×
08.11.2019
219.017.df02

Результат интеллектуальной деятельности: Способ выращивания кристалла метабората бария β-BaBO(BBO)

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к получению монокристаллов метабората бария ΒaΒO (ВВО), применяемых в лазерных системах. Рост кристалла ВВО осуществляют в прецизионной нагревательной печи, обладающей высокой симметрией и стабильностью теплового поля из высокотемпературного раствора-расплава, включающего расплав бората бария ΒaΒOи комплексный растворитель на основе эвтектического состава LiF - NaF с избытком BO от 3 до 7 вес. %, на вращающуюся ориентированную по направлению [0001] затравку, при скорости вытягивания кристалла от 0,15 до 0,4 мм/сутки с одновременным охлаждением раствора-расплава со скоростью от 0,3 до 1 град/сутки. Технический результат - увеличение размеров кристаллов ВВО и повышение коэффициента выхода с сохранением их оптического качества. 2 ил., 1 пр.

Изобретение относится к получению монокристаллов метабората бария, применяемых в лазерных системах.

Кристаллы β-BBO прозрачны в ультрафиолетовой области спектра, обладают высокой лазерной стойкостью, и поэтому нашли широкое применение в фундаментальной и прикладной оптоэлектронике. Нелинейно-оптические элементы из кристаллов ВВО используют в основном в лазерных системах с диаметром пучка до 8 мм. Значительный интерес представляет использование данных кристаллов в широкоапертурных лазерных системах с диаметром пучка до нескольких сантиметров. Еще одним важным применением кристаллов ВВО является их использование в качестве электро-оптических модуляторов лазерного излучения. Для этого необходимы монокристаллы размер вдоль оптической оси которых достигает не менее 25 мм.

Известен способ получения монокристаллов β-BaB2O4 80 мм в диаметре и 40 мм вдоль оптической оси (в платиновом тигле диаметром 100 мм) из растворов-расплавов с использованием флюсов 30-50 мол.% Na2O, NaF, BaF2 или их комбинаций [CN1443879(A), МПК: C30B9/12, C30B15/00, опубл. 24.09.2003]. Однако, проведение роста по этому способу технологически сложно, вследствие высокой вязкости раствор-расплавов. Взаимодействие между Na2O и B2O3 в расплаве может быть описано по реакции (1). В результате протекания химических процессов происходит накопление продуктов реакции - NaBO2 в расплаве, что приводит к уменьшению концентрации BaB2O4.

Na2O + B2O3 = 2NaBO2 (1)

Стремительный пирогидролиз BaF2 приводит к изменению состава высокотемпературного раствора-расплава, и, как следствие, ухудшению качества кристаллов [Bekker T.B., Kokh A.E., Fedorov P.P. Phase equilibria and beta-BaB2O4 crystal growth in the BaB2O4-BaF2 system // CrystEngComm. - 2011. - V.13. - pp. 3822-3826].

Известен способ роста кристаллов в прецизионной нагревательной печи, обладающей высокой симметрией и стабильностью теплового поля в системе ΒaΒ2O4 -LiF - NaF [ Simonova E., Kokh A., Shevchenko V., Kuznetsov A., Kragzhda A., Fedorov P. Growth of β-BaB2O4 crystals from solution in LiF-NaF melt and study of phase equilibria // J. Cryst. Res. Technol. 2019. doi:10.1002/crat.201800267]. Для проведения экспериментов по выращиванию кристаллов β-ΒaΒ2O4 в системе ΒaΒ2O4-LiF-NaF в платиновый тигель диаметром 80 мм и высотой 95 мм наплавляли раствор-расплав состава 0.7 ΒaΒ2O4-0.3 (0.61LiF - 0.39NaF) массой 1000 г. Ростовые эксперименты проводили в условиях снижения температуры со скоростью от 0.3-1 град/сут при одностороннем вращении кристалла со скоростью 1-1.5 об/мин., вытягивании кристалла - 0.15-0.4 мм/сут. В первом цикле роста был выращен кристалл β-BaB2O4 весом 257.2 г., 63 мм в диаметре и 34 мм в высоту. Коэффициент выхода составил 3.48 г/кг°С. Начальная температура роста равна 915°С, температурный интервал кристаллизации 26.8 °С. Во втором цикле роста вес кристалла β-BaB2O4 составил 211.2 г., 60°мм в диаметре и 32°мм в высоту. Коэффициент выхода равен 1.77 г/кг °С.

В качестве недостатка данного растворителя можно выделить, протекающий в системе, пирогидролиз фторидов лития и натрия, который происходит при нагревании и заключается во взаимодействии с парами воды с образованием HF. Вследствие пирогидролиза LiF и NaF происходит изменение изначального состава раствора-расплава, что приводит к резкому падению коэффициента выхода кристаллов ВВО в 2 раза.

Технической задачей, решаемой изобретением, является увеличение размеров кристаллов ВВО и повышение коэффициента выхода с сохранением их оптического качества, пригодных для практического применения.

Технический результат достигается тем, что выращивание кристалла ВВО осуществляют из высокотемпературного раствора-расплава, включающего расплав бората бария и комплексный растворитель на основе эвтектического состава LiF - NaF с избытком B2O3 от 3 до 7 вес.%., в прецизионной нагревательной печи, обладающей высокой симметрией и стабильностью теплового поля в системе ΒaΒ2O4 –LiF - NaF, на вращающуюся, ориентированную по направлению [0001] затравку, при скорости вытягивания кристалла от 0.15 до 0.4 мм/сутки с одновременным охлаждением раствора-расплава со скоростью от 0.3 до 1 град/сутки.

На фиг.1 представлена фотография кристалла ВВО (350 г.), выращенного в четверной взаимной системе Li, Na, Ba // BO2, F эвтектического состава 0.61 LiF- 0.39 NaF с 5%-ным (по весу) избытком B2O3; на фиг.2 - фотография кристалла ВВО (255.1 г.), выращенного в четверной взаимной системе Li, Na, Ba // BO2, F с 5%-ным (по весу) избытком B2O3 во втором ростовом цикле.

Пример.

Исходный раствор-расплав соответствует составу - 70 мол. % ΒaΒ2O4, 30 мол. % эвтектического состава (0.61 LiF - 0.39 NaF), избыток B2O3 5 вес. %. В платиновый тигель диаметром 80 мм и высотой 95 мм помещают смесь соединений BaB2O4 массой 936.38 г. (предварительно синтезированного известным способом путем твердофазного синтеза из ВаCO3 и HBO2), LiF - 31.26 г., NaF - 32.36 г., B2O3 - 14.62 г. Выращивание кристаллов ВВО осуществляют в нагревательной печи, боковой нагреватель которой состоит из трех секций для придания тепловому полю оси симметрии третьего порядка. После гомогенизации раствора-расплава температуру понижают до точки равновесия кристалла с раствором-расплавом. Рост кристаллов ВВО производят на монокристаллическую затравку сечением 5×5 мм, ориентированную вдоль направления оптической оси при одностороннем вращении со скоростью 1.3 об/мин. Температура начала кристаллизации - 920° C. Начальная скорость снижения температуры раствора-расплава составила 0.3 град/сутки, скорость вытягивания - 0.4 мм/сут. В процессе выращивания при увеличении массы кристалла скорость вытягивания плавно уменьшают до 0.15 мм/сутки, а скорость охлаждения увеличивают до 1 град/сутки. Процесс выращивания продолжался до тех пор, пока визуально не обнаруживалось значительное ухудшение прозрачности кристалла. После этого кристалл отрывали от расплава и охлаждали со скоростью 15 ° С/час до комнатной температуры. Продолжительность роста составила 59 дней, температурный интервал кристаллизации равен 90 град. Использование комплексного растворителя и заданных параметров при росте позволило получить крупный оптически однородный кристалл ВВО массой 350 г., 72 мм в диаметре и 44 мм вдоль оптической оси, характеризующихся хорошими показателями оптического качества и возможностью изготовления оптических элементов. Коэффициент выхода составил 3.83 г/кг °С

Для последующего использования приготовленного раствора-расплава после первого ростового цикла добавили синтезированный BaB2O4, масса которого соответствовала массе выращенного кристалла (350 г.). Начальная скорость снижения температуры составила 0.3 град/сутки, скорость вытягивания - 0.4 мм/сут. В процессе роста скорость вытягивания плавно уменьшают до 0.15 мм/сутки, а скорость охлаждения увеличивают до 1 град/сутки. Во втором цикле роста диаметр выращенного кристалла ВВО составил 67°мм, высота 38°мм при весе кристалла 255.1 г. Коэффициент выхода равен 3.40 г/кг·°С. Начальная температура роста составила 918 °С, температурный интервал кристаллизации 75°С.

Основное преимущество используемого растворителя - подавление стремительного пирогидролиза фторидов лития и натрия, благодаря добавлению в систему избытка B2O3, в результате чего в первом ростовом цикле получен монокристалл высокого качества весом 350 г., 72 мм в диаметре и 44 мм в высоту, не содержащий видимых включений (фиг.1). Коэффициент выхода кристалла ВВО составил 3.83 г/(кг·град), что превосходит коэффициент выхода кристалла, выращенного из состава 0.7 ΒaΒ2O4 - 0.3 (0.61 LiF-0.39 NaF) по известному способу. Во втором цикле роста вес кристалла β-BaB2O4 составил 255,1 г., 67 мм в диаметре и 38 мм в высоту. Коэффициент выхода равен 3.40 г/кг °С (фиг. 2). Таким образом, в системе с избытком B2O3 коэффициент выхода кристалла ВВО во втором цикле роста соответствует коэффициенту выхода, выращенного в первом цикле без добавления B2O3.

Согласно полученным данным, можно сделать вывод, что от первого ко второму ростовому циклу происходит незначительное уменьшение коэффициента выхода, что свидетельствует о слабой деградации раствора-расплава и значительном подавлении пирогидролиза в системе.

Заданные параметры при росте являются оптимальными и позволяют воспроизводимо получать крупные оптически однородные кристаллы ВВО. Однако данные параметры не ограничивают изобретение и включают все модификации, эквиваленты и альтернативы в пределах сущности и объема изобретения.

Способ выращивания кристалла метабората бария β-BaBO (ВBO) из высокотемпературного раствора-расплава в прецизионной нагревательной печи, обладающей высокой симметрией и стабильностью теплового поля, включающего расплав бората бария ΒaΒOи комплексный растворитель на основе эвтектического состава LiF и NaF, в системе ΒaΒO -LiF - NaF, на вращающуюся ориентированную по направлению [0001] затравку, при скорости вытягивания кристалла от 0,15 до 0,4 мм/сутки с одновременным охлаждением раствора-расплава со скоростью от 0,3 до 1 град/сутки, отличающийся тем что используют комплексный растворитель с избытком BO от 3 до 7 вес. %.
Способ выращивания кристалла метабората бария β-BaBO(BBO)
Источник поступления информации: Роспатент

Showing 11-20 of 30 items.
25.08.2017
№217.015.baac

Материал для дихроичной поляризации света - кристалл liba(bo)f

Изобретение относится к материалам для поляризационных оптических устройств, которые могут быть использованы для получения линейно-поляризованного света в оптико-электронных приборах: поляриметрах, эллипсометрах, дихрометрах, фотоэлектрических автоколлиматорах, модуляторах световых потоков,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002615691
Дата охранного документа: 06.04.2017
19.01.2018
№218.016.0419

Кристаллический материал для регистрации рентгеновского излучения

Изобретение относится к технологии получения кристаллического материала, являющегося твердым раствором общей формулы ВаSr(ВО)F, где 0≤x≤1 и 0≤y≤0,5, пригодного для регистрации рентгеновского излучения. Кристаллический материал ВаSr(ВО)F имеет центры окраски, образованные под воздействием...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002630511
Дата охранного документа: 11.09.2017
19.01.2018
№218.016.0bba

Устройство для получения конденсата водяного пара из горючего природного газа и попутного нефтяного газа в полевых условиях для анализа содержания трития

Изобретение относится к области радиоэкологического мониторинга районов мирных подземных ядерных взрывов в пределах нефтегазоносных бассейнов, в частности к малогабаритным устройствам пробоподготовки горючих природных газовых проб в полевых условиях и перевода опасных для транспортировки...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002632453
Дата охранного документа: 04.10.2017
04.04.2018
№218.016.369f

Способ измерения характеристики изотопной системы образца при поэтапном выделении анализируемого вещества (варианты)

Группа изобретений относится к области аналитических методов изотопной геохронологии и геохимии. Способ включает измерение количества каждого из изотопов в анализируемом веществе, выделенном из навески образца на каждом из этапов выделения анализируемого вещества из навески образца; введение в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002646461
Дата охранного документа: 05.03.2018
14.03.2019
№219.016.df06

Способ выращивания кристалла трибората лития (варианты)

Изобретение относится к области получения кристалла трибората лития LiBO (LBO), являющегося высокоэффективным нелинейно-оптическим материалом, применяющимся для пассивного преобразования частоты лазерного излучения. Способ выращивания кристалла трибората лития включает загрузку начальной шихты...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002681641
Дата охранного документа: 11.03.2019
31.05.2019
№219.017.7137

Дихроичный материал - фторидоборат с "антицеолитной" структурой

Изобретение относится к материалам для поляризационных оптических устройств. Дихроичный материал представляет собой фторидоборат с «антицеолитной» структурой с общей формулой ; при х=0, у=(0÷0.1) в виде каркаса [Ва(ВО)], сложенного чередующимися слоями (АВАВ) вдоль направления...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002689596
Дата охранного документа: 28.05.2019
12.08.2019
№219.017.be7d

Способ определения объемной активности трития в горючем природном газе или попутном нефтяном газе скважин нефтяных и газовых месторождений

Изобретение относится к области радиационного мониторинга районов мирных подземных ядерных взрывов в пределах нефтегазоносных бассейнов, в частности к получению количественных данных об объемной активности трития. Способ определения объемной активности трития в горючем природном газе или...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002696811
Дата охранного документа: 06.08.2019
08.09.2019
№219.017.c941

Нелинейный монокристалл литиевых халькогенидов общей формулы ligainte и способ его получения

Изобретение относится к монокристаллам литиевых халькогенидов, предназначенных к применению в нелинейной оптике для реализации перестройки лазерного излучения видимого и ближнего ИК-диапазона в средний ИК-диапазон. Получен нелинейный монокристалл литиевых халькогенидов общей формулы LiGaInTe,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002699639
Дата охранного документа: 06.09.2019
15.11.2019
№219.017.e290

Реакционная ячейка многопуансонного аппарата высокого давления и температуры для обработки алмаза

Изобретение относится к области обработки алмаза на многопуансонных аппаратах высокого давления и температуры. Реакционная ячейка многопуансонного аппарата высокого давления и температуры содержит соосно установленные цилиндрической формы нагревательный элемент 1 с торцевыми двойными...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002705962
Дата охранного документа: 12.11.2019
10.12.2019
№219.017.ebdb

Способ получения цветного хромдиопсидового стекла (варианты)

Изобретение относится к использованию минерального сырья хромдиопсида (магний-кальциевый силикат состава MgCaSiO, содержащий примесь хрома) для получения ювелирного поделочного материала в виде плавленых цветных однородных окрашенных стеклообразных образцов. Зеленое хромдиопсидовое стекло...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002708438
Дата охранного документа: 06.12.2019
Showing 11-17 of 17 items.
09.06.2020
№220.018.25c3

Фотолюминесцентный материал на основе сложного бората

Изобретение относится к химической промышленности. Фотолюминесцентный материал на основе сложного бората, допированного тербием, относится к пространственной группе Р-1 триклинной сингонии, имеет состав LiBaScBO:0,1Tb, параметры решетки а=5,2231 b=8,5640 с=11,4209 α=73,362°, β=78,566°,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002723028
Дата охранного документа: 08.06.2020
14.05.2023
№223.018.56d1

Способ выращивания кристалла из испаряющегося раствор-расплава

Изобретение относится к технологии получения кристаллов из испаряющихся (летучих) растворов-расплавов. Кристалл KCaNd(BO) выращивают из испаряющегося раствор-расплава путем контроля степени пересыщения раствор-расплава, при этом сначала подготавливают поликристаллический образец KCaNd(BO),...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002732513
Дата охранного документа: 18.09.2020
15.05.2023
№223.018.5c46

Фотолюминесцентный материал скандобората самария smsc(bo)

Изобретение относится к фотолюминесцентному материалу на основе скандобората самария формулы SmSc(BO), излучающего свет от 566 до 708 нм, кристаллизующегося в тригональной сингонии с пространственной группой с параметрами элементарной ячейки а = 4.8923(4) , с = 16.3003(13) . Скандоборат...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002753258
Дата охранного документа: 12.08.2021
15.05.2023
№223.018.5c47

Фотолюминесцентный материал скандобората самария smsc(bo)

Изобретение относится к фотолюминесцентному материалу на основе скандобората самария формулы SmSc(BO), излучающего свет от 566 до 708 нм, кристаллизующегося в тригональной сингонии с пространственной группой с параметрами элементарной ячейки а = 4.8923(4) , с = 16.3003(13) . Скандоборат...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002753258
Дата охранного документа: 12.08.2021
15.05.2023
№223.018.5c6b

Нелинейно-оптический и фотолюминесцентный материал редкоземельного скандобората самария и способ его получения

Изобретение относится к получению экологически чистых источников света и люминофоров. Нелинейно-оптический и фотолюминесцентный материал редкоземельного скандобората самария состава SmSc(BO) нецентросимметричной моноклинной структуры имеет пространственную группу Сс с параметрами решетки...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002759536
Дата охранного документа: 15.11.2021
15.05.2023
№223.018.5c6c

Нелинейно-оптический и фотолюминесцентный материал редкоземельного скандобората самария и способ его получения

Изобретение относится к получению экологически чистых источников света и люминофоров. Нелинейно-оптический и фотолюминесцентный материал редкоземельного скандобората самария состава SmSc(BO) нецентросимметричной моноклинной структуры имеет пространственную группу Сс с параметрами решетки...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002759536
Дата охранного документа: 15.11.2021
16.05.2023
№223.018.6222

Фотолюминесцентный материал состава nasryb(bo) и способ его получения

Изобретение относится к люминофорам с общей формулой АВС(ВО), где А, В, С - катионы щелочных, щелочноземельных и редкоземельных металлов, излучающих свет в инфракрасной области. Фотолюминесцентный материал состава NaSrYb(BO) излучает свет в инфракрасной области в диапазоне от 950 до 1050 нм и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002786154
Дата охранного документа: 19.12.2022
+ добавить свой РИД