×
28.03.2020
220.018.1131

Результат интеллектуальной деятельности: Способ выращивания кристалла из раствора при постоянной температуре

Вид РИД

Изобретение

№ охранного документа
0002717799
Дата охранного документа
25.03.2020
Аннотация: Изобретение относится к области выращивания искусственных кристаллов из растворов. В способе выращивания кристалла из раствора при постоянной температуре, включающем отвод и последующее возвращение раствора в кристаллизатор, общий объем раствора в кристаллизаторе делят на две сообщающиеся между собой части, в первой из которых поддерживают постоянный уровень и концентрацию раствора, а во второй меняют уровень раствора путем подачи газа под давлением, вытесняя объем раствора из второй части в первую. Для поддержания постоянного уровня в первой части из нее отводят в сборник конденсата, размещенный вне кристаллизатора, объем раствора, который равен объему раствора, вытесненного из второй части. Подачу газа во вторую часть производят вручную или автоматически. В качестве газа возможно применение воздуха. Технический результат – повышение качества кристалла при одновременном упрощении процесса. 3 з.п. ф-лы, 1 ил.

Способ относятся к области техники связанной с получением искусственных кристаллов из растворов.

Известен способ выращивания кристаллов из раствора, в котором осуществляют отвод раствора из кристаллизатора с последующим его возвращением в кристаллизатор (RU 185230 U1, 27.11.2018).

Недостатком способа является то, что при выращивании кристалла происходит значительное снижение уровня раствора и его концентрации, что отрицательно сказывается на качестве кристалла.

Технической задачей изобретения является обеспечение поддержания постоянной концентрации и уровня раствора в кристаллизаторе.

Техническим результатом является повышение качества кристалла при одновременном упрощении процесса выращивания.

Указанный результат достигается в результате того, что в способе выращивания кристалла из раствора при постоянной температуре, включающим отвод и последующее возвращение раствора в кристаллизатор, общий объем раствора в кристаллизаторе делят на две сообщающиеся между собой части, в первой из которых поддерживают постоянный уровень и концентрацию раствора, а во второй меняют уровень раствора путем подачи газа под давлением, вытесняя объем раствора из второй части в первую. При этом для поддержания постоянного уровня в первой части из нее отводят в сборник конденсата, размещенный вне кристаллизатора, объем раствора, который равен объему раствора, вытесненного из второй части. Подачу газа, например, воздуха во вторую часть производят вручную или автоматически.

На фигуре представлена схема устройства для реализации предлагаемого способа.

Устройство содержит кристаллизационный стакан 1, заполненный маточным раствором. На стакане 1 герметично установлена крышка 2. в которой выполнено отверстие большого диаметра для прохода паров растворителя (показаны стрелками), как правило воды, испаряющихся с поверхности маточного раствора. Сверху к крышке прикреплен конденсатор 3. В крышке 2 выполнена кольцевая канавка 4, в полости которой собираются стекающие по стенкам конденсатора 3 капли растворителя. Внутри кристаллизационного стакана 1 размещен кристаллоносец 5, приводимый во вращение электродвигателем (не показан) посредством оси 6. Нижняя секция 7 кристаллоносца 5 выполнена в форме перевернутого стакана и снабжена лопастями 8 для перемешивания маточного раствора. Наличие секции 7 приводит к разделению общего объема раствора в кристаллизаторе на две части - первую, которая заполняет объем кристаллизатора за исключение объема внутри секции 7, и вторую, которая составляет объем секции 7. Внутри секции 7 размещена трубка 9, подключенная через клапан 10 к источнику сжатого газа (не показан). Для контроля за уровнем раствора в кристаллизационном стакане 1 применен датчик 11. Полость канавки 4 через трубку 12 подключена к насосу 13, в качестве которого может применяться перистальтический насос. Насос 13 обеспечивает подачу жидкости из полости канавки 4 в сборник 14 конденсата. Выращиваемый кристалл, размещенный на кристаллоносце 5, обозначен позицией 15.

Способ реализуют следующим образом.

После сборки кристаллизатора его полость заполняют насыщенным маточным раствором. При этом весь объем внутри полости секции 7 заполнен раствором. Приводят во вращение кристаллоносец, обеспечивая перемешивание раствора внутри полости секции 7 посредством лопастей 8. Начинается рост кристалла 15, в результате чего концентрация и уровень раствора в кристаллизаторе начинают уменьшаться. Для предотвращения изменения концентрации и уровня от источника газа под давлением через клапан 10 по трубке 9 в полость секции 7 подают сжатый газ. Последний вытесняет раствор из полости секции 7, что обеспечивает поддержание уровня раствора в кристаллизаторе при уменьшении объема раствора внутри секции 7.

Одновременно идет процесс конденсации растворителя на стенке конденсатора. Капли конденсата стекают по стенке конденсатора в полость канавки 4 в крышке 2. Из полости канавки 4 жидкий растворитель по трубке 12 поступает в насос 13, например, перистальтический в сборник 14. Таким образом поддерживается равенство объема, вытесненного из полости в секции 7 путем подачи сжатого газа, и объема, который отводят из полости канавки 4. В результате этого уровень раствора и его концентрация в кристаллизаторе сохраняются постоянными.

Поддержание равенства названных объемов обеспечивают автоматической (по сигналу от датчика уровня 11) или ручной регулировкой функционирования клапана 12 и насоса 13. Достигаемое постоянство концентрации пресыщенного раствора в кристаллизаторе позволяет обеспечить высокое качество кристалла 15.

В результате поддержания постоянного уровня раствора в кристаллизаторе достаточно просто рассчитать сколько надо отбирать растворителя, чтобы кристалл рос с необходимой скоростью. Также преимуществом способа является возможность его реализации практически при использовании любого кристаллизатора. При этом нет необходимости в специальном устройстве для подпитки кристаллизатора раствором извне.

Проведенные эксперименты по выращиванию кристаллов подтвердили технологическую целесообразность его использование в промышленности.


Способ выращивания кристалла из раствора при постоянной температуре
Источник поступления информации: Роспатент

Showing 21-30 of 39 items.
07.06.2019
№219.017.750e

Беспроводное устройство для измерения температуры

Изобретение относится к области кристаллографии, а более конкретно к беспроводным устройствам для контроля температуры в вакуумных ростовых камерах, а также при отжиге кристаллов, выращенных из расплава. Беспроводное устройство для измерения температуры, содержащее термодатчик, блок питания и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002690719
Дата охранного документа: 05.06.2019
02.09.2019
№219.017.c5ef

Устройство для выращивания кристаллов вертикальным методом бриджмена

Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов полупроводников вертикальным методом Бриджмена. Устройство содержит корпус 1 с размещенной внутри него теплоизоляцией 2, два последовательно установленных нагревателя 3, 5 и тигель 6 с рабочей камерой, имеющий возможность осевого...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002698830
Дата охранного документа: 30.08.2019
04.10.2019
№219.017.d284

Кластер установок для выращивания кристаллов из раствора

Изобретение относится к области выращивания кристаллов. Предлагается кластер установок для выращивания кристаллов из раствора, содержащий несколько кристаллизационных установок 1, которые объединены в отдельные блоки по несколько установок, например по десять, которые образуют кластеры нижнего...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002701940
Дата охранного документа: 02.10.2019
17.10.2019
№219.017.d6c7

Фтор-проводящий композитный электролит и способ его получения

Изобретение относится к фтор-проводящим твердым электролитам (ФТЭЛ), которые используются в различных областях ионики твердого тела, электрохимии, сенсорных систем и низковольтной энергетики, а также к способу его получения. Фтор-проводящий композитный электролит получают кристаллизацией...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002702905
Дата охранного документа: 14.10.2019
18.10.2019
№219.017.d753

Композитный протонопроводящий материал и способ его получения

Изобретение может быть использовано при создании протонообменных мембран, применяемых в топливных элементах на основе водорода. Композитный протонопроводящий материал имеет состав xCs(HSO)(HPO)-(1-х)AlPO, где х=0,5-0,9. Способ получения композитного материала включает получение гидроксида...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002703246
Дата охранного документа: 15.10.2019
17.01.2020
№220.017.f622

Реактор высокого давления для регистрации спектров электронного парамагнитного резонанса

Изобретение относится к области спектроскопии, а именно к устройствам для регистрации спектров электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) в жидкостях и сверхкритических флюидах при высоком давлении. Реактор высокого давления для регистрации спектров электронного парамагнитного резонанса (ЭПР)...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002711218
Дата охранного документа: 15.01.2020
24.06.2020
№220.018.29cc

Способ получения наностержней никеля с регулируемым аспектным отношением

Изобретение относится к области металлургии, в частности к способам получения никелевых наностержней цилиндрической формы с заданным аспектным отношением. Способ включает изготовление трековой полимерной матрицы, имеющей сквозные каналы-поры, на одну из сторон которой наносят слой меди с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002724264
Дата охранного документа: 22.06.2020
22.07.2020
№220.018.3562

Способ лечения открытоугольной формы глаукомы, устройство для его осуществления и рабочий инструмент

Группа изобретений относится к офтальмологии. Способ лечения открытоугольной формы глаукомы путем обеспечения оттока водянистой влаги через склеру в проекции цилиарного тела посредством серии лазерных аппликаций по его периметру. В месте каждой конкретной аппликации с помощью рабочего...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002727036
Дата охранного документа: 17.07.2020
12.04.2023
№223.018.4310

Способ синхронизированной регистрации рентгеновского излучения и вторичного флуоресцентного излучения в монофотонном режиме при облучении образца рентгеновским излучением

Использование: для синхронизированной регистрации рентгеновского и вторичного флуоресцентного излучения в монофотонном режиме. Сущность изобретения заключается в том, что осуществляют облучение исследуемого образца рентгеновским излучением с последующей регистрацией флуоресцентного излучения от...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002793568
Дата охранного документа: 04.04.2023
20.04.2023
№223.018.4d95

Способ изготовления зонных пластин

Способ изготовления зонных пластин, в котором формируют блок из стеклянных пластин двух сортов, имеющих различную плотность и диэлектрическую проницаемость, но одинаковую площадь и объем, располагая пластины первого и второго сорта поочередно. С обеих сторон блока находятся пакеты пластин из...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002793078
Дата охранного документа: 28.03.2023
Showing 1-3 of 3 items.
20.10.2014
№216.012.ff32

Способ выращивания кристаллов из раствора и устройство для осуществления

Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов, предназначенных для использования в оптико-электронных устройствах. Способ выращивания кристаллов из пересыщенного раствора включает испарение растворителя с поверхности пересыщенного раствора, находящегося внутри кристаллизационного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002531186
Дата охранного документа: 20.10.2014
09.05.2019
№219.017.4eec

Устройство для выращивания кристаллов биологических макромолекул

Изобретение относится к кристаллографии, а более конкретно - к устройству для выращивания кристаллов биологических макромолекул, например кристаллов белка. В настоящее время весьма перспективным направлением в области выращивания кристаллов биологических макромолекул является кристаллизация...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002424383
Дата охранного документа: 20.07.2011
16.05.2023
№223.018.5f4b

Устройство для выращивания кристаллов из раствора при постоянной температуре

Изобретение относится к области кристаллографии, а более конкретно к устройствам для выращивания кристаллов из растворов, например к технике скоростного выращивания кристаллов группы КДР (KHPO), в том числе, в промышленных масштабах. Устройство для выращивания кристаллов из раствора при...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002745770
Дата охранного документа: 31.03.2021
+ добавить свой РИД