включает обработку электронным пучком, предварительно на поверхность сапфира наносят слой золота толщиной 100÷120 нм, отжигают полученный композит на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002771457
Дата охранного документа: 04.05.2022
16.05.2023
№223.018.6382

Способ азотирования покрытий из оксида титана на твердой подложке

Изобретение относится к способу азотирования покрытий титана на твердой подложке. Способ включает воздействие на покрытие низкотемпературной плазмой азота атмосферного давления на открытом воздухе без его предварительного прогрева со среднемассовой температурой в диапазоне от 3727°С до 4727°С в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002775988
Дата охранного документа: 12.07.2022
Showing 1-3 of 3 items.
20.10.2014
№216.012.ff32

Способ выращивания кристаллов из раствора и устройство для осуществления

Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов, предназначенных для использования в оптико-электронных устройствах. Способ выращивания кристаллов из пересыщенного раствора включает испарение растворителя с поверхности пересыщенного раствора, находящегося внутри кристаллизационного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002531186
Дата охранного документа: 20.10.2014
09.05.2019
№219.017.4eec

Устройство для выращивания кристаллов биологических макромолекул

Изобретение относится к кристаллографии, а более конкретно - к устройству для выращивания кристаллов биологических макромолекул, например кристаллов белка. В настоящее время весьма перспективным направлением в области выращивания кристаллов биологических макромолекул является кристаллизация...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002424383
Дата охранного документа: 20.07.2011
16.05.2023
№223.018.5f4b

Устройство для выращивания кристаллов из раствора при постоянной температуре

Изобретение относится к области кристаллографии, а более конкретно к устройствам для выращивания кристаллов из растворов, например к технике скоростного выращивания кристаллов группы КДР (KHPO), в том числе, в промышленных масштабах. Устройство для выращивания кристаллов из раствора при...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002745770
Дата охранного документа: 31.03.2021
+ добавить свой РИД