×
17.02.2020
220.018.032a

Результат интеллектуальной деятельности: СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ МАГНИТНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ФЕРРОМАГНИТНЫХ ПЛЕНОК И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Группа изобретений относится к измерительной технике и предназначена для неразрушающего контроля качества и однородности тонких магнитных пленок. Сущность изобретения заключается в том, что измеряют производную от величины поглощения электромагнитной энергии СВЧ-поля образцом, который помещается в скрещенные высокочастотное магнитное поле и постоянное магнитное поле, причем параллельно высокочастотному магнитному полю формируется модулирующее магнитное поле. Две схемы синхронного детектирования используются для измерения переменной составляющей напряжения на резонаторе с частотой модулирующего поля и с его удвоенной частотой. Измерения проводят путем изменения величины постоянного магнитного поля от нуля до величины, большей поля анизотропии образца по сигналам с выходов синхронных детекторов, максимум зависимости сигнала со второго синхронного детектора наблюдается при постоянном магнитном поле, равном полю анизотропии. При фиксированном значении постоянного магнитного поля изменяют угол между направлением высокочастотного магнитного поля возбуждения и осью анизотропии образца, измеряют угловую зависимость с выхода первого синхронного детектора. Центральное значение между экстремумами полученной зависимости соответствует направлению поля анизотропии. Технический результат – повышение чувствительности измерений магнитных характеристик тонкопленочных ферромагнитных образцов. 2 н.п. ф-лы, 7 ил.

Заявляемое изобретение относится к измерительной технике и предназначено для неразрушающего контроля качества и однородности тонких магнитных пленок.

Известен способ измерения магнитных характеристик тонких ферромагнитных пленок с помощью осциллографирования петель гистерезиса при перемагничивании пленок [Суху, Р. Магнитные тонкие пленки, М.: Мир, 1967]. Метод осциллографирования петель гистерезиса реализуется с помощью прибора (петлескопа), который дает возможность наблюдать на экране осциллографа зависимости изменения магнитного момента образца от приложенного к нему поля. Исследуемая магнитная пленка размещается в центре намагничивающих колец Гельмгольца, причем образец помещается в регистрирующую сигнал катушку, или вблизи ее. Для компенсации напряжения в съемной катушке, наводимого в отсутствие пленки, дополнительно вводят компенсационную катушку. Обе катушки размещают симметрично относительно центра измерительной системы и соединяют последовательно навстречу друг другу. Выходной сигнал с катушек подают на интегрирующий усилитель. Генератор звуковой частоты через усилитель мощности подключается к намагничивающим катушкам. Для регистрации петли гистерезиса используют осциллограф, напряжение горизонтальной развертки которого снимается с сопротивления, включенного последовательно с намагничивающей катушкой, а напряжение вертикальной развертки снимается с выхода интегрирующего усилителя. Характеристики образца определяются по форме петли гистерезиса. Способ позволяет проводить измерения таких величин, как суммарный магнитный момент, остаточный магнитный момент, коэрцитивную силу и величину поля анизотропии.

Однако известный способ не обеспечивает высокой точности измерений магнитных характеристик тонкопленочных образцов. Кроме этого, метод не позволяет проводить измерения на локальных участках пленок.

Известно устройство для измерения магнитных свойств тонких ферромагнитных образцов [Авт. св-во СССР, №304529, МПК G01R 33/12, опубл. 25.05.1971, бюл. №17], предназначенное для исследований тонких магнитомягких и магнитожестких образцов. Устройство содержит генератор тока высокой частоты, возбуждающую, управляющую и измерительную обмотки, внутри которых размещается исследуемый образец. Возбуждающая обмотка подключается к генератору тока высокой частоты, управляющая обмотка соединена с регулируемым источником постоянного тока, а измерительная обмотка подключена к резонансному усилителю, на выходе которого включен вольтметр. Измеряя напряжение вольтметром при различных значениях постоянного магнитного поля и вычисляя соответствующие им величины дифференциальной проницаемости образца, строят ее зависимость от напряженности постоянного магнитного поля и по максимуму этой зависимости определяют коэрцитивную силу образца. При измерении продольной дифференциальной проницаемости постоянное магнитное поле ориентируют вдоль высокочастотного магнитного поля, а при измерении поперечной дифференциальной проницаемости - перпендикулярно высокочастотному магнитному полю. Напряженность поля анизотропии тонкого образца определяют по максимуму поперечной дифференциальной проницаемости вдоль легкой оси тонкого ферромагнитного образца при действии постоянного поля вдоль оси трудного намагничивания образца.

Недостатком известного устройства является отсутствие возможности проведения измерений магнитных характеристик на локальных участках тонкопленочных образцов.

Известно также устройство для измерения напряженности поля анизотропии тонких магнитных пленок [Авт. св-во СССР, №746362, МПК G01R 33/12, опубл. 07.07.1980, бюл. №25]. Сверху над исследуемым образцом тонкой магнитной пленки располагается возбуждающий элемент, выполненный в виде проводника, подключенного к генератору тока звуковой частоты, и чувствительный элемент - датчик магнитного поля переключения пленки. В области размещения исследуемого образца создается внешнее перемагничивающее поле кольцами Гельмгольца, подключенными к выходу генератора прямоугольных импульсов. Полезный сигнал снимается с чувствительного элемента и поступает в блок обработки сигналов, на выходе которого получают величину напряженности поля анизотропии тонкой магнитной пленки. Отличительной особенностью конструкции является возможность сканирования по площади образца путем взаимного перемещения датчика и образца, т.е. устройство позволяет проводить измерения магнитных характеристик на локальных участках тонких магнитных пленок.

Недостатком известного устройства является его низкая чувствительность и ограниченная степень локальности проводимых измерений, что не позволяет измерять распределения магнитных характеристик по площади пленки с высокой детализацией.

Известен прибор для измерения параметров тонких магнитных пленок, выбранный в качестве прототипа [Пат. США, №3254298, опубл. 31.05.1966 (прототип)]. Исследуемый образец тонкой магнитной пленки на подложке располагается на измерительной платформе, закрепленной внутри колец Гельмгольца. Платформа может вращаться на 360° в плоскости пленки относительно поля, создаваемого кольцами Гельмгольца. Сверху над образцом закреплен датчик, который может вращаться вокруг своей оси и перемещаться в направлении, перпендикулярном плоскости пленки, что позволяет проводить измерения на образцах с различной толщиной подложек и с разной степенью локальности измерений. Установка обеспечивает вращение датчика и измерительной платформы вокруг одной оси. Исследуемый образец перемещается под датчиком по измерительной платформе в двух направлениях с помощью микрометрических винтов. На оси вращения датчика установлен диск с лимбом, к которому прикреплено перо самописца. Диск приводится в движение оператором или с помощью электромотора. Датчик представляет собой стержень, на котором закреплены два скрещенных на его торце проводника. Проводники отводятся от торца стержня и витой парой проводов подключаются к электронному блоку. Диаметр стержня определяет степень локальности измерений, изготовлены стержни диаметром от 0.254 до 12.7 мм. К первому проводнику датчика подключен выход высокочастотного генератора с частотой ω1, а ко второму подключен выход высокочастотного генератора с частотой ω2 и, одновременно, вход полосового фильтра. Выход полосового фильтра подключен к избирательному усилителю, настроенному на частоту ω12. Выходной сигнал усилителя поступает на детектор, а затем на индикатор. Выходной сигнал детектора служит сигналом обратной связи для электромотора, поворачивающего диск с лимбом.

В конструкции-прототипе используется следующий способ измерений. Образец закрепляется на измерительной платформе под датчиком, имеющим два скрещенных проводника. Первый проводник возбуждают от высокочастотного генератора с частотой ω1, второй проводник возбуждают от другого высокочастотного генератора с частотой ω2. Магнитные поля, формируемые проводниками, вызывают малые угловые колебания вектора намагниченности исследуемого образца и, как следствие, в спектре сигнала, снимаемого со второго проводника, присутствуют в том числе гармонические составляющие с разностной и суммарной частотами сигналов возбуждения. Составляющая сигнала с частотой ω12 выделяется полосовым фильтром, усиливается, после чего детектором измеряется ее амплитуда. При вращении датчика на 360° вокруг измерительной оси получают угловую зависимость, на ней выделяют нулевые значения, по которым определяют положение магнитного момента. Величина поля анизотропии определяется при развертке постоянного магнитного поля вдоль оси трудного намагничивания образца, при этом воздействие поперечного магнитного поля величиной Нk приводит к повороту магнитного момента на 90°.

Общим недостатком известных устройств и конструкции-прототипа является низкая чувствительность.

Задача изобретения - создание способа измерения магнитных характеристик ферромагнитных пленок и устройства для его осуществления, обладающих одновременно высокой чувствительностью и возможностью изменения степени локальности проводимых измерений в широких пределах.

Техническим результатом заявляемого изобретения является обеспечение возможности проведения локальных измерений магнитных характеристик тонкопленочных ферромагнитных образцов с высокой чувствительностью за счет проведений измерений на частотах СВЧ-диапазона.

Заявляемый технический результат достигается тем, что в способе измерения магнитных характеристик ферромагнитных пленок, в котором исследуемый образец размещают на измерительном столике с возможностью перемещения в двух координатах в плоскости образца и вращения вокруг оси чувствительного элемента, а чувствительный элемент размещают сверху над образцом с возможностью перемещения в перпендикулярном направлении к плоскости образца и вращения вокруг своей оси, при этом в области размещения образца создают однородное постоянное магнитное поле, направленное параллельно плоскости образца, новым является то, что измеряют производную от величины поглощения электромагнитной энергии СВЧ-поля образцом, находящемся в скрещенных высокочастотном и постоянном магнитных полях, параллельно высокочастотному полю дополнительно формируют модулирующее магнитное поле, высокочастотное магнитное поле создают СВЧ-резонатором, первую схему синхронного детектирования сигнала используют для измерения величины переменной составляющей напряжения на СВЧ-резонаторе с частотой модулирующего поля, а вторую схему синхронного детектирования сигнала - с удвоенной частотой модулирующего поля, при проведении измерений величину постоянного магнитного поля изменяют от нуля до величины большей поля анизотропии исследуемого образца при различных углах между направлением высокочастотного магнитного поля и предполагаемыми направлением одной из осей поля анизотропии исследуемого образца, при этом по максимуму сигнала на выходе первой схемы синхронного детектирования определяют примерную величину поля анизотропии исследуемого образца в области измерений, затем при фиксированном значении постоянного магнитного поля, равном или большем поля анизотропии исследуемого образца, образец вращают и измеряют зависимость сигнала на выходе первой схемы синхронного детектирования от величины угла между направлением высокочастотного магнитного поля и предполагаемым направлением оси поля анизотропии исследуемого образца, при этом средняя точка между экстремумами полученной зависимости соответствует искомому направлению поля анизотропии в области измерений, после чего образец устанавливают таким образом, чтобы постоянное магнитное поле было направлено строго вдоль найденной оси трудного намагничивания исследуемого образца, а изменяя величину постоянного поля определяют искомое значение величины поля анизотропии по максимуму сигнала на выходе второй схемы синхронного детектирования, перемещая образец относительно СВЧ-резонатора измеряют распределения магнитных характеристик по площади исследуемого образца.

Заявляемый технический результат достигается также и тем, что в устройстве для измерения магнитных характеристик ферромагнитных пленок, содержащем систему формирования постоянного магнитного поля смещения, включающую управляемый источник постоянного тока и устройство создания однородного магнитного поля в плоскости исследуемого образца, систему перемещения и вращения исследуемого образца, систему перемещения и вращения чувствительного элемента, чувствительный элемент, новым является то, что устройство дополнительно содержит систему формирования модулирующего магнитного поля, включающую генератор тока низкой частоты и устройство создания однородного магнитного поля в плоскости исследуемого образца, чувствительный элемент, состоящий из СВЧ-резонатора, подключаемого к СВЧ-генератору, и амплитудного детектора, при этом индуктивной частью СВЧ-резонатора, выполненной в виде расположенного над локальным участком исследуемого образца отрезка проводника, создается высокочастотное магнитное поле, причем постоянное магнитное поле направлено перпендикулярно направлениям высокочастотного магнитного поля и модулирующего магнитного поля, первую схему синхронного детектирования сигнала, к входу которой подключены выход амплитудного детектора чувствительного элемента и выход генератора тока низкой частоты, вторую схему синхронного детектирования, к входу которой подключены выход амплитудного детектора чувствительного элемента и, через удвоитель частоты, подключен выход генератора тока низкой частоты, а выходные сигналы первой и второй схем синхронного детектирования являются выходными сигналами устройства.

Заявляемая группа изобретений соответствует требованию единства изобретения, поскольку группа разнообъектных изобретений образует единый изобретательский замысел, причем один из заявляемых объектов - устройство для измерения магнитных характеристик ферромагнитных пленок, предназначен для осуществления способа измерения магнитных характеристик ферромагнитных пленок, при этом оба объекта группы изобретений направлены на решение одной и той же задачи с получением единого технического результата.

Сопоставительный анализ с прототипами позволил выявить совокупность существенных по отношению к техническому результату отличительных признаков для каждого из заявляемых объектов группы, изложенных в формулах. Следовательно, каждый из объектов группы изобретений соответствует критерию «новизна».

Признаки, отличающие заявляемые технические решения от прототипа, не выявлены в других технических решениях при изучении данных и смежных областей техники и, следовательно, обеспечивают заявляемым решениям соответствие критерию «изобретательский уровень».

Осуществление заявляемого способа измерения магнитных характеристик ферромагнитных пленок поясняется с помощью чертежа. На фиг. 1 показаны: а - направления полей в измерительной установке; б, в - результаты измерений сигналов на выходе первой схемы синхронного детектирования.

Пример осуществления способа измерения магнитных характеристик ферромагнитных пленок. Тонкопленочный образец нестрикционного состава пермаллоя Ni80Fe20, обладающий одноосной магнитной анизотропией, был помещен в скрещенные магнитные поля (фиг. 1, а): Нсм - постоянное магнитное поле смещения; НВЧ - высокочастотное магнитное поле возбуждения; - низкочастотное магнитное поле модуляции. Постоянное магнитное поле Нсм создавалось катушками Фанселау и направлено вдоль оси трудного намагничивания (ОТН) образца. Высокочастотное магнитное поле возбуждения формировалось индуктивной частью СВЧ-резонатора и направлено перпендикулярно полю Нсм, т.е. вдоль оси легкого намагничивания (ОЛН) образца. Низкочастотное магнитное поле модуляции создавалось катушками Фанселау и направлено параллельно высокочастотному магнитному полю возбуждения (вдоль ОЛН тонкопленочного образца). Была предусмотрена возможность вращения образца вокруг точки измерения. Амплитуда колебаний в СВЧ-резонаторе фиксировалась амплитудным детектором. Перед началом измерений установлены следующие параметры: поле Н = 0 Э, угол α между Нсм и ОТН равен 0°; частота поля НВЧ соответствовала резонансной частоте СВЧ-резонатора ~500 МГц; амплитуда поля , частота поля - 1 кГц. После этого, путем вращения образца вокруг точки измерений, произведено изменение угла α на небольшую величину - до плюс 10°. Затем амплитуда поля Нем изменялась от нуля примерно до значения, равного 2⋅Нk, где Нk - величина поля анизотропии образца. При этом с помощью первой схемы синхронного детектирования регистрировалась величина переменной составляющей сигнала на выходе амплитудного детектора с частотой, равной частоте поля модуляции . Полученная зависимость отображена на фиг. 1, б. Максимум этой зависимости наблюдается примерно при поле Нсм≈Нk (истинное значение величины поля анизотропии меньше этой величины), для исследуемого образца Hk≈5,2 Э. Затем величина поля Нсм была зафиксирована равной 5,2 Э и измерены зависимости сигнала на выходе первого синхронного детектора от угла α (фиг. 1, в). После чего определены значения угла α для минимума (αмин) и максимума (αмакс) полученной зависимости, а также рассчитано среднее значение угла α0=(αминмакс)/2, соответствующее истинному направлению поля анизотропии. Для исследуемого образца αмин=-10°, αмакс=10°, α0=0°, т.е. в области проведения измерений направление оси трудного намагничивания совпало с направлением постоянного магнитного поля смещения. Далее с использованием второго синхронного детектора, настроенного на измерение величины переменной составляющей сигнала на выходе амплитудного детектора с частотой, равной удвоенной частоте поля модуляции , проведены измерения сигнала от величины постоянного магнитного поля смещения при α=0°. Максимум полученной зависимости соответствует истинному значению величины поля анизотропии в области проведения измерений, уточненная величина поля анизотропии составила Нk=5 Э. Перемещая индуктивную часть СВЧ-резонатора над образцом и повторяя процесс измерений, получены распределения величин и углов поля анизотропии по площади образца.

Заявляемое устройство измерения магнитных характеристик ферромагнитных пленок поясняется чертежами. На фиг. 2 представлена структурная схема устройства для измерения магнитных характеристик ферромагнитных пленок. На фиг. 3 показана конструкция устройства для измерений магнитных характеристик ферромагнитных пленок. На фиг. 4 отображено пятикоординатное устройство для перемещения и вращения исследуемого образца, а также для перемещения и вращения чувствительного элемента. На фиг. 5 показана конструкция чувствительного элемента. На фиг. 6 приведен печатный узел чувствительного элемента. На фиг. 7 показан пример измерений распределения амплитуды поля анизотропии по площади образца.

Устройство измерения магнитных характеристик ферромагнитных пленок состоит из (фиг. 2) измерительного столика (1), на котором размещается исследуемый образец (2). Сверху над образцом (2) размещается чувствительный элемент (3), вход которого подключен к СВЧ-генератору (4), а выход - одновременно к первому синхронному детектору (5) и ко второму синхронному детектору (6). При измерении характеристик тонкопленочных образцов толщиной более применение схем синхронного детектирования не обязательно - измерение амплитуд переменных составляющих напряжения может быть произведено с помощью осциллографа (при необходимости дополнительно используются полосовые фильтры на частоту модулирующего магнитного поля и на его удвоенную частоту). Постоянное магнитное поле смещения Нсм в области размещения образца (2) формируется катушками (7) Фанселау, которые подключены к источнику постоянного тока (8). Переменное модулирующее магнитное поле создается вторыми катушками (9) Фанселау, подключенными к генератору (10) тока низкой частоты. Катушки (7) и (9) Фанселау расположены ортогонально друг другу и создают магнитное поле в плоскости образца (2). Выходной сигнал генератора (10) тока низкой частоты также является опорным сигналом для первого синхронного детектора (5) и через удвоитель (11) частоты подается на второй синхронный детектор (6). Таким образом, первый синхронный детектор (5) предназначен для измерения величины переменной составляющей напряжения на выходе чувствительного элемента с частотой модулирующего магнитного поля, а второй синхронный детектор (6) - составляющей с удвоенной частотой. Выходные сигналы первого синхронного детектора (5) и второго синхронного детектора (6) являются выходными сигналами устройства.

Конструктивно катушки (7) и (9) Фанселау закреплены (фиг. 3) на общем основании (12), на котором также закрепляется пятикоординатная система (фиг. 4), предназначенная для перемещения и вращения исследуемого образца (2), а также для перемещения и вращения чувствительного элемента (3). Исследуемый образец (2) размещается на измерительном столике (1), который с помощью микрометрического винта (13) с маховиком перемещается по салазкам (14) в продольном направлении. Салазки (14) в свою очередь с помощью микрометрического винта (15) с маховиком перемещаются по салазкам (16) в поперечном направлении. Салазки (16) установлены на основании (17) с возможностью вращения вокруг оси чувствительного элемента (3). Таким образом, исследуемый образец (2), находясь на измерительном столике (1), может вращаться вокруг оси чувствительного элемента (3) и перемещаться в двух перпендикулярных направлениях. Чувствительный элемент (3) закреплен с помощью штока на пластине (18) и может вращаться вокруг своей оси с помощью маховика (19). Пластина (18) установлена на каретке (20), способной перемещаться с помощью микрометрического винта (21) с маховиком в вертикальном направлении, перпендикулярном плоскости исследуемого образца (2). Таким образом, чувствительный элемент (3) может вращаться вокруг и перемещаться вдоль своей оси.

Чувствительный элемент (фиг. 5) состоит из корпуса (22) и печатной платы (23), на которой установлены элементы СВЧ-резонатора, в частности подстроечный конденсатор (24) и амплитудный детектор (25). В корпусе (22) чувствительного элемента имеется отверстие (26), предназначенное для регулировки подстроечного конденсатора (24). На верхней стороне (фиг. 6) печатной платы (23) установлены электрорадиоизделия, а на нижней стороне расположена индуктивная часть (27) СВЧ-резонатора, которая соединяется с электрорадиоизделиями на верхней стороне печатной платы (23) с помощью переходных отверстий. Длина индуктивной части (27) СВЧ-резонатора определяет размеры исследуемой области исследуемого образца (2) и может изменяться в широких пределах, например, от 0.25 до 25 мм. Для этого изготавливают ряд сменных чувствительных элементов с разной длиной индуктивной части (27) СВЧ-резонатора, что дает возможность изменения степени локальности проводимых измерений в широких пределах.

Устройство измерения магнитных характеристик ферромагнитных пленок работает следующим образом. Исследуемый образец (2) размещается на измерительном столике (1) таким образом, чтобы предполагаемое направление ОТН образца было направлено вдоль направления продольного перемещения измерительного столика (1) и, одновременно, вдоль оси катушек (7) Фанселау. С помощью микрометрических винтов (13) и (15) с маховиками измерительный столик (1) перемещается по салазкам (14) и (16) в продольном и поперечном направлениях таким образом, чтобы предназначенный для измерений участок образца (2) оказался на оси чувствительного элемента. Микрометрическим винтом (21) с маховиком в вертикальном направлении перемещается каретка (20) и, соответственно, чувствительный элемент (3) до его сближения с образцом (2). Катушками (7) Фанселау, подключенными к источнику постоянного тока (8), создается постоянное поле смещения Нсм. Катушками (9) Фанселау, подключенными к генератору (10) тока низкой частоты, создается модулирующее магнитное поле . Чувствительный элемент (3) вращается вокруг своей оси с помощью маховика (19) и устанавливается таким образом, чтобы высокочастотное магнитное поле возбуждения НВЧ было направлено вдоль направления модулирующего магнитного поля . Частота СВЧ-генератора (4) устанавливается равной резонансной частоте СВЧ-резонатора чувствительного элемента (3) по максимуму постоянной составляющей сигнала на выходе амплитудного детектора чувствительного элемента (3). При необходимости, резонансная частота изменяется подстроечным конденсатором (24) через отверстие (26) в корпусе (22) чувствительного элемента (3). С помощью первого синхронного детектора (5) происходит измерение величины переменной составляющей напряжения на выходе чувствительного элемента (3) с частотой модулирующего поля , с помощью второго синхронного детектора (6) - с удвоенной частотой поля . Изменяя величину постоянного магнитного поля смещения Нсм и вращая образец (2) путем вращения салазок (16) на основании (17), измеряют первым синхронным детектором (5) амплитудные (фиг. 1, б) и угловые (фиг. 1, в) зависимости. По максиму амплитудной зависимости определяют примерную величину поля анизотропии образца в области исследуемого участка образца (2). По угловой зависимости определяют направление поля анизотропии исследуемого участка образца (2). Вращая исследуемый образец (2) путем вращения салазок (16) на основании (17) устанавливает его таким образом, чтобы постоянное магнитное поле смещения оказалось строго вдоль оси трудного намагничивания пленки. Изменяя величину постоянного магнитного поля смещения Нсм регистрируют выходной сигнал второго синхронного детектора (6). По максимуму полученной зависимости определяют точное значение величины поля анизотропии образца в исследуемой области. Перемещая образец в продольном и поперечном направлениях с помощью микрометрических винтов (13) и (15) с маховиками, измеряют распределения магнитных характеристик по площади образца (2). На фиг. 7 показано экспериментально полученное распределение величины поля анизотропии по площади образца размерами 60×40 мм.

Предложенный способ измерения магнитных характеристик тонких пленок и устройство для его осуществления могут быть использованы для оценки качества изготавливаемых тонкопленочных образцов, а также для получения качественной и количественной информации, необходимой для изучения причин возникновения неоднородностей магнитных характеристик по площади пленок. Экспериментальные исследования с использованием заявленного способа и устройства подтвердили их высокую эффективность при отработке технологии получения тонких магнитных пленок.


СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ МАГНИТНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ФЕРРОМАГНИТНЫХ ПЛЕНОК И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ МАГНИТНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ФЕРРОМАГНИТНЫХ ПЛЕНОК И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ МАГНИТНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ФЕРРОМАГНИТНЫХ ПЛЕНОК И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ МАГНИТНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ФЕРРОМАГНИТНЫХ ПЛЕНОК И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ МАГНИТНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ФЕРРОМАГНИТНЫХ ПЛЕНОК И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ МАГНИТНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ФЕРРОМАГНИТНЫХ ПЛЕНОК И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ МАГНИТНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ФЕРРОМАГНИТНЫХ ПЛЕНОК И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ МАГНИТНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ФЕРРОМАГНИТНЫХ ПЛЕНОК И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ
Источник поступления информации: Роспатент

Showing 21-30 of 55 items.
22.08.2018
№218.016.7e56

Держатель образца для сквид-магнитометра типа mpms для исследования анизотропных свойств орторомбических монокристаллов

Изобретение относится к устройствам для измерения переменных магнитных величин и может быть использовано при проведении магнитных измерений. Держатель образца для СКВИД-магнитометра типа MPMS для исследования анизотропных свойств орторомбических монокристаллов содержит цилиндрическую трубку из...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002664421
Дата охранного документа: 20.08.2018
13.09.2018
№218.016.873c

Способ синтеза эндоэдральных фуллеренов

Изобретение относится к нанотехнологии. Синтез эндоэдральных фуллеренов проводят в водоохлаждаемой металлической герметичной камере в плазме высокочастотной дуги с использованием переменного тока при атмосферном давлении. В нижней камере 4 установлен один вертикальный графитовый электрод 2 и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002666856
Дата охранного документа: 12.09.2018
28.10.2018
№218.016.97a3

Оксидный керамический магнитный материал на основе натрия, ванадия, железа и никеля

Изобретение относится к разработке новых материалов, которые могут быть полезны для химической промышленности, материаловедения, спинтроники. Оксидный керамический магнитный материал содержит кислород, железо и ванадий и дополнительно натрий и никель при следующем соотношении компонентов, ат....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002670973
Дата охранного документа: 26.10.2018
19.12.2018
№218.016.a8a0

Микрополосковый широкополосный полосно-пропускающий фильтр

Изобретение относятся к радиотехнике, в частности к фильтрам. Микрополосковый широкополосный полосно-пропускающий фильтр содержит диэлектрическую подложку, одна сторона которой полностью металлизирована и выполняет функцию заземляемого основания, а на вторую сторону нанесены нерегулярные...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002675206
Дата охранного документа: 17.12.2018
07.02.2019
№219.016.b7e4

Сверхширокополосное поглощающее покрытие

Изобретение относится к технике сверхвысоких частот и предназначено для уменьшения радиолокационной заметности объектов военной техники, например летательных аппаратов. Сверхширокополосное поглощающее покрытие содержит диэлектрические слои, на поверхности которых нанесена двумерно-периодическая...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002678937
Дата охранного документа: 04.02.2019
13.03.2019
№219.016.de94

Способ нанесения нанопленочного покрытия на подложку

Изобретение относится к способу нанесения нанопленочного покрытия на подложку и может быть использовано для получения нанопокрытий на поверхностях различных подложек при невысокой температуре. Осуществляют импульсно-плазменное напыление с лазерным поджигом. Используют импульсный режим работы...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002681587
Дата охранного документа: 11.03.2019
14.03.2019
№219.016.df47

Способ получения нанокристаллов силицида железа α-fesi с изменяемой преимущественной ориентацией

Изобретение относится к технологии получения материалов нанометрового размера, состоящих из нанокристаллов силицида железа α-FeSi с контролируемо изменяемой преимущественной кристаллографической ориентацией, формой и габитусом, и может применяться для разработки новых функциональных элементов в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002681635
Дата охранного документа: 11.03.2019
14.03.2019
№219.016.df5e

Способ получения композиционного материала на основе сверхвысокомолекулярного полиэтилена

Изобретение относится к полимерному материаловедению и может быть использовано в радиоэлектронике для изготовления морозостойких изделий, обладающих высокой диэлектрической проницаемостью и низкими диэлектрическими потерями. Описан способ получения композиционного материала на основе...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002681634
Дата охранного документа: 11.03.2019
16.03.2019
№219.016.e1a8

Датчик слабых магнитных полей

Изобретение относится к измерительной технике, а именно предназначено для измерения слабых магнитных полей, и может использоваться, в первую очередь, в магнитометрии. Датчик слабых магнитных полей содержит СВЧ-генератор, чувствительный элемент на основе тонкой магнитной пленки, помещенной в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002682076
Дата охранного документа: 14.03.2019
21.03.2019
№219.016.eaa9

Устройство для калибровки дихрографов кругового дихроизма

Изобретение относится к оптическим устройствам, имитирующим вещество, обладающее круговым дихроизмом (КД), с возможностью регулирования величины задаваемого эффекта в широком диапазоне значений на выбранной длине волны, сохраняющее ход светового луча строго по оптической оси в процессе...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002682605
Дата охранного документа: 19.03.2019
Showing 21-30 of 73 items.
26.08.2017
№217.015.e2db

Способ измерения напряженности электрического поля

Способ измерения напряженности электрического поля относится к измерительной технике и может использоваться для исследования электрических полей земной атмосферы и космического пространства. Способ измерения напряженности электрического поля, основанный на том, что в датчике напряженности...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002626065
Дата охранного документа: 21.07.2017
26.08.2017
№217.015.e408

Широкополосный полосковый фильтр

Изобретение относятся к технике сверхвысоких частот и предназначено для частотной селекции сигналов. Фильтр, содержащий диэлектрическую подложку, на одну сторону которой нанесены короткозамкнутые с одного конца полосковые проводники, а на вторую сторону нанесены короткозамкнутые с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002626224
Дата охранного документа: 24.07.2017
20.01.2018
№218.016.1d86

Полосковый резонатор

Изобретение относится к технике высоких и сверхвысоких частот и предназначено для создания частотно-селективных устройств. Полосковый резонатор содержит две диэлектрические подложки, подвешенные между экранами корпуса, на обе поверхности которых нанесены полосковые металлические проводники,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002640968
Дата охранного документа: 12.01.2018
04.04.2018
№218.016.30bb

Микрополосковый широкополосный фильтр

Изобретение относится к СВЧ-радиотехнике, в частности к фильтрам. Микрополосковый широкополосный фильтр содержит диэлектрическую подложку, на одну сторону которой нанесено заземляемое основание, а на вторую - полосковые проводники, электромагнитно связанные между собой. Узкие и широкие...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002644976
Дата охранного документа: 15.02.2018
14.06.2018
№218.016.61d3

Полосно-пропускающий свч фильтр

Полосно-пропускающий СВЧ фильтр относится к технике сверхвысоких частот и может быть использован в селективных трактах приемных и передающих систем. Фильтр содержит диэлектрическую подложку (1), на одну сторону которой нанесено заземляемое основание (2), а на вторую - нанесены полосковые...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002657311
Дата охранного документа: 13.06.2018
01.07.2018
№218.016.69a9

Миниатюрный полосковый фильтр

Изобретение относится к радиотехнике, в частности к микрополосковым фильтрам. Фильтр содержит подвешенную между экранами диэлектрическую подложку, на одну сторону которой нанесены короткозамкнутые на экран с одного края подложки полосковые проводники резонаторов, а на вторую сторону подложки...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002659321
Дата охранного документа: 29.06.2018
23.10.2018
№218.016.9529

Микрополосковый фильтр верхних частот

Изобретение относится к технике сверхвысоких частот и может быть использовано в селективных трактах приемных и передающих систем. Микрополосковый фильтр верхних частот содержит диэлектрическую подложку, одна поверхность которой полностью металлизирована и служит заземляемым основанием, а на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002670366
Дата охранного документа: 22.10.2018
21.11.2018
№218.016.9f8e

Полосно-пропускающий фильтр

Изобретение относится к технике сверхвысоких частот и может быть использовано в селективных трактах приемных и передающих систем. Полосно-пропускающий фильтр содержит диэлектрическую подложку, на одну сторону которой нанесено заземляемое металлизированное основание, а на вторую нанесен...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002672821
Дата охранного документа: 19.11.2018
19.12.2018
№218.016.a8a0

Микрополосковый широкополосный полосно-пропускающий фильтр

Изобретение относятся к радиотехнике, в частности к фильтрам. Микрополосковый широкополосный полосно-пропускающий фильтр содержит диэлектрическую подложку, одна сторона которой полностью металлизирована и выполняет функцию заземляемого основания, а на вторую сторону нанесены нерегулярные...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002675206
Дата охранного документа: 17.12.2018
16.01.2019
№219.016.aff0

Микрополосковый фильтр нижних частот

Изобретение относится к технике СВЧ. Фильтр содержит подложку с относительной диэлектрической проницаемостью и толщиной, с одной стороны которой выполнен металлический экран, на противоположной стороне подложки расположен свернутый в форме меандра нерегулярный полосковый проводник, широкие и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002677103
Дата охранного документа: 15.01.2019
+ добавить свой РИД