×
31.01.2020
220.017.fb71

Результат интеллектуальной деятельности: ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЙ КАСКАД НА КОМПЛЕМЕНТАРНЫХ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ С УПРАВЛЯЮЩИМ P-N ПЕРЕХОДОМ КЛАССА АВ С ИЗМЕНЯЕМЫМ НАПРЯЖЕНИЕМ ОГРАНИЧЕНИЯ ПРОХОДНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к области радиотехники. Технический результат заключается в создании условий, при которых обеспечивается возможность изменения напряжения ограничения проходной характеристики U в зависимости от заданных значений SR при фиксированном токопотреблении. Дифференциальный каскад (ДК) содержит токовые выходы устройства, согласованные с первой шиной источника питания, полевые транзисторы с объединенными истоками и соединенные между собой. В каскад для установления заданной величины напряжения ограничения ДК введены третий и четвертый дополнительные резисторы, изменение сопротивления которых существенно влияет как на максимальные выходные токи ДК, так и на напряжение ограничения его проходной характеристики. 5 ил.

Изобретение относится к области радиотехники и может использоваться в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения, например, операционных усилителях (ОУ), компараторах, мостовых усилителях мощности и т.п., работающих в режиме большого сигнала, в том числе при низких температурах и воздействии проникающей радиации.

Известны схемы классических дифференциальных усилителей (ДУ) на комплементарных транзисторах [1-61], в т.ч. на комплементарных биполярных транзисторах [1-32], на комплементарных КМОП полевых транзисторах [33-61] и комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом (JFet) [4], которые стали основой многих серийных аналоговых микросхем. В литературе по аналоговой микроэлектронике этот класс ДУ имеет специальное обозначение – dual-input-stage [62].

Для работы при низких температурах при жестких ограничениях на уровень шумов перспективно использование JFet полевых транзисторов [63-67]. ДУ данного класса активно применяются в структуре малошумящих аналоговых интерфейсов для обработки сигналов датчиков [68-70], в том числе в условиях низких температур и воздействии проникающей радиации.

Ближайшим прототипом (фиг. 1) заявляемого устройства является ДУ, описанный в патенте US 5.291.149, fig. 4, 1994 г., который содержит первый 1 и второй 2 входы устройства, первый 3 и второй 4 токовые выходы устройства, согласованные с первой 5 шиной источника питания, третий 6 и четвертый 7 токовые выходы устройства согласованные со второй 8 шиной источника питания, первый 9 и второй 10 входные полевые транзисторы с объединенными истоками, третий 11 и четвертый 12 входные полевые транзисторы с объединенными истоками, причем сток первого 9 входного полевого транзистора связан с первым 3 токовым выходом устройства, сток второго 10 входного полевого транзистора соединен со вторым 4 токовым выходом устройства, сток третьего 11 входного полевого транзистора связан с третьим 6 токовым выходом устройства, сток четвертого 12 входного полевого транзистора соединен с четвертым 7 токовым выходом устройства.

Существенный недостаток известного ДК фиг. 1 состоит, во-первых, в том, что его статический режим определяется двумя источниками опорного тока I1 (I2), которые, как правило, неидентичны, что становится источником дополнительных погрешностей усиления малых сигналов. Во-вторых, в известном ДК при фиксированном токе потребления затруднено изменение напряжения ограничения Uгр. проходной характеристики iвых=f(uвх) [71], которое оказывает существенное влияние на максимальную скорость нарастания выходного напряжения (SR) классического операционного усилителя с входным ДК фиг. 1 [71-72]:

, (1)

где f1 – частота единичного усиления скорректированного ОУ с входным ДК фиг. 1, как правило, не зависящая от Uгр.

Это не позволяет управлять численными значениями SR в конкретных схемах ОУ при заданных ограничениях на токопотребление, запас устойчивости по фазе, коэффициент усиления по напряжению и т.п.[71, 72]

Основная задача предполагаемого изобретения состоит в создании условий, при которых в ДК фиг. 1 обеспечивается возможность изменения напряжения ограничения проходной характеристики Uгр. по усмотрению разработчика (в зависимости от заданных значений SR [71-72]) при фиксированном токопотреблении.

Поставленная задача решается тем, что в дифференциальном каскаде (ДУ) фиг. 1, содержащем первый 1 и второй 2 входы устройства, первый 3 и второй 4 токовые выходы устройства, согласованные с первой 5 шиной источника питания, третий 6 и четвертый 7 токовые выходы устройства согласованные со второй 8 шиной источника питания, первый 9 и второй 10 входные полевые транзисторы с объединенными истоками, третий 11 и четвертый 12 входные полевые транзисторы с объединенными истоками, причем сток первого 9 входного полевого транзистора связан с первым 3 токовым выходом устройства, сток второго 10 входного полевого транзистора соединен со вторым 4 токовым выходом устройства, сток третьего 11 входного полевого транзистора связан с третьим 6 токовым выходом устройства, сток четвертого 12 входного полевого транзистора соединен с четвертым 7 токовым выходом устройства предусмотрены новые элементы и связи – в схему введены первый 13, второй 14, третий 15, четвертый 16 дополнительные полевые транзисторы, затвор первого 13 дополнительного полевого транзистора соединен с первым 1 входом устройства, его сток соединен с первой 5 шиной источника питания, затвор второго 14 дополнительного полевого транзистора соединен со первым 1 входом устройства, его сток соединен с второй 8 шиной источника питания, причем между истоками первого 13 и второго 14 дополнительных полевых транзисторов включен первый 17 дополнительный резистор, затвор третьего 15 дополнительного полевого транзистора соединен со вторым 2 входом устройства, его сток соединен с первой 5 шиной источника питания, затвор четвертого 16 дополнительного полевого транзистора подключен к второму 2 входу устройства, его сток соединен со второй 8 шиной источника питания, причем между истоками третьего 15 и четвертого 16 дополнительных полевых транзисторов включен второй 18 дополнительный резистор, между истоками первого 13 и третьего 15 дополнительных полевых транзисторов включен третий 19 дополнительный резистор, между истоками второго 14 и четвертого 16 дополнительных полевых транзисторов включен четвёртый 20 дополнительный резистор, затвор первого 9 входного полевого транзистора соединен с истоком третьего 14 дополнительного полевого транзистора, затвор второго 10 входного полевого транзистора соединен с истоком четвертого 16 дополнительного полевого транзистора, затвор третьего 11 входного полевого транзистора соединен с истоком первого 13 дополнительного полевого транзистора, затвор четвертого 12 входного полевого транзистора соединен с истоком третьего 15 дополнительного полевого транзистора, причем объединенные истоки первого 9 и второго 10 входных полевых транзисторов связаны с объединенными истоками третьего 11 и четвёртого 12 входных полевых транзисторов.

На чертеже фиг. 1 представлена схема ДК-прототипа, а на чертеже фиг. 2 – схема заявляемого ДК в соответствии с формулой изобретения.

На чертеже фиг. 3 показан статический режим ДК фиг. 2 на комплементарных полевых транзисторах CJFET (ОАО «Интеграл», г. Минск) в среде САПР (Analog Devices) LTSpice при температуре окружающей среды -197ᵒC, R1=R2=30 кОм, R3=R4=5кОм, напряжениях питания V1=V2=±5В.

На чертеже фиг. 4 показаны проходные характеристики ДК фиг. 3 при температуре окружающей среды 27ᵒС, R1=R2=30 кОм, напряженях питания V1=V2=±5В и разных значениях сопротивлений резисторов R3=R4=Rvar=5к/15к/30кOм.

На чертеже фиг. 5 представлены проходные характеристики ДК фиг. 3 при температуре окружающей среды -197ᵒС, R1=R2=30 кОм, напряжениях питания V1=V2=±5В и разных значениях сопротивлений резисторов R3=R4=Rvar=5к/15к/30кOм.

Рассмотрим работу ДК. Статический режим транзисторов ДК фиг. 2 определяется первым 17 и вторым 18 дополнительными резисторами, а также стоко-затворными характеристиками применяемых полевых транзисторов. При этом, третий 19 и четвёртый 20 дополнительные резисторы не оказывают какого-либо воздействия на статические токи схемы ДК, так как они включены между эквипотенциальными узлами схемы.

Для установления заданной величины напряжения ограничения ДК фиг. 2 (Uгр.) введены третий 19 и четвёртый 20 дополнительные резисторы. Изменение сопротивления этих резисторов существенно влияет, как на максимальные выходные токи ДК (Iвых.мах. ,фиг.4, фиг.5), так и на напряжение ограничения (Uгр.) его проходной характеристики. Данный эффект реализуется как при комнатных (фиг. 4), так и при криогенных (фиг. 5) температурах. Управление величиной Iвых.мах. и Uгр. является необходимым условием для установления заданной величины максимальной скорости нарастания выходного напряжения классического ОУ с входным каскадом фиг. 2 [71, 72].

В ДК-прототипе режим класса «АВ» не реализуется, что является его существенным недостатком.

Таким образом, заявляемое устройство имеет существенные преимущества в сравнении с известными схемотехническими решениями ДК класса dual-input-stage [1-61].

Библиографический список

1. Патент US 5.814.953, 1995 г.

2. Патент US 5.225.791, 1993 г.

3. Патент US 6.844.781, 2005 г.

4. Патент US 5.291.149, 1994 г.

5. Патентная заявка US 2005/0024140, 2005 г.

6. Патентная заявка US 2006/0226908, 2006 г.

7. Патент US 4.636.743, 1985 г.

8. Патент SU 1220105, 1986 г.

9. Патент US 5.515.005, 1994 г.

10. Патент US 5.374.897, 1994 г.

11. Патент US 5.512.859, 1996 г.

12. Патент US 4.649.352, 1987 г.

13. Патент JP 8222972, 1996 г.

14. Патент US 6.268.769, 2001 г.

15. Патент RU 2193273, 2002 г.

16. Патент US 4.241.315, 1980 г.

17. Патент JP 2004129018, 2004 г.

18. Патент SU 530425, 1976 г.

19. Патент US 5.153.529, 1992 г.

20. Патент US 5.420.540, 1995 г.

21. Патент US 6.222.416, fig. 2, 2001 г.

22. Патент US 3.974.455, fig. 7, 1976 г.

23. Патент US 4.349.786, 1982 г.

24. Патент US 4.783.637, 1988 г.

25. Патент US 5.293.136, 1994 г.

26. Патент US 6.366.170, 2002 г.

27. Патент US 6.163.290, 2000 г.

28. Патент US 4.417.292, fig. 1, 1981 г.

29. Патент SU 1385255, 1988 г.

30. Патент US 2005/0285677, 2005 г.

31. Патент US 5.610.547, fig. 28, 1997 г.

32. Патент SU 459780, 1975 г.

33. Патентная заявка US 2003/0206060, 2003 г.

34. Патент US 6.794.940, 2004 г.

35. Патентная заявка US 2004/0174216, 2004 г.

36. Патентная заявка US 2006/0125522, 2006 г.

37. Патент US 6.433.637, 2002 г.

38. Патентная заявка US 2007/0159248, 2007 г.

39. Патент US 5.714.906, 1995 г.

40. Патент US 7.907.011, 2011 г.

41. Патент US 6.100.762, 2000 г.

42. Патент US 5.909.146, 1999 г.

43. Патент ЕР 1150423, 2001 г.

44. Патент JP 2004/222104, 2004 г.

45. Патент US 6.801.087, 2004 г.

46. Патент US 5.917.378, 1999 г.

47. Патентная заявка US 2008/0074405, 2008 г.

48. Патентная заявка US 2009/0206930, 2009 г.

49. Патент US 6.356.153, 2002 г.

50. Патент US 5.621.357, 1997 г.

51. Патент US 6.970.043, 2005 г.

52. Патент US 6.731.169, 2004 г.

53. Патент US 5.070.306, fig. 3, 1991 г.

54. Патент US 2010/001797, 2001 г.

55. Патент US 5.610.547, fig. 34, 1997 г.

56. Патент US 6.972.623, fig. 4, fig. 6, 2005 г.

57. Патент US 2008/0238546, fig. 2, 2008 г.

58. Патент US 2008/0252374, 2008 г.

59. Патент US 7.567.124, 2009 г.

60. Патент US 7.586.373, 2009 г.

61. Патент US 2006/0215787, 2006 г.

62. N. N. Prokopenko, N. V. Butyrlagin, A. V. Bugakova and A. A. Ignashin, "Method for speeding the micropower CMOS operational amplifiers with dual-input-stages," 2017 24th IEEE International Conference on Electronics, Circuits and Systems (ICECS), Batumi, 2017, pp. 78-81.

63. The Radiation-Hardened BiJFet Differential Amplifiers with Negative Current Feedback on the Common-Mode Signal / N. N. Prokopenko, O. V. Dvornikov, N. V. Butyrlagin, A. V. Bugakova // 2016 13th International conference on actual problems of electronic instrument engineering (APEIE – 2016) – 39281. Proceedings; Novosibirsk, October 3-6, 2016. In 12 Vol. Vol. 1. Part 1. Pp. 104-108 DOI: 10.1109/APEIE.2016.7802224.

64. K. O. Petrosyants, M. R. Ismail-zade, L. M. Sambursky, O. V. Dvornikov, B. G. Lvov and I. A. Kharitonov, "Automation of parameter extraction procedure for Si JFET SPICE model in the −200…+110°C temperature range," 2018 Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT), Moscow, 2018, pp. 1-5. DOI: 10.1109/MWENT.2018.8337212

65. Создание низкотемпературных аналоговых ИС для обработки импульсных сигналов датчиков. Часть 2 / О. Дворников, В. Чеховский, В. Дятлов, Н. Прокопенко // Современная электроника, 2015, № 5. С. 24-28

66. O. V. Dvornikov, N. N. Prokopenko, N. V. Butyrlagin and I. V. Pakhomov, "The differential and differential difference operational amplifiers of sensor systems based on bipolar-field technological process AGAMC," 2016 International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON), Moscow, 2016, pp. 1-6. DOI: 10.1109/SIBCON.2016.7491792

67. O. V. Dvornikov, N. N. Prokopenko, I. V. Pakhomov and A. V. Bugakova, "The analog array chip AC-1.3 for the tasks of tool engineering in conditions of cryogenic temperature, neutron flux and cumulative radiation dose effects," 2016 IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS), Yerevan, 2016, pp. 1-4. DOI: 10.1109/EWDTS.2016.7807724

68. Дворников О.В., Чеховский В.А., Дятлов В.Л., Прокопенко Н.Н. "Малошумящий электронный модуль обработки сигналов лавинных фотодиодов" Приборы и методы измерений, no. 2 (7), 2013, pp. 42-46.

69. Дворников О. Чеховский В., Дятлов В., Прокопенко Н. Применение структурных кристаллов для создания интерфейсов датчиков //Современная электроника. – 2014. – №. 1. – С. 32-37.

70. O. V. Dvornikov, A. V. Bugakova, N. N. Prokopenko, V. L. Dziatlau and I. V. Pakhomov, "The microcircuits MH2XA010-02/03 for signal processing of optoelectronic sensors," 2017 18th International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices (EDM), Erlagol, 2017, pp. 396-402. DOI: 10.1109/EDM.2017.7981781

71. Операционные усилители с непосредственной связью каскадов: монография / Анисимов В.И., Капитонов М.В., Прокопенко Н.Н., Соколов Ю.М. - Л.: «Энергия», 1979. - 148 с.

72. Прокопенко, Н.Н. Архитектура и схемотехника быстродействующих операционных усилителей: монография / Н.Н. Прокопенко, А.С. Будяков. – Шахты: Изд-во ЮРГУЭС, 2006. – 231 с.

Дифференциальный каскад на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом класса АВ с изменяемым напряжением ограничения проходной характеристики, содержащий первый (1) и второй (2) входы устройства, первый (3) и второй (4) токовые выходы устройства, согласованные с первой (5) шиной источника питания, третий (6) и четвертый (7) токовые выходы устройства, согласованные со второй (8) шиной источника питания, первый (9) и второй (10) входные полевые транзисторы с объединенными истоками, третий (11) и четвертый (12) входные полевые транзисторы с объединенными истоками, причем сток первого (9) входного полевого транзистора связан с первым (3) токовым выходом устройства, сток второго (10) входного полевого транзистора соединен со вторым (4) токовым выходом устройства, сток третьего (11) входного полевого транзистора связан с третьим (6) токовым выходом устройства, сток четвертого (12) входного полевого транзистора соединен с четвертым (7) токовым выходом устройства, отличающийся тем, что в схему введены первый (13), второй (14), третий (15), четвертый (16) дополнительные полевые транзисторы, затвор первого (13) дополнительного полевого транзистора соединен с первым (1) входом устройства, его сток соединен с первой (5) шиной источника питания, затвор второго (14) дополнительного полевого транзистора соединен с первым (1) входом устройства, его сток соединен с второй (8) шиной источника питания, причем между истоками первого (13) и второго (14) дополнительных полевых транзисторов включен первый (17) дополнительный резистор, затвор третьего (15) дополнительного полевого транзистора соединен со вторым (2) входом устройства, его сток соединен с первой (5) шиной источника питания, затвор четвертого (16) дополнительного полевого транзистора подключен к второму (2) входу устройства, его сток соединен со второй (8) шиной источника питания, причем между истоками третьего (15) и четвертого (16) дополнительных полевых транзисторов включен второй (18) дополнительный резистор, между истоками первого (13) и третьего (15) дополнительных полевых транзисторов включен третий (19) дополнительный резистор, между истоками второго (14) и четвертого (16) дополнительных полевых транзисторов включен четвёртый (20) дополнительный резистор, затвор первого (9) входного полевого транзистора соединен с истоком третьего (14) дополнительного полевого транзистора, затвор второго (10) входного полевого транзистора соединен с истоком четвертого (16) дополнительного полевого транзистора, затвор третьего (11) входного полевого транзистора соединен с истоком первого (13) дополнительного полевого транзистора, затвор четвертого (12) входного полевого транзистора соединен с истоком третьего (15) дополнительного полевого транзистора, причем объединенные истоки первого (9) и второго (10) входных полевых транзисторов связаны с объединенными истоками третьего (11) и четвёртого (12) входных полевых транзисторов.
ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЙ КАСКАД НА КОМПЛЕМЕНТАРНЫХ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ С УПРАВЛЯЮЩИМ P-N ПЕРЕХОДОМ КЛАССА АВ С ИЗМЕНЯЕМЫМ НАПРЯЖЕНИЕМ ОГРАНИЧЕНИЯ ПРОХОДНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ
ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЙ КАСКАД НА КОМПЛЕМЕНТАРНЫХ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ С УПРАВЛЯЮЩИМ P-N ПЕРЕХОДОМ КЛАССА АВ С ИЗМЕНЯЕМЫМ НАПРЯЖЕНИЕМ ОГРАНИЧЕНИЯ ПРОХОДНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ
ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЙ КАСКАД НА КОМПЛЕМЕНТАРНЫХ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ С УПРАВЛЯЮЩИМ P-N ПЕРЕХОДОМ КЛАССА АВ С ИЗМЕНЯЕМЫМ НАПРЯЖЕНИЕМ ОГРАНИЧЕНИЯ ПРОХОДНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ
ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЙ КАСКАД НА КОМПЛЕМЕНТАРНЫХ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ С УПРАВЛЯЮЩИМ P-N ПЕРЕХОДОМ КЛАССА АВ С ИЗМЕНЯЕМЫМ НАПРЯЖЕНИЕМ ОГРАНИЧЕНИЯ ПРОХОДНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ
ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЙ КАСКАД НА КОМПЛЕМЕНТАРНЫХ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ С УПРАВЛЯЮЩИМ P-N ПЕРЕХОДОМ КЛАССА АВ С ИЗМЕНЯЕМЫМ НАПРЯЖЕНИЕМ ОГРАНИЧЕНИЯ ПРОХОДНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ
ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЙ КАСКАД НА КОМПЛЕМЕНТАРНЫХ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ С УПРАВЛЯЮЩИМ P-N ПЕРЕХОДОМ КЛАССА АВ С ИЗМЕНЯЕМЫМ НАПРЯЖЕНИЕМ ОГРАНИЧЕНИЯ ПРОХОДНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ
Источник поступления информации: Роспатент

Showing 131-140 of 186 items.
16.01.2020
№220.017.f5ac

Буферный усилитель на основе комплементарных полевых транзисторов с управляющим p-n переходом для работы при низких температурах

Изобретение относится к аналоговой микроэлектронике. Технический результат заключается в создании радиационно-стойкого и низкотемпературного схемотехнического решения БУ на комплементарных полевых транзисторах, обеспечивающего повышенную стабильность статического режима транзисторов и низкий...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002710923
Дата охранного документа: 14.01.2020
16.01.2020
№220.017.f5c9

Дифференциальный каскад класса ав на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом для работы в условиях низких температур

Изобретение относится к области радиотехники и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых сигналов. Технический результат заключается в создании условий, которые позволяют дифференциальным каскадам работать в режиме класса «АВ» при малом статическом токопотреблении....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002710847
Дата охранного документа: 14.01.2020
16.01.2020
№220.017.f5d1

Составной транзистор на основе комплементарных полевых транзисторов с управляющим p-n переходом

Изобретение относится к области микроэлектроники. Технический результат: создание составного транзистора на комплементарных транзисторах, который по своим стоко-затворным характеристикам подобен КМОП полевому транзистору, т.е. имеет характерную зону закрытого состояния при напряжении...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002710846
Дата охранного документа: 14.01.2020
16.01.2020
№220.017.f5f1

Дифференциальный усилитель на комплементарных полевых транзисторах с повышенной стабильностью статического режима

Изобретение относится к радиотехнике и связи. Технический результат заключается в создании условий, при которых в заявляемом дифференциальном усилителе (ДУ) обеспечивается более высокая стабильность статического режима при отрицательных температурах, а также повышение коэффициента ослабления...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002710930
Дата охранного документа: 14.01.2020
17.01.2020
№220.017.f6a8

Трансформируемая куртка для мобильной тепловой защиты человека

Трансформируемая куртка для мобильной тепловой защиты человека представляет многофункциональное изделие, трансформируемое в спальный мешок. Изделие относится к швейной промышленности и предназначено для использования в качестве защитной многофункциональной одежды в условиях пониженных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002711059
Дата охранного документа: 15.01.2020
21.01.2020
№220.017.f7a1

Источник опорного тока для задач стабилизации статического режима операционных усилителей при низких температурах

Изобретение относится к области радиотехники и микроэлектроники и может быть использовано в аналоговых микросхемах и аналого-цифровых интерфейсах датчиков, работающих в тяжелых условиях эксплуатации (низкие температуры, проникающая радиация). Технический результат: повышение стабильности...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002711350
Дата охранного документа: 16.01.2020
24.01.2020
№220.017.f97c

Быстродействующий выходной каскад аналоговых микросхем на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом для работы при низких температурах

Изобретение относится к области аналоговой микроэлектроники и может быть использовано в качестве двухтактных буферных усилителей и выходных каскадов. Технический результат заключается в обеспечении при высокой линейности амплитудной характеристики повышенной стабильности статического режима...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002711725
Дата охранного документа: 21.01.2020
31.01.2020
№220.017.fb65

Входной дифференциальный каскад на комплементарных полевых транзисторах для работы при низких температурах

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых сигналов. Технический результат заключается в обеспечении более высокой стабильности статического режима при отрицательных температурах (до -197°С) и изменении напряжений...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002712416
Дата охранного документа: 28.01.2020
31.01.2020
№220.017.fba4

Токовый пороговый логический элемент "равнозначность"

Изобретение относится к области радиотехники и аналоговой микроэлектроники и может быть использовано в быстродействующих аналоговых и аналого-цифровых интерфейсах для обработки сигналов датчиков. Технический результат заключается в повышении быстродействия устройств преобразования информации....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002712412
Дата охранного документа: 28.01.2020
31.01.2020
№220.017.fba7

Буферный усилитель с малым напряжением смещения нуля на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом

Изобретение относится к аналоговой микроэлектронике. Технический результат заключается в создании радиационно-стойкого и низкотемпературного схемотехнического решения буферного усилителя (БУ) на комплементарных полевых транзисторах, обеспечивающего малые значения напряжения смещения нуля....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002712410
Дата охранного документа: 28.01.2020
Showing 131-140 of 216 items.
16.02.2019
№219.016.bb79

Дифференциальный усилитель на комплементарных полевых транзисторах с управляемым напряжением ограничения проходной характеристики

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых сигналов. Технический результат заключается в повышении стабильности статического режима при отрицательных температурах и изменении напряжений питания, также обеспечивается...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002679970
Дата охранного документа: 14.02.2019
29.03.2019
№219.016.edf0

Быстродействующий операционный усилитель с повышенной скоростью нарастания выходного напряжения

Изобретение относится к области радиотехники. Технический результат: повышение максимальной скорости нарастания выходного напряжения и уменьшение времени установления переходного процесса. Для этого предложен быстродействующий операционный усилитель, содержащий первый (1) и второй (2) входные...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002683160
Дата охранного документа: 26.03.2019
30.03.2019
№219.016.f921

Компенсационный стабилизатор напряжения

Изобретение относится к области вторичных источников электропитания и может быть использовано в структуре систем на кристалле (СнК). Технический результат: уменьшение амплитуды «провалов» и «всплесков» выходного напряжения компенсационного стабилизатора напряжения (КСН) при импульсных токах...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002683249
Дата охранного документа: 27.03.2019
04.04.2019
№219.016.fb76

Многоканальный быстродействующий операционный усилитель

Изобретение относится к области аналоговой микроэлектроники и может быть использовано в аналоговых интерфейсах и устройствах преобразования сигналов, в том числе работающих в диапазоне низких температур и проникающей радиации. Технический результат заключается в повышении максимальной скорости...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002683851
Дата охранного документа: 02.04.2019
12.04.2019
№219.017.0b7f

Буферный усилитель на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом для работы при низких температурах

Изобретение относится к области аналоговой микроэлектроники и может быть использовано в качестве двухтактных буферных и выходных усилителей мощности различных аналоговых устройств (операционных усилителей, драйверов линий связи и т.п.), допускающих работу в условиях воздействия проникающей...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002684489
Дата охранного документа: 09.04.2019
12.04.2019
№219.017.0bd4

Быстродействующий дифференциальный операционный усилитель с дифференцирующими цепями коррекции

Изобретение относится к дифференциальным операционным усилителям. Технический результат заключается в повышении максимальной скорости нарастания выходного напряжения без ухудшения энергетических параметров. Дифференциальный операционный усилитель содержит входной дифференциальный каскад с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002684500
Дата охранного документа: 09.04.2019
12.04.2019
№219.017.0c0b

Дифференциальный каскад на комплементарных полевых транзисторах

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых сигналов, в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения, например, операционных усилителях (ОУ), компараторах, мостовых усилителях мощности и т.п., в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002684473
Дата охранного документа: 09.04.2019
10.05.2019
№219.017.514b

Буферный усилитель для работы при низких температурах

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в создании радиационно-стойкого и низкотемпературного схемотехнического решения буферного усилителя. Буферный усилитель для работы при низких температурах содержит вход и выход устройства, неинвертирующий...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002687161
Дата охранного документа: 07.05.2019
29.05.2019
№219.017.6296

Полосовой arc-фильтр на двух операционных усилителях с понижением частоты полюса и независимой подстройкой основных параметров

Изобретение относится к радиотехнике и связи и может быть использовано в качестве интерфейса для ограничения спектра источника сигнала. Техническим результатом изобретения является создание схемы полосового АRC-фильтра с понижением частоты полюса, которая обеспечивает независимую подстройку...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002688237
Дата охранного документа: 21.05.2019
29.05.2019
№219.017.62c0

Дифференциальный усилитель на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых сигналов. Технический результат заключается в повышении стабильности статического режима входных полевых транзисторов при отрицательных температурах, возможности изменения...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002688225
Дата охранного документа: 21.05.2019
+ добавить свой РИД