×
13.04.2019
219.017.0c29

Результат интеллектуальной деятельности: СПОСОБ РАЗДЕЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ КЛАССА "СИСТЕМА НА КРИСТАЛЛЕ" ПО НАДЕЖНОСТИ

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Использование: для разбраковки ИС класса «система на кристалле» по критерию потенциальной надежности. Сущность изобретения заключается в том, что на представительной выборке ИС класса «система на кристалле» измеряют значения критических напряжений питания (КНП) отдельно для каждого функционального блока ИС при различных температурах (например, при 25°С, 50°С, 75°С и верхней допустимой для ИС данного класса температуре), строят графики усредненных по выборке зависимостей значений КНП от температуры для каждого функционального блока. ИС относят к надежным или потенциально ненадежным по степени отклонения индивидуальных температурных зависимостей КНП функциональных блоков ИС от усредненных по выборке. Технический результат: обеспечение возможности повышения эффективности способа. 1 ил., 1 табл.

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности интегральных схем (ИС), и может быть использовано для разбраковки ИС по критерию потенциальной надежности, как на этапе производства, так и на входном контроле на предприятиях изготовителях радиоэлектронной аппаратуры.

Существует большое количество способов неразрушающей диагностики ИС (см., например, Горлов М.И., Емельянов В.А., Смирнов Д.Ю. Диагностика в современной электронике // Минск: Интегралполиграф, 2011. - 375 с.; Номоконова Н.Н., Гаврилов В.Ю., Алмина Н.А. Контроль микроэлектронных устройств методом критических питающих напряжений // Информатика и системы управления. - 2010. - №1(23). - С.115-120; Винокуров А.А. и др. Диагностика интегральных схем по частотным характеристикам при различных напряжениях питания и температурах // Вестник ВГТУ. - 2014. - №3-1. - С. 128-132), однако эти способы разработаны для конкретных типов схем и трудно применимы для ИС других типов. К тому же, известные способы не учитывают особенностей ИС класса «система на кристалле» (в частности, выбранного для исследования микроконтроллера (МК) ATMega8A). К особенностям ИС этого класса можно отнести наличие блоков, вьшолненных по разной технологии, наличие нескольких внутрисхемных источников питания, стабилизаторов напряжения и т.п. Разрабатываемые производителями «систем на кристалле» тесты, такие как JTAC (см. JTAG Manager - www.jtag-test.ru/SoftAndHarad/JTAG-Manager.php), позволяют осуществлять контроль работоспособности в определенных условиях, но не дают информацию о надежности. Поэтому разработка методов диагностики ИС типа «система на кристалле» является актуальной.

Для диагностики современных больших интегральных схем методы, созданные для ИС малой степени интеграции, не подходят.Это обусловлено несколькими причинами и особенностями ИС класса «система на кристалле». КМОП ИС класса «система на кристалле» имеют встроенную систему питания, которая состоит в генерировании для отдельных функциональных блоков ИС напряжения питания, отличающегося от питания всей ИС. Необходимо также учитывать наличие защитных систем. В МК серии AVR Mega имеется система Brown out Detection (BOD), которая не позволяет МК работать при напряжениях питания ниже определенного уровня (см. Ламберт Е. 8-разрядные микроконтроллеры AVR корпорации Atmel: новинки и тенденции развития // Компоненты и технологии. - 2009. - №6. - С. 62-65). Для обеспечения работы МК при диагностике по значениям критического напряжения питания (КНП), систему BOD нужно отключать, записывая в конфигурационную ячейку BODEN значение «1».

Диагностику ИС класса «система на кристалле» по КПН осложняет то, что причиной отказа может стать блок, функционально связанный со смежными блоками, и его нельзя исключить. Поэтому, по возможности нужно минимизировать количество используемых для контроля блоков МК.

Известен способ выделения ИС повышенной надежности путем измерения КНП при нормальной и повышенной температуре и расчета относительного изменения КНП (Патент 2365930 РФ. Способ выделения интегральных схем повышенной надежности // Н.Н. Козьяков, М.И. Горлов, Е.А. Золотарева. - Опубл. 28.08.2009, бюл. №24). Недостатком этого способа является то, что он неприменим для ИС, состоящих из нескольких функциональных блоков.

Изобретение направлено на расширение функциональных возможностей и повышение эффективности способа разделения ИС класса «система на кристалле» по надежности. Это достигается следующим образом.

У пяти образцов МК ATMega8A было определено КНП следующих функциональных блоков: память данных, таймер-счетчик, аналоговый компаратор. Значения КНП составляющих блоков представлены в таблице.

Затем было исследовано влияние температуры на КНП функциональных блоков МК, путем размещения контролируемых МК в термостате. Измерения проводились в диапазоне температур +25 до +85°С (максимально допустимая для данного типа ИС). Температурные зависимости КНП исследованных блоков МК представлены на фиг.1.

У всех исследованных образцов МК КНП функциональных блоков при повышении температуры снижается, при этом разброс КНП при высоких температурах увеличивается (фиг. 1). Для памяти данных сильного расхождения в зависимостях КНП от температуры не наблюдалось, а для таймер-счетчика МК №2 температурная зависимость КНП имеет форму, отличную от других, а для МК №4 при температуре 85°С наблюдался отказ. При этом у аналогового компаратора МК №4 при температуре 85°С КНП сильно возросло. На основании этих результатов можно сделать вывод, что МК №4 будет потенциально ненадежной ИС.

Способ разделения ИС класса «система на кристалле» по надежности осуществляется следующим образом.

На представительной выборке ИС класса «система на кристалле» измеряют КНП отдельно у каждого функционального блока ИС при нескольких значениях температуры (например, при 25°С, 50°С, 75°С и верхней допустимой для данного типа ИС температуре) и строят графики усредненных по выборке зависимостей значений КНП от температуры для каждого функционального блока ИС, и относят ИС к надежным или потенциально ненадежным по степени отклонения индивидуальных температурных зависимостей критического напряжения питания одного или нескольких функциональных блоков ИС от усредненных по выборке зависимостей.

Способ разделения интегральных схем (ИС) класса «система на кристалле» по надежности, в соответствии с которым на представительной выборке ИС данного класса проводится измерение критического напряжения питания, отличающийся тем, что значения критического напряжения питания измеряют отдельно для каждого функционального блока ИС при различных температурах (например, при 25°С, 50°С, 75°С и верхней допустимой для ИС данного класса температуре), строят графики усредненных по выборке зависимостей значений КНП от температуры для каждого функционального блока ИС и относят ИС к надежным или потенциально ненадежным по степени отклонения индивидуальных температурных зависимостей критического напряжения питания одного или нескольких функциональных блоков ИС от усредненных по выборке зависимостей.
СПОСОБ РАЗДЕЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ КЛАССА
СПОСОБ РАЗДЕЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ КЛАССА
Источник поступления информации: Роспатент

Showing 21-30 of 216 items.
26.08.2017
№217.015.d881

Способ получения многослойного покрытия для режущего инструмента

Изобретение относится к способам нанесения износостойких покрытий на режущий инструмент и может быть использовано в металлообработке. Вакуумно-плазменным методом наносят многослойное покрытие, при этом сначала наносят нижний слой из нитрида ниобия, затем верхний слой из нитрида соединения...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002622544
Дата охранного документа: 16.06.2017
26.08.2017
№217.015.d8a1

Способ получения многослойного покрытия для режущего инструмента

Изобретение относится к области металлургии, а именно к способам нанесения износостойких покрытий на режущий инструмент, и может быть использовано в металлообработке. Проводят вакуумно-плазменное нанесение многослойного покрытия. Сначала наносят нижний слой из нитрида титана. Затем наносят...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002622526
Дата охранного документа: 16.06.2017
26.08.2017
№217.015.d8ad

Способ получения многослойного покрытия для режущего инструмента

Изобретение относится к способу получения многослойного покрытия для режущего инструмента. Проводят вакуумно-плазменное нанесение многослойного покрытия. Сначала наносят нижний слой из нитрида ниобия. Затем наносят верхний слой из нитрида соединения титана, алюминия и молибдена при их...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002622542
Дата охранного документа: 16.06.2017
26.08.2017
№217.015.d8b7

Узловое соединение стержней коробчатого сечения пространственной конструкции

Изобретение относится к строительству, а именно к узловому соединению стержней в пространственных конструкциях покрытий, и может найти применение в оболочках сферической, конической и других пространственных форм сооружений из металлических стержней коробчатого сечения. Узловое соединение...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002623507
Дата охранного документа: 27.06.2017
26.08.2017
№217.015.dc13

Пассажирский экраноплан

Изобретение относится к пассажирским транспортным средствам на динамической воздушной подушке. Пассажирский экраноплан содержит корпус с кабиной, крыло малого удлинения, хвостовое вертикальное двухкилевое оперение с установленным на килях стабилизатором с шарнирно закрепленным рулем высоты, а...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002624231
Дата охранного документа: 03.07.2017
29.12.2017
№217.015.f0a4

Способ получения защитной оксидной пленки на металлической поверхности

Изобретение относится к области материаловедения, а именно к снижению скорости коррозии металлической поверхности изделия. Способ получения защитной оксидной пленки на металлической поверхности включает получение матрицы-основы, выполненной из железного порошка, путем смешивания железного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002638869
Дата охранного документа: 18.12.2017
29.12.2017
№217.015.f0d8

Способ получения многослойного покрытия для режущего инструмента

Изобретение относится к способам нанесения износостойких покрытий на режущий инструмент и может быть использовано в металлообработке. Проводят ионно-плазменное нанесение многослойного покрытия. Сначала наносят нижний слой из нитрида титана и кремния при их соотношении, мас. %: титан 98,0-98,4,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002638875
Дата охранного документа: 18.12.2017
29.12.2017
№217.015.f0f7

Способ получения многослойного покрытия для режущего инструмента

Изобретение относится к способам нанесения износостойких покрытий на режущий инструмент и может быть использовано в металлообработке. Проводят нанесение многослойного покрытия. Сначала наносят нижний слой из нитрида титана и хрома при их соотношении, мас. %: титан 83,5-86,5, хром 13,5-16,5....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002638874
Дата охранного документа: 18.12.2017
29.12.2017
№217.015.f114

Способ работы парового котла

Изобретение относится к области теплоэнергетики. Способ работы парового котла, по которому в топку котла подают воздух и используемый в качестве топлива природный газ, теплоту продуктов сгорания топлива отводят котловой воде и пару, после чего уходящие газы удаляют из котла в атмосферу, из...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002638898
Дата охранного документа: 18.12.2017
29.12.2017
№217.015.f360

Устройство для удаления поверхностного слоя нефтесодержащих жидкостей

Изобретение относится к устройствам для удаления поверхностного слоя нефтесодержащих жидкостей и может быть использовано в очистных сооружениях водоснабжения и канализации, в химической, металлообрабатывающей и других отраслях промышленности при очистке технологических, смазочно-охлаждающих...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002637135
Дата охранного документа: 30.11.2017
Showing 21-30 of 40 items.
25.08.2017
№217.015.be44

Способ определения напряжения локализации тока в мощных вч и свч биполярных транзисторах

Изобретение относится к технике измерения предельных параметров мощных биполярных транзисторов и может использоваться на входном и выходном контроле их качества. Способ согласно изобретению основан на использовании эффекта увеличения крутизны зависимости напряжения на эмиттерном...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002616871
Дата охранного документа: 18.04.2017
26.08.2017
№217.015.dc7b

Способ измерения теплового импеданса светодиодов

Изобретение относится метрологии, в частности к технике измерения тепловых параметров светодиодов. Через светодиод пропускают последовательность импульсов греющего тока I, широтно-импульсно модулированную по гармоническому закону, с частотой модуляции Ω и глубиной модуляции ; во время действия...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002624406
Дата охранного документа: 03.07.2017
29.12.2017
№217.015.fa06

Способ измерения переходной тепловой характеристики полупроводниковых изделий

Использование: для контроля тепловых характеристик полупроводниковых приборов и интегральных схем. Сущность изобретения заключается в том, что разогревают полупроводниковое изделие путем подачи на вход (на определенные выводы) полупроводникового изделия, подключенного к источнику питания,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002639989
Дата охранного документа: 25.12.2017
19.01.2018
№218.016.0e64

Система пассивной локации для определения координат летательного аппарата в ближней зоне аэродрома и на этапе захода на посадку с резервным каналом определения дальности

Изобретение относится к радиотехнике, а именно к методам и системам пассивной радиолокации, и может быть использовано для определения местоположения в трехмерном пространстве источника радиоизлучения (ИРИ), размещенного на летательном аппарате (ЛА) (самолет, вертолет и т.п.), за счет приема и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002633380
Дата охранного документа: 12.10.2017
10.05.2018
№218.016.4177

Способ измерения теплового импеданса цифровых интегральных микросхем

Изобретение относится к технике измерения параметров интегральных микросхем и может быть использовано для контроля качества цифровых интегральных микросхем и определения их температурных запасов. Способ измерения теплового импеданса цифровых интегральных микросхем состоит в том, что...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002649083
Дата охранного документа: 29.03.2018
10.05.2018
№218.016.451a

Осветительное устройство

Изобретение относится к осветительной технике и может быть использовано для местного освещения рабочих мест мелкого сборочного производства, офисных рабочих мест. Техническим результатом является уменьшение затенения предмета за счет его объемного освещения. Осветительное устройство содержит...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002650102
Дата охранного документа: 09.04.2018
29.12.2018
№218.016.ac93

Способ измерения температуры активной области светодиода

Изобретение относится к области измерительной техники и касается способа измерения температуры активной области светодиода. Способ заключается в том, что через светодиод пропускают греющий ток заданной величины, излучение светодиода подается на два фотоприемника и температуру активной области...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002676246
Дата охранного документа: 26.12.2018
19.04.2019
№219.017.3462

Устройство для нагрева нефти при сливе

Устройство предназначено для использования в нефтедобывающей, нефтеперерабатывающей и энергетической промышленности для нагрева нефти и нефтепродуктов при сливе из резервуаров. Устройство содержит резервуар; источник СВЧ энергии с волноводом в районе сливного прибора; радиопрозрачную пластину,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002460933
Дата охранного документа: 10.09.2012
19.06.2019
№219.017.85be

Способ диагностики полупроводниковых изделий по производным вольт-амперных характеристик

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в технологии изготовления полупроводниковых изделий (ППИ), а также для анализа изделий, отказавших у потребителя. Технический результат: повышение точности диагностики и расширение функциональных возможностей контроля...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002348941
Дата охранного документа: 10.03.2009
29.06.2019
№219.017.9bf0

Устройство для выявления потенциально ненадежных полупроводниковых интегральных схем методом анализа форм и/или параметров динамического тока потребления

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в технологии изготовления полупроводниковых интегральных схем (ИС), а также для анализа изделий, отказавших у потребителя. Технический результат: повышение точности диагностики и расширения функциональных возможностей...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002348049
Дата охранного документа: 27.02.2009
+ добавить свой РИД