×
19.07.2019
219.017.b666

Результат интеллектуальной деятельности: Способ определения степени однородности одноосных кристаллов

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к области оптики, а именно к способам определения оптической однородности и выявления структурных дефектов оптических кристаллов, и может быть использовано для контроля качества одноосных кристаллов. Целью изобретения является разработка способа определения степени однородности одноосных кристаллов, позволяющего определять их пригодность для использования в электронно-оптических и акустооптических устройствах. Сущность: проводят анализ с помощью специализированного программного обеспечения зарегистрированных методом лазерной коноскопии в различных положениях образца относительно оптической системы интерференционных картин, при этом в процессе анализа производят попиксельное вычитание полученных изображений друг из друга по параметрам RGB с формированием результирующего массива значений, из данного массива определяют количество пикселей со значениями RGB (0,0.0), вычисляют отношение k этого количества N к общему числу пикселей получаемого изображения N, где k=1 характеризует однородность идеального кристалла. Технический результат заключается в повышении точности измерения однородности оптических элементов, выявлении дефектных областей с незначительными отклонениями показателей преломления. 5 ил.

Изобретение относится к области оптики, а именно к способам определения оптической однородности и выявления структурных дефектов оптических кристаллов и может быть использовано для контроля качества одноосных кристаллов.

Из уровня техники известен способ выявления оптической неоднородности с помощью поляризационно-оптического метода, основанного на наблюдении под микроскопом поверхности кристалла в линейно поляризованном свете [А. И. Колесников, О. В. Малышкина, И. А. Каплунов и др. Определение дислокационной структуры в монокристаллах парателлурита методом фотоупругости // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2014, № 1, с. 81–89]. Недостатками этого способа являются дополнительные манипуляции по селективному химическому травлению, длительность эксперимента и отсутствие точных количественных характеристик.

Известен поляризационно-оптический способ исследования термических напряжений, возникающих в твердом материальном теле при воздействии локальных тепловых потоков (RU 2621458, опубл. 06.06.2017). Особенностью данного способа является использование модели пьезооптического материала без механических напряжений, которые создаются воздействием локального теплового потока, что затрудняет исследование собственных структурных дефектов оптического материала. Недостатком данного способа является использование микроскопа, что накладывает ограничения на размеры исследуемых образцов, а отношение максимального порядка к номинальному порядку изохром не дает точную количественную характеристику возникающих напряжений внутри образцов.

Существует способ исследования оптической однородности, основанный на наблюдении теневых картин свилей (объемных дефектов) с помощью проекционной установки. [ГОСТ 3521-81 Стекло оптическое. Метод определения бессвильности. ГОСТ 3518-80 Метод определения оптической однородности на коллиматорной установке.] Недостатком является необходимость наличия контрольного образца и зависимость проводимых измерений от оптической схемы.

Наиболее близким к заявляемому изобретению по технической сущности является способ анализа профиля интенсивности коноскопических (интерференционных) картин, получаемых при прохождении конического пучка лазерного излучения через кристаллическую пластину, помещенную между поляризатором и анализатором, позволяющий исследовать оптические аномалии в кристалле [О.Ю. Пикуль, Н.В. Сидоров. Лазерная коноскопия кристаллов. Апатиты: КНЦ РАН. 2014. 160с.] Недостатками способа являются неравномерное распределение интенсивности излучения по профилю лазерного пучка, возникновение артефактов в изображении, связанных с неидеальностью элементов оптической системы.

Задачей изобретения является разработка способа определения степени однородности одноосных кристаллов, позволяющего определять их пригодность для использования в электронно-оптических и акустооптических устройствах.

Данная цель достигается за счет того, что в способе определения степени однородности одноосных кристаллов, включающем регистрацию интерференционных картин методом лазерной коноскопии в различных положениях образца относительно оптической системы, их анализ с помощью специализированного программного обеспечения, в процессе анализа производят попиксельное вычитание полученных изображений друг из друга по параметрам RGB с формированием результирующего массива значений, из данного массива определяют количество пикселей со значениями RGB (0,0.0), вычисляют отношение k этого количества N0 к общему числу пикселей получаемого изображения N, где k=1 характеризует однородность идеального кристалла.

Техническим результатом заявляемого изобретения, обеспечиваемым приведенной совокупностью признаков, является простота в реализации, минимизирование влияния искажений, обусловленных оптической системой, что способствует повышению точности измерения однородности оптических элементов.

Изобретение поясняется графическими материалами:

на Фиг.1 представлена общая оптическая схема для регистрации коноскопических картин, где 1 - лазер, 2 - поляризатор, 3 - коллиматор, 4 - собирающая линза, 5 - поворотный предметный столик, 6 - поляризационный экран, 7 - система регистрации изображений, ПЗС - матрица сопряжённая с PC;

на Фиг.2 представлены положения образца при регистрации центральносимметричных коноскопических картин для анализа однородности определенной области образца;

на Фиг.3 представлены положения образца при регистрации коноскопических картин с различных областей;

на Фиг.4 представлены исследования образца парателлурита в направлении совпадающем с оптической осью, где а - коноскопическая картина полученная на образце, б - картина интерфейса программного обеспечения, включающего результирующее изображение и рассчитанные значения количества пикселей;

на Фиг.5 представлены исследования образца парателлурита, где а- коноскопические изображения области в центре оптического элемента, б - коноскопические изображения области вблизи края оптического элемента, в- картина интерфейса программного обеспечения, включающего результирующее изображение и рассчитанные значения количества пикселей.

Способ заключается в анализе интерференционных картин, полученных в процессе прохождения конического пучка лазерного излучения через материал и сложения амплитуд обыкновенных и необыкновенных волн, с помощью вычитания изображений по параметрам RGB (аддитивной цветовой модели) для выявления областей с отличающимися коэффициентами преломления от средних по объему, а также определения внешнего влияния на оптическую однородность.

Получаемые коноскопические изображения в случае абсолютно однородного материала (отсутствие дефектов и плоскопараллельность) будут идентичны по размеру и распределению интенсивности, что явно следует из законов геометрической оптики. При наличии дефектов коноскопические изображения будут отличаться.

С точки зрения компьютерных технологий, изображения (коноскопические картины), зафиксированные с помощью цифровой камеры, представляют собой данные в растровом виде, т.е. записываются в виде массива [N,M,RNM,GNM,BNM], где N,M – значения координат пикселя, R,G,B – значения параметров аддитивной цветовой модели, соответствующие координатам пикселя. RGB (0,0,0) соответствуют черному цвету.

Произведя вычитание значений RGB для одинаковых, с точки зрения координат, пикселей полученных изображений, мы получаем результирующий массив (изображение), где пиксели со значениями RGB отличными от (0,0,0) будут соответствовать неоднородным областям оптических элементов.

Найдя отношение количества пикселей со значением RGB (0,0,0) N0 к общему значению пикселей изображения N, можно получить количественную величину характеризующую однородность образца, независящую от оптической системы и от разрешения ПЗС матрицы.

, (1)

где k принимает значения в диапазоне от 0 до 1, значение 1 соответствует случаю идеального кристалла.

Способ осуществляется следующим образом:

Собирается оптическая схема для лазерной коноскопии с использованием собирающей линзы с фокусом в центре предметного столика (Фиг.1) Исследуемый образец помещается на предметный столик и регистрируются коноскопические картины в двух положениях относительно оптической схемы (Фиг.2,3). Вычисляется значение показателя степени однородности k (отношение количества пикселей со значением RGB (0,0,0) к общему значению пикселей изображения), делается вывод об однородности исследуемого объема образца и возможности его использования в оптических устройствах.

Примеры реализации способа.

Пример 1. Исследовался образец, вырезанный из монокристалла парателлурита в направлении <111>. Размеры образца 20*20*10мм, плотность дислокаций - 103-4∙103 см-2.

В качестве источника излучения, использовался белый диод с поляризатором от ЖК-матрицы. В результате получена коноскопическая картина описанного образца (Фиг.4а). Вычитание и расчеты производились с помощью специализированного программного обеспечения (ПО), использующего алгоритмы, предложенные в настоящем изобретении. Определен объем образца с повышенной плотностью дислокаций (Фиг.4б), найдено значение параметра однородности k=0,7475, что позволяет сделать вывод о невозможности использования данного монокристаллического элемента в оптических устройствах.

Пример 2. Исследовался светозвукопровод для акустооптического устройства из монокристалла парателлурита с углом между нормалью к поверхности и оптической осью 7°. Размеры образца 18*24*15мм. Сравнивались коноскопические изображения двух областей: в центре элемента (Фиг.5а) и вблизи края элемента (Фиг.5б).

В качестве источника излучения, использовался полупроводниковый лазер. Вычитание и расчеты производились с помощью специализированного ПО, использующего алгоритмы, предложенные в настоящем изобретении (Фиг.5в). Значение параметра однородности k=0,7428. Разность коноскопических картин обусловлена механическими напряжениями (искажение коэффициентов преломления) вблизи края элемента, что накладывает ограничения на размеры области акустооптического взаимодействия.

Таким образом, заявляемый способ позволяет дать численную оценку степени однородности оптических элементов по объему в виде относительного параметра, вычисляемого при сравнении коноскопических картин, полученных при различных положениях образца относительно оптической системы, без использования эталона, физических или химических воздействий на кристалл, минимизируя влияние искажений, обусловленных оптической системой.

Способ определения степени однородности одноосных кристаллов, включающий регистрацию интерференционных картин методом лазерной коноскопии в различных положениях образца относительно оптической системы, их анализ с помощью специализированного программного обеспечения, отличающийся тем, что в процессе анализа производят попиксельное вычитание полученных изображений друг из друга по параметрам RGB с формированием результирующего массива значений, из данного массива определяют количество пикселей со значениями RGB (0,0,0), вычисляют отношение k этого количества N к общему числу пикселей получаемого изображения N, где k=1 характеризует однородность идеального кристалла.
Способ определения степени однородности одноосных кристаллов
Способ определения степени однородности одноосных кристаллов
Способ определения степени однородности одноосных кристаллов
Источник поступления информации: Роспатент

Showing 1-1 of 1 item.
15.06.2019
№219.017.833e

Катализатор жидкофазного синтеза метанола и способ его получения

Изобретение относится к области производства гетерогенных катализаторов для процессов жидкофазного синтеза метанола. Катализатор жидкофазного синтеза метанола содержит носитель и цинк в качестве активного компонента. Согласно изобретению, в качестве носителя используют сверхсшитый полистирол со...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002691451
Дата охранного документа: 14.06.2019
Showing 11-20 of 25 items.
10.12.2015
№216.013.9640

Способ получения поликристаллов кремния

Изобретение относится к способам выращивания ориентированных поликристаллов кремния из расплавов методами направленной кристаллизации и рассчитано на получение материала для изготовления пластин для фотоэлектропреобразователей (солнечных батарей) из металлургического кремния. Поликристаллы...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002570084
Дата охранного документа: 10.12.2015
10.01.2016
№216.013.9ecf

Способ изготовления многослойных пьезокерамических элементов

Изобретение относится к пьезотехнике, а именно к области создания многослойных пьезокерамических элементов для преобразователей электрической энергии в механическую. Сущность: способ включает приготовление шликера с порошком пьезокерамики, литье шликера через фильеру на движущуюся ленту и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002572292
Дата охранного документа: 10.01.2016
13.01.2017
№217.015.7a6c

Способ определения плотности дислокаций в монокристаллах германия методом профилометрии

Изобретение относится к области методов выявления структурных дефектов кристаллов и может быть использовано для исследования дислокационной структуры и контроля качества кристаллов германия. Способ определения плотности дислокаций в монокристаллах германия методом профилометрии включает...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002600511
Дата охранного документа: 20.10.2016
13.01.2017
№217.015.7a75

Способ выращивания монокристаллов веществ, имеющих плотность, превышающую плотность их расплава

Изобретение относится к технологии получения монокристаллов из расплава способом Чохральского. Выращивание кристалла радиусом r сначала осуществляют способом Чохральского путем вытягивания из неподвижного тигля радиусом R, таким, что где ρ - плотность кристалла, ρ - плотность расплава. Готовый...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002600381
Дата охранного документа: 20.10.2016
13.01.2017
№217.015.7ca2

Способ получения профильных изделий на основе монокристаллов германия

Изобретение относится к технологии получения оптических изделий из германия путем выращивания монокристаллов германия из расплава в форме профильных изделий в виде выпукло-вогнутых заготовок, которые после обработки могут быть использованы для изготовления линз инфракрасного диапазона....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002600380
Дата охранного документа: 20.10.2016
25.08.2017
№217.015.b6dd

Способ выращивания монокристаллов парателлурита из расплава по чохральскому

Изобретение относится к технологии получения монокристаллов парателлурита из расплава методом Чохральского. Выращивание осуществляют из неподвижного тигля с программированием скоростей вытягивания и вращения затравки, при этом после выхода на требуемый диаметр вытягивание цилиндрической части...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002614703
Дата охранного документа: 28.03.2017
26.08.2017
№217.015.d9fc

Способ получения периодических профилей на поверхности кристаллов парателлурита

Изобретение относится к области дифракционной оптики и может быть использовано для разработки новых дифракционных оптических элементов для диапазона 0,35-5,5 мкм. В основу изобретения поставлена задача получения периодических профилей на поверхности кристаллов парателлурита методом...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002623681
Дата охранного документа: 28.06.2017
19.01.2018
№218.016.0849

Способ радиального разращивания профилированных монокристаллов германия

Изобретение относится к технологии выращивания профилированных монокристаллов германия из расплава, применяемых в качестве материала для детекторов ионизирующих излучений, для изготовления элементов оптических и акустооптических устройств ИК-диапазона – линз и защитных окон объективов...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002631810
Дата охранного документа: 26.09.2017
13.02.2018
№218.016.2168

Способ очистки поверхности расплава при выращивании монокристаллов германия

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов германия из расплава. Сущность изобретения заключается в осуществлении извлечения шлаков (окисные пленки) с поверхности расплава, а также и со стенок тигля ниже уровня расплава германия в тигле. Это позволяет обеспечить выход...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002641760
Дата охранного документа: 22.01.2018
10.05.2018
№218.016.4f41

Способ измерения температуры локальных участков поверхности расплава в тигле при выращивании методом чохральского монокристаллов веществ с температурой плавления выше 650с

Изобретение относится к области температурных измерений и касается способа измерения температуры локальных участков поверхности расплава в тигле при выращивании методом Чохральского монокристаллов веществ с температурами плавления выше 650°C. Способ включает в себя фотографирование цифровым...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002652640
Дата охранного документа: 28.04.2018
+ добавить свой РИД