×
22.01.2020
220.017.f8a9

Результат интеллектуальной деятельности: Стекловидный неорганический диэлектрик

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к стекловидному неорганическому диэлектрику, включающему следующие соотношения компонентов, вес.%: SiO 65,0-67,7; BO 5,2-8,8; СаО 1,7-3,3; MgO 1,0-2,3; NaO 3,7-4,2; KO 2,0-5,4; LiO 3,5-5,0; SbO 0,6-2,5; MnO 1,2-2,7; ZrO2 7,55-15,80. Технический результат - снижение КЛТР для улучшения механической прочности применяемого стекловидного диэлектрика для создания прочного тройного спая, изготовленного методом центрифугирования. 2 ил., 3 табл.

Предполагаемое изобретение относится к составу легкоплавких некристаллизующихся стекловидных диэлектриков и предназначено для спаивания с сапфиром и кремнием.

Предполагаемое изобретение может найти широкое применение в приборостроении, радиоэлектронной технике, микроэлектронике, в частности, в производстве интегральных схем при создании спая сапфир-стекловидный неорганический диэлектрик-кремний.

Известен состав легкоплавкого стекловидного неорганического диэлектрика (Патент №2083515, М.Кл. С03С 10/06, 10.07.1997), используемый для диэлектрической изоляции активных элементов кремниевых интегральных схем и создания структур типа кремний-на-изоляторе (КНИ) и кремниевых структур с диэлектрической изоляцией (КСДИ). Легкоплавкий стекловидный неорганический диэлектрик включает компоненты при следующем соотношении, вес. %: SiO2 46,0-59,0; Al2O3 20,0-23,0; ВаО 16,0-28,0; SrO 1,0-10,0; TiO2 0,01-8,0; CeO2 0,01-0,5; СаО 1,0-6,0; GeO2 1,0-8,0.

Признаком аналога, совпадающим с существенными признаками предлагаемого изобретения являются компоненты, входящие в состав легкоплавкого стекловидного неорганического диэлектрика: SiO2, СаО.

Недостатком аналога легкоплавкого стекловидного неорганического диэлектрика, препятствующим достижению необходимого результата, является невозможность получения качественного бездефектного спая при соединении из-за высокой вязкости стекловидного материала при термообработке структур в следствии быстрого протекания процесса кристаллизации.

Известен состав легкоплавкого стекла (US 649762 B1, SATOSHI FU-JIMINE KANAGAWA JP, 24.12.2002), используемого для различных материалов, в частности для покрытия металлических и диэлектрических электродов. Легкоплавкое стекло включает компоненты при следующем соотношении, вес. %: PbO 25,0-85,0; SiO2 0,0-40,0; Al2O3 0,0-25,0; ZnO 0,0-55,0; Na2O 0,0-20,0; Bi2O3 0,0-35,0; CuO 0,2-0,9; В2О3 0,0-60,0.

Общим признаком аналога, совпадающим с существенными признаками заявляемого изобретения, являются компоненты, входящие в состав легкоплавкого стекла: SiO2, Na2O, B2O3.

Недостатком указанного состава легкоплавкого стекловидного диэлектрика является повышенная чувствительность значения коэффициента линейного термического расширения (КЛТР) к незначительным колебаниям режимов термообработки.

Наиболее близким к предлагаемому стекловидному неорганическому диэлектрику по технической сущности и достигаемому результату является состав стекловидного неорганического диэлектрика, применяемого в электронной технике, включающий вес. %: SiO2 65,0-70,0; B2O3 4,0-10,0; СаО 1,0-9,0; MgO 1,0-9,0; Na2O 3,5-8,0; K2O 1,0-8,0; Li2O 3,5-8,0; Cs2O 1,0-8,0; Sb2O3 0,5-1,5; MnO2 1,0-8,5 (A.c. СССР №679538, M. Кл. C03C 3/08, 18.08.1979) для создания спая с различными подложками (феррит, титан, кремний).

Признаком прототипа, совпадающим с существенными признаками предлагаемого изобретения являются компоненты, входящие в состав стекловидного неорганического диэлектрика: SiO2, B2O3, СаО, MgO, Na2O, K2O, Li2O, Sb2O3, MnO2.

Недостатком, препятствующим достижению необходимого результата, является отклонение значений КЛТР стекловидного неорганического диэлектрика от значений КЛТР кремния, что затрудняет получение согласованных с кремнием спаев и приводит, в конечном счете, к деформации кремниевых пластин. Возникновение в кремнии внутренних напряжений и дислокаций в конечном итоге приводит к ухудшению параметров кремниевых приборов и к низкому выходу годных при производстве интегральных схем.

Техническим результатом предполагаемого изобретения является получение стекловидного неорганического диэлектрика для создания спая сапфир-стекловидный неорганический диэлектрик-кремний в системе SiO22О3-R2O-RO, который по КЛТР согласовывается с составляющими спая, и способный увеличивать механическую прочность тройного спая сапфир-стекловидный неорганический диэлектрик-кремний.

Технический результат достигается тем, что компоненты имеют следующие соотношения, вес. %: SiO2 65,0-67,7; B2O3 5,2-8,8; СаО 1,7-3,3; MgO 1,0-2,3; Na2O 3,7-4,2; K2O 2,0-5,4; Li2O 3,5-5,0; Sb2O3 0,6-2,5; MnO2 1,2-2,7, а также дополнительно содержит ZrO2 при следующем соотношении, вес. % 7,55-15,80.

Для достижения технического результата стекловидный неорганический диэлектрик, включающий SiO2; B2O3; СаО; MgO; Na2O; K2O; Li2O; Sb2O3; MnO2, отличается тем, что эти компоненты имеют следующие соотношения, вес. %: SiO2 65,0-67,7; В2О3 5,2-8,8; СаО 1,7-3,3; MgO 1,0-2,3; Na2O 3,7-4,2; K2O 2,0-5,4; Li2O 3,5-5,0; Sb2O3 0,6-2,5; MnO2 1,2-2,7, а также дополнительно содержит ZrO2 при следующем соотношении, вес. % 7,55-15,80.

Для синтеза стекловидного неорганического диэлектрика с комплексом заранее заданных свойств был применен метод математического планирования эксперимента. В качестве параметра оптимизации выбран параметр КЛТР как наиболее важный для получения согласованного спая стекловидного неорганического диэлектрика с сапфиром и кремнием в системе SiO2-B2O3-R2O-RO.

Уменьшение содержания SiO2 в составе стекловидного неорганического диэлектрика в пределах от 46 до 60 вес. % приводит к ухудшению диэлектрических свойств.

На первое место среди всех прочих окислов по своей способности увеличивать химическую устойчивость ставится ZrO2. Окислы ZrO2 трудно растворимы в силикатных расплавах и придают стекловидному диэлектрику тугоплавкость. Компонент ZrO2 обладает в стекловидном неорганическом диэлектрике весьма высокой преломляющей способностью, а также ZrO2 является огнеупорным окислом.

Данный компонент эффективно повышает устойчивость стекловидных диэлектриков по отношению чуть ли не ко всем реагентам, он отличается высокой щелочестойкостью при достаточной кислотности. Особенно благоприятное влияние ZrO2 оказывает на щелочеустойчивость различных стекол, эмалей и глазурей.

При создании стекловидного неорганического диэлектрика для тройного спая содержание ZrO2 изменялось в пределах 0-16% с интервалом варьирования 2%. Для создания прочного тройного спая сапфир-стекловидный неорганический диэлектрик-кремний предъявляется целый комплекс специфических требований к физико-химическим свойствам стекловидного неорганического диэлектрика, который используется в качестве «связующего» элемента для создания тройного спая. Использование неорганического стекловидного диэлектрика требует согласования значений КЛТР стекловидного неорганического диэлектрика и двух других компонентов спая, которые приведут в конечном счете к минимальным напряжениям в спае. На фиг. 1 изображен график зависимости КЛТР стекловидного неорганического диэлектрика от % вес. в состав добавки ZrO2.

Были синтезированы стекловидные неорганические диэлектрики (№1-5), состав которых приведен в таблице №1.

В качестве исходных компонентов для стекловидного неорганического диэлектрика использовались оксиды марок «осч» и «хч». Каждую смесь (предлагаемых составов (1-5), табл. 1) сплавляют отдельно в корундовых тиглях в электропечах с ситаловыми нагревателями при 1400-1450°С в течение 0,5 часов. Расплавы стекловидных диэлектриков отливают в виде образцов для измерения КЛТР, электрических параметров.

Полученный гранулят стекловидного неорганического диэлектрика измельчают в яшмовых барабанах до получения порошка с удельной поверхностью 5000 см2/г. На основе стеклопорошков готовят рабочие суспензии «мокрый помол» в яшмовых барабанах с яшмовыми шарами в присутствии изобутилового спирта. Нанесение стеклопорошка из рабочей суспензии на из сапфировую подложку осуществляется в центрифуге при скорости вращения ротора 3000-6000 об/мин в течение 3 мин. Термообработку полученного порошкового слоя стекловидного неорганического диэлектрика проводят в электропечах при 950-1000°С со скоростью охлаждения 3 град/мин до 170°С. Кристаллизационная способность пленок оценивалась на электронном микроскопе. Толщина покрытия стекловидной неорганической пленки варьировалась в пределах от 2 до 5 мкм.

На механическую надежность спая существенное влияние оказывают компоненты, входящие в состав стекловидного диэлектрика. В отожженных спаях существуют в основном напряжения, обусловленные различными значениями КЛТР. Растягивающее усилие в структуре может вызвать растрескивание спая на последующих этапах обработки, нарушение линейности или деградации свойств используемого материала. Кроме КЛТР существенное влияние оказывает толщина стекловидного неорганического диэлектрика, который используется в качестве «связующего» элемента. Поэтому предлагается метод центрифугирования, который позволяет получить однородные по толщине пленки из стекловидного неорганического диэлектрика 2-5 мкм.

Стекловидный неорганический диэлектрик, обеспечивающий решение поставленной задачи, а именно получение механически прочного, без пор и полостей спая при соединении кремниевых и сапфировых структур системы SiO2-B2O3-Li2O, включающего добавку ZrO2 в пределах 7,55-15,80 вес. %, которая способствует согласованности по всем величинам КЛТР всех составляющих спая: сапфира, стекловидного неорганического диэлектрика и кремния. Оксид циркония способствует повышению механической прочности тройного спая.

Разработанный стекловидный неорганический диэлектрик с добавлением компонента ZrO2 на базе системы SiO2-B2O3-Li2O, должен приводить к минимальной рассогласованности спаиваемых материалов, иметь КЛТР (50-55×10-7 К-1) близкий к КЛТР кремния (40-50×10-7 К-1) и сапфира (56-75×10-7 К-1).

Количественное соотношение указанных компонентов в предлагаемом составе легкоплавкого стекловидного диэлектрика позволяет создать стекловидный диэлектрик, который обеспечивает прочный тройной спай сапфир-стекловидный неорганичекий диэлектрик-кремний.

Оценка кристаллизационной способности исходных монолитных синтезированных стекловидных диэлектриков (№1-5), которая дает информацию о протекании процесса кристаллизации при термообработке тройного спая, осуществлялась методом массовой кристаллизации и с помощью метода дифференциально-термического анализа (ДТА) фиг. 2.

Электрофизические параметры стекловидных диэлектриков измеряли по стандартным методикам. Полученные стекловидные неорганические диэлектрики имеют следующие характеристики (см. табл. 2).

где КЛТР - коэффициент линейного термического расширения, TD - дилатометрическая температура, ТΘ - температура растекания, Н - микротвердость.

Результаты испытания тройного спая сапфир-стекловидный неорганический диэлектрик-кремний на параметр предела прочности на отрыв представлены в табл. 3

Разработанный легкоплавкий стекловидный диэлектрик обеспечивает получение улучшенной механической прочности тройного спая, применяемой для создания тройного спая сапфир-стекловидный неорганический диэлектрик-кремний, применяемый в интегральных схемах.

Стекловидный неорганический диэлектрик, включающий SiO; BO; CaO; MgO; NaO; KO; LiO; SbO; MnO, отличающийся тем, что эти компоненты имеют следующие соотношения, вес. %: SiO 65,0-67,7; BO 5,2-8,8; СаО 1,7-3,3; MgO 1,0-2,3; NaO 3,7-4,2; KO 2,0-5,4; LiO 3,5-5,0; SbO 0,6-2,5; MnO 1,2-2,7, а также дополнительно содержит ZrO при следующем соотношении, вес. % 7,55-15,80.
Источник поступления информации: Роспатент

Showing 1-10 of 41 items.
20.10.2015
№216.013.844f

Устройство тестового контроля

Предлагаемое устройство относится к области вычислительной техники и может быть использовано в системах контроля и диагностики цифровых вычислительных устройств. Задачей заявляемого устройства является обеспечение возможности независимого оперативного переключения различных групп...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002565474
Дата охранного документа: 20.10.2015
20.11.2015
№216.013.8f69

Устройство формирования линейно-частотно-модулированных сигналов

Изобретение относится к технике формирования радиосигналов и может быть использовано в радиолокации, защищенной связи, радиотомографии, георазведке. Технический результат изобретения заключается в увеличении девиации частоты линейно-частотно-модулированных (ЛЧМ) сигналов. Изобретение включает...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002568329
Дата охранного документа: 20.11.2015
10.02.2016
№216.014.c31b

Масса для изготовления абразивного инструмента

Изобретение относится к области механической обработки материалов и может быть использовано при изготовлении абразивных инструментов для шлифования. Используют массу, включающую абразив, эпоксидную смолу, полиэтиленполиамин, высокопрочный ферритный чугун, древесную золу и дийодид хрома в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002574183
Дата охранного документа: 10.02.2016
20.04.2016
№216.015.3406

Способ лазерного управляемого термораскалывания сапфировых пластин

Изобретение относится к способам резки хрупких неметаллических материалов, в частности сапфировых пластин импульсным лазерным излучением с длиной волны 1064 нм. Изобретение может быть использовано в различных областях техники и технологий для безотходной и высокоточной резки (термораскалывания)...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002582181
Дата охранного документа: 20.04.2016
20.05.2016
№216.015.3fd3

Акустооптический измеритель параметров радиосигналов с повышенным разрешением

Акустооптический измеритель параметров радиосигналов включает в себя последовательно по свету расположенные лазер, коллиматор, АО дефлектор, на электрический вход которого подается измеряемый радиосигнал, интегрирующую линзу, в фокальной плоскости которой расположено регистрирующее устройство,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002584182
Дата охранного документа: 20.05.2016
13.01.2017
№217.015.73c8

Четырехконтактный элемент интегрального коммутатора

Изобретение относится к области интегральной электроники, а именно - к элементам интегральных коммутаторов. Для увеличения быстродействия и расширения функциональных возможностей в четырехконтактный элемент интегрального коммутатора, содержащий полуизолирующую GaAs-подложку, области GaAs и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002597677
Дата охранного документа: 20.09.2016
13.01.2017
№217.015.7408

Интегральный туннельный акселерометр

Изобретение относится к области измерительной техники и микросистемной техники. Сущность изобретения заключается в том, что в устройство дополнительно введены четыре дополнительных неподвижных электрода, выполненные с гребенчатыми структурами из полупроводникового материала и расположенные...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002597951
Дата охранного документа: 20.09.2016
13.01.2017
№217.015.740f

Интегральный микромеханический гироскоп-акселерометр

Изобретение относится к области измерительной техники и микросистемной техники. Сущность изобретения заключается в том, что в устройство дополнительно введены четыре дополнительных неподвижных электрода емкостных преобразователей перемещений, выполненные в виде пластин с гребенчатыми...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002597950
Дата охранного документа: 20.09.2016
13.01.2017
№217.015.74c7

Интегральный микромеханический гироскоп-акселерометр

Изобретение относится к области измерительной техники и микросистемной техники. Сущность изобретения заключается в том, что в устройство дополнительно введены четыре дополнительных подвижных электрода емкостных преобразователей перемещений, выполненные в виде пластин с перфорацией с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002597953
Дата охранного документа: 20.09.2016
13.01.2017
№217.015.89ed

Высокочувствительный преобразователь емкости в частоту

Изобретение относится к цифровой измерительной технике, а именно к устройствам преобразования емкости в частоту, и может быть использовано в устройствах первичной обработки информации емкостных преобразователей микромеханических гироскопов и акселерометров. Высокочувствительный преобразователь...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002602493
Дата охранного документа: 20.11.2016
Showing 1-4 of 4 items.
20.04.2016
№216.015.3406

Способ лазерного управляемого термораскалывания сапфировых пластин

Изобретение относится к способам резки хрупких неметаллических материалов, в частности сапфировых пластин импульсным лазерным излучением с длиной волны 1064 нм. Изобретение может быть использовано в различных областях техники и технологий для безотходной и высокоточной резки (термораскалывания)...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002582181
Дата охранного документа: 20.04.2016
26.08.2017
№217.015.df8e

Способ получения чувствительного материала для газового датчика на сапфировой подложке

Изобретение относится к способу изготовления газовых датчиков и применяется для получения газочувствительного материала, который выполнен на основе диоксида титана, нанесенного на сапфировую подложку, и предназначен для регистрации содержания микропримесей оксида углерода и кислорода. Способ...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002625096
Дата охранного документа: 11.07.2017
15.10.2019
№219.017.d56e

Способ изготовления полупроводниковых датчиков давления

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и может быть использовано для изготовления полупроводниковых датчиков давления. Технический результат изобретения заключается в повышении параметров надежности и обеспечении долговременной стабильности параметров датчика...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002702820
Дата охранного документа: 11.10.2019
16.05.2023
№223.018.630f

Стекло для спаивания со сплавами алюминия

Изобретение относится к составам стекол, дающих возможность получения герметичного спая со сплавами алюминия, используемых в создании высокотехнологического производства комплексов обработки сельхозсырья в качестве составляющих технологического оборудования (например, лотка подачи семян в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002771549
Дата охранного документа: 05.05.2022
+ добавить свой РИД