×
03.08.2019
219.017.bbdf

Результат интеллектуальной деятельности: ОПТОВОЛОКОННЫЙ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к оптоэлектронике и фотоэнергетике и может быть использовано для создания оптоволоконных систем передачи энергии по лазерному лучу. Заявленный оптоволоконный фотоэлектрический преобразователь лазерного излучения включает оптически последовательно соединенные лазер, одномодовое оптоволокно и многомодовое оптоволокна, фокон и фотоэлемент. Одномодовое и многомодовое оптоволокна оптически стыкованы так, что оптические оси оптоволокон расположены между собой под углом . Многомодовое оптоволокно оптически стыковано с фоконом, диаметр входного малого торца фокона установлен равным диаметру D сердечника многомодового оптоволокна, а радиус выходного большого торца фокона установлен равным радиусу фоточувствительной поверхности фотоэлемента, разделенного на электрически последовательно скоммутированные секторы. Технический результат – увеличение выходной мощности фотоэлектрического преобразователя, увеличение выходного напряжения до 3-4 В при сохранении высокого КПД фотопреобразования – более 40 % и при мощности лазерного излучения до 100 Вт и более. 1 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится к оптоэлектронике и фотоэнергетике и может быть использовано для создания оптоволоконных систем передачи энергии по лазерному лучу.

В настоящее время одним из перспективных стратегических направлений фотоэнергетики является создание лазерных каналов передачи энергии, работающих в оптическом и инфракрасном диапазонах спектра, например, фотонных трактов лазер-оптоволокно-фотоэлемент. Для дистанционной передачи лазерного энергетического сигнала мощностью более 1 Вт на расстояние более нескольких километров необходимо иметь мощные фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения (ФЭП ЛИ), передаваемого по одномодовому оптоволокну, характеризующемуся низкими оптическими потерями. ФЭП ЛИ являются одними из главных компонентов волоконно-оптических линий связи (ВОЛС) и обеспечивают идеальную гальваническую развязку между источником сигнала и приемником. ВОЛС на их основе невосприимчивы к электромагнитным помехам в радиодиапазоне и сами не являются источником таких помех. По этим причинам ВОЛС имеют неоспоримые достоинства в задачах, где предъявляются строгие требования по обеспечению электромагнитной совместимости и где использование медных проводников между источником и приемником невозможно или нежелательно. В настоящий момент достигнут значительный прогресс в создании ФЭП ЛИ для высокоскоростных систем информационного обмена. Рабочие частоты ФЭП ЛИ, применяемых в таких системах, достигают десятков гигагерц. Мощность оптического сигнала лежит в диапазоне от единиц микроватт до десятков милливатт. В большинстве приложений в качестве среды ВОЛС используют кварцевое волокно, окна прозрачности которого лежат вблизи следующих длин волн излучения: 0,85 мкм (первое окно), 1,3 мкм (второе окно) и 1,55 мкм (третье окно). Оптимальными материалами для создания фотопреобразователя, работающего в третьем окне, наиболее широко используемом для дальних ВОЛС, являются GaSb и InGaAs. Фотоэлементы на их основе эффективно преобразуют фотоны с длиной волны 1,55 мкм - в полосе наибольшей прозрачности и минимальных потерь современных оптических одномодовых волокон. Наряду с задачей эффективной передачи информационных сигналов ВОЛС, не менее важной является задача передачи энергии по оптическому каналу для электропитания ретрансляторов информационного сигнала, а также для питания различных удаленных радиоэлектронных устройств, например, удаленных датчиков состояния окружающей среды.

Таким образом, задача улучшения утилитарных характеристик ФЭП ЛИ, таких как КПД, выходное напряжение и выходная мощность являются весьма актуальной для ВОЛС, фотоники и фотоэнергетики.

Известен оптоволоконный фотоэлектрический преобразователь лазерного излучения (см. патент RU 2646547, МПК H01L 31/0304, H01L 31/10, опубликован 05.03.2018), включающий подложку из n-GaAs, на которую последовательно нанесены слой тыльного барьера из n-AlGaAs, базовый слой из n-GaAs, эмиттерный слой из p-GaAs, слой широкозонного окна из n-AlxGa1-xAs, широкозонный стоп-слой из n-AlyGa1-yAs и контактный подслой из p-GaAs.

Недостатками известного фотоэлектрического преобразователя лазерного излучения является отсутствие фоточувствительности к излучению с длиной волны 1,55 мкм, при которой обеспечиваются минимальные оптические потери в современных оптоволокнах.

Известен оптоволоконный фотоэлектрический модуль (см. патент RU 2670719, МПК H04D 10/25, G02B 6/42, опубликован 24.10.2018), включающий симметричный оптоволоконный разветвитель, в первичное оптоволокно которого вводятся мощные импульсы оптического излучения длина вторичных оптоволокон разветвителя установлена отличающейся не более чем на 3 мм, каждое из вторичных оптоволокон оптически стыковано с AlGaAs-GaAs фотодетектором.

При оптимальной мощности входного оптического импульса, который подается на фоточувствительную поверхность каждого фотодетектора, последовательное соединение фотодетекторов (в количестве N) позволяет увеличить в N - раз выходное сопротивление, что дает возможность согласовать фотоэлектрический модуль с нагрузкой. Известный оптоволоконный фотоэлектрический модуль имеет повышенную мощность и быстродействие.

Недостатками известного фотоэлектрического преобразователя лазерного излучения является низкие КПД и надежность за счет использования оптических разветвителей, а также отсутствие фоточувствительности к излучению с длиной волны более 0,86 мкм.

Известен оптоволоконный фотоэлектрический преобразователь лазерного излучения (см. CN 206117559, МПК H01S 01/00, опубликован 19.04.2017)), включающий лазерный модуль, состоящий из лазерных излучателей с различной длиной волны, оптической системы ввода излучения в оптоволокно, оптоволокна и многопереходного концентраторного фотоэлемента.

Недостатком известного устройства является необходимость подстройки мощности лазерных излучателей для получения одинаковых токов в каждом переходе многопереходного концентраторного фотоэлемента, а также отсутствие фоточувствительности к излучению с длиной волны 1.55 мкм, при которой обеспечиваются минимальные оптические потери в современных оптоволокнах.

Наиболее близким по совокупности существенных признаков к настоящему техническому решению является оптоволоконный фотоэлектрический преобразователь лазерного излучения (см. заявка US 2006140644, МПК Н04В 10/04, опубликована 29.06.2006). Оптоволоконный фотоэлектрический преобразователь-прототип включает включающий оптически последовательно соединенные лазер, оптоволокно и фотоэлемент.

Недостатком известного устройства является небольшая мощность (1 мВт) устройства возбуждения, которая ограничивается малой мощностью фотопреобразователя.

Задачей настоящего изобретения явлалась разработка оптоволоконного фотоэлектрического преобразователя лазерного излучения, который бы имел повышенную выходную мощность и выходное напряжение при сохранении высокого КПД фотоэлектрического преобразователя.

Поставленная задача достигаются тем, что оптоволоконный фотоэлектрический преобразователь лазерного излучения включает оптически последовательно соединенные лазер, одномодовое оптоволокно, многомодовое оптоволокно, фокон и фотоэлемент. Фоточувствительная область фотоэлемента выполнена в виде последовательно электрически соединенных осесимметричных секторов круга. Одномодовое оптоволокно оптически состыковано через иммерсионную среду с многомодовым оптоволокном под углом. Ось одномодового оптоволокна отстоит на расстоянии x от оси многомодового оптоволокна в плоскости его торца. Числовая апертура одномодового оптоволокна меньше половины числовой апертуры А2 многомодового оптоволокна. Диаметры входного малого и выходного большого торцов фокона высотой Н равны диаметрам соответственно сердцевины многомодового оптоволокна и фоточувствительной области фотоэлемента. Величины , х и Н удовлетворяют соотношениям:

, град;

мм;

Н = (0,8-1,2)⋅R/A2, мм;

где: D - диаметр сердцевины многомодового оптоволокна, мм;

d - диаметр сердцевины одномодового оптоволокна, мм;

R - радиус фоточувствительной области фотоэлемента, мм.

Длина L многомодового оптоволокна может удовлетворять соотношению:

где N = 10-20 - эмпирический коэффициент.

Новым в настоящем оптоволоконном фотоэлектрическом преобразователе лазерного излучения является выполнение Фоточувствительной области фотоэлемента в виде последовательно электрически соединенных осесимметричных секторов круга, состыковка одномодового оптоволокна с многомодовым оптоволокном под углом , выполнение диаметров входного малого и выходного большого торцов фокона высотой Н равным диаметрам соответственно сердцевины многомодового оптоволокна и фоточувствительной области фотоэлемента, а также то, что величины , x и H удовлетворяют приведенным выше соотношениям.

В настоящем оптоволоконном фотоэлектрическом преобразователе лазерного излучения оптическая стыковка оптоволокон может быть осуществленая путем заполнения зазора между торцами одномодового и многомодового оптоволокон иммерсионной жидкостью с показателем преломления не менее показателя преломления сердечника одномодового волокна, но не более показателя преломления сердечника многомодового оптоволокна.

Техническим результатом, обеспечиваемым приведенной совокупностью признаков, является увеличение выходной мощности фотоэлектрического преобразователя, увеличение выходного напряжения до 3-4 В, при сохранении высокого КПД фотопреобразования - более 40% и при мощности лазерного излучения до 100 Вт и более.

Сущность изобретения поясняется чертежом, где:

на фиг. 1 приведено схематическое изображение настоящего оптоволоконного фотоэлектрического преобразователя лазерного излучения, вид сбоку;

на фиг. 2 показан в увеличенном масштабе вид сверху на торец сердечника многомодового оптоволокна с сопряженным сердечником одномодового оптоволокна;

на фиг. 3 изображен в аксонометрии фотоэлемент оптоволоконного фотоэлектрического преобразователя;

на фиг. 4 - приведена фотография 8-ми секторного фотоэлемента оптоволоконного фотоэлектрического преобразователя лазерного излучения с площадью фоточувствительной области фотоэлемента 300 мм2;

на фиг. 5 показано распределение интенсивности лазерного излучения на поверхности фотоэлемента с фоточувствительной областью диаметром, равным 10 мм, при использовании одномодового оптоволокна;

на фиг. 6 приведено распределение интенсивности лазерного излучения на поверхности фотоэлемента с фоточувствительной областью диаметром, равным 10 мм, при использовании многомодового оптоволокна;

на фиг. 7 показана фотография торца многомодового оптоволокна (диаметром D = 1 мм), прилегающего к фотоэлементу (диаметром 1,3 мм), который облучается выходящим из оптоволокна лазерным излучением (светлые пятна различной формы на поверхности фотоэлемента) при х = 0,44 и угл. град.

Оптоволоконный фотоэлектрический преобразователь лазерного излучения (см. фиг. 1-фиг. 4) включает лазер 1 одномодовое оптоволокно 2 с числовой апертурой А1 меньше половины числовой апертуры А2 многомодового оптоволокна 3, а диаметр d сердцевины одномодового оптоволокна 2 установлен меньше диаметра D сердцевины многомодового оптоволокна 3, оптически стыкованного через иммерсионную среду 4 с одномодовым оптоволокном 2 так, что оптические оси 5 и 6 соответственно оптоволокна 2 и оптоволокна 3 расположены между собой на расстоянии х в плоскости торца многомодового волокна в диапазоне значений D/4<x<(D-d)/2 и под углом , установленном в диапазоне . Многомодовое оптоволокно 3 оптически стыковано с фоконом 7, соосным с оптической осью 6 многомодового оптоволокна 3, так, что оптическая ось 8 фокона 7 совпадает с оптической осью 6 многомодового оптоволокна 3. Диаметр входного малого торца фокона установлен равным диаметру D сердцевины многомодового оптоволокна 3. Радиус R выходного торца фокона 7 установлен равным радиусу фоточувствительной поверхности 9 фотоэлемента 10, установленного прилегающим к выходному торцу фокона 7. Фотоэлемент 10 разделен на электрически последовательно соединенные секторы. Площадь фоточувствительной поверхности 9 фотоэлемента 10, выраженная в мм2, целесообразно устанавливать равной КР, где Р - мощность лазерного излучения, выраженная в Ваттах, а К - эмпирический коэффициент, увеличивающийся с увеличением мощного лазерного излучения, установлен в диапазоне 1-3. Фотоэлемент 10 (см. фиг 1 и фиг. 3) включает следующие компоненты: 11 - омический контакт к фронтальной части фотоэлемента; 12 - омический контакт к тыльной части фотоэлемента 10; 13 - один из 12-ти секторов фотоэлемента 10; 14 - область «кольцевого» (торообразного) лазерного излучения на поверхности фотоэлемента 10; 15 - золотые проволоки, обеспечивающие отвод фототока от фронтальной части секторов фотоэлемента 10; 16 - контактные площадки омического контакта 11 секторов 13 фронтальной части фотоэлемента 10; 17 - тыльный контакт фотоэлемента 10 на печатной плате; 18 - контактная площадка, скоммутированная с контактом к фронтальной области фотоэлемента 10 на печатной плате; 19 - контактная площадка на печатной плате, скоммутированная с контактом к тыльной части фотоэлемента 10; 20 - теплоотводящая основа печатной платы, обеспечивающей коммутацию секторов фотоэлемента 10 в последовательную электрическую цепь; 21 - один из 12-ти зазоров между секторами фотоэлемента 10. В настоящем оптоволоконном фотоэлектрическом преобразователе лазерного излучения длина многомодового оптоволокна 3 может быть установлена равной где: N - эмпирический коэффициент, установленный в диапазоне N = 10-20, D - диаметр сердцевины многомодового оптоволокна 3.

Оптоволоконный фотоэлектрический преобразователь лазерного излучения работает следующим образом. При преобразовании ваттной мощности лазерного излучения в известных фотоэлементах возникают существенные омические потери в связи с протеканием большого тока (для длины волны 1,55 мкм фототок составляет величину более 1 А на 1 Вт лазерной мощности). Кроме того, такой фотоэлемент вырабатывает низкое напряжение порядка 0,4 В, которое в дальнейшем практически очень трудно преобразовать в требуемое напряжение 3-5 В для питания удаленных радиоэлектронных, сенсорных и других устройств. Использование фотоэлемента 10, разделенного на секторы 13, позволяет уменьшить ток и увеличить напряжение кратно количеству секторов 13 при мощности лазерного излучения от единиц Вт до 100 Вт и более. Однако при использовании секторного фотоэлемента 10 возникают дополнительные потери оптического излучения на зазорах 21 между секторами 13. Особенно большие потери имеют место в центральной части фотоэлемента 10, так как при освещении фотоэлемента 10 из одномодового волокна 2 распределение оптической мощности на поверхности фотоэлемента 10 близко к распределению Гаусса с максимумом интенсивности в центральной части фотоэлемента 10. Поперечное сечение распределения интенсивности лазерного излучения из одномодового оптоволокна 2 показано на фиг. 5. При таком распределении большая часть оптической мощности находится в центральной части фотоэлемента 10, в которой потери на зазорах 21 между секторами 13 максимальны и могут составлять более 30 отн. %. В настоящем оптоволоконном фотоэлектрическом преобразователе между одномодовым волокном 2 и фотоэлементом 10 вставлено многомодовое волокно 3 с диаметром D сердечника больше диаметра d сердечника одномодового оптоволокна 2, оптически стыкованного через имерсионную среду 4 с многомодовым оптоволокном 3. Использование многомодового оптоволокна 3, состыкованного под углом с входным одномодовым оптоволокном 2, позволяет преобразовать «гауссово» распределение оптической мощности на поверхности фотоэлемента (фиг. 5) в распределение в виде кольца (в торообразное распределение), что позволяет уменьшить потери излучения на зазорах между секторами 13 в несколько раз, а также уменьшить омические потери при протекании фототока от области генерации фототока в фотоэлементе 10 до основного (кольцевого) омического контакта 11 фотоэлемента 10. Диагональное сечение получаемого торообразного распределения интенсивности лазерного излучения на поверхности фотоэлемента 10 показано на фиг. 6. Для получения распределения в виде кольца на выходе многомодового оптоволокна 3 необходимо между осями 6, 8 оптоволокон 2, 3 задать угол и расстояние x в плоскости торца многомодового волокна (см. фиг. 2). Расстояние х должно находиться в диапазоне D/4<x<(D-d)/2. При x<D/4 увеличиваются потери на зазорах между сегментами 13 фотоэлемента 10, так как излучение на выходе многомодового оптоволокна 3 полностью или частично сосредоточено в центре, а при A>(D-d)/2 увеличиваются потери на ввод излучения из одномодового оптоволокна 2 в многомодовое оптоволокно 3 вследствие того, что часть излучения не попадает на торец многомодового оптоволокна 3. Угол необходимо задать большим, чем arcsin числовой апертуры А1 одномодового оптоволокна 2, но меньше разницы arcsin А2 -arcsin A1. При излучение полностью или частично сосредоточено в центральной части фотоэлемента 10, что приводит к уменьшению КПД, а при часть лучей в многомодовом оптоволокне 3 имеет угол меньший угла полного внутреннего отражения, что приводит к потерям излучения. При соблюдении этих условий лазерное излучение, вошедшее в многомодовое оптоволокно 3, будет претерпевать полное внутреннее отражение внутри волокна и выйдет через торец оптоволокна 3 в виде кольца излучения с минимальными оптическими потерями. Для уменьшения потерь на отражение от торцов оптоволокон 2 и 3 пространство между торцами одномодового оптоволокна 2 и многомодового оптоволокна 3 заполнено иммерсионной жидкостью 4. Фотоэлемент 10 выполнен с фоточувствительной поверхностью 9 в виде круга (см. фиг. 1), ограниченного фронтальным кольцевым омическим контактом 11 с внутренним радиусом R. На тыльной стороне фотоэлемента 10 нанесен сплошной омический контакт 12. Длина L многомодового оптоволокна 3 должна обеспечивать достаточное количество отражений от стенок сердечника оптоволокна 3 для обеспечения равномерного распределения мощности лазерного излучения по длине светового кольца. Экспериментально было установлено, что равномерное распределение мощности лазерного излучения по длине светового кольца достигается при выполнении условия, когда длина L многомодового оптоволокна установлена в диапазоне (10-20) . Выполнение условия необходимо для достижения равномерности распределения интенсивности излучения по длине кольца, а выполнение условия необходимо для снижения оптических потерь излучения в многомодовом оптоволокне 3. Многомодовое оптоволокно 3 оптически стыковано с фоконом 7, соосным с оптической осью 6 многомодового оптоволокна 3. Диаметр входного малого торца фокона 7 установлен равным диаметру сердечника D многомодового оптоволокна 3, а радиус выходной апертуры фокона установлен равным радиусу R фоточувствительной поверхности 9 фотоэлемента 10, установленной прилегающей к выходному торцу фокона 7. Высота Н фокона установлена не более R/A2: где R - радиус фоточувствительной поверхности фотоэлемента 10; А2 - значение числовой апертуры многомодового оптоволокна 3. Выполнение этого условия необходимо для достижения наибольшего КПД преобразования лазерного излучения в фотоэлементе 10, обеспечиваемого при кольцеобразной засветке фоточувствительной поверхности фотоэлемента 10 вблизи контакта 11 (фиг. 7). При этом уменьшается интенсивность лазерного излучения в центральной части фотоэлемента 10 и уменьшается вероятность выхода переферийной части светового кольца на внутреннюю поверхность фокона 7 и снижаются потери на отражение излучения. На фиг. 3 показан вариант 12-ти секторного фотоэлемента 10. Секторы 13 электрически последовательно скоммутированы с помощью электрических контактов 15, 16, 18 к фронтальным областям секторов фотоэлемента 10 и контактов 17, 19 к тыльной поверхности подложки. Электрическая коммутация осуществлена с помощью печатной платы на теплоотводящей основе 20. Экспериментально было установлено, что отношение площади фоточувствительной поверхности фотоэлемента 10, выраженной в мм2, к мощности лазерного излучения, выраженной в Ваттах, должно быть в диапазоне 1-3, причем это отношение увеличивается с увеличением мощности излучения. При этих условиях может быть обеспечен эффективный отвод тепла, выделяющегося на фотоэлементе при его облучении мощным лазерным излучением и сохранение высокого значения КПД порядка 40% при увеличении мощности лазерного излучения.

Результатом работы настоящего оптоволоконного фотоэлектрического преобразователя мощного лазерного излучения является достижение выходной электрической мощности от 0,4 Вт до 38 Вт, при мощности лазерного излучения от 1 Вт до 100 Вт, передаваемого по одномодовому оптоволокну длиной до нескольких десятков километров. Данное устройство позволяет осуществлять беспроводную передачу энергии по мощному лазерному лучу для обеспечения энергопитанием удаленных электронных устройств, например, усилителей информационного сигнала в ВОЛС и датчиков параметров окружающей среды, в том числе, расположенных глубоко под водой или глубоко под землей.

Пример 1. Был изготовлен оптоволоконный фотоэлектрический преобразователь лазерного излучения лазера с длиной волны 1,55 мкм и мощностью 1 Вт, который включал одномодовое оптоволокно с числовой апертурой А1=0,1, оптически стыкованное с многомодовым оптоволокном диаметром сердечника d=500 мкм, с числовой апертурой А2=0,22 так, что оптические оси оптоволокон расположены между собой под углом и на расстоянии х=220 мкм. Длина многомодового оптоволокна равна Излучение лазера из многомодового оптоволокна вводилось в фотоэлемент с фоточувствительной поверхностью, выполненной в виде разделенного на 6 секторов круга с диаметром равным 1,15 мм. Площадь фотоэлемента была равна 1 мм2. Коэффициент К=1. Многомодовое оптоволокно оптически было стыковано с фоконом, диаметр входной апертуры которого составлял 500 мкм. Высота фокона была выполнена равной 2,5 мм. Выходная электрическая мощность преобразователя составила 0,41 Вт при выходном напряжении 2,8 В и КПД=41%.

Пример 2. Был изготовлен оптоволоконный фотоэлектрический преобразователь лазерного излучения, включающий лазер с мощностью излучения 100 Вт и одномодовое оптоволокно с числовой апертурой A1=0,1. Диаметр сердечника многомодового оптоволокна d=1000 мкм. Числовая апертура А2=0,39. Оптические оси оптоволокон были расположены между собой под углом и на расстоянии х=450 мкм. Длина многомодового оптоволокна равна . Лазерное излучение из многомодового оптоволокна через фокон вводили в фотоэлемент с фоточувствительной поверхностью, выполненной в виде разделенного на 8 секторов круга с радиусом 9,7 мм. Площадь фотоэлемента была равна 300 мм2 (коэффициент К=3). Высота фокона Н=25 мм. Выходная электрическая мощность устройства составила 38 Вт при выходном напряжении 3,6 В и КПД = 38%.


ОПТОВОЛОКОННЫЙ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ
ОПТОВОЛОКОННЫЙ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ
ОПТОВОЛОКОННЫЙ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ
ОПТОВОЛОКОННЫЙ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ
ОПТОВОЛОКОННЫЙ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ
ОПТОВОЛОКОННЫЙ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ
ОПТОВОЛОКОННЫЙ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ
ОПТОВОЛОКОННЫЙ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ
ОПТОВОЛОКОННЫЙ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ
Источник поступления информации: Роспатент

Showing 61-70 of 114 items.
26.08.2017
№217.015.ed5c

Способ получения кристаллических алмазных частиц

Изобретение относится к нанотехнологии алмазных частиц, необходимых для финишной шлифовки и полировки различных изделий и для создания биометок. Способ получения кристаллических алмазных частиц включает добавление к порошку наноалмазов, полученных детонационным синтезом, циклоалкана...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002628617
Дата охранного документа: 21.08.2017
26.08.2017
№217.015.ed70

Термоэлектрический элемент

Изобретение относится к области термоэлектричества. Сущность: термоэлектрический элемент (1) включает по меньшей мере две пленки основного материала (2) в виде углеродного материала с sp гибридизацией атомных связей, между которыми нанесена пленка дополнительного материала (3) в виде...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002628676
Дата охранного документа: 21.08.2017
20.01.2018
№218.016.0ffc

Способ получения наночастиц и устройство для его осуществления

Группа изобретений относится к получению металлических наночастиц. Способ включает формирование потока ускоряемых металлических микрочастиц, плавление металлических микрочастиц, подачу потока образовавшихся жидких микрокапель в область цилиндрического осесимметричного электростатического поля,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002633689
Дата охранного документа: 16.10.2017
20.01.2018
№218.016.11a2

Спектрометр электронного парамагнитного резонанса

Использование: для исследованиях конденсированных материалов и наноструктур методом электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) в различных областях науки. Сущность изобретения заключается в том, что спектрометр ЭПР содержит генератор (1) фиксированной частоты, генератор (2), первый делитель...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002634076
Дата охранного документа: 23.10.2017
20.01.2018
№218.016.11a4

Спектрометр электронного парамагнитного резонанса

Использование: для регистрации сигналов электронного парамагнитного резонанса. Сущность изобретения заключается в том, что спектрометр ЭПР содержит генератор фиксированной частоты, генератор переменной частоты, первый делитель мощности, второй делитель мощности, переключатель каналов, первый...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002634075
Дата охранного документа: 23.10.2017
13.02.2018
№218.016.20f8

Солнечный фотоэлектрический концентраторный модуль

Солнечный фотоэлектрический концентраторный модуль содержит первичный оптический концентратор (3) в виде линзы Френеля, с линейным размером D, оптическая ось (4) которой проходит через центр (5) фотоактивной области фотоэлемента (1), выполненной в виде круга диаметром d, и соосный с ним...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002641627
Дата охранного документа: 18.01.2018
13.02.2018
№218.016.249d

Устройство для генерации второй гармоники оптического излучения

Изобретение относится к квантовой электронике, а именно к устройствам удвоения частоты оптического излучения. Устройство для генерации второй гармоники оптического излучения содержит активный элемент на основе нитрида алюминия. Активный элемент выполнен в виде волновода с воздушными обкладками,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002642472
Дата охранного документа: 25.01.2018
04.04.2018
№218.016.36a8

Способ подстройки коэффициента деления волноводного разветвителя на подложке ниобата лития

Изобретение относится к области интегральной оптики. Способ подстройки коэффициента деления волноводного разветвителя на подложке ниобата лития заключается в том, что подают на входной волновод разветвителя рабочее оптическое излучение, выбирают для подстройки один из выходных волноводов, затем...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002646546
Дата охранного документа: 05.03.2018
04.04.2018
№218.016.36e8

Фотопреобразователь лазерного излучения

Изобретение относится к полупроводниковой электронике. Фотопреобразователь лазерного излучения включает подложку (1) из n-GaAs, на которую последовательно нанесены слой (2) тыльного барьера из n-AlGaAs, базовый слой (3) из n-GaAs, эмиттерный слой (4) из p-GaAs, слой (5) широкозонного окна из...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002646547
Дата охранного документа: 05.03.2018
10.05.2018
№218.016.389b

Гетероструктура мощного полупроводникового лазера спектрального диапазона 1400-1600 нм

Изобретение относится к квантовой электронной технике, а точнее к мощным полупроводниковым лазерам. Гетероструктура полупроводникового лазера спектрального диапазона 1400-1600 нм содержит подложку (1) из InP, на которой последовательно сформированы слой эмиттера (2) из InP n-типа проводимости,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002646951
Дата охранного документа: 12.03.2018
Showing 51-60 of 60 items.
06.03.2020
№220.018.098f

Установка слежения за солнцем и способ ее ориентации

Установка слежения за Солнцем включает промежуточную раму в виде круглой цилиндрической балки (1), установленную с возможностью вращения посредством первых цилиндрических шарниров (2), (5) на двух стойках (3), (6), прикрепленных к основанию (4), раму (13) солнечных панелей, прикрепленную с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002715901
Дата охранного документа: 04.03.2020
20.05.2020
№220.018.1df3

Устройство мониторинга солнечной электростанции

Изобретение относится к солнечной фотоэнергетике, к мониторингу солнечных электростанций. Устройство мониторинга солнечной электростанции включает блок измерения параметров и отбора максимальной мощности солнечной батареи, блок коммутации, блок электронной нагрузки, блок управления, блок...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002721164
Дата охранного документа: 18.05.2020
29.05.2020
№220.018.218c

Радиофотонный оптоволоконный модуль

Изобретение относится к радиофотонике. Радиофотонный оптоволоконный модуль включает лазерный источник оптического сигнала СВЧ импульсов, две сборки последовательно соединенных СВЧ фотодетекторов и три оптических разветвителя, вторичные оптоволокна первого оптического разветвителя оптически...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002722085
Дата охранного документа: 26.05.2020
12.04.2023
№223.018.43a0

Гетероструктурный инфракрасный светоизлучающий диод

Изобретение относится к электронной технике, в частности к полупроводниковым приборам, и может быть использовано при разработке и изготовлении светоизлучающих диодов и различных устройств на их основе. Гетероструктурный инфракрасный светоизлучающий диод включает подложку-носитель с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002793618
Дата охранного документа: 04.04.2023
16.05.2023
№223.018.606e

Концентраторная солнечная энергетическая установка

Концентраторная солнечная энергетическая установка содержит основание (1) с размещенной на нем солнечной батареей (2), набранной из рядов концентраторных фотоэлектрических модулей (3) с корпусами (4) прямоугольной или квадратной формы с отбортовками (5) для прикрепления силиконом-герметиком (6)...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002740437
Дата охранного документа: 14.01.2021
16.05.2023
№223.018.606f

Концентраторная солнечная энергетическая установка

Концентраторная солнечная энергетическая установка содержит основание (1) с размещенной на нем солнечной батареей (2), набранной из рядов концентраторных фотоэлектрических модулей (3) с корпусами (4) прямоугольной или квадратной формы с отбортовками (5) для прикрепления силиконом-герметиком (6)...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002740437
Дата охранного документа: 14.01.2021
16.05.2023
№223.018.60a4

Мощный концентраторный фотоэлектрический модуль

Концентраторный фотоэлектрический модуль содержит монолитную фронтальную панель (3), боковые стенки (1) и тыльную панель (2), по меньшей мере один первичный оптический концентратор (4), по меньшей мере один вторичный оптический концентратор в форме фокона (9), меньшим основанием обращенным к...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002740738
Дата охранного документа: 20.01.2021
29.05.2023
№223.018.727a

Инфракрасный светодиод

Изобретение относится к электронной технике, в частности к полупроводниковым приборам. Инфракрасный светодиод включает световыводящий слой (1), активную область (3), выполненную на основе нескольких квантовых ям InGaAs, окруженную барьерными широкозонными слоями (2, 4), брегговский отражатель...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002796327
Дата охранного документа: 22.05.2023
16.06.2023
№223.018.7c95

Способ изготовления фотоэлектрического концентраторного модуля

Способ изготовления фотоэлектрического концентраторного модуля включает формирование множества солнечных элементов, формирование вторичных концентраторов солнечного излучения, расположенных соосно над солнечными элементами, формирование панели первичных концентраторов, расположенных соосно над...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002740862
Дата охранного документа: 21.01.2021
17.06.2023
№223.018.8105

Солнечный фотоэлектрический модуль

Солнечный фотоэлектрический модуль включает, по меньшей мере, два субмодуля (1), каждый субмодуль (1) содержит зеркальный параболический концентратор (5) солнечного излучения и солнечный элемент (6), расположенный в фокусе зеркального параболического концентратора (5). Зеркальный параболический...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002763386
Дата охранного документа: 28.12.2021
+ добавить свой РИД