×
08.11.2019
219.017.df02

Результат интеллектуальной деятельности: Способ выращивания кристалла метабората бария β-BaBO(BBO)

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к получению монокристаллов метабората бария ΒaΒO (ВВО), применяемых в лазерных системах. Рост кристалла ВВО осуществляют в прецизионной нагревательной печи, обладающей высокой симметрией и стабильностью теплового поля из высокотемпературного раствора-расплава, включающего расплав бората бария ΒaΒOи комплексный растворитель на основе эвтектического состава LiF - NaF с избытком BO от 3 до 7 вес. %, на вращающуюся ориентированную по направлению [0001] затравку, при скорости вытягивания кристалла от 0,15 до 0,4 мм/сутки с одновременным охлаждением раствора-расплава со скоростью от 0,3 до 1 град/сутки. Технический результат - увеличение размеров кристаллов ВВО и повышение коэффициента выхода с сохранением их оптического качества. 2 ил., 1 пр.

Изобретение относится к получению монокристаллов метабората бария, применяемых в лазерных системах.

Кристаллы β-BBO прозрачны в ультрафиолетовой области спектра, обладают высокой лазерной стойкостью, и поэтому нашли широкое применение в фундаментальной и прикладной оптоэлектронике. Нелинейно-оптические элементы из кристаллов ВВО используют в основном в лазерных системах с диаметром пучка до 8 мм. Значительный интерес представляет использование данных кристаллов в широкоапертурных лазерных системах с диаметром пучка до нескольких сантиметров. Еще одним важным применением кристаллов ВВО является их использование в качестве электро-оптических модуляторов лазерного излучения. Для этого необходимы монокристаллы размер вдоль оптической оси которых достигает не менее 25 мм.

Известен способ получения монокристаллов β-BaB2O4 80 мм в диаметре и 40 мм вдоль оптической оси (в платиновом тигле диаметром 100 мм) из растворов-расплавов с использованием флюсов 30-50 мол.% Na2O, NaF, BaF2 или их комбинаций [CN1443879(A), МПК: C30B9/12, C30B15/00, опубл. 24.09.2003]. Однако, проведение роста по этому способу технологически сложно, вследствие высокой вязкости раствор-расплавов. Взаимодействие между Na2O и B2O3 в расплаве может быть описано по реакции (1). В результате протекания химических процессов происходит накопление продуктов реакции - NaBO2 в расплаве, что приводит к уменьшению концентрации BaB2O4.

Na2O + B2O3 = 2NaBO2 (1)

Стремительный пирогидролиз BaF2 приводит к изменению состава высокотемпературного раствора-расплава, и, как следствие, ухудшению качества кристаллов [Bekker T.B., Kokh A.E., Fedorov P.P. Phase equilibria and beta-BaB2O4 crystal growth in the BaB2O4-BaF2 system // CrystEngComm. - 2011. - V.13. - pp. 3822-3826].

Известен способ роста кристаллов в прецизионной нагревательной печи, обладающей высокой симметрией и стабильностью теплового поля в системе ΒaΒ2O4 -LiF - NaF [ Simonova E., Kokh A., Shevchenko V., Kuznetsov A., Kragzhda A., Fedorov P. Growth of β-BaB2O4 crystals from solution in LiF-NaF melt and study of phase equilibria // J. Cryst. Res. Technol. 2019. doi:10.1002/crat.201800267]. Для проведения экспериментов по выращиванию кристаллов β-ΒaΒ2O4 в системе ΒaΒ2O4-LiF-NaF в платиновый тигель диаметром 80 мм и высотой 95 мм наплавляли раствор-расплав состава 0.7 ΒaΒ2O4-0.3 (0.61LiF - 0.39NaF) массой 1000 г. Ростовые эксперименты проводили в условиях снижения температуры со скоростью от 0.3-1 град/сут при одностороннем вращении кристалла со скоростью 1-1.5 об/мин., вытягивании кристалла - 0.15-0.4 мм/сут. В первом цикле роста был выращен кристалл β-BaB2O4 весом 257.2 г., 63 мм в диаметре и 34 мм в высоту. Коэффициент выхода составил 3.48 г/кг°С. Начальная температура роста равна 915°С, температурный интервал кристаллизации 26.8 °С. Во втором цикле роста вес кристалла β-BaB2O4 составил 211.2 г., 60°мм в диаметре и 32°мм в высоту. Коэффициент выхода равен 1.77 г/кг °С.

В качестве недостатка данного растворителя можно выделить, протекающий в системе, пирогидролиз фторидов лития и натрия, который происходит при нагревании и заключается во взаимодействии с парами воды с образованием HF. Вследствие пирогидролиза LiF и NaF происходит изменение изначального состава раствора-расплава, что приводит к резкому падению коэффициента выхода кристаллов ВВО в 2 раза.

Технической задачей, решаемой изобретением, является увеличение размеров кристаллов ВВО и повышение коэффициента выхода с сохранением их оптического качества, пригодных для практического применения.

Технический результат достигается тем, что выращивание кристалла ВВО осуществляют из высокотемпературного раствора-расплава, включающего расплав бората бария и комплексный растворитель на основе эвтектического состава LiF - NaF с избытком B2O3 от 3 до 7 вес.%., в прецизионной нагревательной печи, обладающей высокой симметрией и стабильностью теплового поля в системе ΒaΒ2O4 –LiF - NaF, на вращающуюся, ориентированную по направлению [0001] затравку, при скорости вытягивания кристалла от 0.15 до 0.4 мм/сутки с одновременным охлаждением раствора-расплава со скоростью от 0.3 до 1 град/сутки.

На фиг.1 представлена фотография кристалла ВВО (350 г.), выращенного в четверной взаимной системе Li, Na, Ba // BO2, F эвтектического состава 0.61 LiF- 0.39 NaF с 5%-ным (по весу) избытком B2O3; на фиг.2 - фотография кристалла ВВО (255.1 г.), выращенного в четверной взаимной системе Li, Na, Ba // BO2, F с 5%-ным (по весу) избытком B2O3 во втором ростовом цикле.

Пример.

Исходный раствор-расплав соответствует составу - 70 мол. % ΒaΒ2O4, 30 мол. % эвтектического состава (0.61 LiF - 0.39 NaF), избыток B2O3 5 вес. %. В платиновый тигель диаметром 80 мм и высотой 95 мм помещают смесь соединений BaB2O4 массой 936.38 г. (предварительно синтезированного известным способом путем твердофазного синтеза из ВаCO3 и HBO2), LiF - 31.26 г., NaF - 32.36 г., B2O3 - 14.62 г. Выращивание кристаллов ВВО осуществляют в нагревательной печи, боковой нагреватель которой состоит из трех секций для придания тепловому полю оси симметрии третьего порядка. После гомогенизации раствора-расплава температуру понижают до точки равновесия кристалла с раствором-расплавом. Рост кристаллов ВВО производят на монокристаллическую затравку сечением 5×5 мм, ориентированную вдоль направления оптической оси при одностороннем вращении со скоростью 1.3 об/мин. Температура начала кристаллизации - 920° C. Начальная скорость снижения температуры раствора-расплава составила 0.3 град/сутки, скорость вытягивания - 0.4 мм/сут. В процессе выращивания при увеличении массы кристалла скорость вытягивания плавно уменьшают до 0.15 мм/сутки, а скорость охлаждения увеличивают до 1 град/сутки. Процесс выращивания продолжался до тех пор, пока визуально не обнаруживалось значительное ухудшение прозрачности кристалла. После этого кристалл отрывали от расплава и охлаждали со скоростью 15 ° С/час до комнатной температуры. Продолжительность роста составила 59 дней, температурный интервал кристаллизации равен 90 град. Использование комплексного растворителя и заданных параметров при росте позволило получить крупный оптически однородный кристалл ВВО массой 350 г., 72 мм в диаметре и 44 мм вдоль оптической оси, характеризующихся хорошими показателями оптического качества и возможностью изготовления оптических элементов. Коэффициент выхода составил 3.83 г/кг °С

Для последующего использования приготовленного раствора-расплава после первого ростового цикла добавили синтезированный BaB2O4, масса которого соответствовала массе выращенного кристалла (350 г.). Начальная скорость снижения температуры составила 0.3 град/сутки, скорость вытягивания - 0.4 мм/сут. В процессе роста скорость вытягивания плавно уменьшают до 0.15 мм/сутки, а скорость охлаждения увеличивают до 1 град/сутки. Во втором цикле роста диаметр выращенного кристалла ВВО составил 67°мм, высота 38°мм при весе кристалла 255.1 г. Коэффициент выхода равен 3.40 г/кг·°С. Начальная температура роста составила 918 °С, температурный интервал кристаллизации 75°С.

Основное преимущество используемого растворителя - подавление стремительного пирогидролиза фторидов лития и натрия, благодаря добавлению в систему избытка B2O3, в результате чего в первом ростовом цикле получен монокристалл высокого качества весом 350 г., 72 мм в диаметре и 44 мм в высоту, не содержащий видимых включений (фиг.1). Коэффициент выхода кристалла ВВО составил 3.83 г/(кг·град), что превосходит коэффициент выхода кристалла, выращенного из состава 0.7 ΒaΒ2O4 - 0.3 (0.61 LiF-0.39 NaF) по известному способу. Во втором цикле роста вес кристалла β-BaB2O4 составил 255,1 г., 67 мм в диаметре и 38 мм в высоту. Коэффициент выхода равен 3.40 г/кг °С (фиг. 2). Таким образом, в системе с избытком B2O3 коэффициент выхода кристалла ВВО во втором цикле роста соответствует коэффициенту выхода, выращенного в первом цикле без добавления B2O3.

Согласно полученным данным, можно сделать вывод, что от первого ко второму ростовому циклу происходит незначительное уменьшение коэффициента выхода, что свидетельствует о слабой деградации раствора-расплава и значительном подавлении пирогидролиза в системе.

Заданные параметры при росте являются оптимальными и позволяют воспроизводимо получать крупные оптически однородные кристаллы ВВО. Однако данные параметры не ограничивают изобретение и включают все модификации, эквиваленты и альтернативы в пределах сущности и объема изобретения.

Способ выращивания кристалла метабората бария β-BaBO (ВBO) из высокотемпературного раствора-расплава в прецизионной нагревательной печи, обладающей высокой симметрией и стабильностью теплового поля, включающего расплав бората бария ΒaΒOи комплексный растворитель на основе эвтектического состава LiF и NaF, в системе ΒaΒO -LiF - NaF, на вращающуюся ориентированную по направлению [0001] затравку, при скорости вытягивания кристалла от 0,15 до 0,4 мм/сутки с одновременным охлаждением раствора-расплава со скоростью от 0,3 до 1 град/сутки, отличающийся тем что используют комплексный растворитель с избытком BO от 3 до 7 вес. %.
Способ выращивания кристалла метабората бария β-BaBO(BBO)
Источник поступления информации: Роспатент

Showing 1-10 of 30 items.
20.08.2013
№216.012.600b

Способ изготовления пеностекла

Изобретение относится к теплоизоляционным материалам, в частности пеностеклу. Технический результат изобретения заключается в расширении диапазона плотности пеностекла от 150 до 600 кг/м и в создании способа производства пеностекла, безопасного для печного оборудования и для окружающей среды....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002490219
Дата охранного документа: 20.08.2013
27.09.2013
№216.012.6f6d

Способ выращивания кристалла методом киропулоса

Изобретение относится к выращиванию крупных кристаллов, предназначенных для использования в приборах квантовой электроники. Способ выращивания кристалла методом Киропулоса из расплава или из раствор-расплава включает рост кристалла на затравку, зафиксированную в кристаллодержателе и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002494176
Дата охранного документа: 27.09.2013
20.12.2013
№216.012.8e0c

Способ оценки проходимости местности вне дорог

Изобретение относится к области картографии и может быть использовано в качестве информационной базы при управлении движением различных транспортных средств и пеших групп, использовании автоматизированной системы управления войсками, планировании и проведении полевых исследований и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002502047
Дата охранного документа: 20.12.2013
20.02.2014
№216.012.a284

Способ выращивания кристаллов парателлурита гранной формы и устройство для его осуществления

Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов парателлурита методом Чохральского, которые могут быть использованы при изготовлении поляризаторов в ближней ИК-области. Способ выращивания кристаллов парателлурита гранной формы из расплава включает наплавление порошка диоксида теллура...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002507319
Дата охранного документа: 20.02.2014
10.05.2014
№216.012.c0b9

Пирометрический способ измерения распределения температуры на поверхности объекта

Изобретение относится к области оптической пирометрии и касается способа измерения распределения температуры на поверхности объекта. Способ включает формирование на выбранной частоте цифрового изображения объекта за счет испускаемого объектом теплового излучения и получение дополнительного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002515086
Дата охранного документа: 10.05.2014
10.09.2015
№216.013.7a7f

Гранулированный наполнитель

Изобретение относится к наполнителям, предназначенным для создания гигиенических условий при содержании домашних и лабораторных животных, например кошек, хомяков и других грызунов, в условиях вивариев и квартир. Гранулированный наполнитель туалета для животных на основе высушенного сапропеля с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002562948
Дата охранного документа: 10.09.2015
10.10.2015
№216.013.81cd

Способ оценки транспортной проницаемости местности вне дорог

Изобретение относится к области картографии и может быть использовано в системах оценки транспортной проницаемости местности вне дорог при управлении перемещением соединений оперативного масштаба - смешанных колонн автотранспорта повышенной проходимости и транспорта на гусеничном ходу (колонных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002564826
Дата охранного документа: 10.10.2015
20.10.2015
№216.013.8376

Гранулированный почвогрунт для аквариумов

Изобретение относится к аквариумистике. Гранулированный почвогрунт, предназначенный для создания благоприятной среды для развития водных растений и рыб в аквариумах, изготовлен на основе предварительно промороженного и высушенного до влажности не более 5% органического сапропеля с зольностью не...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002565257
Дата охранного документа: 20.10.2015
10.03.2016
№216.014.c0b4

Монокристаллический материал srmgf и способ его получения

Изобретение относится к области получения сегнетоэлектрических монокристаллов фторидов, применяемых в нелинейной оптике. Получен монокристаллический материал фторида SrMgF, обладающий способностью к преобразованию лазерного излучения в ВУФ/УФ области спектра от длины волны 0,122 мкм до 11,8...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002576638
Дата охранного документа: 10.03.2016
12.01.2017
№217.015.6141

Способ выращивания монокристалла метафторидобората бария-натрия bana (bo)f

Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов метафторидобората бария-натрия BaNa(ВО)F для использования в терагерцовой области спектра в диапазоне от 0,3 ТГц до 1 ТГц в качестве волновых пластин, поляризаторов, а также в воздушной терагерцовой фотонике. Монокристалл BaNa(ВО)F...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002591156
Дата охранного документа: 10.07.2016
Showing 1-10 of 17 items.
27.09.2013
№216.012.6f6d

Способ выращивания кристалла методом киропулоса

Изобретение относится к выращиванию крупных кристаллов, предназначенных для использования в приборах квантовой электроники. Способ выращивания кристалла методом Киропулоса из расплава или из раствор-расплава включает рост кристалла на затравку, зафиксированную в кристаллодержателе и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002494176
Дата охранного документа: 27.09.2013
20.02.2014
№216.012.a284

Способ выращивания кристаллов парателлурита гранной формы и устройство для его осуществления

Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов парателлурита методом Чохральского, которые могут быть использованы при изготовлении поляризаторов в ближней ИК-области. Способ выращивания кристаллов парателлурита гранной формы из расплава включает наплавление порошка диоксида теллура...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002507319
Дата охранного документа: 20.02.2014
25.08.2017
№217.015.baac

Материал для дихроичной поляризации света - кристалл liba(bo)f

Изобретение относится к материалам для поляризационных оптических устройств, которые могут быть использованы для получения линейно-поляризованного света в оптико-электронных приборах: поляриметрах, эллипсометрах, дихрометрах, фотоэлектрических автоколлиматорах, модуляторах световых потоков,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002615691
Дата охранного документа: 06.04.2017
25.08.2017
№217.015.c0ba

Применение нелинейного кристалла трибората лития (lbo) для фазосогласованной генерации излучения терагерцового диапазона

Изобретение относится к нелинейной оптике. Нелинейный анизотропный кристалл трибората лития LiBO (LBO) применяют в качестве активной среды для генерации излучения терагерцового диапазона 0.3-10 ТГц (1000-30 мкм) путем обеспечения выполнения условий фазового синхронизма при генерации разностной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002617561
Дата охранного документа: 25.04.2017
20.11.2017
№217.015.ef96

Способ получения частиц хлорида серебра

Изобретение может быть использовано в неорганической химии, в производстве фотокатализаторов, полупроводников и сенсорных материалов. Способ получения частиц хлорида серебра включает обменную реакцию между солями, одна из которых - серебросодержащая, а вторая – хлорсодержащая. Осуществляют...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002629080
Дата охранного документа: 24.08.2017
14.03.2019
№219.016.df06

Способ выращивания кристалла трибората лития (варианты)

Изобретение относится к области получения кристалла трибората лития LiBO (LBO), являющегося высокоэффективным нелинейно-оптическим материалом, применяющимся для пассивного преобразования частоты лазерного излучения. Способ выращивания кристалла трибората лития включает загрузку начальной шихты...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002681641
Дата охранного документа: 11.03.2019
31.05.2019
№219.017.7137

Дихроичный материал - фторидоборат с "антицеолитной" структурой

Изобретение относится к материалам для поляризационных оптических устройств. Дихроичный материал представляет собой фторидоборат с «антицеолитной» структурой с общей формулой ; при х=0, у=(0÷0.1) в виде каркаса [Ва(ВО)], сложенного чередующимися слоями (АВАВ) вдоль направления...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002689596
Дата охранного документа: 28.05.2019
10.12.2019
№219.017.ebdb

Способ получения цветного хромдиопсидового стекла (варианты)

Изобретение относится к использованию минерального сырья хромдиопсида (магний-кальциевый силикат состава MgCaSiO, содержащий примесь хрома) для получения ювелирного поделочного материала в виде плавленых цветных однородных окрашенных стеклообразных образцов. Зеленое хромдиопсидовое стекло...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002708438
Дата охранного документа: 06.12.2019
27.12.2019
№219.017.f31b

Фотолюминесцентный материал редкоземельного ортобората и способ его получения

Изобретение может быть использовано при изготовлении экологически чистых источников света. Сначала готовят исходную смесь следующих компонентов, мол.%: карбонат калия KCO - 12,5; карбонат кальция CaCO - 25; борную кислоту НВО - 50 и оксид редкоземельного элемента неодима NdO - 12,5. Полученную...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002710191
Дата охранного документа: 24.12.2019
04.02.2020
№220.017.fd88

Способ получения диопсидного стекла (варианты)

Изобретение относится к способу получения на основе минерального сырья доломита (CaMg(CO)) и диоксида кремния (чистого кварцевого песка) диопсидного стекла, близкого к составу MgCaSiO, с различными функциональными свойствами, в частности, для получения люминесцентных и окрашенных диопсидных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002712885
Дата охранного документа: 31.01.2020
+ добавить свой РИД