×
15.08.2019
219.017.bfc9

Сильноточный источник ионов на основе плотной плазмы ЭЦР разряда, удерживаемой в открытой магнитной ловушке

Вид РИД

Изобретение

Юридическая информация Свернуть Развернуть
Краткое описание РИД Свернуть Развернуть
Аннотация: Изобретение относится к области создания непрерывных пучков ионов путем их экстракции из плотной плазмы, создаваемой в открытой магнитной ловушке мощным излучением миллиметрового диапазона длин волн. Технический результат - повышение тока пучков ионов при сохранении заданного среднего заряда ионов. Устройство содержит генератор непрерывного СВЧ излучения с частотой много больше обычно используемых частот, например 28 ГГц. Излучение от генератора последовательно проходит преобразователь моды СВЧ излучения в гауссов пучок, квазиоптическую линию передачи и преобразователь гауссова пучка в моду круглого волновода, которая попадает в разрядную вакуумную камеру. Использование квазиоптической линии передач позволяет электрически изолировать мощный гиротрон от разрядной вакуумной камеры, находящейся под высоким потенциалом (до 100 кВ). 1 ил.
Реферат Свернуть Развернуть

Изобретение относится к области создания непрерывных пучков одно- и многозарядных ионов (МЗИ) путем их экстракции из плотной плазмы, создаваемой в открытой магнитной ловушке мощным излучением миллиметрового диапазона длин волн. Подобные источники необходимы для формирования сильноточных пучков ионов, востребованных в ряде приложений: ускорительной технике, медицине, ионной имплантации, фундаментальных исследованиях по взаимодействию ионных пучков с мишенями и пр.

В последнее время наблюдается быстрое развитие технологий, связанных с применением ионных пучков. К этим технологиям, например, относятся: обработка и модификация поверхностей полупроводников (Hirvones J.K., Nastasi М., Hirvonen J.K., Mayer J.W. «Ion-solid Interactions: Fundamentals and Applications)) Cambridge Univ. Pr., 1996), ионно-лучевая эпитаксия и имплантация (Rabalais J.W., Al-Bayati A.H., Boyd K.J., Marton D., Kulik J., Zhang Z., Chu W.K. «Ion-energy effect in silicon ion-beam epitaxy» Physical Review B, V.53, P. 10781, 1996), воздействие на раковые опухоли (Muramatsu М, Kitagawa A., Sato S., Sato Y., Yamada S., Hattori Т., Shibuya S. «Development of the compact electron cyclotron resonance ion source for heavy-ion therapy» Review of Scientific Instruments, V.71, P. 984, 2000) и т.д. Кроме того, ионные пучки широко используются в научных исследованиях, например, в исследованиях в области ядерной физики, в частности, для синтеза новых элементов таблицы Менделеева и т.д.

К настоящему времени существует несколько типов ионных источников, различающихся как способом создания плазмы, так и параметрами производимых пучков («Физика и техника источников ионов» // под ред. Я. Брауна, М.: Мир, 1998). Одной из актуальных задач остается создание источников многозарядных ионов (МЗИ), которые обладают существенными преимуществами по сравнению с однозарядными ионами. Это связано с тем, что энергия ускоряемых ионов растет пропорционально заряду в линейных и пропорционально квадрату заряда в циклотронных ускорителях, т.е. использование МЗИ позволяет при тех же ускоряющих напряжениях получить существенно большие энергии ионов или, соответственно, понизить ускоряющее напряжение при сохранении энергии частиц.

Среди источников МЗИ наибольшее распространение получили источники на основе разряда низкого давления, поддерживаемого в открытой магнитной ловушке СВЧ излучением в условиях электронно-циклотронного резонанса (ЭЦР). ЭЦР источники выгодно отличаются от источников других типов в тех случаях, когда требуется умеренно высокий средний заряд ионов (например, 7-9 для аргона) при достаточно большом токе пучка (~100 мкА). ЭЦР источники имеют большой ресурс работы и высокую стабильность и позволяют легко менять рабочее вещество (Geller R. «Electron cyclotron resonance ion sources and ECR plasmas» Institute of Physics, Bristol, 1996).

Формирование пучков МЗИ в ЭЦР источниках осуществляется путем их экстракции из плазмы, удерживаемой в открытой магнитной ловушке. Температура электронов в плазме должна быть достаточной для многократной ионизации (50-500 эВ в зависимости от требуемого среднего заряда), а время удержания плазмы - достаточным для образования ионов с требуемым средним зарядом. Ключевым фактором, определяющим средний заряд ионов в плазме, является параметр удержания N⋅τ,

где N - средняя концентрация плазмы, а τ - время удержания ионов в ловушке. Параметр удержания N⋅τ должен быть достаточным для достижения ионами требуемого заряда в процессе ступенчатой ионизации.

В классических источниках МЗИ плотность плазмы относительно невелика, а ее нагрев осуществляется СВЧ излучением относительно небольшой частоты (до 18 ГГц), что и ограничивает плотность плазмы на уровне критической плотности для используемой частоты (3*1012 см-3 для частоты излучения 18 ГГц). Время удержания плазмы в магнитной ловушке определяется скоростью заполнения электронами конуса потерь в результате электрон-ионных столкновений и может достигать нескольких десятков миллисекунд. Для поддержания плазмы достаточно небольшой СВЧ мощности (100 Вт - 1 кВт). Ввод СВЧ излучения с такими параметрами традиционно осуществляется с помощью стандартных волноводных или коаксиальных линий передач (Geller R. «Electron cyclotron resonance sources: Historical review and future prospects» // Review of Scientific Instruments, V. 69, N. 3, 1998).

В настоящее время, по всей видимости, возможности для увеличения параметра удержания N⋅τ за счет увеличения времени удержания τ ионов практически исчерпаны. Почти во всех существующих в настоящее время источниках МЗИ применяются ловушки с магнитной конфигурацией «минимум В». Такая конфигурация создается комбинацией продольного поля простой магнитной ловушки и поперечным полем многополюсной (обычно шестиполюсной) магнитной системы.

Классический ЭЦР источник МЗИ описан в патенте США US 5506475, МПК Н05Н 1/10, публ. 09.04.1996 г. Устройство аналог состоит из вакуумной плазменной камеры, системы подачи рабочего вещества, системы экстракции ионного пучка, системы создания простой магнитной ловушки, системы создания поперечного магнитного поля с конфигурацией «минимум В», устройства ввода в вакуумную камеру СВЧ излучения с рабочей частотой 2,45 ГГц или 14 ГГц. Для ввода СВЧ излучения применяется волновод прямоугольного сечения. Система создания поперечного магнитного поля включает в себя от 4 до 24 постоянных магнитов. Система экстракции ионного пучка состоит из двух электродов и расположена вблизи второй пробки магнитной ловушки.

Недостатком устройства аналога является невысокий ток МЗИ, ограниченный максимально достижимой плотность плазмы, которая не может превышать критическую плотность для используемой частоты (Geller R. «Electron cyclotron resonance ion sources and ECR plasmas» Institute of Physics, Bristol, 1996). Другим недостатком аналога является ограниченная электропрочность соединения волновода и вакуумной разрядной камеры, находящейся под высоким потенциалом.

В другом устройстве аналоге, описанном в патенте США US 5350974 (МПК Н01J 7/24, публ. 27.09.1994 г.), предложен ЭЦР источник МЗИ, отличающийся другим способом ввода СВЧ излучения в плазму. Как и в предыдущем рассмотренном случае устройство аналог состоит из вакуумной плазменной камеры, системы подачи рабочего вещества, системы экстракции ионного пучка, системы создания магнитного поля с конфигурацией «минимум В», системы ввода в вакуумную камеру СВЧ излучения с рабочей частотой 2,45 ГГц или 14 ГГц. В устройстве аналоге ввод СВЧ излучения осуществляется по коаксиальной линии передач, расположенной вдоль оси магнитной системы. Подача рабочего вещества осуществляется через центральный электрод коаксиальной линии передач, оканчивающейся вблизи пробки магнитной ловушки. Недостатком устройства аналога, как и в предыдущем случае, является невысокий ток МЗИ.

Наиболее перспективным способом увеличения тока МЗИ является повышение плотности плазмы в разряде, что достигается, прежде всего, за счет увеличения частоты и мощности СВЧ излучения.

Сильноточный источник многозарядных ионов описан в заявке WO 2010132068 публ. 18.11.2010 г. Устройство аналог состоит из вакуумной плазменной камеры, СВЧ генератора, работающего на частоте 18 ГГц, системы ввода СВЧ излучения в вакуумную камеру, системы подачи рабочего вещества, системы экстракции ионного пучка, системы создания простой магнитной ловушки, системы создания поперечного магнитного поля с конфигурацией «минимум В». Для ввода СВЧ излучения используется волноводная линия передач, оканчивающаяся рупором. Система создания поперечного магнитного поля выполнена на основе системы соленоидов, расположенных в центральной части магнитной ловушки. Система экстракции ионного пучка состоит из двух электродов и расположена вблизи второй пробки магнитной ловушки. В результате устройство аналог позволяет создавать пучки ионов с током до 50 мА, что показано в патенте на примере двукратно ионизованного гелия.

Основным недостатком устройства аналога является ограниченная величина тока пучка ионов. Для дальнейшего увеличения тока необходимо повышать частоту СВЧ излучения. Это приводит к необходимости увеличивать напряженность магнитного поля для выполнения условия ЭЦР.

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому устройству является источник, предложенный в патенте RU 2480858, МПК H01J 27/16, Н05Н 1/46. В нем описан сильноточный источник многозарядных ионов на основе плазмы ЭЦР разряда, удерживаемой в открытой магнитной ловушке, содержащий СВЧ генератор, узел ввода СВЧ излучения в разрядную вакуумную камеру, систему откачки, систему подачи рабочего вещества, магнитную систему для создания магнитного поля пробочной конфигурации с напряженностью, достаточной для возникновения внутри разрядной вакуумной камеры ЭЦР зон, систему формирования и экстракции пучка многозарядных ионов из плазмы. При этом узел ввода СВЧ излучения в разрядную вакуумную камеру включает в себя квазиоптическую линию передачи СВЧ излучения в форме гауссова пучка, окно ввода СВЧ излучения, вынесенное за пределы магнитной ловушки, и согласующий элемент, расположенный в пробке магнитной ловушки и использующийся также и как уловитель плазмы. При этом геометрические размеры и форма согласующего элемента подобраны таким образом, что обеспечивают практически полное прохождение СВЧ излучения в разрядную вакуумную камеру. Благодаря тому, что излучение вводится в разрядную камеру квазиоптически, удается электрически развязать источник СВЧ излучения, в качестве которого используется гиротрон, и разрядную камеру, на которую подается высоковольтное напряжение, ускоряющее ионы. Важным недостатком такой системы ввода СВЧ излучения является то, что она способна согласовать только излучение в виде гауссова пучка, в то время как на выходе современных технологических гиротронов, работающих в непрерывном режиме генерации СВЧ, излучение представляет собой не гауссов пучок, а моду волновода. Обычно, в таких случаях для ввода СВЧ излучения используют волновод, который при этом отделяют от разрядной камеры, находящейся под высоким напряжением, изолятором, что ухудшает электропрочность системы по сравнению с квазиоптическим вводом СВЧ излучения в камеру.

Задачей, на решение которой направлено настоящее изобретение, является разработка сильноточного, с током большим, чем в устройстве прототипе, источника ионов на основе разряда низкого давления, поддерживаемого в открытой магнитной ловушке СВЧ излучением миллиметрового диапазона длин волн в условиях электронно-циклотронного резонанса, в котором СВЧ излучение получают от мощного СВЧ генератора с частотой, намного выше обычно используемой, и при этом транспортировку этого СВЧ излучения осуществляют в основном квазиоптически.

Технический результат в разрабатываемом устройстве достигается тем, что разрабатываемое устройство, так же как и устройство-прототип, содержит СВЧ генератор, узел ввода СВЧ излучения в разрядную вакуумную камеру, систему откачки, систему подачи рабочего вещества, магнитную систему для создания магнитного поля пробочной конфигурации с напряженностью, достаточной для возникновения внутри разрядной вакуумной камеры ЭЦР зон, систему формирования и экстракции пучка ионов из плазмы. При этом узел ввода СВЧ излучения в разрядную вакуумную камеру включает в себя квазиоптическую линию передачи СВЧ излучения в форме гауссова пучка, окно ввода СВЧ излучения, вынесенное за пределы магнитной ловушки и согласующий элемент, расположенный в пробке магнитной ловушки и использующийся также как уловитель плазмы. При этом геометрические размеры и форма согласующего элемента подобраны таким образом, что обеспечивают полное прохождение СВЧ излучения в разрядную вакуумную камеру.

Новым в разработанном устройстве является то, что узел ввода СВЧ излучения в разрядную вакуумную камеру дополнительно включает в себя расположенный после СВЧ генератора преобразователь моды СВЧ излучения в гауссов пучок и расположенный перед окном ввода СВЧ излучения преобразователь гауссова пучка в моду круглого волновода. При этом между двумя вышеупомянутыми преобразователями располагают квазиоптическую линию передачи СВЧ излучения в форме гауссова пучка. Геометрические размеры и форма преобразователей подобраны таким образом, чтобы обеспечить почти 100% преобразование «мода гиротрона - гауссов пучок - мода круглого волновода». Геометрические размеры упомянутого согласующего элемента подобраны таким образом, что обеспечивается полное прохождение моды круглого волновода СВЧ излучения в плазму, удерживаемую в магнитной ловушке, и предотвращается возникновение плазмы в паразитной ЭЦР зоне. А форма и характеристики согласующего элемента выбираются в зависимости от конкретной решаемой задачи. Как правило, согласующий элемент имеет форму плавного металлического конуса или клина, закрепленного на одной или более опорах.

Положительный эффект разработанного источника ионов можно объяснить следующим образом. Поскольку используется преобразователь моды гиротрона в гауссов пучок, можно применять технологические гиротроны, генерирующие мощное непрерывное излучение, осуществляя при этом транспортировку излучения в основном квазиоптически. Так как транспортировка СВЧ излучения осуществляется в основном с помощью квазиоптической линии передач, то удается применять мощное СВЧ излучение с частотой намного выше обычно используемой частоты. Благодаря тому, что перед входным окном имеется преобразователь излучения из гауссова пучка в моду круглого волновода, а согласующий элемент имеет специально подобранную форму и размеры, большая часть мощности (более 95%) непрерывного СВЧ генератора используется для получения плотной плазмы с высоким средним зарядом ионов. В результате разработанный источник ионов позволяет экстрагировать из плотной плазмы непрерывные пучки многозарядных ионов с током до долей Ампера и с высоким средним зарядом ионов.

На фиг. 1 представлена схема сильноточного источника ионов на основе плотной плазмы ЭЦР разряда, удерживаемой в открытой магнитной ловушке.

Сильноточный источник многозарядных ионов, представленный на фиг. 1, содержит СВЧ генератор 1, узел ввода 2 СВЧ излучения в металлическую разрядную вакуумную камеру 3, состоящий из преобразователя моды СВЧ излучения в гауссов пучок 4 (далее преобразователь 4) с системой согласующих зеркал 5, преобразователя гауссова пучка в моду круглого волновода 6 (далее преобразователь 6), выполненного в виде волноводного рупора, и согласующего элемента 7. Кроме того сильноточный источник многозарядных ионов содержит разрядную вакуумную камеру 3 с магнитной системой 8 пробочного типа, систему формирования и экстракции пучка ионов 9, изолятор 10 и камеру расширения 11, а также систему откачки 12 и систему подачи рабочего вещества 13. Магнитная система 8 состоит из нескольких (не менее двух) соленоидов, закрепленных вдоль оси разрядной вакуумной камеры 3 и создает магнитную ловушку с полем пробочной конфигурации с напряженностью, достаточной для возникновения зон электронно-циклотронного резонанса. Излучение на выходе из СВЧ генератора 1 преобразуется с помощью преобразователя 4 в волновой гауссов пучок, который системой согласующих зеркал 5 передается квазиоптически на вход преобразователя гауссова пучка в моду круглого волновода 6. После чего излучение вводится в разрядную вакуумную камеру 3 через окно на выходе преобразователя 6, которое вынесено за пределы магнитной ловушки.

После окна СВЧ излучение, представляющее собой моду цилиндрического волновода ТЕ11, проходит через согласующий элемент 7, осуществляющий сопряжение СВЧ излучения с разрядной вакуумной камерой 3. Возникающая в разрядном объеме камеры 3 плазма ограничена пробками магнитной ловушки. Система формирования и экстракции пучка ионов 9 состоит из плазменного электрода, ускоряющего электрода (пуллера), закрепленного на изоляторе 10, и источника высокого напряжения. При этом разрядная вакуумная камера 3 находится под высоким положительным потенциалом относительно земли.

В общем случае согласующий элемент 7 представляет собой плавный в масштабах длины волны СВЧ излучения клин или конус, помещенный внутрь цилиндрической разрядной вакуумной камеры 3.

Сильноточный источник ионов на основе плотной плазмы электронно-циклотронного резонансного (ЭЦР) разряда, удерживаемой в открытой магнитной ловушке, представленный на фиг. 1, работает следующим образом. Разрядную вакуумную камеру 3 предварительно откачивают с помощью системы откачки 12 до давления не хуже 3⋅10-6 Торр. Магнитную ловушку с полем простой пробочной конфигурации создают с помощью магнитной системы 8 от отдельного блока питания. Величина магнитного поля должна быть достаточной для возникновения ЭЦР зон. Непрерывное СВЧ излучение с частотой, много большей обычно применяемой частоты, например 28 ГГц, направляют в разрядную вакуумную камеру 3 с помощью узла ввода 2 СВЧ излучения, состоящего из преобразователя 4 с системой согласующих зеркал 5, приемного рупора (преобразователя 6), преобразующего волновой пучок в волну ТЕ11 цилиндрического волновода и согласующего элемента 7. Под действием СВЧ излучения в условиях электронно-циклотронного резонанса электроны приобретают высокую энергию, и в объеме разрядной вакуумной камеры 3 происходит ионизация рабочего вещества, предварительно поданного в камеру 3 системой подачи рабочего вещества 13. Образовавшаяся плазма ограничена пробками магнитной ловушки. Магнитная ловушка удерживает плазму от быстрого разлета, а наличие ЭЦР зон обеспечивает эффективный набор электронами энергии в поле СВЧ волны. Пучок ионов формируют под действием высокого напряжения от высоковольтного источника, приложенного между плазменным электродом и пулером. При этом вся разрядная вакуумная камера 3 находится под высоким потенциалом относительно земли.

Поскольку используется преобразователь моды СВЧ излучения в гауссов пучок 4, можно применять в качестве СВЧ генератора 1 технологические гиротроны, генерирующие мощное непрерывное излучение, осуществляя при этом транспортировку излучения в основном квазиоптически. Так как транспортировка СВЧ излучения осуществляется в основном с помощью квазиоптической линии передач (системы согласующих зеркал 5), то удается применять мощное СВЧ излучение с частотой, намного выше обычно используемой частоты. Ввиду того, что транспортировка СВЧ излучения осуществляется в основном с помощью квазиоптической линии передач, СВЧ генератор 1 оказывается электрически изолированным от разрядной вакуумной камеры 3, находящейся под высоким (до 100 кВ) потенциалом, ускоряющим ионы. Поскольку используется мощное коротковолновое СВЧ излучение (например, с частотой 28 ГГц и мощностью 10 кВт), то плазма имеет концентрацию электронов 1013 см-3 и выше, а конус потерь электронов заполнен, и вынос плазмы из ловушки вдоль силовых линий магнитного поля происходит с ионно-звуковой скоростью. Поскольку окно ввода СВЧ излучения вынесено за пределы магнитной ловушки, а в пробке расположен согласующий элемент 7, использующийся и как уловитель плазмы, то окно не подвергается интенсивной ионной бомбардировке, не происходит разрушения окна и не происходит загрязнения рабочего вещества материалом окна. Кроме того, поскольку в пробке магнитной ловушки расположен согласующий элемент 7, использующийся и как уловитель плазмы, то не происходит образование плазмы в паразитной ЭЦР зоне. Благодаря тому, что перед входным окном имеется преобразователь 6 излучения из гауссова пучка в моду ТЕ11, а согласующий элемент 7 имеет специально подобранную форму и размеры, большая часть мощности (более 95%) непрерывного СВЧ генератора 1 используется для получения плотной плазмы с высоким средним зарядом ионов. В результате разработанный источник ионов позволяет экстрагировать из плотной плазмы непрерывные пучки многозарядных ионов с током до долей Ампера и с высоким средним зарядом ионов.

Таким образом, в разработанном устройстве в качестве СВЧ генератора используют мощный технологический гиротрон, работающий в непрерывном режиме генерации СВЧ, излучение которого представляет собой не гауссов пучок, а моду волновода. А использование преобразователя моды СВЧ излучения в гауссов пучок и преобразователя гауссова пучка в моду круглого волновода в узле ввода СВЧ излучения в разрядную вакуумную камеру позволяет осуществлять транспортировку этого СВЧ излучения в том числе квазиоптически. Наличие квазиоптической линии передачи позволяет электрически изолировать (создать DC break) мощный гиротрон от разрядной вакуумной камеры, находящейся под высоким потенциалом (до 100 кВ). Таким образом, разработанный сильноточный источник ионов на основе плотной плазмы электронно-циклотронного резонансного (ЭЦР) разряда, удерживаемой в открытой магнитной ловушке, позволяет получить непрерывные пучки многозарядных ионов с током до долей Ампера и с высоким средним зарядом ионов.

Сильноточный источник ионов на основе плотной плазмы электронно-циклотронного резонансного (ЭЦР) разряда, удерживаемой в открытой магнитной ловушке, содержащий СВЧ генератор, узел ввода СВЧ излучения в разрядную вакуумную камеру, систему откачки, систему подачи рабочего вещества, магнитную систему для создания магнитного поля пробочной конфигурации с напряженностью, достаточной для возникновения внутри разрядной вакуумной камеры ЭЦР зон, систему формирования и экстракции пучка ионов из плазмы, при этом узел ввода СВЧ излучения в разрядную вакуумную камеру включает в себя квазиоптическую линию передачи СВЧ излучения в форме гауссова пучка, окно ввода СВЧ излучения, вынесенное за пределы магнитной ловушки и согласующий элемент, расположенный в пробке магнитной ловушки и использующийся также как уловитель плазмы, при этом геометрические размеры и форма согласующего элемента подобраны таким образом, что обеспечивают полное прохождение СВЧ излучения в разрядную вакуумную камеру, отличающийся тем, что упомянутый узел ввода СВЧ излучения в разрядную вакуумную камеру дополнительно включает в себя расположенный после СВЧ генератора преобразователь моды СВЧ излучения в гауссов пучок и расположенный перед окном ввода СВЧ излучения преобразователь гауссова пучка в моду круглого волновода, при этом квазиоптическая линия передачи СВЧ излучения в форме гауссова пучка расположена между двумя вышеупомянутыми преобразователями, а геометрические размеры и форма вышеупомянутых преобразователей подобраны таким образом, что обеспечивают полное прохождение СВЧ излучения в разрядную вакуумную камеру.
Сильноточный источник ионов на основе плотной плазмы ЭЦР разряда, удерживаемой в открытой магнитной ловушке
Сильноточный источник ионов на основе плотной плазмы ЭЦР разряда, удерживаемой в открытой магнитной ловушке
Источник поступления информации: Роспатент

Showing 1-10 of 64 items.
10.07.2016
№216.015.2b18

Изолятор фарадея для лазерных пучков с квадратным поперечным профилем распределения интенсивности

Изобретение относится к оптической технике для мощных лазерных пучков. Магнитная система в изоляторе Фарадея для лазерных пучков с квадратным поперечным профилем распределения интенсивности изготовлена с квадратной апертурой путем заполнения ее центральных областей, через которые не проходит...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002589754
Дата охранного документа: 10.07.2016
20.04.2016
№216.015.34ec

Полевой транзистор на осаждённой из газовой фазы алмазной плёнке с дельта-допированным проводящим каналом

Изобретение относится к технике полупроводниковых приборов. В полевом транзисторе на осажденной из газовой фазы алмазной пленке с дельта-допированным проводящим каналом, включающем недопированную алмазную подложку, осажденную на ней из газовой фазы алмазную пленку, состоящую из нанесенных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002581393
Дата охранного документа: 20.04.2016
20.08.2016
№216.015.4e78

Плазменный свч реактор для газофазного осаждения алмазных пленок в потоке газа (варианты)

Изобретение относится к плазменным СВЧ реакторам для газофазного осаждения алмазных пленок в потоке газа (варианты). Выполнение реактора на основе двух связанных резонаторов - цилиндрического резонатора и прикрепленного к его торцевой стенке круглого коаксиального резонатора, вдоль оси...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002595156
Дата охранного документа: 20.08.2016
13.01.2017
№217.015.75ad

Изолятор фарадея с неоднородным магнитным полем для лазеров большой мощности

Изобретение относится к оптической технике и может быть использовано как элемент оптической развязки на эффекте Фарадея для лазеров с субкиловаттной средней мощностью излучения. Изолятор Фарадея с неоднородным магнитным полем для лазеров большой мощности содержит последовательно расположенные...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002598623
Дата охранного документа: 27.09.2016
13.01.2017
№217.015.854c

Изолятор фарадея для неполяризованного лазерного излучения

Изобретение относится к оптической технике, а именно к изоляторам Фарадея для неполяризованного лазерного излучения. Изолятор Фарадея содержит последовательно расположенные на оптической оси поляризационный расщепитель пучка, магнитооптический элемент, установленный в магнитной системе,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002603229
Дата охранного документа: 27.11.2016
13.01.2017
№217.015.8cf1

Способ контактной литотрипсии

Изобретение относится к медицине, хирургии. Осуществляют воздействие на конкремент при контактной литотрипсии. На дистальный конец световода наносят поглощающий, термостойкий, износоустойчивый слой. Используется лазерное излучение, поглощающееся в специально нанесенном на торец волокна слое. В...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002604800
Дата охранного документа: 10.12.2016
25.08.2017
№217.015.a2ef

Изолятор фарадея со стабилизацией степени изоляции

Изобретение относится к оптической технике и может быть использовано как элемент оптической развязки на эффекте Фарадея для лазеров, подверженных влиянию окружающей среды. Изолятор Фарадея со стабилизацией степени изоляции содержит последовательно расположенные на оптической оси поляризатор,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002607077
Дата охранного документа: 10.01.2017
25.08.2017
№217.015.a340

Способ управления сейсмоакустическими косами и устройство позиционирования для его осуществления

Изобретение относится к области геофизики и может быть использовано при проведении морских сейсморазведочных работ. Предлагается устройство автоматизированного позиционирования (УАП), которое представляет собой тело нейтральной плавучести, корпус которого представляет собой две герметично...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002607076
Дата охранного документа: 10.01.2017
25.08.2017
№217.015.b97c

Способ измерения поглощаемой мощности в единице объема плазмы свч разряда в водородсодержащем газе

Изобретение относится к плазменным технологиям, в частности к способам измерения поглощенной мощности в СВЧ-разрядах. При реализации предложенного способа измерения мощности, поглощаемой единицей объема СВЧ-разряда, получают СВЧ-разряд в водородсодержащем газе, фотографируют плазму СВЧ-разряда...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002615054
Дата охранного документа: 03.04.2017
25.08.2017
№217.015.bcf8

Способ определения скорости ветра над водной поверхностью

Способ определения скорости ветра над водной поверхностью, в котором получают при помощи двух оптических систем на основе линеек ПЗС-фотодиодов с разными направлениями визирования два пространственно-временных изображения водной поверхности. Стыкуют полученные изображения. Определяют...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002616354
Дата охранного документа: 14.04.2017
Showing 1-10 of 16 items.
27.04.2013
№216.012.3bc1

Сильноточный источник многозарядных ионов на основе плазмы электронно-циклотронного резонансного разряда, удерживаемой в открытой магнитной ловушке

Изобретение относится к области создания пучков многозарядных ионов (МЗИ) путем их экстракции из плотной плазмы, создаваемой в открытой магнитной ловушке мощным излучением миллиметрового диапазона длин волн, которые необходимы для формирования сильноточных пучков многозарядных ионов,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002480858
Дата охранного документа: 27.04.2013
27.05.2013
№216.012.4491

Способ получения изотопно-обогащенного германия

Изобретение относится к технологии получения изотопно-обогащенного германия и может быть использовано для производства полупроводниковых приборов, детекторов ядерно-физических превращений, в медико-биологических исследованиях материалов. Способ включает плазмохимическое разложение...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002483130
Дата охранного документа: 27.05.2013
20.07.2014
№216.012.e13b

Способ получения направленного экстремального ультрафиолетового (эуф) излучения для проекционной литографии высокого разрешения и источник направленного эуф излучения для его реализации

Изобретение относится к источникам получения направленного (сформированного) мягкого рентгеновского излучения, или, что то же самое, экстремального ультрафиолетового излучения (ЭУФ) с длиной волны 13,5 нм или 6,7 нм, применяемым в настоящее время или в ближайшей перспективе в проекционной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002523445
Дата охранного документа: 20.07.2014
13.01.2017
№217.015.877c

Создание гибких структурных описаний для документов с повторяющимися нерегулярными структурами

Изобретение раскрывает системы, машиночитаемые носители и методы создания гибких структурных описаний. Технический результат - автоматическое создание структурного описания, используемого для извлечения данных из изображения объекта. Для создания гибких структурных описаний используется...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002603492
Дата охранного документа: 27.11.2016
25.08.2017
№217.015.9c83

Способ получения наноразмерных структур молибдена

Изобретение относится к получению нанодисперсного порошка молибдена. Способ включает восстановление гексафторида молибдена водородом в реакторе под воздействием сверхвысокочастотного разряда. Реактор заполняют газовой смесью, состоящей из гексафторида молибдена и водорода, мольная доля которого...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002610583
Дата охранного документа: 13.02.2017
20.01.2018
№218.016.1061

Устройство получения направленного экстремального ультрафиолетового излучения с длиной волны 11,2 нм ±1% для проекционной литографии высокого разрешения

Изобретение относится к области оптического приборостроения и касается устройства получения направленного экстремального ультрафиолетового излучения с длиной волны 11.2 нм ±1% для проекционной литографии высокого разрешения. Устройство включает в себя гиротрон, генерирующий пучок излучения...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002633726
Дата охранного документа: 17.10.2017
20.01.2018
№218.016.138f

Источник нейтронов ограниченных размеров для нейтронной томографии

Заявленное изобретение относится к источнику нейтронов ограниченных размеров для нейтронной томографии, а именно к «точечному» источнику нейтронов с характерными размерами меньше 100 мкм с потоком нейтронов на уровне 1010 нейтр⋅с-1. В заявленном устройстве нейтроны образуются в результате...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002634483
Дата охранного документа: 31.10.2017
10.05.2018
№218.016.4420

Сильноточный источник пучка ионов на основе плазмы электронно-циклотронного резонансного разряда, удерживаемой в открытой магнитной ловушке

Изобретение относится к области формирования сильноточных пучков ионов путем их экстракции из плотной плазмы ЭЦР разряда, создаваемой в открытой магнитной ловушке мощным излучением миллиметрового диапазона длин волн. Сильноточный источник пучков ионов на основе плазмы электронно-циклотронного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002649911
Дата охранного документа: 05.04.2018
10.05.2018
№218.016.4e94

Источник пучка ионов на основе плазмы электронно-циклотронного резонансного разряда, удерживаемой в открытой магнитной ловушке

Изобретение относится к области формирования сильноточного пучка ионов путем его экстракции из плотной плазмы ЭЦР разряда, создаваемой в открытой магнитной ловушке мощным излучением миллиметрового диапазона длин волн. Разработанное устройство может обеспечивать эффективную экстракцию ионов из...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002650876
Дата охранного документа: 18.04.2018
10.07.2018
№218.016.6eec

Сильноточный источник пучков ионов на основе плазмы электронно-циклотронного резонансного разряда, удерживаемой в открытой магнитной ловушке

Изобретение относится к средствам формирования сильноточных пучков ионов путем их экстракции из плотной плазмы ЭЦР разряда, создаваемой в открытой магнитной ловушке мощным излучением миллиметрового диапазона длин волн. В источнике пучка ионов система формирования и экстракции пучка ионов из...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002660677
Дата охранного документа: 09.07.2018
+ добавить свой РИД