ЗАЩИТНОЕ ПОКРЫТИЕ

Изобретение относится к области производства защитных покрытий, которые могут быть использованы при эксплуатации неорганических волокнистых композиционных материалов конструкционного, теплофизического и технологического назначения в изделиях авиационно-космической и машиностроительной промышленности до 1600°С.

Известно защитное покрытие следующего химического состава, мас.%:

Патент РФ №2151110

Недостатком известного покрытия является недостаточная термостойкость покрытия на композиционных материалах.

Известно также защитное покрытие химического состава, мас.%:

Патент РФ №2151111

Недостатком известного покрытия является недостаточное сцепление к композиционным материалам.

Наиболее близким аналогом, взятым за прототип, является защитное покрытие следующего химического состава, мас.%:

Патент РФ №2249571

Недостатками прототипа являются недостаточные термостойкость и сцепление покрытия к композиционным материалам.

Технической задачей изобретения является создание защитного покрытия, обладающего повышенной термостойкостью и сцеплением к композиционным материалам при рабочих температурах до 1600°С.

Поставленная техническая задача достигается тем, что предложено защитное покрытие, включающее SiO₂, SiB₄, MoSi₂, SiC, Si₃C₅H₁₅O_0,25, которое дополнительно содержит Si₃N₄, BaO, TiC при следующем соотношении компонентов, мас.%:

Авторами экспериментально установлено, что введение Si₃N₄, BaO и TiC в соответствии с заявленным соотношением и содержанием компонентов в покрытии привело к повышению термостойкости и сцепления покрытия к композиционным материалам систем SiO₂/SiO₂, SiO₂/Al₂O₃, C/SiC.

Рентгеноструктурный анализ покрытия показал, что в процессе его формирования образуются сложные кристаллические фазы 3SiO₂·SiC и 2Si₂N₄·SiB₄·BaO. Исследование структуры покрытия электронно-микроскопическим методом свидетельствует, что структура покрытия имеет мелкокристаллическое строение с равным распределением кристаллических фаз. Полученные кристаллические фазы 3SiO₂·SiC и 2Si₂N₄·SiB₄·BaO и равномерная мелкокристаллическая структура обеспечивают повышение термостойкости и сцепления покрытия к защищаемому композиционному материалу при рабочих температурах до 1600°С.

Примеры осуществления

Пример 1

Для приготовления суспензии предлагаемого защитного покрытия поликарбосилан (Si₃C₅H₁₅O_0,25) в количестве 64,5 мас.% помещали в стеклянную емкость и механически смешивали с мелкодисперсными порошками размером 1-5 мкм, мас.%: SiO₂ 12, SiB₄ 1, MoSi₂ 20, SiC 0,5, Si₃Н₄ 0,5, BaO 1, TiC 0,5, в течение 1 ч. Нанесение суспензии покрытия осуществили следующим образом: полученную суспензию (с вязкостью 14 с по В3246) заливали в эксикатор, в суспензию помещали образцы волокнистых композиционных материалов систем SiO₂/SiO₂, SiO₂/Al₂O₃, C/SiC и подвергали свободной пропитке при комнатной температуре в течение 15 часов. Затем образцы извлекали из суспензии, подвергали сушке при температуре 150°С в течение 3 часов и формировали покрытие в инертной среде до температуры 800°С со скоростью 5°С/мин.

На полученных образцах исследовались термостойкость и сцепление предлагаемого защитного покрытия на композиционных материалах систем SiO₂/SiO₂, SiO₂/Al₂O₃, C/SiC.

Примеры 2, 3 получения защитных покрытий осуществляли аналогично примеру 1.

Составы предлагаемых покрытий, свойства покрытий и композиционных материалов приведены в табл.1, 2, 3, 4.

Термостойкость предлагаемого защитного покрытия исследовалась по режиму 20-1200-20°С в течение 50 циклов. Предлагаемое защитное покрытие должно выдерживать 50 циклов теплосмен без разрушения покрытия.

Сцепление предлагаемого защитного покрытия к композиционным материалам систем SiO₂/SiO₂, SiO₂/Al₂O₃, C/SiC определяли по площади скола в % и по внешнему виду.

Термостойкость предлагаемого защитного покрытия на образцах композиционных материалов систем SiO₂/SiO₂, SiO₂/Al₂O₃, C/SiC выше в 10, 25, 25 раз соответственно по сравнению с термостойкостью защитного покрытия прототипа (табл.2).

Предлагаемое защитное покрытие обладает высоким сцеплением к композиционным материалам систем SiO₂/SiO₂, SiO₂/Al₂O₃, C/SiC. Площадь скола покрытия с композиционных материалов составляет 0% (табл.3).

Предлагаемое покрытие в процессе испытания его на термостойкость не скалывается с композиционных материалов.

Температуроустойчивость с предлагаемым защитным покрытием на композиционных материалах системы SiO₂/SiO₂ при температурах нагрева 1200°С, 1400°С, 1600°С выше в 4, 3,3, 1,7 раза; на образцах системы SiO₂/Al₂O₃ выше 3, 3,5, 2,5 раза; на образцах системы C/SiC выше в 2,3, 3,3, 2,25 раза соответственно по сравнению с композиционными материалами с покрытием прототипа (табл.4).

Применение защитного покрытия на неорганических волокнистых материалах позволит получить термостойкие композиционные материалы с высокой надежностью для изделий нового поколения авиакосмической и машиностроительной промышленности.